12D的濕蝕刻過(guò)程中或在圖12D的濕蝕刻之前，針對(duì)突出部1222和1223進(jìn)行額外的濕蝕刻工藝。
[0183]接著，將參照?qǐng)D13A到13E描述通過(guò)使用單個(gè)掩模(Mask#2)在圖7的工藝790中形成第二保護(hù)層和第一保護(hù)層的工藝。
[0184]圖13A到13E圖解了根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式形成第一電極保護(hù)層和第二電極的工藝。
[0185]圖13A顯示了在圖12E的層上形成第一電極保護(hù)層860并在第一電極保護(hù)層860上涂布光刻膠1310。第一電極保護(hù)層860的一個(gè)例子可以是第二保護(hù)層PAS2，但并不限于此。
[0186]圖13B顯示了通過(guò)灰化光刻膠將柵極焊盤部881和數(shù)據(jù)焊盤部882上的第一電極保護(hù)層860部分干蝕刻。在第一電極保護(hù)層中，層862和864形成在觸摸信號(hào)線850a的兩側(cè)。
[0187]圖13C顯示了通過(guò)對(duì)第一電極層840額外進(jìn)行濕蝕刻形成第一電極840a和第一觸摸連接圖案840b。
[0188]圖13D圖解了通過(guò)將圖13C的層干蝕刻形成第三接觸孔893和第四接觸孔894，從而通過(guò)第四接觸孔894暴露用于柵極焊盤部891的柵極線804a，通過(guò)第三接觸孔893暴露用于數(shù)據(jù)焊盤部882的數(shù)據(jù)線816a。
[0189]圖13D顯示了通過(guò)使用單個(gè)掩模(Mask#3)在圖7的工藝790中形成公共電極(第二電極的例子)的工藝。結(jié)果，如圖8A和13E中所示，形成了第二電極870a、第一連接圖案870c、通過(guò)第二接觸孔892的第二觸摸連接圖案870b、數(shù)據(jù)焊盤連接部870d和柵極焊盤連接部870e。
[0190]由與第二電極相同的材料并通過(guò)與第二電極相同的工藝制成的第一連接圖案870c在第一連接圖案870c的兩側(cè)將第一電極840a與源極電極824接觸。
[0191]在從圖11到圖13E的工藝中總共可使用五個(gè)掩模。特別是，因?yàn)樵谛纬杀∧ぞw管之后形成第一電極、第二電極和觸摸信號(hào)線的工藝中使用三個(gè)掩模，所以可簡(jiǎn)化工藝。
[0192]在圖13C的干蝕刻工藝中，第一電極840a暴露在區(qū)域1390中。為了保持第一電極840a，可通過(guò)選擇性地進(jìn)行退火工藝對(duì)第一電極840a熱處理。就是說(shuō)，通過(guò)非晶態(tài)沉積(amorphous deposit1n)工藝形成第一電極層，并通過(guò)濕蝕刻形成第一電極。然后，為了在之后的工藝中不被蝕刻，對(duì)第一電極熱處理以聚合。因此，可防止第一電極在其他工藝中被意外蝕刻。
[0193]現(xiàn)在，將詳細(xì)描述形成根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的圖8B的層的工藝。圖11中顯示了工藝的開始，圖14A到15E中顯示了隨后的工藝。
[0194]將參照?qǐng)D14A到14F描述在圖7的工藝790中通過(guò)使用單個(gè)掩模(Mask#l)形成第一電極(像素電極)、觸摸信號(hào)線和薄膜晶體管保護(hù)層(平坦化層或覆層)的工藝。
[0195]如圖11中所不首先形成第一金屬層840和導(dǎo)電金屬層850，隨后進(jìn)行之后的工序。
[0196]圖14A到14F圖解了根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式形成第一電極、觸摸信號(hào)線和薄膜晶體管保護(hù)層的工藝。
[0197]圖14A顯示了在圖11中形成的導(dǎo)電金屬層850上涂布光刻膠1410。圖14A的實(shí)施方式與第一個(gè)實(shí)施方式區(qū)別在于形成第二連接圖案850b，從而圖14A的光刻膠1410不同于圖12A的光刻膠1210。
[0198]圖14B顯示了在涂布光刻膠之后將導(dǎo)電金屬層850濕蝕刻，并將第一電極層840濕蝕刻，以形成第一電極。
[0199]圖14C顯示了將光刻膠干蝕刻，從而蝕刻薄膜晶體管保護(hù)層830和第一保護(hù)層820。在該工藝中，形成暴露源極電極824的第一接觸孔891。在圖14C的干蝕刻中，將圖14A的光刻膠1410灰化，保留光刻膠1410的部分1410a和1410b。
[0200]參照?qǐng)D14A到14C的工藝，通過(guò)使用第一電極層840和導(dǎo)電金屬層850的圖案作為掩模將薄膜晶體管保護(hù)層830和第一保護(hù)層820干蝕刻，以產(chǎn)生圖案。
[0201]圖14D顯示了通過(guò)使用保留的光刻膠1410a和1410b蝕刻導(dǎo)電金屬層850，以形成觸摸信號(hào)線850a和第二連接圖案850b。
[0202]在圖14D中，使用光刻膠1410a和1410b由濕蝕刻工藝產(chǎn)生觸摸信號(hào)線850a和第二連接圖案850b。
[0203]圖14E顯示了在形成圖14D的觸摸信號(hào)線850a和第二連接圖案850b之后去除光刻膠 1410a 和 1410b。
[0204]圖14F顯不了圖14C的第一金屬層840的一端突出。因?yàn)榈谝唤饘賹?40被部分蝕刻，所以可由蝕刻薄膜晶體管保護(hù)層830的工藝產(chǎn)生突出部1422和1423。因此，可在圖14C的干蝕刻之后的圖14D的濕蝕刻過(guò)程中或在圖14D的濕蝕刻之前，針對(duì)突出部1422和1423進(jìn)行額外的濕蝕刻工藝。
[0205]接著，將參照?qǐng)D15A到15E描述通過(guò)使用單個(gè)掩模(Mask#2)在圖7的工藝790中形成第二保護(hù)層、第一保護(hù)層和第二電極的工藝。
[0206]圖15A到15E圖解了根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式形成第一電極保護(hù)層和第二電極的工藝。
[0207]圖15A顯示了在圖14E的層上形成第一電極保護(hù)層860并在第一電極保護(hù)層860上涂布光刻膠1510。第一電極保護(hù)層860的一個(gè)例子可以是第二保護(hù)層PAS2，但并不限于此。
[0208]圖15B顯示了通過(guò)灰化光刻膠1510將柵極焊盤部881和數(shù)據(jù)焊盤部882上的第一電極保護(hù)層部分干蝕刻。在第一電極保護(hù)層中，層862和864形成在觸摸信號(hào)線850a的兩側(cè)。
[0209]圖15C顯示了通過(guò)對(duì)第一電極層額外進(jìn)行濕蝕刻形成第一電極840a和第一觸摸連接圖案840b。
[0210]圖1?圖解了通過(guò)將圖15C的層干蝕刻形成第三接觸孔893和第四接觸孔894，從而通過(guò)第四接觸孔894暴露用于柵極焊盤部891的柵極線804a，通過(guò)第三接觸孔893暴露用于數(shù)據(jù)焊盤部882的數(shù)據(jù)線816a。
[0211]圖1?顯示了通過(guò)使用單個(gè)掩模(Mask#3)在圖7的工藝790中形成公共電極(第二電極的例子)的工藝。結(jié)果，如圖8B和15E中所示，形成了第二電極870a、第一連接圖案870c、通過(guò)第二接觸孔892的第二觸摸連接圖案870b、數(shù)據(jù)焊盤連接部870d和柵極焊盤連接部870e。
[0212]與圖8A不同，由與第二電極相同的材料并通過(guò)與第二電極相同的工藝制成的第一連接圖案870c在第一連接圖案870c的兩側(cè)將第一電極840a上的第二連接圖案850b與源極電極824接觸。
[0213]在圖15C的干蝕刻工藝中，第一電極840a暴露在區(qū)域1590中，且為了保持第一電極840a，在第一電極840a上形成第二連接圖案850b。因此，可防止第一電極在其他工藝中被意外蝕刻。
[0214]為了防止第二個(gè)實(shí)施方式的第二連接圖案850b被干蝕刻，導(dǎo)電金屬層可由Mo/Al/Mo的金屬層制成，但本發(fā)明并不限于此。
[0215]如第一和第二個(gè)實(shí)施方式中所述，在形成第一電極、觸摸信號(hào)線和第二電極時(shí)，能夠減少掩模的數(shù)量，由此提高生產(chǎn)率并節(jié)省成本。盡管本說(shuō)明書中描述了其中在第一電極之后形成第二電極的Vcom在上(Vcom-on-top) (V0T)結(jié)構(gòu)，但第一電極和第二電極的形成順序和位置是可變的，本發(fā)明可應(yīng)用于其中在第二電極之后形成第一電極的像素電極在上(pixel-on-top) (POT)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的第一和第二個(gè)實(shí)施方式可應(yīng)用于其中采用薄膜晶體管保護(hù)層，例如平坦化層PAC或覆層(0C)的Vcom在上，即公共電極在上結(jié)構(gòu)。可選擇地，本發(fā)明的第一和第二個(gè)實(shí)施方式可應(yīng)用于像素電極在上結(jié)構(gòu)。此外，當(dāng)在像素-源極-漏極(PXL-SD)接觸中形成公共電極(第二電極)時(shí)，通過(guò)側(cè)接觸形成第一連接圖案。
[0216]在像素-源極-漏極(PXL-S/D)接觸孔部分中通過(guò)使用公共電極材料(Vcom金屬)的第二連接圖案的側(cè)接觸中，可在像素電極上堆積組成觸摸信號(hào)線的導(dǎo)電金屬層(第三金屬層或M3)。
[0217]在本發(fā)明中，作為一個(gè)整體形成薄膜晶體管保護(hù)層(PAC或0C)、第二電極Vcom和觸摸信號(hào)線(導(dǎo)電金屬層，M3)，從而可減少掩模的數(shù)量。此外，在用于將觸摸信號(hào)線與第一電極Vcom連接的第二連接圖案中，觸摸信號(hào)線的寬度比第一觸摸連接圖案窄，且第一電極保護(hù)層設(shè)置在觸摸信號(hào)線的寬度的邊緣處。此外，在第一電極保護(hù)層處設(shè)置第二接觸孔，以暴露觸摸信號(hào)線，并通過(guò)第二接觸孔連接第二觸摸連接圖案。工藝的一個(gè)特征在于，在干蝕刻第一電極保護(hù)層之后將第一電極濕蝕刻。在該情形中，在其中形成有第二觸摸連接圖案的區(qū)域處不提供第一電極保護(hù)層，并且在用于薄膜晶體管保護(hù)層的濕蝕刻工藝過(guò)程中第一電極的圖案向內(nèi)縮進(jìn)。
[0218]在應(yīng)用本發(fā)明的第一和第二個(gè)實(shí)施方式中，可通過(guò)使用第二電極的圖案(VcomITO PTN)作為掩模將薄膜晶體管保護(hù)層(PAC或0C)和第一保護(hù)層(PASO)干蝕刻成圖案。此外，在有機(jī)材料的干蝕刻中不易選擇性地蝕刻有機(jī)材料，從而有機(jī)材料可被部分蝕刻或者下部的第一保護(hù)層(PASO)也可被部分蝕刻。此外，薄膜晶體管保護(hù)層可由具有低介電常數(shù)的其他有機(jī)材料代替并可被施加光敏材料或非光敏材料。
[0219]本發(fā)明的掩模減少工藝可應(yīng)用于包括a-S1、氧化物和LTPS的基板，這將參照?qǐng)D18和19描述。
[0220]如上所述，本發(fā)明的實(shí)施方式包括導(dǎo)電金屬層(M3L)。
[0221]圖16和17是圖解根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式形成其中內(nèi)置有觸摸傳感器的顯示裝置的信號(hào)線的工藝的流程圖。
[0222]圖16顯示了根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的工藝。
[0223]制備基板(S1610)，并在基板上形成薄膜晶體管(S1620)。之后，在其上堆積覆蓋薄膜晶體管的薄膜晶體管保護(hù)層、第一電極層和導(dǎo)電金屬層(S1630)。在圖11中已描述了步驟 S1620 和 S1630。
[0224]之后，如圖12A到12E中所述，通過(guò)使用第一光掩模蝕刻第一電極層、導(dǎo)電金屬層和薄膜晶體管保護(hù)層，以在第一電極層和薄膜晶體管保護(hù)層上形成暴露源極電極或漏極電極的第一接觸孔，并形成第一電極和觸摸信號(hào)線(S1640)。
[0225]接著，在涂布第一電極保護(hù)層之后通過(guò)使用第二光掩模涂布光刻膠，并形成第一電極以及與第一電極分離的第一觸摸連接圖案(S1650)。在圖13A到13D中已描述了該工藝。之后，通過(guò)使用第三光掩模形成第二電極以及由與第二電極相同的材料制成為與第二電極連接的第二觸摸連接圖案，同時(shí)形成通過(guò)第一接觸孔將暴露的源極電極或漏極電極之一與第一電極連接的第一連接圖案(S1660)。圖13E中已描述了該工藝。
[0226]圖17顯示了根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的工藝。
[0227]制備基板(S1710)，并在基板上形成薄膜晶體管(S1720)。之后，在其上堆積覆蓋薄膜晶體管的薄膜晶體管保護(hù)層、第一電極層和導(dǎo)電金屬層(S1730)。之前在圖11中已描述了步驟S1720和S1730。
[0228]之后，如圖14A到14E中所述，通過(guò)使用第一光掩模蝕刻第一電極層、導(dǎo)電金屬層和薄膜晶體管保護(hù)層，以在第一電極層和薄膜晶體管保護(hù)層上形成暴露源極電極或漏極電極的第一接觸孔，并形成第一電極、觸摸信號(hào)線和第二連接圖案(S1740)。
[0229]接著，在涂布第一電極保護(hù)層之后通過(guò)使用第二光掩模涂布光刻膠，并形成第一電極以及與第一電極分離的第一觸摸連接圖案(S1750)。在圖15A到1?中已描述了該工藝。之后，通過(guò)使用第三光掩模形成第二電極和第二觸摸連接圖案，所述第二觸摸連接圖案由與第二電極相同的材料制成為與第二電極連接，同