情形。
[0092]盡管在本說明書的附圖中用作公共電極和觸摸電極的所述多個電極S11到S14，S21到S24和S31到S34被示出為三行四列矩陣形式的十二個電極，但這僅僅是為了便于解釋的一個例子，考慮到集成有觸摸屏面板110的顯示裝置100的尺寸以及觸摸系統(tǒng)的設(shè)計標準，可通過各種數(shù)量以各種矩陣形式形成用作公共電極和觸摸電極的所述多個電極。
[0093]圖4圖解了在其中根據(jù)本發(fā)明實施方式集成有觸摸屏面板的顯示裝置為液晶顯示裝置的情形中面板的剖面圖的一個例子。
[0094]圖4顯示了其中形成有用作公共電極和觸摸電極的所述多個電極S11到S14，S21到S24和S31到S34之中的單個電極的區(qū)域(單位觸摸電極區(qū)域)的剖面圖。
[0095]參照圖4，在根據(jù)本發(fā)明實施方式的集成有觸摸屏面板的顯示裝置100的面板110上，在第一方向上(在橫向方向上，即圖4中的左右方向)在下基板400上形成柵極線402，并在柵極線402上形成柵極絕緣體404。
[0096]在第二方向上(在縱向方向上，即圖4中垂直于紙面的方向)在柵極絕緣體404上形成數(shù)據(jù)線406，并在數(shù)據(jù)線406上形成第一保護層408。
[0097]可在第一保護層408上形成每個像素區(qū)域的像素電極410和信號線412，并可在像素電極410和信號線412上形成第二保護層414。在此，信號線412從用作公共電極和觸摸電極的所述多個電極S11到S14，S21到S24和S31到S34每一個通向觸摸集成電路140，以在顯示驅(qū)動模式中給所述多個電極S11到S14，S21到S24和S31到S34傳輸公共電壓供給器中產(chǎn)生的公共電壓Vcom，并在觸摸驅(qū)動模式中給所述多個電極S11到S14，S21到S24和S31到S34傳輸觸摸集成電路140中產(chǎn)生的觸摸驅(qū)動信號。
[0098]在第二保護層414上形成用作公共電極和觸摸電極的單個電極416，并在單個電極416上形成液晶層418。在此，用作公共電極和觸摸電極的電極416可以是所述多個電極S11到S14，S21到S24和S31到S34之一并可具有塊圖案。
[0099]在液晶層418上設(shè)置上面形成有黑矩陣419A和濾色器419B的上基板420。
[0100]盡管圖4圖解了液晶顯示裝置，但本發(fā)明并不限于此，本發(fā)明可應(yīng)用于采用觸摸面板的各種顯示裝置。
[0101]圖5是根據(jù)本發(fā)明實施方式的集成有觸摸屏面板的顯示裝置中包含的面板的另一平面圖。
[0102]參照圖5，與圖3的結(jié)構(gòu)不同，信號線SL11到SL14，SL21到SL24和SL31和SL34可形成在其中形成柵極線GL的第二方向(例如橫向方向)上，所述信號線SL11到SL14，SL21到SL24和SL31和SL34與所述多個電極S11到S14，S21到S24和S31到S34連接以傳輸觸摸驅(qū)動信號或公共電壓。
[0103]在該情形中，觸摸集成電路140中產(chǎn)生的觸摸驅(qū)動信號或者從公共電壓供給器產(chǎn)生或提供的公共電壓可通過與柵極線平行形成的信號線SL11到SL14，SL21到SL24和SL31和SL34傳輸給所述多個電極S11到S14，S21到S24和S31到S34的全部或一部分。
[0104]下文，將描述制造給圖1到5中所述的公共電極傳輸觸摸驅(qū)動信號的圖3或圖5中的信號線SL11到SL14，SL21到SL24和SL31和SL34(之后稱為觸摸信號線)的方法以及能簡化制造工藝的本發(fā)明的制造方法。
[0105]在所述工藝中，觸摸信號線可以以導(dǎo)電金屬層M3L(或第三導(dǎo)電層)形成。
[0106]如上所述，在內(nèi)置式中需要附加的信號線來形成用于提供公共電壓的被分組和分塊的電極，這會帶來形成信號線所需的掩模增加。為了減少掩模數(shù)，第一電極(像素電極)、用于觸摸信號線的導(dǎo)電金屬層和形成在薄膜晶體管上的薄膜晶體管保護層(平坦化層或覆層)可被一次蝕刻，并且第一電極保護層(例如第二保護層)和第一保護層可選擇性地被一次蝕刻。此外，將第一電極連接到薄膜晶體管的源極電極或漏極電極的第一連接圖案可由與第二電極相同的材料并與第二電極同時制成?，F(xiàn)在，將描述其工藝和結(jié)構(gòu)。
[0107]在本發(fā)明中，可通過非晶硅(之后稱為“a-Si”)、金屬氧化物以及包括低溫多晶硅(之后稱為“LTPS”)和高溫多晶硅(之后稱為“HTPS”)的多晶硅在基板上形成薄膜晶體管，但本發(fā)明并不限于此。
[0108]圖6是圖解在基板上制造薄膜晶體管的工藝的示圖。
[0109]參考標記610顯示了制造a-Si的薄膜晶體管基板的方法之一，其中形成柵極電極和活性層，然后形成源極電極和漏極電極，且之后按順序615形成平坦化層、第一保護層、像素電極、觸摸信號線、第二保護層和公共電極。
[0110]參考標記620示出了制造金屬氧化物的薄膜晶體管基板的方法之一，其中形成柵極電極、活性層、蝕刻阻止層和柵極孔(G-孔)，然后形成源極電極和漏極電極，且之后按順序625形成平坦化層、第一保護層、像素電極、觸摸信號線、第二保護層和公共電極。
[0111]參考標記630示出了制造LTPS的薄膜晶體管基板的方法之一，其中形成遮光(LS)層、活性層、柵極電極、接觸孔、源極電極和漏極電極，且之后按順序635形成第一保護層(或平坦化層)、像素電極、觸摸信號線、第二保護層和公共電極。
[0112]圖7是圖解根據(jù)本發(fā)明的工藝的例子的示圖?？扇鐖D7中所示修改圖6的工藝615、625 和 635。
[0113]在本發(fā)明的實施方式中，使用單個掩模(Mask#l)形成像素電極、觸摸信號線和平坦化層，使用另一單個掩模(Mask#2)形成第二保護層和第一保護層，如參考標記790所示。
[0114]接著，使用另一單個掩模(Mask#3)形成公共電極Vcom或Vdd。結(jié)果，盡管工藝615、625和635分別具有五個操作、六個操作和五個操作，但本發(fā)明實施方式僅具有三個操作。
[0115]圖7的平坦化層是薄膜晶體管保護層的一個例子，平坦化層可由覆層代替。像素電極是第一電極的一個例子，第二保護層是第一電極保護層的一個例子。此外，公共電極是第二電極的一個例子。
[0116]如圖7中所示，可通過使用三個掩模減少圖6中對于基板來說共同的操作。
[0117]圖8A和8B是圖解根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置的像素部、柵極焊盤部和數(shù)據(jù)焊盤部的構(gòu)造的剖面圖。
[0118]除第二連接圖案850b之外，圖8A的所有元件與圖8B的相同。
[0119]可由與形成在像素部883上的薄膜晶體管相同的材料并通過與該薄膜晶體管相同的工藝制成柵極焊盤部881和數(shù)據(jù)焊盤部882。
[0120]參照顯示本發(fā)明第一個實施方式的圖8A，在根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置的像素部883中在基板800上設(shè)置有柵極電極802。柵極電極802可由導(dǎo)電金屬層和透明導(dǎo)電材料層的雙電極802a和802b形成，但柵極電極并不限于此，其可以是單個電極或多個電極。
[0121]此外，在柵極焊盤部881中在基板800上由與柵極電極802相同的材料制成柵極線 804a 和 804b ο
[0122]在柵極電極802和用于柵極焊盤的柵極線804上形成柵極絕緣體810。此外，在柵極絕緣體810上形成活性層812 (或有源層)、源極電極824和漏極電極826。此外，柵極絕緣體810上設(shè)置數(shù)據(jù)線814a和814b以及用于數(shù)據(jù)焊盤部882的數(shù)據(jù)線816a和816b。
[0123]在源極電極824、漏極電極826以及數(shù)據(jù)線814a、814b、816a和816b上依次堆積第一保護層820和薄膜晶體管保護層830。根據(jù)該實施方式，可省略第一保護層820，可僅堆積薄膜晶體管保護層830。薄膜晶體管保護層830的例子包括平坦化層或覆層。
[0124]在薄膜晶體管保護層830上設(shè)置第一電極840a和第一觸摸連接圖案840b，所述第一電極840a的實例為像素電極，所述第一觸摸連接圖案840b由與第一電極相同的材料并通過與第一電極相同的工藝制成。圖8A的參考標記850a以及圖8B的850a和850b表示導(dǎo)電金屬層，圖8A和8B的參考標記850a組成觸摸信號線。觸摸信號線850a設(shè)置在第一觸摸連接圖案840b上并與第二觸摸連接圖案870b連接，以給第二電極870a傳輸觸摸驅(qū)動信號。
[0125]形成第二電極870a，第二電極870a的實例為公共電極，并且由與第二電極相同的材料并通過與第二電極形同的工藝形成第一連接圖案870c和第二觸摸連接圖案870b。
[0126]顯示本發(fā)明第一個實施方式的圖8A的第一連接圖案870c將源極電極824和漏極電極826之一與第一電極840a連接。
[0127]顯示本發(fā)明第二個實施方式的圖8B的第一連接圖案870c形成在第二連接圖案850b上，以與源極電極824和漏極電極826之一接觸。此外，第二連接圖案850b由與觸摸信號線相同的材料并通過與觸摸信號線相同的工藝制成在第一電極840a上。
[0128]第一電極保護層860、862和864形成在第一電極840a、第一觸摸連接圖案840b、觸摸信號線850a和第二連接圖案850b上，且第一電極保護層860、862和864可以是之前實施方式中所示的第二保護層。形成位于第一電極保護層860上的第二電極870a和第二觸摸連接圖案870b、數(shù)據(jù)焊盤連接部870d和柵極焊盤連接部870e。此外，第一連接圖案870c由與第二電極870a相同的材料并通過使用同一掩模由相同的工藝制成。
[0129]第二電極870a在顯示驅(qū)動模式中可作為公共電極操作并在觸摸驅(qū)動模式中作為被施加觸摸驅(qū)動信號的觸摸電極操作。
[0130]此外，下文將描述在圖8A和8B中形成第一接觸孔891、第二接觸孔892、第三接觸孔893和第四接觸孔894。
[0131]下文，將以薄膜晶體管的示圖描述圖8A和8B中本發(fā)明的顯示裝置。
[0132]對于組成本發(fā)明的必要元件，用于傳輸柵極信號的柵極線和用于傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線分別設(shè)置在基板上的第一方向和第二方向上。此外，在由柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉部分界定的每個像素處形成薄膜晶體管。第一電極設(shè)置成與薄膜晶體管的源極電極或漏極電極之一間隔開，并且第一電極的一個例子如上所述可以是像素電極。此外，第二電極設(shè)置成與第一電極相對，并且第二電極的一個例子可以是公共電極。
[0133]如上所述，當顯示裝置處于顯示驅(qū)動模式中時，第二電極作為被施加公共電壓的公共電極操作。此外，當顯示裝置處于觸摸驅(qū)動模式中時，第二電極作為被施加觸摸驅(qū)動信號的觸摸電極操作。
[0134]在薄膜晶體管的薄膜晶體管保護層上形成第一接觸孔。此外，在第一觸摸連接圖案與第二觸摸連接圖案之間形成觸摸信號線，其中第一觸摸連接圖案由與第一電極相同的材料制成為與第一電極間隔開，第二觸摸連接圖案由與第二電極相同的材料制成為與第二電極連接。觸摸信號線給第二觸摸連接圖案傳輸觸摸驅(qū)動信號。在此，觸摸信號線可以以導(dǎo)電金屬層形成，或者如之后所述，可在堆積第一電極(像素電極)之后通過使用單個掩模與薄膜晶體管同時形成。
[0135]第一連接圖案由與第二電極相同的材料制成并通過第一接觸孔將第一電極與源極電極或漏極電極連接。之后，在第一電極和觸摸信號線上形成第一保護層。
[0136]顯示本發(fā)明第二個實施方式的圖8B的第二連接圖案850b由與觸摸信號線相同的材料并通過與觸摸信號線相同的工藝制成為設(shè)置在第一連接圖案與第一電極之間。
[0137]此外，第二觸摸連接圖案通過形成在第一保護層中的第二接觸孔設(shè)置在觸摸信號線上。此時，觸摸信號線的寬度比第一觸摸連接圖案窄，且第一電極保護層設(shè)置在觸摸信號線的