本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種抗刮抗指紋觸摸屏及其制備方法。

背景技術(shù)：

目前在市面上凡是投射式電容觸摸屏面板都為GLASS結(jié)構(gòu)，投射式電容觸摸屏結(jié)構(gòu)，由頂部GLASS面板+光學(xué)膠+底部SENSOR(SENSOR材質(zhì)可為ITO FILM或ITO GLASS)構(gòu)成。

由于現(xiàn)有的觸摸屏面板的結(jié)構(gòu)一般為基板(如玻璃、PMMA等)再鍍上一層抗指紋鍍層，使觸摸屏具有抗指紋功能，抗指紋鍍層讓觸摸屏更順滑更容易滑動(dòng)且不易留下指紋。但是抗指紋膜沒(méi)有抗刮的功能，所以抗指紋鍍層一旦被刮掉以后觸屏在使用過(guò)程中容易被刮傷，特別是手機(jī)和觸摸屏電腦，很多使用者都自行買(mǎi)了貼膜來(lái)防止屏幕被刮傷，但是貼膜也容易刮花，要不斷更換。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明為解決手機(jī)觸摸屏易留下指紋的技術(shù)問(wèn)題，提供一種具有抗刮性結(jié)構(gòu)的抗刮抗指紋觸摸屏。

一種抗刮抗指紋觸摸屏，包括頂部面板、光學(xué)膠及底部SENSOR 構(gòu)成，所述頂部面板為觸摸屏的面蓋，用于使用者點(diǎn)觸的接觸面，所述光學(xué)膠黏接面頂部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布線路；所述頂部面板上覆有真空濺鍍的二氧化硅膜，所述真空濺鍍的二氧化硅膜上覆有真空濺鍍的類(lèi)鉆石膜；所述真空濺鍍的類(lèi)鉆石膜上覆有真空蒸鍍的二氧化硅膜；所述真空蒸鍍的二氧化硅膜上覆有真空蒸鍍的抗指紋膜。

所述頂部面板為PET面板。

所述底部SENSOR 為PET或者GLASS基材的導(dǎo)線線路板。

所述真空濺鍍的二氧化硅膜厚度為1-5 nm。

所述真空濺鍍的類(lèi)鉆石膜膜層厚度為1-15 nm。

所述真空蒸鍍的抗指紋膜厚度小為1-5 nm。

一種抗刮抗指紋觸摸屏的制備方法，包括以下步驟：

一、清洗頂部面板；

二、沉積二氧化硅膜：將頂部面板放置在真空濺射腔體內(nèi)，該腔體裝有平行于頂部面板的硅靶材，關(guān)閉鍍膜腔體，抽真空到真空度為10^-3Pa以下，停止抽真空；用離子束轟擊頂部面板材料5～30分鐘，然后打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氧氣和氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氧氣分壓為0.5Pa～5Pa，氬氣的分壓為0.1Pa～5Pa，待氣壓穩(wěn)定后，在溫度為25℃～200℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s～5nm/s；鍍完二氧化硅膜后，轉(zhuǎn)移頂部面板進(jìn)入下一個(gè)鍍膜腔體；

三、沉積類(lèi)鉆石膜：將經(jīng)過(guò)步驟二處理的頂部面板進(jìn)入裝有類(lèi)鉆石靶材的真空腔體，頂部面板與靶材平行放置，向真空腔體內(nèi)通入氬氣，并保持真空腔體內(nèi)，氬氣的分壓為0.1Pa～5Pa，待氣壓規(guī)顯示氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為25℃～150℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始通電鍍膜，氬氣離子形成等離子，等離子中的正電子在電場(chǎng)力的作用下轟擊DLC靶材，使碳原子脫離，脫離后的碳原子會(huì)附著在頂部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s～5nm/s；鍍完類(lèi)鉆石膜后，通入空氣，接著取出頂部面板；

四、真空蒸鍍法沉積的二氧化硅膜：將經(jīng)過(guò)步驟三處理的頂部面板放置到真空蒸鍍機(jī)內(nèi)，該腔體有6個(gè)坩堝，分別往其中的兩個(gè)坩堝加入二氧化硅膜料和抗指紋膜料，打開(kāi)裝有二氧化硅的坩堝，關(guān)閉其余坩堝；接著打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氧氣和氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氧氣分壓為0Pa～0.01Pa，氬氣的分壓為0.1Pa～5Pa，待氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為25℃～100℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s～5nm/s；鍍完二氧化硅膜后，關(guān)閉裝有二氧化硅的坩堝；

五、真空蒸鍍法沉積抗指紋膜：打開(kāi)裝有抗指紋膜料的坩堝，接著打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氬氣的分壓為0.1Pa～5Pa，待氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為25℃～100℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s～5nm/s；鍍完抗指紋膜后，通入空氣，打開(kāi)鍍膜腔，取出頂部面板；

六、所述頂部面板為觸摸屏的面蓋，用于使用者點(diǎn)觸的接觸面，光學(xué)膠黏接頂部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布線路。

本發(fā)明克服了現(xiàn)有觸摸屏技術(shù)不具抗刮性的不足，提供了一種具有抗刮性的結(jié)構(gòu)及其制備方法。該結(jié)構(gòu)具有良好的透過(guò)性，不影響手機(jī)觸摸屏的光學(xué)性能且具有良好的抗刮性能。本發(fā)明主要采用類(lèi)鉆石靶材(diamond-likecarbon)，此材料在沉積成薄膜時(shí)其碳原子的SP3雜化程度大于70％，故具有很高的硬度具有抗刮性能。在此制程中，當(dāng)DLC大于5nm時(shí)，觸摸屏的抗刮行性能是現(xiàn)在觸摸屏技術(shù)的3倍及以上，隨著DLC厚度的增加其抗刮性能增加。

本發(fā)明抗刮抗指紋觸摸屏的制備方法制備過(guò)程簡(jiǎn)單，可制成抗刮性能良好的觸摸屏，尤其，采用真空磁控濺射法制得的DLC多晶薄膜材料具有很高的透過(guò)性和良好的抗刮性能，該膜層對(duì)基板光學(xué)改變穿透率改變量小于1％，對(duì)L值改變量小于1％，a*值的改變量小于0.05，b*值的該變量小于0.1。在相同條件下本專(zhuān)利中的強(qiáng)化玻璃基板鍍上本專(zhuān)利膜層結(jié)構(gòu)以后的觸摸屏可耐刮3000次及以上，耐磨3000次后水滴角大于108°?，F(xiàn)有產(chǎn)品只鍍抗指紋膜的強(qiáng)化玻璃耐刮次數(shù)約1000左右，耐磨3000次后水滴角大于100°，此方法極大改善了觸屏的抗刮性能，相比手機(jī)保護(hù)貼膜此抗刮膜的成本更低且無(wú)須更換。且該抗刮抗指紋膜層制程簡(jiǎn)單，可用于工業(yè)生產(chǎn)。

由于采用了上述技術(shù)方案，一種抗刮抗指紋觸摸屏及其制備方法，依次包括觸摸屏的基板，所述基板材料上覆有真空濺鍍的二氧化硅膜；所述真空濺鍍的二氧化硅膜上覆有真空濺鍍的類(lèi)鉆石膜；所述真空濺鍍的類(lèi)鉆石膜上覆有真空蒸鍍的二氧化硅膜；所述真空蒸鍍的二氧化硅膜上覆有真空蒸鍍的抗指紋膜，制備過(guò)程簡(jiǎn)單，可制成抗刮性能良好的觸摸屏，尤其，采用真空磁控濺射法制得的DLC多晶薄膜材料具有很高的透過(guò)性和良好的抗刮性能。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明技術(shù)方案不局限于以下所列舉具體實(shí)施方式，還包括各具體實(shí)施方式間的任意組合。

具體實(shí)施方式一：本實(shí)施方式一種抗刮抗指紋觸摸屏包括頂部面板、光學(xué)膠及底部SENSOR 構(gòu)成，所述頂部面板為觸摸屏的面蓋，用于使用者點(diǎn)觸的接觸面，所述光學(xué)膠黏接面頂部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布線路；所述頂部面板上覆有真空濺鍍的二氧化硅膜，所述真空濺鍍的二氧化硅膜上覆有真空濺鍍的類(lèi)鉆石膜；所述真空濺鍍的類(lèi)鉆石膜上覆有真空蒸鍍的二氧化硅膜；所述真空蒸鍍的二氧化硅膜上覆有真空蒸鍍的抗指紋膜。

具體實(shí)施方式二：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一不同的是所述頂部面板為PET面板。其它與具體實(shí)施方式一相同。

具體實(shí)施方式三：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一或二之一不同的是所述底部SENSOR 為PET或者GLASS基材的導(dǎo)線線路板。其它與具體實(shí)施方式一或二之一相同。

具體實(shí)施方式四：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至三之一不同的是所述真空濺鍍的二氧化硅膜厚度為1-5 nm。其它與具體實(shí)施方式一至三之一相同。

具體實(shí)施方式五：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至四之一不同的是所述真空濺鍍的類(lèi)鉆石膜膜層厚度為1-15 nm。其它與具體實(shí)施方式一至四之一相同。

具體實(shí)施方式六：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至五之一不同的是所述真空蒸鍍的抗指紋膜厚度小為1-5 nm。其它與具體實(shí)施方式一至五之一相同。

具體實(shí)施方式七：具體實(shí)施方式一所述一種抗刮抗指紋觸摸屏的制備方法，包括以下步驟：

一、清洗頂部面板；

二、沉積二氧化硅膜：將頂部面板放置在真空濺射腔體內(nèi)，該腔體裝有平行于頂部面板的硅靶材，關(guān)閉鍍膜腔體，抽真空到真空度為10^-3Pa以下，停止抽真空；用離子束轟擊頂部面板材料5～30分鐘，然后打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氧氣和氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氧氣分壓為0.5Pa～5Pa，氬氣的分壓為0.1Pa～5Pa，待氣壓穩(wěn)定后，在溫度為25℃～200℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s～5nm/s；鍍完二氧化硅膜后，轉(zhuǎn)移頂部面板進(jìn)入下一個(gè)鍍膜腔體；

三、沉積類(lèi)鉆石膜：將經(jīng)過(guò)步驟二處理的頂部面板進(jìn)入裝有類(lèi)鉆石靶材的真空腔體，頂部面板與靶材平行放置，向真空腔體內(nèi)通入氬氣，并保持真空腔體內(nèi)，氬氣的分壓為0.1Pa～5Pa，待氣壓規(guī)顯示氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為25℃～150℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始通電鍍膜，氬氣離子形成等離子，等離子中的正電子在電場(chǎng)力的作用下轟擊DLC靶材，使碳原子脫離，脫離后的碳原子會(huì)附著在頂部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s～5nm/s；鍍完類(lèi)鉆石膜后，通入空氣，接著取出頂部面板；

四、真空蒸鍍法沉積的二氧化硅膜：將經(jīng)過(guò)步驟三處理的頂部面板放置到真空蒸鍍機(jī)內(nèi)，該腔體有6個(gè)坩堝，分別往其中的兩個(gè)坩堝加入二氧化硅膜料和抗指紋膜料，打開(kāi)裝有二氧化硅的坩堝，關(guān)閉其余坩堝；接著打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氧氣和氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氧氣分壓為0Pa～0.01Pa，氬氣的分壓為0.1Pa～5Pa，待氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為25℃～100℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s～5nm/s；鍍完二氧化硅膜后，關(guān)閉裝有二氧化硅的坩堝；

五、真空蒸鍍法沉積抗指紋膜：打開(kāi)裝有抗指紋膜料的坩堝，接著打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氬氣的分壓為0.1Pa～5Pa，待氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為25℃～100℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s～5nm/s；鍍完抗指紋膜后，通入空氣，打開(kāi)鍍膜腔，取出頂部面板；

六、所述頂部面板為觸摸屏的面蓋，用于使用者點(diǎn)觸的接觸面，光學(xué)膠黏接頂部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布線路。

具體實(shí)施方式八：本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式七不同的是所述真空蒸鍍的二氧化硅膜料純度為99.9％。其它與具體實(shí)施方式七相同。

采用下述實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證本發(fā)明效果：

實(shí)驗(yàn)一： 一種抗刮抗指紋觸摸屏的制備方法，包括以下步驟：

一、清洗頂部面板；

二、沉積二氧化硅膜：將頂部面板放置在真空濺射腔體內(nèi)，該腔體裝有平行于頂部面板的硅靶材，關(guān)閉鍍膜腔體，抽真空到真空度為10^-3Pa以下，停止抽真空；用離子束轟擊頂部面板材料5分鐘，然后打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氧氣和氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氧氣分壓為0.5Pa，氬氣的分壓為0.1Pa，待氣壓穩(wěn)定后，在溫度為25℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s；鍍完二氧化硅膜后，轉(zhuǎn)移頂部面板進(jìn)入下一個(gè)鍍膜腔體；

三、沉積類(lèi)鉆石膜：將經(jīng)過(guò)步驟二處理的頂部面板進(jìn)入裝有類(lèi)鉆石靶材的真空腔體，頂部面板與靶材平行放置，向真空腔體內(nèi)通入氬氣，并保持真空腔體內(nèi)，氬氣的分壓為0.1Pa，待氣壓規(guī)顯示氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為25℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始通電鍍膜，氬氣離子形成等離子，等離子中的正電子在電場(chǎng)力的作用下轟擊DLC靶材，使碳原子脫離，脫離后的碳原子會(huì)附著在頂部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s；鍍完類(lèi)鉆石膜后，通入空氣，接著取出頂部面板；

四、真空蒸鍍法沉積的二氧化硅膜：將經(jīng)過(guò)步驟三處理的頂部面板放置到真空蒸鍍機(jī)內(nèi)，該腔體有6個(gè)坩堝，分別往其中的兩個(gè)坩堝加入二氧化硅膜料和抗指紋膜料，打開(kāi)裝有二氧化硅的坩堝，關(guān)閉其余坩堝；接著打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氧氣和氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氧氣分壓為0Pa，氬氣的分壓為0.1Pa，待氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為25℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s～5nm/s；鍍完二氧化硅膜后，關(guān)閉裝有二氧化硅的坩堝；

五、真空蒸鍍法沉積抗指紋膜：打開(kāi)裝有抗指紋膜料的坩堝，接著打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氬氣的分壓為0.1Pa，待氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為25℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s；鍍完抗指紋膜后，通入空氣，打開(kāi)鍍膜腔，取出頂部面板；

六、所述頂部面板為觸摸屏的面蓋，用于使用者點(diǎn)觸的接觸面，光學(xué)膠黏接頂部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布線路。

實(shí)驗(yàn)二： 一種抗刮抗指紋觸摸屏的制備方法，包括以下步驟：

一、清洗頂部面板；

二、沉積二氧化硅膜：將頂部面板放置在真空濺射腔體內(nèi)，該腔體裝有平行于頂部面板的硅靶材，關(guān)閉鍍膜腔體，抽真空到真空度為10^-3Pa以下，停止抽真空；用離子束轟擊頂部面板材料30分鐘，然后打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氧氣和氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氧氣分壓為5Pa，氬氣的分壓為5Pa，待氣壓穩(wěn)定后，在溫度為200℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為5nm/s；鍍完二氧化硅膜后，轉(zhuǎn)移頂部面板進(jìn)入下一個(gè)鍍膜腔體；

三、沉積類(lèi)鉆石膜：將經(jīng)過(guò)步驟二處理的頂部面板進(jìn)入裝有類(lèi)鉆石靶材的真空腔體，頂部面板與靶材平行放置，向真空腔體內(nèi)通入氬氣，并保持真空腔體內(nèi)，氬氣的分壓為5Pa，待氣壓規(guī)顯示氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為150℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始通電鍍膜，氬氣離子形成等離子，等離子中的正電子在電場(chǎng)力的作用下轟擊DLC靶材，使碳原子脫離，脫離后的碳原子會(huì)附著在頂部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉積速率為0.1nm/s～5nm/s；鍍完類(lèi)鉆石膜后，通入空氣，接著取出頂部面板；

四、真空蒸鍍法沉積的二氧化硅膜：將經(jīng)過(guò)步驟三處理的頂部面板放置到真空蒸鍍機(jī)內(nèi)，該腔體有6個(gè)坩堝，分別往其中的兩個(gè)坩堝加入二氧化硅膜料和抗指紋膜料，打開(kāi)裝有二氧化硅的坩堝，關(guān)閉其余坩堝；接著打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氧氣和氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氧氣分壓為0.01Pa，氬氣的分壓為5Pa，待氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為100℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為5nm/s；鍍完二氧化硅膜后，關(guān)閉裝有二氧化硅的坩堝；

五、真空蒸鍍法沉積抗指紋膜：打開(kāi)裝有抗指紋膜料的坩堝，接著打開(kāi)氧氣和氬氣閥門(mén)，向真空腔體內(nèi)通入氬氣，并保持真空腔體內(nèi)氬氣的分壓為5Pa，待氣壓穩(wěn)定之后，再在溫度為100℃下加熱頂部面板，待溫度穩(wěn)定之后，開(kāi)始鍍膜，保持薄膜沉積速率為5nm/s；鍍完抗指紋膜后，通入空氣，打開(kāi)鍍膜腔，取出頂部面板；

六、所述頂部面板為觸摸屏的面蓋，用于使用者點(diǎn)觸的接觸面，光學(xué)膠黏接頂部面板和底部SENSOR ，所述底部SENSOR用于布線路。