寬度的邊緣處。此外，第二接觸孔形成在第一電極保護(hù)層中，以暴露觸摸信號線。
[0138]此外，數(shù)據(jù)焊盤連接部和柵極焊盤連接部由與第二電極相同的材料并通過與第二電極相同的工藝制成。更具體地說，數(shù)據(jù)焊盤連接部通過第一電極保護(hù)層中的第三接觸孔而設(shè)置，數(shù)據(jù)焊盤連接部通過第一電極保護(hù)層中的第四接觸孔而設(shè)置。
[0139]同時，圖8A和8B顯示了柵極焊盤部881和數(shù)據(jù)焊盤部882。現(xiàn)在，將描述包括分別與柵極焊盤部881和數(shù)據(jù)焊盤部882連接的數(shù)據(jù)驅(qū)動部(見圖1的120)和柵極驅(qū)動部(見圖1的130)的顯示裝置。
[0140]基本來說，顯示裝置具有NXP個薄膜晶體管、與薄膜晶體管的源極電極或漏極電極連接并與之間隔開的NXP個第一電極(例如像素電極)、以及與第一電極相對以給N個像素提供相同信號的P個第二電極(例如公共電極)。下面將給出更詳細(xì)的描述。
[0141]由在柵極線與數(shù)據(jù)線的交叉部分界定出的NXP個像素的每一個處設(shè)置薄膜晶體管，柵極線設(shè)置在基板上的第一方向上以傳輸柵極信號，數(shù)據(jù)線設(shè)置在基板上的第二方向上以傳輸數(shù)據(jù)信號。此外，第一電極與薄膜晶體管的源極電極和漏極電極之一間隔開。同時，P個第二電極與第一電極相對并給N個像素提供相同信號。此外，在薄膜晶體管上設(shè)置薄膜晶體管保護(hù)層(例如平坦化層或0C層)，并在薄膜晶體管保護(hù)層中形成第一接觸孔。形成第一連接圖案，以通過第一接觸孔將第一電極與源極電極或漏極電極連接。此外，觸摸信號線設(shè)置在第一觸摸連接圖案與第二觸摸連接圖案之間并給第二觸摸連接圖案傳輸觸摸驅(qū)動信號。第一觸摸連接圖案由與第一電極相同的材料制成為與第一電極間隔開。此外，第二觸摸連接圖案由與第二電極相同的材料制成為與第二電極連接。
[0142]第一連接圖案在像素區(qū)域中將第一電極與源極電極或漏極電極連接。因此，第一連接圖案由與第二電極相同的材料制成并通過第一接觸孔將源極電極和漏極電極之一與第一電極連接。第一連接圖案可通過對應(yīng)于像素的數(shù)量而存在，就是說，可提供NXP個第一連接圖案。
[0143]此外，顯示裝置包括形成在第一電極和觸摸信號線上的第一電極保護(hù)層。
[0144]多個第二電極可被施加觸摸驅(qū)動信號。在顯示面板的觸摸驅(qū)動模式中，觸摸集成電路給多個第二電極的全部或一部分施加觸摸驅(qū)動信號。此外，數(shù)據(jù)驅(qū)動部在顯示驅(qū)動模式中給多條數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓，并且柵極驅(qū)動部在顯示驅(qū)動模式中依次給多條柵極線提供掃描信號。
[0145]如上所述，第二連接圖案設(shè)置在第一連接圖案與第一電極之間并由與觸摸信號線相同的材料制成。此外，顯示面板的第二觸摸連接圖案通過形成在第一電極保護(hù)層中的第二接觸孔而設(shè)置在觸摸信號線上。同時，顯示面板的觸摸信號線的寬度比第一觸摸連接圖案窄，并且第一電極保護(hù)層設(shè)置在觸摸信號線的寬度的邊緣處。第二接觸孔設(shè)置在第一電極保護(hù)層中并能將觸摸信號線暴露，這可能使觸摸信號線受上面層的影響。顯示裝置的數(shù)據(jù)焊盤連接部和柵極焊盤連接部可由與第二電極相同的材料制成。數(shù)據(jù)焊盤連接部通過顯示面板的第一電極保護(hù)層中的第三接觸孔而設(shè)置，柵極焊盤連接部通過顯示面板的第一電極保護(hù)層中的第四接觸孔而設(shè)置。
[0146]參照第二電極，更詳細(xì)地說，第二電極在顯示裝置的顯示驅(qū)動模式中用作被施加公共電壓的公共電極，并在顯示裝置的觸摸驅(qū)動模式中用作被施加觸摸驅(qū)動信號的觸摸電極。
[0147]圖9A到9E是圖解根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置的像素部、柵極焊盤部和數(shù)據(jù)焊盤部的構(gòu)造的平面圖。在圖9A到9E中，為便于描述沒有顯示薄膜晶體管保護(hù)層(例如平坦化層或覆層)、第一電極保護(hù)層(例如第二保護(hù)層)、第一保護(hù)層和柵極絕緣體。
[0148]圖9A、9B和9C顯示了用于形成圖8A中的本發(fā)明第一個實施方式的工藝的平面圖，圖9A、9D和9E顯示了用于形成圖8B中的本發(fā)明第二個實施方式的工藝的平面圖。在此，圖9A共同應(yīng)用于兩個實施方式。
[0149]現(xiàn)在，將描述本發(fā)明的第一個實施方式。
[0150]圖9A是其中形成數(shù)據(jù)線、柵極線和薄膜晶體管的平面圖。形成用于數(shù)據(jù)焊盤部的數(shù)據(jù)線816a、用于柵極焊盤部的柵極線804a、源極電極824、漏極電極826和活性層812。圖9A的這些層堆積在如下文描述的圖11的第一保護(hù)層820下方。
[0151]圖9B是其中由相同材料制成第一電極840a和第一觸摸連接圖案840b并在第一觸摸連接圖案840b上形成觸摸信號線850a的平面圖。此外，形成第一接觸孔891，以使第一電極840a與源極電極824接觸。圖9B的這些層顯示在圖12E中。
[0152]圖9C顯示了由相同材料制成第二電極870a和第一連接圖案870c，且由與第二電極870a相同的材料形成第二觸摸連接圖案870b、數(shù)據(jù)焊盤連接部870d和柵極焊盤連接部870eo第一連接圖案870c通過第一接觸孔891將第一電極840a與源極電極824連接。圖8A中顯示了其堆積結(jié)構(gòu)。
[0153]現(xiàn)在，將描述本發(fā)明的第二個實施方式。
[0154]在圖9A中所示形成薄膜晶體管之后，由相同材料形成第一電極840a和第一觸摸連接圖案840b，并在第一觸摸連接圖案840b上形成觸摸信號線850a，如圖9D中所示。此夕卜，形成第一接觸孔891，以使第一電極840a與源極電極824接觸。此外，由與觸摸信號線850a相同的材料形成第二連接圖案850b，第二連接圖案850b與第一電極840a上的第一接觸孔891相鄰。圖9D的堆積結(jié)構(gòu)顯示在圖14E中。
[0155]圖9E顯示了由相同材料形成第二電極870a和第一連接圖案870c，并且由與第二電極870a相同的材料形成第二觸摸連接圖案870b、數(shù)據(jù)焊盤連接部870d和柵極焊盤連接部870e。第一連接圖案870c通過第一接觸孔891將形成在第一電極840a上的第二連接圖案850b與源極電極824連接。其堆積結(jié)構(gòu)與圖8B中所示的相同。
[0156]圖10圖解了根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示裝置的構(gòu)造。
[0157]更具體地說，在圖10中，在數(shù)據(jù)線和柵極線的交叉部分處形成NXP個像素及其薄膜晶體管。此外，在通過將N個像素分為一組而形成的區(qū)域處存在P個公共電極。P個公共電極具有像素區(qū)域1010，像素區(qū)域1010顯示了其中存在第一觸摸連接圖案、第二觸摸連接圖案和觸摸信號線的像素。標(biāo)準(zhǔn)像素區(qū)域1020不具有觸摸信號線與公共電極之間的連接圖案。標(biāo)準(zhǔn)像素區(qū)域可選擇性地包括第一連接圖案。此外，如上所述，第二連接圖案和第一連接圖案由與公共電極相同的材料制成，且第二連接圖案由與觸摸信號線相同的材料制成。
[0158]現(xiàn)在，下面將描述具有減少了掩模數(shù)量的形成圖8A和8B中的第一連接圖案870a和第二連接圖案850b的工藝。
[0159]圖11圖解了薄膜晶體管、第一保護(hù)層、薄膜晶體管保護(hù)層和第一電極的堆積。
[0160]在同一工藝中在基板800上由雙電極802a和802b形成柵極電極802并由雙電極804a和804b形成與柵極焊盤連接部連接的柵極線804，柵極焊盤連接部與柵極驅(qū)動部連接。
[0161]導(dǎo)電金屬層802a和804a可由選自包括鋁(A1)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬-鎢(MoW)、鉬-鈦(MoTi)和銅/鉬-鈦(Cu/MoTi)的導(dǎo)電金屬的組中至少一種制成，但并不限于此。此外，透明導(dǎo)電材料層802b和804b可由選自包括氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)和碳納米管(CNT)的組中的至少一種制成，但并不限于此。電極802和804并不限于此雙電極，可由單個電極形成。
[0162]可在形成柵極線的過程中通過單個掩模形成圖11的電極802和804。此外，可在電極802和804上形成柵極絕緣體810。
[0163]在柵極絕緣體上形成活性層812、源極電極824和漏極電極826，同時形成數(shù)據(jù)線814和816。此時，可使用單個掩模。
[0164]更具體地說，活性層812例如可由諸如非晶硅或多晶硅、LTPS、HTPS或類似物這樣的半導(dǎo)體材料形成。此外，活性層812可由諸如氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(IGZ0)、氧化鋅銦(ΖΙ0)、摻鎵的ZnO(ZGO)或類似物這樣的氧化物半導(dǎo)體材料形成。
[0165]此外，通過使用諸如濺射或沉積這樣的形成薄膜的工藝同時形成源極電極824和漏極電極826，由此完成薄膜晶體管。
[0166]在薄膜晶體管上形成第一保護(hù)層820。第一保護(hù)層820可由諸如S1jP 3丨^這樣的無機材料或者諸如光學(xué)亞克力這樣的有機材料形成，但本發(fā)明并不限于此。
[0167]此外，在第一保護(hù)層820上形成薄膜晶體管保護(hù)層830。作為薄膜晶體管保護(hù)層830的實例的平坦化層可具有幾十到幾百的介電常數(shù)，并且可由諸如LaA103、La203、Y203和LaAl306這樣的輕稀土氧化物、稀土復(fù)合氧化物或鈦酸鍶鋇(BST)氧化物制成，但本發(fā)明并不限于此。此外，薄膜晶體管保護(hù)層830可通過使用有機材料形成為覆層。電極之間的不平坦可由諸如平坦化層或覆層這樣的薄膜晶體管保護(hù)層830彌補，由此變平坦。
[0168]在薄膜晶體管保護(hù)層830上形成第一電極層840。第一電極層840可由諸如ΙΤ0、ΙΖ0和ΙΤΖ0這樣的透明導(dǎo)電材料制成。第一電極層840通過之后的工藝提供像素電極的功能并與源極電極824或漏極電極826連接。
[0169]在第一電極層840上形成用于觸摸信號線的導(dǎo)電金屬層850。導(dǎo)電金屬層850通過預(yù)定的蝕刻工藝變?yōu)橛|摸信號線850a和第二連接圖案850b。
[0170]為了產(chǎn)生光刻膠圖案，通過光刻工藝涂布光刻膠。之后，在光刻膠上覆蓋具有透光區(qū)域和遮光區(qū)域的掩模，然后將掩模曝光，以產(chǎn)生理想的光刻膠圖案。穿過透光區(qū)域的光使光刻膠變硬，其余區(qū)域被顯影，反之亦然。
[0171]將詳細(xì)描述制造根據(jù)本發(fā)明第一個實施方式的圖8A中的層的方法。圖11中顯示了工藝的開始，圖12A到13E顯示了隨后的工藝。
[0172]圖12A到12F圖解了根據(jù)本發(fā)明第一個實施方式形成第一電極、觸摸信號線和薄膜晶體管保護(hù)層的工藝。
[0173]將參照圖12A到12F描述圖7的工藝790，其中通過使用單個掩模(Mask#l)形成第一電極(像素電極)、觸摸信號線和薄膜晶體管保護(hù)層(平坦化層或覆層)。
[0174]圖11顯示了工藝的開始。
[0175]圖12A顯示了在圖11中形成的導(dǎo)電金屬層850上涂布光刻膠1210。
[0176]圖12B顯示了在涂布光刻膠之后將導(dǎo)電金屬層850濕蝕刻，并將第一電極層840濕蝕刻，以形成第一電極。
[0177]圖12C顯示了將光刻膠干蝕刻，由此蝕刻薄膜晶體管保護(hù)層830和第一保護(hù)層820。在該工藝中，形成暴露源極電極824的第一接觸孔891。在圖12C的干蝕刻中，將圖12A的光刻膠1210灰化，并且保留光刻膠1210的部分1210a。
[0178]參照圖12A到12C的工藝，通過使用第一電極層840和導(dǎo)電金屬層850的圖案作為掩模將薄膜晶體管保護(hù)層830和第一保護(hù)層820進(jìn)行干蝕刻，以產(chǎn)生圖案。
[0179]圖12D顯示了通過使用保留的光刻膠1210a蝕刻導(dǎo)電金屬層850，以形成觸摸信號線 850a。
[0180]在圖12D中，使用光刻膠1210a由干蝕刻工藝產(chǎn)生觸摸信號線850a。
[0181]圖12E顯示了在形成圖12D的觸摸信號線850a之后去除光刻膠1210a。
[0182]圖12F顯不了圖12C的第一金屬層840的一端突出。因為第一金屬層840被部分蝕刻，所以可由蝕刻薄膜晶體管保護(hù)層830的工藝產(chǎn)生突出部1222和1223。因此，可在圖12C的干蝕刻之后在圖