專利名稱：濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種集成電路加工設備，具體涉及一種濕法氧化膜刻蝕設備水槽
裝置。
背景技術：
現有的濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置如

圖1所示，包括噴淋管2，噴淋管2上均布 有兩排噴淋孔A、B，噴淋孔A與水平線的夾角為35。，即噴淋孔A的噴淋角度為向上35。； 噴淋孔B與水平線的夾角為50。，即噴淋孔B的噴淋角度為向下50。；噴淋孔A、B的孔徑 為1. 5mm。噴淋管2通過兩排噴淋孔A、 B將水流噴向晶圓1。 通過水流量數字模擬圖，發(fā)現這種結構的濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置，晶圓之 間表面的水流量十分不均，這就造成晶圓與晶圓間氧化膜蝕刻量差異較大。以LL130這一 種化學藥液為例，刻蝕量差異大約為8 IOA。通過對實驗結果的分析發(fā)現，在Kaijo機器 上，晶圓擺放位置的不同會導致不同的刻蝕量；水流量不同也會導致不同的刻蝕量。

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置，它可 以減少濕法蝕刻中晶圓與晶圓間氧化膜蝕刻量的差異性。 為解決上述技術問題，本實用新型濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置的技術解決方案 為 包括噴淋管，噴淋管上均布有噴淋孔，所述噴淋孔的噴淋角度為向上45。。 所述噴淋孔為一排。 所述噴淋孔的孔徑為1. 8mm。 本實用新型可以達到的技術效果是 本實用新型噴淋出的水流量均一性更好，能夠有效減少晶圓與晶圓間水流量的差 異，使晶圓與晶圓間氧化膜刻蝕量差異性減小，從而改善晶圓與晶圓間氧化膜刻蝕量的均一性。
以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明 圖1是現有技術濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置的示意圖； 圖2是本實用新型濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置的示意圖。
圖中附圖標記說明 1為晶圓，2為噴淋管，A、B、C為噴淋孔。
具體實施方式
如圖2所示，本實用新型濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置，包括噴淋管2，噴淋管2上
3均布有一排噴淋孔C，噴淋孔C與水平線的夾角為45。，即噴淋角度為向上45。；噴淋孔C 的孔徑為1. 8mm。 本實用新型用于Kai jo的氧化膜刻蝕機臺，分別在BEWAAJ04/BEWAAJ03機臺上實 施，使用化學藥液LL130浸泡145sec后經過本實用新型，得到的刻蝕量差異為3 5A。
權利要求一種濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置，包括噴淋管，噴淋管上均布有噴淋孔，其特征在于所述噴淋孔的噴淋角度為向上45°。
2. 根據權利要求1所述的濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置，其特征在于所述噴淋孔為一排。
3. 根據權利要求1或2所述的濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置，其特征在于所述噴淋孔的孔徑為1. 8mm。
專利摘要本實用新型公開了一種濕法氧化膜刻蝕設備水槽裝置，包括噴淋管，噴淋管上均布有噴淋孔，所述噴淋孔的噴淋角度為向上45°。所述噴淋孔為一排。所述噴淋孔的孔徑為1.8mm。本實用新型噴淋出的水流量均一性更好，能夠有效減少晶圓與晶圓間水流量的差異，使晶圓與晶圓間氧化膜刻蝕量差異性減小，從而改善晶圓與晶圓間氧化膜刻蝕量的均一性。
文檔編號C30B33/10GK201538818SQ20092007463
公開日2010年8月4日 申請日期2009年10月22日 優(yōu)先權日2009年10月22日
發(fā)明者董銳, 蔡亮 申請人:上海華虹Nec電子有限公司