一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池制造過程中的濕法刻蝕的裝置，具體是一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]RENA Inoxiside鏈?zhǔn)絾蚊鏉穹涛g機(jī)臺是使硅片在藥液上漂浮達(dá)到刻蝕背面和側(cè)邊PN結(jié)的效果。但硅片在藥液上漂浮，由于液體張力而浸入到邊緣擴(kuò)散表面，必然對擴(kuò)散面的N型層或P型層造成影響，這是濕法刻蝕無法避免的缺陷。如圖2所示，目前RENAInoxiside鏈?zhǔn)綕穹涛g機(jī)臺可控制擴(kuò)散面單邊刻蝕線寬度的水平在0.5_ - 2.0_，刻蝕線寬度越寬，擴(kuò)散面刻蝕區(qū)域I面積越大，電池的有效受光面積會減少，從而導(dǎo)致短路電流降低，同時(shí)區(qū)域7的部分區(qū)域擴(kuò)散方阻上升，會導(dǎo)致漿料的接觸電阻上升，電池片的串聯(lián)電阻增大，這兩個(gè)因素都會造成電池片的效率降低。
[0003]Schmid鏈?zhǔn)絾蚊鏉穹涛g是通過水膜保護(hù)上表面的擴(kuò)散面，減少擴(kuò)散面單邊的刻蝕寬度。由于上表面水膜中水會溢到酸腐蝕液中，稀釋酸腐蝕液，這樣酸的補(bǔ)液量會增大，造成化學(xué)品的單耗會上升3倍以上，化學(xué)品的成本增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]發(fā)明目的:本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，通過采用該裝置及其方法，減少現(xiàn)有濕法刻蝕工藝中對擴(kuò)散面產(chǎn)生的多余刻蝕區(qū)域，增加電池的有效受光面積，提高電池效率。
[0005]技術(shù)方案:為了實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明所述的一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，它包括:刻蝕機(jī)、刻蝕槽體、硅片、滾輪、腐蝕液液面、氣泵、排氣管、氣孔、抽風(fēng)機(jī)、抽風(fēng)口和抽風(fēng)管，所述的排氣管位于硅片的上方，排氣管上設(shè)有一排氣孔，排氣管和氣泵相連，刻蝕機(jī)和刻蝕槽體的中間處設(shè)有抽風(fēng)口，抽風(fēng)口通過抽風(fēng)管和抽風(fēng)機(jī)相連。
[0006]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)選，所述的氣孔輸出的氣體的方向與硅片的傳輸方向平行，氣孔位于硅片中線的上方。待刻蝕的硅片進(jìn)入刻蝕槽后，通過在硅片上方加氣孔輸出氣體，在硅片上表面的擴(kuò)散面形成從與硅片傳輸方向平行的硅片中線向兩側(cè)的氣流，該氣流在刻蝕時(shí)用來阻止酸腐蝕液從硅片側(cè)面通過張力作用對擴(kuò)散面的腐蝕，然后該硅片漂浮在刻蝕藥液上進(jìn)行常規(guī)濕法刻蝕。
[0007]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)選，所述的氣泵的壓力值限定為l~10kg/cm2，抽風(fēng)機(jī)的壓力限定為5~15kg/cm2，通過氣泵對氣孔進(jìn)行輸氣，硅片兩側(cè)增加兩排抽風(fēng)口，抽風(fēng)機(jī)通過抽風(fēng)管將氣孔出來的氣體抽走，這樣在硅片上表面的會形成從硅片中線向兩側(cè)的氣流。
[0008]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)選，所述的氣孔輸出的氣體為壓縮空氣或氮?dú)?，從氣孔中被輸出的壓縮空氣或氮?dú)庑纬蓺饬髟诳涛g時(shí)來阻止酸腐蝕液從硅片側(cè)面通過張力作用對擴(kuò)散面的腐蝕，然后該硅片漂浮在刻蝕藥液上進(jìn)行常規(guī)濕法刻蝕，減少現(xiàn)有濕法刻蝕工藝中對擴(kuò)散面產(chǎn)生的多余刻蝕區(qū)域，增加電池的有效受光面積，提高電池效率有益效果:本發(fā)明提供的一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，通過在刻蝕機(jī)的上方加設(shè)與氣泵相連的排氣管，排氣管上設(shè)有的一排氣孔的輸出氣體的方向與硅片的傳輸方向平行，在硅片的兩側(cè)設(shè)有抽風(fēng)機(jī)相連的抽風(fēng)口，實(shí)現(xiàn)利用氣流在硅片表面形成保護(hù)層，減少現(xiàn)有濕法刻蝕工藝中對擴(kuò)散面產(chǎn)生的多余刻蝕區(qū)域，增加PN結(jié)的有效受光面積，提高光電轉(zhuǎn)換效率，增加電池效率。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為現(xiàn)有技術(shù)中硅片擴(kuò)散面的有效受光面積；
圖3為通過采用本發(fā)明后硅片擴(kuò)散面的有效受光面積。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明。
[0011]如圖1所示，本發(fā)明所述的一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，它包括:刻蝕機(jī)
1、刻蝕槽體2、娃片3、滾輪4、腐蝕液液面5、氣泵6、排氣管7、氣孔8、抽風(fēng)機(jī)9、抽風(fēng)口 10和抽風(fēng)管11。
[0012]實(shí)施例1
先將排氣管7與氣泵6相連，然后將設(shè)有一排氣孔8的排氣管7水平置于硅片3的中線的上方，然后在刻蝕機(jī)I和刻蝕槽體2的中間處加設(shè)抽風(fēng)口 10，抽風(fēng)口 10通過抽風(fēng)管11和抽風(fēng)機(jī)9相連。
[0013]待刻蝕的硅片3進(jìn)入刻蝕槽2后，啟動氣泵6，由氣泵6向排氣管7上的氣孔8輸送壓縮空氣，氣泵6的壓力值限定為lkg/cm2，啟動抽風(fēng)機(jī)9，抽風(fēng)機(jī)9的壓力限定為5kg/cm2，此時(shí)，通過氣孔8向硅片3的上方輸出壓縮空氣或者氮?dú)?，氣?輸出的空氣或氮?dú)獾姆较蚺c硅片3的傳輸方向平行，此時(shí)，在硅片3上表面的擴(kuò)散面形成從與硅片3傳輸方向平行的硅片中線向兩側(cè)的氣流，該氣流在刻蝕時(shí)用來阻止酸腐蝕液從硅片3側(cè)面通過張力作用對擴(kuò)散面的腐蝕，然后該硅片漂浮在刻蝕藥液上進(jìn)行常規(guī)濕法刻蝕。
[0014]如圖2、圖3所示，經(jīng)過比較發(fā)現(xiàn)，通過采用本發(fā)明，硅片3擴(kuò)散面的有效受光面積增大，擴(kuò)散面刻蝕區(qū)域12減小，最終提升光電轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)鍍膜后的電池外觀更均勻。
[0015]在單、多晶太陽能電池的RENA Inoxside鏈?zhǔn)綕穹涛g和去PSG中采用本發(fā)明所述的一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，經(jīng)證明可以帶來的電池效率和良率的提升。
[0016]實(shí)施例2
先將排氣管7與氣泵6相連，然后將設(shè)有一排氣孔8的排氣管7水平置于硅片3的中線的上方，然后在刻蝕機(jī)I和刻蝕槽體2的中間處加設(shè)抽風(fēng)口 10，抽風(fēng)口 10通過抽風(fēng)管11和抽風(fēng)機(jī)9相連。
[0017]待刻蝕的硅片3進(jìn)入刻蝕槽2后，啟動氣泵6，由氣泵6向排氣管7上的氣孔8輸送壓縮氮?dú)?，氣?的壓力值限定為10kg/cm2，啟動抽風(fēng)機(jī)9，抽風(fēng)機(jī)9的壓力限定為15kg/cm2，此時(shí)，通過氣孔8向硅片3的上方輸出壓縮空氣或者氮?dú)?，氣?輸出的空氣或氮?dú)獾姆较蚺c硅片3的傳輸方向平行，此時(shí)，在硅片3上表面的擴(kuò)散面形成從與硅片3傳輸方向平行的硅片中線向兩側(cè)的氣流，該氣流在刻蝕時(shí)用來阻止酸腐蝕液從硅片3側(cè)面通過張力作用對擴(kuò)散面的腐蝕，然后該硅片漂浮在刻蝕藥液上進(jìn)行常規(guī)濕法刻蝕。
[0018]如圖2、圖3所示，經(jīng)過比較發(fā)現(xiàn)，通過采用本發(fā)明，硅片3擴(kuò)散面的有效受光面積增大，擴(kuò)散面刻蝕區(qū)域12減小，最終提升光電轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)鍍膜后的電池外觀更均勻。
[0019]在單、多晶太陽能電池的RENA Inoxside鏈?zhǔn)綕穹涛g和去PSG中采用本發(fā)明所述的一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，經(jīng)證明可以帶來的電池效率和良率的提升。
[0020]上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的是讓熟悉該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所做出的等同變換或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，它包括:刻蝕機(jī)(1)、刻蝕槽體(2)、硅片(3)、滾輪(4)和腐蝕液液面(5)，其特征在于:它還包括:氣泵(6)、排氣管(7)、氣孔(8)、抽風(fēng)機(jī)(9)、抽風(fēng)口(10)和抽風(fēng)管(11)，所述的排氣管(7)位于硅片(3)的上方，排氣管(7)上設(shè)有一排氣孔(8 )，排氣管(7 )和氣泵(6 )相連，刻蝕機(jī)(I)和刻蝕槽體(2 )的中間處設(shè)有抽風(fēng)口(10 )，抽風(fēng)口( 10 )通過抽風(fēng)管(11)和抽風(fēng)機(jī)(9 )相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，其特征在于:所述的氣孔(8)輸出的氣體的方向與硅片(3)的傳輸方向平行。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，其特征在于:所述的氣孔(8)位于硅片(3)中線的上方。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，其特征在于:所述的氣泵(6)的壓力值限定為l~10kg/cm2。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，其特征在于:所述的抽風(fēng)機(jī)(9)的壓力限定為5~15kg/cm2 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，其特征在于:所述的氣孔(8)輸出的氣體為壓縮空氣或氮?dú)狻?br>【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氣流保護(hù)濕法刻蝕擴(kuò)散面的裝置，它包括：刻蝕機(jī)、刻蝕槽體、硅片、滾輪、腐蝕液液面、氣泵、排氣管、氣孔、抽風(fēng)機(jī)、抽風(fēng)口和抽風(fēng)管，所述的排氣管位于硅片的上方，排氣管上設(shè)有一排氣孔，排氣管和氣泵相連，刻蝕機(jī)和刻蝕槽體的中間處設(shè)有抽風(fēng)口，抽風(fēng)口通過抽風(fēng)管和抽風(fēng)機(jī)相連，通過采用本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)利用氣流在硅片表面形成保護(hù)層，減少現(xiàn)有濕法刻蝕工藝中對擴(kuò)散面產(chǎn)生的多余刻蝕區(qū)域，增加PN結(jié)的有效受光面積，提高光電轉(zhuǎn)換效率，增加電池效率。
【IPC分類】H01L31/0236, H01L21/67
【公開號】CN104979411
【申請?zhí)枴緾N201510410622
【發(fā)明人】劉仁中, 陳同銀, 夏正月, 張斌
【申請人】奧特斯維能源（太倉）有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年7月14日