專利名稱：線路板及其制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種線路板(circuit board)及其制作工藝，且特別是有關(guān)于一種在同一線路層中具有內(nèi)埋式線路與非內(nèi)埋式線路的線路板及其制作工藝。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今的線路板技術(shù)已從一般常見的非內(nèi)埋式線路板發(fā)展為內(nèi)埋式線路板 (embedded circuit board)。詳細而言，一般常見的非內(nèi)埋式線路板的特征在于其線路是 突出于介電層的表面上，而內(nèi)埋式線路板的特征在于其線路是內(nèi)埋于介電層中。目前，線路 板的線路結(jié)構(gòu)通常都是通過光刻與蝕刻工藝或激光燒蝕方式分別所形成。有關(guān)上述形成線 路板的線路結(jié)構(gòu)的方法，請參考圖IA至圖1E、圖2A至圖2C以及以下的說明。圖IA至圖IE為已知一線路板的線路結(jié)構(gòu)工藝的剖面示意圖。請先參考圖1A，依 照已知的線路板的線路結(jié)構(gòu)工藝，首先，提供一介電層12，其中介電層12具有一表面12a。 接著，請參考圖1B，于介電層12的表面12a上形成一金屬層14。接著，請參考圖1C，形成一 圖案化掩膜16于金屬層14上。接著，請同時參考圖IC與圖1D，以圖案化掩膜16為蝕刻掩 膜，蝕刻部分暴露于圖案化掩膜16的外的金屬層14，而形成一一般線路圖案14a與一微細 線路圖案14b。之后，移除圖案化掩膜16，以暴露出一般線路圖案14a與微細線圖案14b。 至此，線路板的線路結(jié)構(gòu)10已大致完成。由于已知的線路板的線路結(jié)構(gòu)10是利用光刻與蝕刻工藝，以同時于一線路層中 形成一般線路圖案14a與微細線圖案14b，其中微細線路圖案14b的線路14b’的線寬小于 一般線路圖案14a的線路14a’的線寬。然而，微細線路圖案14b的線路14b’受限于蝕刻 的工藝能力，造成已知蝕刻工藝無法穩(wěn)定地控制蝕刻變異性(蝕刻液對金屬層14與介電層 12表面殘銅的蝕刻程度)，因此已知技術(shù)制作出的微細線路圖案14b的線路14b’的線寬工 藝公差較大，也就是說，蝕刻工藝無法精確地控制微細線路圖案14b的線路14b’的線寬。換 言之，已知的線路板的線路結(jié)構(gòu)10利用光刻與蝕刻工藝，無法在同一介電層12的表面12a 上制作出一般線路圖案14a與較精確的微細線路圖案14b。圖2A至圖2C為已知一內(nèi)埋式線路板的線路結(jié)構(gòu)的工藝的剖面示意圖。請先參考 圖2A，依照已知的內(nèi)埋式線路板的線路結(jié)構(gòu)的工藝，首先，提供一介電層22，其中介電層22 具有一表面22a。接著，請參考圖2B，于介電層22的表面22a照射一激光束L，以形成一第 一凹刻圖案22b與一第二凹刻圖案22c。之后，請參考圖2C，形成一一般線路圖案24a于第 一凹刻圖案22b內(nèi)以及形成一微細線路圖案24b于第二凹刻圖案22c內(nèi)。至此，內(nèi)埋式線 路板的線路結(jié)構(gòu)20已大致完成。已知的線路板的線路結(jié)構(gòu)20是利用激光繞走燒蝕的方式，以同時于一線路層形 成一般線路圖案24a與微細線圖案24b，其中一般線路圖案24a的線路24a’的線寬大于微 細線路圖案24b的線路24b’的線寬，也就是說，第一凹刻圖案22b需由激光束L繞走燒蝕 較大面積的介電層22來形成一般線路圖案24a的線路24a’所需的線寬。然而，激光繞走 燒蝕較大面積時，需耗費較多的激光能量與較多的時間，另連續(xù)激光繞走燒蝕下，激光輸出能量的穩(wěn)度控制或激光束的景深控制，皆有可能容易造成第一凹刻圖案22b的底面有平整 度不均的風(fēng)險。換言之，激光繞走燒蝕的方式不適于制作內(nèi)埋式線路板的線路結(jié)構(gòu)20的大 面積一般線路圖案24a，除了需消耗較多的時間外，也有線路品質(zhì)不穩(wěn)定的風(fēng)險。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種線路板及其制作工藝，尤其是一種在同一線路層中具有內(nèi)埋式線 路與非內(nèi)埋式線路的線路板及其制作工藝。本發(fā)明提出一種線路板的制作工藝。首先，提供一第一介電層。第一介電層具有一 第一表面與至少一第一線路。接著，形成一第二介電層于第一介電層上。第二介電層具有 一第二表面，且第二介電層覆蓋第一表面與第一線路。接著，對第二介電層的第二表面照射 一第一激光束，以形成至少一從第二介電層的第二表面延伸至第一線路的盲孔。接著，對第 二介電層的第二表面照射一第二激光束，以形成一第二凹刻圖案，其中第二凹刻圖案與盲 孔相連接。以噴印的方式形成一第一催化層于第二介電層的部分第二表面上。之后，形成 一圖案化線路層于第二介電層。圖案化線路層包括位于第一催化層上的至少一第二線路、 位于第二凹刻圖案內(nèi)的至少一第三線路以及位于盲孔中的一連接線路，其中第二線路或第 三線路由連接線路電性連接至第一線路，且第三線路的線寬小于第二線路的線寬。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一介電層還具有一位于第一表面的第一凹刻圖 案，且第一線路位于第一凹刻圖案內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一線路位于第一介電層的第一表面上。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二介電層的材質(zhì)包括一高分子聚合物。在本發(fā)明的一實施例中，上述的高分子聚合物是為選自于由環(huán)氧樹脂、改質(zhì)的 環(huán)氧樹脂、聚酯(Polyester)、丙烯酸酯、氟素聚合物(Fluoro-polymer)、聚亞苯基氧化 物(Polyphenylene Oxide)、聚酰亞胺(Polyimide)、酚酸樹脂(Phenolicresin)、聚砜 (Polysulfone)、娃素聚合物(Silicone polymer)、BT 樹月旨(Bismaleimide Triazine ModifiedEpoxy (BT Resin))、氰酸聚酯(Cyanate Ester)、聚乙烯(Polyethylene)、聚 碳酸酯樹脂(polycarbonate, PC)、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物(acrylonitrile-b utadiene-styrene copolymer, ABS copolymer)、聚對苯二 甲酸乙 二酉旨(polyethylene ter印hthalate，PET)樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate, PBT) 樹脂、液晶高分子(liquidcrystal polymers，LCP)、聚酰胺 6 (polyamide 6，PA 6)、尼龍 (Nylon)、共聚聚甲酸(polyoxymethylene，Ρ0Μ)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide, PPS) 及環(huán)狀烯烴共聚高分子(cyclic olefin copolymer, C0C)所組成的群組。在本發(fā)明的一實施例中，上述的以噴印的方式形成第一催化層的步驟之前，還包 括于第二介電層的部分第二表面上形成一自組裝薄膜層。在本發(fā)明的一實施例中，上述的自組裝薄膜層的材質(zhì)包括具有末端官能基 HS-R-S03-、HS-R-C00H或HS-R-OH的硫醇分子，其中R為含有C、H線性烴類有機分子。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二介電層包括多顆觸媒顆粒，而在第二介電層 形成盲孔的同時以及在第二介電層的第二表面上形成第二凹刻圖案的同時，還包括活化部 分的這些觸媒顆粒，以形成一活化層。在本發(fā)明的一實施例中，上述的這些觸媒顆粒包括多個納米金屬顆粒。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的這些觸媒顆粒的材質(zhì)包括金屬配位化合物。在本發(fā)明的一實施例中，上述的這些金屬配位化合物的材質(zhì)包括金屬氧化物、金 屬氮化物、金屬錯合物或金屬螯合物。在本發(fā)明的一實施例中，上述的這些金屬配位化合物的材質(zhì)為選自于由鋅 (Zn，Zinc)、銅(Cu，Copper)、銀(Ag，Silver)、金(Au，Gold)、鎳(Ni，Nickel)、鈀(Pd， Palladium)、鉬(Pt, Platinum)、鋁(Al, Aluminum)、鈷(Co, Cobalt)、銠(Rh, Rhodium)、銥 (Ir, Iridium)、鐵(Fe, Iron)、猛(Mn,Manganese)、絡(luò)(Cr, Chromium)、銷(Mo,molybdenum)、 鎢(W，Wolfram),釩(V，Vanadium)、鉭(Ta，Tantalum)、銦(In，Indium)以及鈦(Ti， Titanium)所組成的群組。在本發(fā)明的一實施例中，上述的以噴印形成第一催化層步驟之前，還包括于盲孔 的內(nèi)壁以及第二介電層的部分第二表面上形成一自組裝薄膜層。在本發(fā)明的-實施例中，上述的自組裝薄膜層的材質(zhì)包括具有末端官能基 HS-R-S03-、HS-R-C00H或HS-R-OH的硫醇分子，其中R為含有C、H線性烴類有機分子。在本發(fā)明的-實施例中，上述的以噴印的方式形成第一催化層于第二介電層的部 分第二表面上的同時，還包括以噴印的方式形成一第二催化層于盲孔的孔璧內(nèi)，且第二催 化層與第一催化層實質(zhì)上相切或部分重疊。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二介電層包括多顆觸媒顆粒，而在第二介電層 的第二表面上形成第二凹刻圖案的同時，還包括活化部分的這些觸媒顆粒，以形成一活化層。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一催化層的材質(zhì)與第二催化層的材質(zhì)皆是選自 由鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、鋁、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭、銦以及鈦所組成的群組。在本發(fā)明的一實施例中，上述的圖案化線路層的材質(zhì)包括銅、銀、錫、鋁、鎳或金。在本發(fā)明的一實施例中，上述的圖案化線路層的材料為導(dǎo)電膏。本發(fā)明提出一種線路板，其包括一第一介電層、一第二介電層、一第一催化層以及 一圖案化線路層。第一介電層具有一第一表面與至少一第一線路。第二介電層配置于第一 介電層上且覆蓋第一表面與第一線路。第二介電層具有一第二表面、至少一從第二表面延 伸至第一線路的盲孔以及一第二凹刻圖案，其中第二凹刻圖案與盲孔相連接。第一催化層， 配置于第二介電層的部分第二表面上。圖案化線路層具有至少一第二線路、至少一第三線 路以及一連接線路。第二線路配置于第一催化層上。第三線路配置于第二凹刻圖案內(nèi)。連 接線路配置于盲孔中。第二線路或第三線路由連接線路電性連接至第一線路，且第三線路 的線寬小于第二線路的線寬。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一介電層還具有一配置于第一表面的第一凹刻 圖案，且第一線路配置于第一凹刻圖案內(nèi)。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一線路配置于第一介電層的第一表面上。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二介電層的材質(zhì)包括一高分子聚合物。在本發(fā)明的一實施例中，上述的高分子聚合物是為選自于由環(huán)氧樹脂、改質(zhì)的環(huán) 氧樹脂、聚酯、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亞苯基氧化物、聚酰亞胺、酚醛樹脂、聚砜、硅素聚 合物、BT樹脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯樹脂、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚對苯 二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、液晶高分子、聚酰胺6、尼龍、共聚聚甲醛、聚苯硫醚及環(huán)狀烯烴共聚高分子所組成的群組。在本發(fā)明的一實施例中，上述的線路板還包一自組裝薄膜層，其中自組裝薄膜層配置于第二介電層的部分第二表面上與第一催化層之間。在本發(fā)明的一實施例中，上述的自組裝薄膜層的材質(zhì)包括具有末端官能基 HS-R-S03-、HS-R-COOH或HS-R-OH的硫醇分子，其中R為含有C、H線性烴類有機分子。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二介電層包括多顆觸媒顆粒，線路板還包括一 活化層，其中活化層是由這些觸媒顆粒經(jīng)活化后所形成，且活化層配置于第二介電層的第 二凹刻圖案內(nèi)與圖案化線路層的第三線路之間以及盲孔的內(nèi)壁與連接線路之間，活化層與 第一催化層交界實質(zhì)上相切或部分重疊。在本發(fā)明的一實施例中，上述的線路板還包一第二催化層與一自組裝薄膜層，其 中第二催化層配置于盲孔的內(nèi)壁與圖案化線路層的連接線路之間，且第二催化層與第一催 化層實質(zhì)上相切或部分重疊。自組裝薄膜層配置于第二介電層的部分第二表面上與第一催 化層之間以及盲孔內(nèi)壁與第二催化層之間。在本發(fā)明的一實施例中，上述的自組裝薄膜層的材質(zhì)包括具有末端官能基 HS-R-S03-、HS-R-COOH或HS-R-OH的硫醇分子，其中R為含有C、H線性烴類有機分子。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一催化層的材質(zhì)與第二催化層的材質(zhì)皆是選自 由鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、鋁、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭、銦以及鈦所組成的群組。在本發(fā)明的一實施例中，上述的圖案化線路層的材質(zhì)包括銅、銀、錫、鋁、鎳或金。在本發(fā)明的一實施例中，上述的圖案化線路層的材料為導(dǎo)電膏?；谏鲜?，本發(fā)明先采用激光燒蝕技術(shù)于第二介電層上形成第二凹刻圖案，接著， 采用噴印先形成催化層后，再形成圖案化線路層來制作突出于第二介電層的第二線路(例 如是一般線路)以及位于第二凹刻圖案內(nèi)的第三線路(例如是微細線路)，以分別形成微細 線路與一般線路。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配 合附圖作詳細說明如下，其中圖IA至圖IE為已知一線路板的線路結(jié)構(gòu)工藝的剖面示意圖。圖2A至圖2C為已知一內(nèi)埋式線路板的線路結(jié)構(gòu)的工藝的剖面示意圖。圖3為本發(fā)明的一實施例的一種線路板的剖面示意圖。圖4A至圖4F是圖3的線路板的制作工藝的剖面示意圖。圖5為本發(fā)明的一實施例的一種線路板的剖面示意圖。圖6A至圖6F是圖5的線路板的制作工藝的剖面示意圖。
具體實施例方式圖3為本發(fā)明的一實施例的一種線路板的剖面示意圖。請參考圖3，在本實施例 中，線路板100包括一第一介電層110、一第二介電層120以及一圖案化線路層130。值得 一提的是，線路板100的結(jié)構(gòu)可以僅具有單一線路層，或是具有多層線路層。也就是說，線 路板100可以是單層線路板(single layer circuit board)、雙層線路板(double layercircuitboard)或多層線路板(multi-layer circuit board)。在本實施例中，圖3僅以線路板100為一增層線路板進行說明。詳細而言，第一介電層110具有一第一表面112、一第一凹刻圖案114與至少一第 一線路116 (圖3中僅示意地繪示兩個)。這些第一線路116配置于第一介電層110的第一 凹刻圖案114內(nèi)，且這些第一線路116與第一介電層110的第一表面112實質(zhì)上切齊，換言 之，這些第一線路116基本上可算是一種內(nèi)埋式線路。在此必須說明的是，在圖3所示的實施例中，第一介電層110雖然具有第一凹刻圖 案114，且這些第一線路116配置于第一介電層110的第一凹刻圖案114內(nèi)，但在其它未繪 示的實施例中，第一介電層110亦可不具有第一凹刻圖案114，且這些第一線路116是直接 位于第一介電層110的第一表面112。換言之，這些位于第一表面112的第一線路116可算 是一種一般線路(即非內(nèi)埋式線路)。因此，圖3所示的第一介電層110的結(jié)構(gòu)僅為舉例說 明，并非限定本發(fā)明。第二介電層120配置于第一介電層110上，且覆蓋第一介電層110的第一表面112 與這些第一線路116。第二介電層120具有一第二表面122、一第二凹刻圖案124以及至 少一從第二表面122延伸至這些第一線路116的盲孔126(圖3中僅示意地繪示一個)，其 中第二凹刻圖案124與盲孔126相連接。在本實施例中，第二介電層120的材質(zhì)包括一高 分子聚合物，其中高分子聚合物可以是環(huán)氧樹脂、改質(zhì)的環(huán)氧樹脂、聚酯、丙烯酸酯、氟素聚 合物、聚亞苯基氧化物、聚酰亞胺、酚醛樹脂、聚砜、硅素聚合物、BT樹脂、氰酸聚酯、聚乙烯、 聚碳酸酯樹脂、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸 丁二酯樹脂、液晶高分子、聚酰胺6、尼龍、共聚聚甲醛、聚苯硫醚、環(huán)狀烯烴共聚高分子或這 些高分子聚合物的任意組合。更值得一提，在本實施例中，前述的第二介電層120可以包括 多顆觸媒顆粒128，而這些觸媒顆粒128可以包括多個納米金屬顆粒，其中黑色的觸媒顆粒 128代表已活化的觸媒顆粒128，白色的觸媒顆粒128則代表未活化的觸媒顆粒128。這些 觸媒顆粒128的材質(zhì)包括多個金屬配位化合物，其中配位化合物是指由中心離子(或原子) 和幾個配體分子(或離子)以配位鍵相結(jié)合而形成的復(fù)雜分子或離子，通常稱為配位單元， 而凡是含有配位單元的化合物都稱作配位化合物，簡稱配合物，也叫絡(luò)合物。這些金屬配位 化合物可以包括是金屬氧化物、過渡金屬氮化物、金屬錯合物或金屬螯合物，其中這些金屬 配位化合物的材質(zhì)為選自于由鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、鋁、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、 鉭、鈦、銦或這些金屬的任意組合。圖案化線路層130具有至少一第二線路132 (圖3中僅示意地繪示兩個)、至少一 第三線路134(圖3中僅示意地繪示三個)以及一連接線路136，其中圖案化線路層130的 材質(zhì)包括銅、銀、錫、鋁、鎳或金，但不以此為限。于其它實施例中，圖案化線路層130的材料 亦可以是導(dǎo)電膏，其中導(dǎo)電膏包括銅膏、銀膏、碳膏、納米銀或?qū)щ姼叻肿硬牧稀Ｔ敿毝裕@些第二線路132配置于第二介電層120的部分第二表面122上，也就 是說，這些第二線路132突出于第二介電層120的第二表面122，此為一般常見的非內(nèi)埋式 線路。這些第三線路134配置于第二介電層120的第二凹刻圖案124內(nèi)，且這些第三線路 134與第二介電層120的第二表面122實質(zhì)上切齊，換言之，這些第三線路134基本上可算 是一種內(nèi)埋式線路。連接線路136配置于盲孔126中，且這些第二線路132之一與這些第 三線路134之一可由連接線路136電性連接至這些第一線路116之一。當(dāng)然，在其它未繪示的實施例中，連接線路136亦可以只連接這些第二線路132之一或這些第三線路134之 一，也就是說，這些第二線路132或這些第三線路134可由連接線路136電性連接至這些第 一線路116。特別是，在本實施例中，這些第三線路134的線寬分別小于這些第二線路132的線寬，也就是說，這些第二線路132相對于這些第三線路134而言，可視為一般線路，這些第三 線路134相對于這些第二線路132而言，可視為微細線路。舉例而言，在本實施例中，這些 第三線路134的線寬例如小于50微米(μ m)，而這些第三線路134的線寬分別小于這些第 二線路132的線寬，換言之，這些第二線路132的線寬為50微米(μπι)以上。此外，線路板100還包括一活化層140、一第一催化層152以及一第二催化層154。 在本實施例中，活化層140是由這些觸媒顆粒128活化后所形成，且此活化層140配置于第 二介電層120的第二凹刻圖案內(nèi)124與圖案化線路層130的這些第三線路134之間。第一 催化層152配置于第二介電層120的部分第二表面122上與圖案化線路層130的這些第二 線路132之間。第二催化層154配置于盲孔126的內(nèi)壁與圖案化線路層130的連接線路 136之間。第一催化層152與第二催化層154實質(zhì)上相切，且第二催化層154與形成于相 連至第二凹刻圖案124內(nèi)的活化層140交界實質(zhì)上相切。當(dāng)然，于其它實施例中，第一催化 層152與第二催化層154亦可以同時形成，且第二催化層154與形成于相連至第二凹刻圖 案124內(nèi)的活化層140交界亦可實質(zhì)上部分重疊，仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離 本發(fā)明所欲保護的范圍。另外，第一催化層152的材質(zhì)組成與第二催化層154的材質(zhì)組成 皆可以是選自由鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、鋁、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭、銦、鈦或這 些金屬的任意組合。值的一提的是，在其它實施例中，線路板100還可包括一配置于盲孔126的內(nèi)壁與 第二催化層154之間以及第二介電層120的部分第二表面122與第一催化層152之間的自 組裝薄膜層，其中自組裝薄膜層(Self-Assembly Membrane, SAM)是為一種“多種化合物選 擇性吸附于一基板表面上，并形成具方向性的且高品質(zhì)緊密的多層膜”，其分子的自組成主 要是水溶液中的低濃度帶有特殊官能基(例如氫鍵)或相對電荷的非離子性高分子或陽離 子高分子或陰離子高分子以自發(fā)性層狀(layer-to-layer)地化學(xué)吸附于物質(zhì)表面上。此 夕卜，自組裝薄膜層的材質(zhì)例如為具有末端官能基HS-R-S03-、HS-R-COOH或HS-R-OH的硫醇 分子，其中R為含有C、H線性烴類有機分子，所以這些選擇性吸附的聚高分子會形成一雙層 (bi-layer)的結(jié)構(gòu)進而形成多層(multiplayer)的自組成結(jié)構(gòu)。簡言之，本實施例的線路板100，在圖案化線路層130中具有突出于第二介電層 120的第二表面122的這些第二線路132以及內(nèi)埋于第二介電層120的第二凹刻圖案124 內(nèi)的這些第三線路134，且這些第三線路134的線寬分別小于這些第二線路132的線寬。如 此，本發(fā)明的線路板100于同一線路層中具有內(nèi)埋式的微細線路與非內(nèi)埋式的一般線路。此外，這些第二線路132之一或這些第三線路134之一分別由盲孔126中的連接 線路136電性連接至第一介電層110的這些第一線路116之一，換言之，第二介電層120的 這些第二線路132或這些第三線路134可分別通過連接線路136與第一介電層110的這些 第一線路116電性連接。當(dāng)然，在其它實施例中，第二線路132或第三線路134亦可以不通 過盲孔126中的連接線路136而直接連接第一線路116。因此，圖3中所示的第一線路116、 第二線路132、第三線路134及連接線路136的連接關(guān)系僅為舉例說明，本發(fā)明并不以此為限。以上僅介紹本發(fā)明的線路板100的結(jié)構(gòu)，并未介紹本發(fā)明的線路板100的工藝。對此，以下將以圖3中的線路板100的結(jié)構(gòu)作為舉例說明，并配合圖4A至圖4F對本發(fā)明的線 路板100的制作工藝進行詳細的說明。圖4A至圖4F是圖3的線路板的制作工藝的剖面示意圖。請先參考圖4A，依照本 實施例的線路板100的工藝，首先，提供一第一介電層110。第一介電層110具有一第一表 面112、一第一凹刻圖案114與至少一第一線路116 (圖4A中僅示意地繪示兩個)，其中這 些第一線路116位于第一凹刻圖案114內(nèi)，且這些第一線路116與第一介電層110的第一 表面112實質(zhì)上切齊，換言之，這些第一線路116基本上可算是一種內(nèi)埋式線路。在此必須 說明的是，在其它實施例中，第一介電層110亦可不具有第一凹刻圖案114，且這些第一線 路116是直接位于第一介電層110的第一表面112。換言之，這些位于第一表面112的第一 線路116可算是一種一般線路(即非內(nèi)埋式線路)。因此，圖4A所示的第一介電層110的 結(jié)構(gòu)僅為舉例說明，并非限定本發(fā)明。接著，請參考圖4B，形成一第二介電層120于第一介電層110上，其中第二介電層 120覆蓋第一表面112與這些第一線路116。詳細而言，第二介電層120具有一第二表面 122，且第二介電層120包括多顆觸媒顆粒128，而這些觸媒顆粒128包括多個納米金屬顆 粒。這些觸媒顆粒128的材質(zhì)包括金屬配位化合物，其中金屬配位化合物的材質(zhì)可以包括 金屬氧化物、金屬氮化物、金屬錯合物或金屬螯合物，且這些金屬配位化合物的材質(zhì)為選自 于由鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、鋁、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭、銦以及鈦所組成的群 組。進一步而言，這些觸媒顆粒128例如是多個金屬氧化物顆粒、多個金屬氮化物顆 粒、多個金屬錯合物顆粒、多個金屬螯合物顆?；蚨鄠€金屬顆粒，且這些觸媒顆粒128的 材質(zhì)可以包括鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、鋁、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭、銦或鈦，或是 這些金屬的任意組合。也就是說，這些觸媒顆粒128內(nèi)的金屬原子可以是鋅、銅、銀、金、 鎳、鈀、鉬、鋁、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭、銦或鈦，且這些觸媒顆粒128可以包括這 些金屬原子的任意結(jié)合。舉例而言，這些觸媒顆粒128例如是氧化銅、鈷鉬雙金屬氮化物 (Co2Mo3Nx)顆?；蜮Z金屬顆粒。接著，請參考圖4C，對第二介電層120的第二表面122照射一第一激光束Li，以形 成至少一從第二介電層120的第二表面122延伸至這些第一線路116的盲孔126 (圖4C中 僅示意地繪示一個)，其中盲孔126暴露出位于第一介電層110的第一凹刻圖案114內(nèi)的部 分第一線路116，第一激光束Ll包括使用紅外線激光光源、紫外線激光光源、遠紅外線激光 光源或準(zhǔn)分子激光光源。在本實施例中，第一激光束Ll例如為二氧化碳激光光源(紅外線 激光光源)。接著，請參考圖4D，對第二介電層120的第二表面122照射一第二激光束L2，以形 成一第二凹刻圖案124，其中第二凹刻圖案124與盲孔126相連接，第二激光束L2包括使用 紅外線激光光源、紫外線激光光源、遠紅外線激光光源或準(zhǔn)分子激光光源。特別是，在本實 施例中，由于第二激光束L2是使用紫外線激光光源，因此當(dāng)?shù)诙す馐鳯2燒蝕具有這些觸 媒顆粒128的第二介電層120時，在第二介電層120的第二表面122上形成第二凹刻圖案 124的同時，一些觸媒顆粒128會活化并裸露于第二凹刻圖案124內(nèi)，而形成一活化層140。圖4D中的這些觸媒顆粒128會以黑色或白色來表示觸媒顆粒128是否被活化。黑色的觸媒顆粒128代表已活化的觸媒顆粒128 (即活化層140)，而白色的觸媒顆粒128則代表未活 化的觸媒顆粒128。接著，請參考圖4E，以噴印的方式形成一第一催化層152于第二介電層120的部分 第二表面122上以及形成一第二催化層154于盲孔126的內(nèi)壁、暴露于第一凹刻圖案114 內(nèi)的部分第一線路116，其中第一催化層152與第二催化層154可同時形成，且第二催化層 154與形成于相連至第二凹刻圖案124內(nèi)的活化層140交界實質(zhì)上相切或部分重疊。之后， 請參考圖4F，于第一催化層152、第二催化層154以及活化層140上形成圖案化線路層130， 其中形成圖案化線路層130的方式例如是無電電鍍法或電鍍法。此外，本實施例中所形成的第一催化層152的材質(zhì)與第二催化層154的材質(zhì)皆可 以包括鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、鋁、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭、銦或鈦，或是這些金 屬的任意組合。另外，在其它未繪示的實施例中，以噴印的方式形成第催化層152與第二 催化層154的步驟之前，還包括可以形成一自組裝薄膜層于盲孔126的內(nèi)壁以及第二介電 層120的部分第二表面122上，其中自組裝薄膜層的材質(zhì)包括具有末端官能基HS-R-S03-、 HS-R-COOH或HS-R-OH的硫醇分子，其中R為含有C、H線性烴類有機分子。具體而言，本實施例中所形成的圖案化線路層130包括位于部分第二表面122上 的這些第二線路132、位于第二凹刻圖案124內(nèi)的這些第三線路134以及位于盲孔126中 的連接線路136，其中這些第二線路132之一或這些第三線路134之一分別由連接線路136 電性連接至這些第一線路116之一，且這些第三線路134的線寬分別小于這些第二線路132 的線寬。舉例而言，本實施例的這些第二線路132的線寬例如為50微米(μπι)以上，而這 些第三線路134的線寬分別小于這些第二線路132的線寬，換言之，這些第三線路134的線 寬例如為小于50微米(μπι)。另外，由于在本實施例中可直接由無電電鍍法于第一催化層 152、第二催化層154以及活化層140上形成圖案化線路層130，因此可縮短這些第二線路 132與第三線路134的工藝時間。至此，線路板100已大致完成。在此必須說明的是，本發(fā)明的線路板100的工藝是先形成盲孔126后，再形成第二 凹刻圖案124，但不以為限。于其它實施例中，亦可以改變形成盲孔126與第二凹刻圖案124 的順序，也就是說，先形成第二凹刻圖案124之后，再形成連接第一線路116的盲孔126。之 后，其余的步驟皆類似本發(fā)明上述實施例的方式。簡言之，本實施例的線路板100是采用激光束以及噴印的方式來制作，線路板100 先利用第一激光束Ll于第二表面122形成連通這些第一線路116之一的盲孔126，接著利 用第二激光束L2于第二表面形成第二凹刻圖案114與活化層140，之后，以噴印的方式于第 二介電層120的部分第二表面122上形成的第一催化層152以及盲孔126的內(nèi)壁、暴露于 第一凹刻圖案114內(nèi)的部分第一線路116形成第二催化層154，最后，于第一催化層152、第 二催化層154與活化層140上形成圖案化線路層130。如此，本實施例即構(gòu)成具有內(nèi)埋于第 二介電層120的這些第三線路134與突出于第二介電層120的這些第二線路132的線路板 100。由于本實施例采用不同的工藝技術(shù)的優(yōu)勢來形成這些第二線路132與這些第三線路 134，因此于制作的過程中，可以有效地縮短工藝時間。圖5為本發(fā)明的一實施例的一種線路板的剖面示意圖。請參考圖5，在本實施例 中，線路板200包括一第一介電層210、一第二介電層220以及一圖案化線路層230。值得一提的是，線路板200的結(jié)構(gòu)可以僅具有單一線路層，或是具有多層線路層。在本實施例中，圖5僅以線路板200為一增層線路板進行說明。詳細而言，第一介電層210具有一第一表面212、一第一凹刻圖案214與至少一第 一線路216 (圖5中僅示意地繪示兩個)。這些第一線路216配置于第一介電層210的第一 凹刻圖案214內(nèi)，且這些第一線路216與第一介電層210的第一表面212實質(zhì)上切齊，換言 之，這些第一線路216基本上可算是一種內(nèi)埋式線路。在此必須說明的是，在圖5所示的實施例中，第一介電層210雖然具有第一凹刻圖 案214，且這些第一線路216配置于第一介電層210的第一凹刻圖案214內(nèi)，但在其它未繪 示的實施例中，第一介電層210亦可不具有第一凹刻圖案214，且這些第一線路216是直接 位于第一介電層210的第一表面212。換言之，這些位于第一表面212的第一線路216可算 是一種一般線路(即非內(nèi)埋式線路)。因此，圖5所示的第一介電層210的結(jié)構(gòu)僅為舉例說 明，并非限定本發(fā)明。第二介電層220配置于第一介電層210上，且覆蓋第一介電層210的第一表面212 與這些第一線路216。第二介電層220具有一第二表面222、一第二凹刻圖案224以及至少 一從第二表面222延伸至這些第一線路216的盲孔226(圖5中僅示意地繪示一個)，其中 第二凹刻圖案224與盲孔226相連接。在本實施例中，第二介電層220的材質(zhì)包括一高分 子聚合物，且亦可以包括多顆觸媒顆粒228，請參考圖3的實施例所述的第二介電層120的 材質(zhì)以及關(guān)于這些多顆觸媒顆粒的說明，在此不另贅述。圖案化線路層230具有至少一第二線路232 (圖5中僅示意地繪示兩個)、至少一 第三線路234(圖5中僅示意地繪示三個)以及一連接線路236，其中圖案化線路層230的 材質(zhì)包括銅、銀、錫、鋁、鎳或金，但不以此為限。于其它實施例中，圖案化線路層230的材料 亦可以是導(dǎo)電膏，其中導(dǎo)電膏包括銅膏、銀膏、碳膏、納米銀或?qū)щ姼叻肿硬牧?。詳細而言，這些第二線路232配置于第二介電層220的部分第二表面222上，也就 是說，這些第二線路232突出于第二介電層220的第二表面222，此為一般常見的非內(nèi)埋式 線路。這些第三線路234配置于第二介電層220的第二凹刻圖案224內(nèi)，且這些第三線路 234與第二介電層220的第二表面222實質(zhì)上切齊，換言之，這些第三線路234基本上可算 是一種內(nèi)埋式線路。連接線路236配置于盲孔226中，且這些第二線路232之一與這些第 三線路234之一可由連接線路236電性連接至這些第一線路216之一。當(dāng)然，在其它未繪 示的實施例中，連接線路236亦可以只連接這些第二線路232之一或這些第三線路234之 一，也就是說，這些第二線路232或這些第三線路234可由連接線路236電性連接至這些第 一線路216。特別是，在本實施例中，這些第三線路234的線寬分別小于這些第二線路232的線 寬，也就是說，這些第二線路232相對于這些第三線路234而言，可視為一般線路，這些第三 線路234相對于這些第二線路232而言，可視為微細線路。舉例而言，在本實施例中，這些 第三線路234的線寬例如小于50微米(μ m)，而這些第三線路234的線寬分別小于這些第 二線路232的線寬，換言之，這些第二線路232的線寬為50微米(μ m)以上。此外，線路板200還包括一活化層240、一催化層250。在本實施例中，活化層240 是由這些觸媒顆粒228活化后所形成，且此活化層240配置于第二介電層220的第二凹刻 圖案內(nèi)224與圖案化線路層230的這些第三線路234之間以及盲孔226的內(nèi)壁與圖案化線路層230的連接線路236之間。催化層250配置于第二介電層220的部分第二表面222上 與圖案化線路層230的這些第二線路232之間，且催化層250與活化層240交界實質(zhì)上相 切或部分重疊。另外，催化層250的材質(zhì)組成可以是選自由鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、鋁、鈷、 銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭、銦、鈦或這些金屬的任意組合。值的一提的是，在其它實施例中，線路板200更可包括一配置于第二介電層220的 部分第二表面222與第一催化層252之間的自組裝薄膜層，請參考圖3的實施例所述的自 組裝薄膜層的說明，在此不另贅述。簡言之，本實施例的線路板200，在圖案化線路層230中具有突出于第二介電層220的第二表面222的這些第二線路232以及內(nèi)埋于第二介電層220的第二凹刻圖案224 內(nèi)的這些第三線路234，且這些第三線路234的線寬分別小于這些第二線路232的線寬。如 此，本發(fā)明的線路板200于同一線路層中具有內(nèi)埋式的微細線路與非內(nèi)埋式的一般線路。此外，這些第二線路232之一或這些第三線路234之一分別由盲孔226中的連接 線路236電性連接至第一介電層210的這些第一線路216之一，換言之，第二介電層220的 這些第二線路232或這些第三線路234可分別通過連接線路236與第一介電層210的這些 第一線路216電性連接。當(dāng)然，在其它實施例中，第二線路232或第三線路234亦可以不通 過盲孔226中的連接線路236而直接連接第一線路216。因此，圖5中所示的第一線路216、 第二線路232、第三線路234及連接線路236的連接關(guān)系僅為舉例說明，本發(fā)明并不以此為 限。以上僅介紹本發(fā)明的線路板200的結(jié)構(gòu)，并未介紹本發(fā)明的線路板200的工藝。對 此，以下將以圖5中的線路板200的結(jié)構(gòu)作為舉例說明，并配合圖6A至圖6F對本發(fā)明的線 路板200的工藝進行詳細的說明。圖6A至圖6F是圖5的線路板的制作工藝的剖面示意圖。請先參考圖6A，依照本 實施例的線路板200的工藝，首先，提供一第一介電層210。第一介電層210具有一第一表 面212、一第一凹刻圖案214與至少一第一線路216 (圖6A中僅示意地繪示兩個)，其中這 些第一線路216位于第一凹刻圖案214內(nèi)，且這些第一線路216與第一介電層210的第一 表面212實質(zhì)上切齊，換言之，這些第一線路216基本上可算是一種內(nèi)埋式線路。在此必須 說明的是，在其它實施例中，第一介電層210亦可不具有第一凹刻圖案214，且這些第一線 路216是直接位于第一介電層210的第一表面212。換言之，這些位于第一表面212的第一 線路216可算是一種一般線路(即非內(nèi)埋式線路)。因此，圖6A所示的第一介電層210的 結(jié)構(gòu)僅為舉例說明，并非限定本發(fā)明。接著，請參考圖6B，形成一第二介電層220于第一介電層210上，其中第二介電層 220覆蓋第一表面212與這些第一線路216。詳細而言，第二介電層220具有一第二表面 222，且第二介電層220包括多顆觸媒顆粒228，而這些觸媒顆粒228包括多個納米金屬顆 粒，請參考上述實施例的圖4B的納米金屬顆粒的說明，在此不再贅述。接著，請參考圖6C，對第二介電層220的第二表面222照射一第一激光束Li’，以 形成至少一從第二介電層220的第二表面222延伸至這些第一線路216的盲孔226 (圖6C 中僅示意地繪示一個)，其中盲孔226暴露出位于第一介電層210的第一凹刻圖案214內(nèi)的 部分第一線路216，第一激光束Li’包括使用紅外線激光光源、紫外線激光光源、遠紅外線 激光光源或準(zhǔn)分子激光光源。
接著，請參考圖6D，對第二介電層220的第二表面222照射一第二激光束L2’，以 形成一第二凹刻圖案224，其中第二凹刻圖案224與盲孔226相連接，第二激光束L2’包括 使用紅外線激光光源、紫外線激光光源、遠紅外線激光光源或準(zhǔn)分子激光光源。特別是，在 本實施例中，由于第一激光束Li’與第二激光束L2’例如皆使用紫外線激光光源，因此當(dāng)?shù)?一激光束Li’與第二激光束L2’燒蝕具有這些觸媒顆粒228的第二介電層220時，在第二 介電層220形成盲孔226的同時以及在第二介電層220的第二表面222上形成第二凹刻圖 案224的同時，一些觸媒顆粒228會活化并裸露于盲孔226以及第二凹刻圖案224內(nèi)，而形 成一活化層240。圖6D中的這些觸媒顆粒228會以黑色或白色來表示觸媒顆粒228是否被 活化。黑色的觸媒顆粒228代表已活化的觸媒顆粒228 (即活化層240)，而白色的觸媒顆粒 228則代表未活化的觸媒顆粒228。
接著，請參考圖6E，以噴印的方式形成一催化層250于第二介電層220的部分第二 表面222上，其中催化層250與形成于相連至盲孔226以及第二凹刻圖案224內(nèi)的活化層 240交界實質(zhì)上相切或部分重疊。之后，請參考圖6F，于催化層250與活化層240上形成圖 案化線路層230，其中形成圖案化線路層230的方式例如是無電電鍍法或電鍍法。此外，本實施例中所形成的催化層250的材質(zhì)可以包括鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、 鋁、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鎢、釩、鉭、銦或鈦，或是這些金屬的任意組合。另外，在其它未 繪示的實施例中，以噴印的方式形成催化層250的步驟之前，還包括可以形成一自組裝薄 膜層于第二介電層220的部分第二表面222上，其中自組裝薄膜層的材質(zhì)包括具有末端官 能基HS-R-S03-、HS-R-C00H或HS-R-OH的硫醇分子，其中R為含有C、H線性烴類有機分子。具體而言，本實施例中所形成的圖案化線路層230包括位于部分第二表面222上 的這些第二線路232、位于第二凹刻圖案224內(nèi)的這些第三線路234以及位于盲孔226中 的連接線路236，其中這些第二線路232之一或這些第三線路234之一分別由連接線路236 電性連接至這些第一線路216之一，且這些第三線路234的線寬分別小于這些第二線路232 的線寬。舉例而言，本實施例的這些第二線路232的線寬例如為50微米(μ m)以上，而這 些第三線路234的線寬分別小于這些第二線路232的線寬，換言之，這些第三線路234的線 寬例如為小于50微米(μπι)。另外，由于在本實施例中可直接藉由無電電鍍法于第一催化 層252、第二催化層254以及活化層240上形成圖案化線路層230，因此可縮短這些第二線 路232與第三線路234的工藝時間。至此，線路板200已大致完成。在此必須說明的是，本發(fā)明的線路板200的工藝是先形成盲孔226后，再形成第二 凹刻圖案224，但不以為限。于其它實施例中，亦可以改變形成盲孔226與第二凹刻圖案224 的順序，也就是說，先形成第二凹刻圖案224之后，再形成連接第一線路216的盲孔226。之 后，其余的步驟皆類似本發(fā)明上述實施例的方式。簡言之，本實施例的線路板200是采用激光束以及噴印的方式來制作，線路板200 先利用第一激光束Li’與第二激光束L2’于第二表面222形成連通這些第一線路216之一 的盲孔226、第二凹刻圖案214與活化層240。之后，以噴印的方式于第二介電層220的部 分第二表面222上形成的催化層250。最后，于催化層250與活化層240上形成圖案化線路 層230。如此，本實施例即構(gòu)成具有內(nèi)埋于第二介電層220的這些第三線路234與突出于第 二介電層220的這些第二線路232的線路板200。由于本實施例采用不同的工藝技術(shù)的優(yōu) 勢來形成這些第二線路232與這些第三線路234，因此于工藝的過程中，可以有效地縮短工藝時間。綜上所述，由于本發(fā)明采用激光燒蝕以及噴印技術(shù)，以于同一線路層中分別形成突出于第二介電層的第二表面的這些第二線路以及內(nèi)埋于第二介電層的第二凹刻圖案內(nèi) 的這些第三線路，且這些第三線路的線寬分別小于這些第二線路的線寬。如此，本發(fā)明的線 路板即可于同一圖案化線路層中具有內(nèi)埋式的微細線路與非內(nèi)埋式的一般線路。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明 的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種線路板的制作工藝，其特征在于，該線路板的制作工藝包括提供一第一介電層，該第一介電層具有一第一表面與至少一第一線路；形成一第二介電層于該第一介電層上，該第二介電層具有一第二表面，且該第二介電層覆蓋該第一表面與該第一線路；對該第二介電層的該第二表面照射一第一激光束，以形成至少一從該第二介電層的該第二表面延伸至該第一線路的盲孔；對該第二介電層的該第二表面照射一第二激光束，以形成一第二凹刻圖案，其中該第二凹刻圖案與該盲孔相連接；以噴印的方式形成一第一催化層于該第二介電層的部分該第二表面上；以及形成一圖案化線路層于該第二介電層，該圖案化線路層包括位于該第一催化層上的至少一第二線路、位于該第二凹刻圖案內(nèi)的至少一第三線路以及位于該盲孔中的一連接線路，其中該第二線路或該第三線路由該連接線路電性連接至該第一線路，且該第三線路的線寬小于該第二線路的線寬。
2.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作工藝，其特征在于，該第一介電層還具有一位于 該第一表面的第一凹刻圖案，且該第一線路位于該第一凹刻圖案內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作工藝，其特征在于，該第一線路位于該第一介電 層的該第一表面上。
4.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作工藝，其特征在于，該第二介電層包括一高分子 聚合物。
5.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作工藝，其特征在于，以噴印的方式形成該第一催 化層的步驟之前，還包括于該第二介電層的部分該第二表面上形成一自組裝薄膜層。
6.如權(quán)利要求5所述的線路板的制作工藝，其特征在于，該第二介電層包括多顆觸媒 顆粒，而在該第二介電層形成該盲孔的同時以及在該第二介電層的該第二表面上形成該第 二凹刻圖案的同時，還包括活化部分的所述觸媒顆粒，以形成一活化層。
7.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作工藝，其特征在于，以噴印形成該第一催化層步 驟之前，還包括于該盲孔的內(nèi)壁以及該第二介電層的部分該第二表面上形成一自組裝薄膜 層。
8.如權(quán)利要求7所述的線路板的制作工藝，其特征在于，以噴印的方式形成該第一催 化層于該第二介電層的部分該第二表面上的同時，還包括以噴印的方式形成一第二催化層 于該盲孔的孔璧內(nèi)，且該第二催化層與該第一催化層相切或部分重疊。
9.如權(quán)利要求7所述的線路板的制作工藝，其特征在于，該第二介電層包括多顆觸媒 顆粒，而在該第二介電層的該第二表面上形成該第二凹刻圖案的同時，還包括活化部分的 所述觸媒顆粒，以形成一活化層。
10.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作工藝，其特征在于，該圖案化線路層的材質(zhì)包括 銅、銀、錫、鋁、鎳或金。
11.如權(quán)利要求1所述的線路板的制作工藝，其特征在于，該圖案化線路層的材料為導(dǎo) 電膏。
12.—種線路板，其特征在于，該線路板包括一第一介電層，具有一第一表面與至少一第一線路；一第二介電層，配置于該第一介電層上且覆蓋該第一表面與該第一線路，該第二介電 層具有一第二表面、至少一從該第二表面延伸至該第一線路的盲孔以及一第二凹刻圖案， 其中該第二凹刻圖案與該盲孔相連接；一第一催化層，配置于該第二介電層的部分該第二表面上；以及一圖案化線路層，具有至少一第二線路、至少一第三線路以及一連接線路，該第二線路 配置于該第一催化層上，該第三線路配置于該第二凹刻圖案內(nèi)，該連接線路配置于該盲孔 中，其中該第二線路或該第三線路由該連接線路電性連接至該第一線路，且該第三線路的 線寬小于該第二線路的線寬。
13.如權(quán)利要求12所述的線路板，其特征在于，該第一介電層還具有一配置于該第一 表面的第一凹刻圖案，且該第一線路配置于該第一凹刻圖案內(nèi)。
14.如權(quán)利要求12所述的線路板，其特征在于，該第一線路配置于該第一介電層的該 第一表面上。
15.如權(quán)利要求12所述的線路板，其特征在于，該線路板還包一自組裝薄膜層，其中該 自組裝薄膜層配置于該第二介電層的部分該第二表面上與該第一催化層之間。
16.如權(quán)利要求15所述的線路板，其特征在于，該第二介電層包括多顆觸媒顆粒，該線 路板還包括一活化層，該活化層是由所述觸媒顆粒經(jīng)活化后所形成，且該活化層配置于該 第二介電層的該第二凹刻圖案內(nèi)與該圖案化線路層的該第三線路之間以及該盲孔的內(nèi)壁 與該連接線路之間，該活化層與該第一催化層交界相切或部分重疊。
17.如權(quán)利要求12所述的線路板，其特征在于，該線路板還包一第二催化層與一自組 裝薄膜層，其中該第二催化層配置于該盲孔的內(nèi)壁與該圖案化線路層的該連接線路之間， 且該第二催化層與該第一催化層相切或部分重疊，該自組裝薄膜層配置于該第二介電層的 部分該第二表面上與該第一催化層之間以及該盲孔內(nèi)壁與該第二催化層之間。
18.如權(quán)利要求12所述的線路板，其特征在于，該圖案化線路層的材質(zhì)包括銅、銀、錫、 鋁、鎳或金。
19.如權(quán)利要求12所述的線路板，其特征在于，該圖案化線路層的材料為導(dǎo)電膏。
全文摘要
一種線路板的制作工藝。首先，提供一具有一第一表面與至少一第一線路的第一介電層。接著，形成一具有一第二表面的第二介電層于第一介電層上。對第二表面照射一第一激光束，以形成至少一從第二表面延伸至第一線路的盲孔。對第二表面照射一第二激光束，以形成一第二凹刻圖案。以噴印的方式形成一第一催化層于第二介電層的部分第二表面上。之后，形成一圖案化線路層于第二介電層。圖案化線路層包括位于第一催化層上的至少一第二線路、位于第二凹刻圖案內(nèi)的至少一第三線路以及位于盲孔中的一連接線路。第二線路或第三線路由連接線路電性連接至第一線路。第三線路的線寬小于第二線路的線寬。
文檔編號H05K3/46GK101808474SQ20091000436
公開日2010年8月18日 申請日期2009年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月12日
發(fā)明者余丞博, 張啟民 申請人:欣興電子股份有限公司