復(fù)合模塊的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種復(fù)合模塊，能夠防止來(lái)自外部的泄漏信號(hào)與形成于布線基板內(nèi)部的布線電極發(fā)生干涉，并且能夠減小布線電極所產(chǎn)生的寄生電容以及進(jìn)行布線電極的阻抗調(diào)整。復(fù)合模塊(1)包括：形成于布線基板(2)的一個(gè)主面的外部接地電極(5)、形成于布線基板(2)的布線電極(6)、以及形成在布線電極(6)與外部接地電極(5)之間的第一接地電極(7)，在第一接地電極(7)中，在俯視時(shí)與布線電極(6)及外部接地電極(5)相重疊的區(qū)域的至少一部分形成缺口部(10)，以使布線電極(6)在俯視時(shí)與第一接地電極(7)和外部接地電極(5)中的至少一個(gè)相重疊的方式對(duì)布線電極(6)進(jìn)行配置，由此，能夠防止來(lái)自外部的泄漏信號(hào)與布線電極(6)發(fā)生干涉，并能夠減小布線電極(6)所產(chǎn)生的寄生電容以及進(jìn)行布線電極(6)的阻抗調(diào)整。
【專(zhuān)利說(shuō)明】復(fù)合模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具備布線基板的復(fù)合模塊，該布線基板在主面及內(nèi)部形成有布線電極。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，隨著移動(dòng)電話的小型化、薄型化，對(duì)其所搭載的復(fù)合模塊也提出了小型化、低高度化的要求。因此，在使復(fù)合模塊所具備的布線基板小型化、薄型化的同時(shí)，通過(guò)將該布線基板上構(gòu)成電感器、電容器等的布線電極、接地電極等彼此靠近地進(jìn)行配置，構(gòu)成各種電路，從而實(shí)現(xiàn)復(fù)合模塊的小型化、低高度化。然而，若按上述方式將各電極靠近地進(jìn)行配置，則例如在構(gòu)成電感器元件的布線電極與接地電極之間會(huì)產(chǎn)生不需要的寄生電容等，從而產(chǎn)生下述問(wèn)題:電感器元件的頻率特性劣化，或者布線電極與接地電極之間所確定的布線電極的特性阻抗得不到規(guī)定的值。
[0003]因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，如圖5所不，提出了下述聞?lì)l|旲塊200,該聞?lì)l|旲塊200中，在形成于布線基板201內(nèi)部的接地電極202中，俯視時(shí)在其與電感器元件203重疊的部分設(shè)有缺口 204(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)，能夠減小接地電極202與電感器元件203之間產(chǎn)生的寄生電容，因而能夠防止電感器元件203的頻率特性劣化。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0004]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利特開(kāi)2006 - 33211號(hào)(參照段落0059?0063，圖7等)


【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0005]然而，若如現(xiàn)有技術(shù)那樣，在接地電極202設(shè)置缺口 204，則對(duì)電感器元件203進(jìn)行屏蔽的接地電極202不再存在，例如，在將該高頻模塊200搭載于母基板時(shí)，從形成于母基板的其他元件、模塊泄漏的信號(hào)會(huì)與電感器元件203發(fā)生干涉，從而有可能導(dǎo)致高頻模塊200的頻率特性等發(fā)生劣化。
[0006]此外，為了在接地電極202的與電感器元件203相對(duì)應(yīng)的部分設(shè)置缺口 204，需要去除較多的接地電極202，因此，接地電極202的面積變小，從而導(dǎo)致連接安裝于布線基板201的電子元器件與接地電極202的布線中的寄生電感增加。
[0007]本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其第一目的在于，能夠防止復(fù)合模塊中，從母基板等外部元器件泄漏的信號(hào)與形成于布線基板內(nèi)部的電感器、電容器等發(fā)生干涉，并且其第二目的在于，在防止上述泄漏信號(hào)的干涉的同時(shí)，能夠調(diào)整構(gòu)成形成于布線基板內(nèi)部的電路的布線電極的阻抗，并減小布線電極與接地電極之間產(chǎn)生的寄生電容。
解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述第一目的，本發(fā)明的復(fù)合模塊的特征在于，包括:形成于布線基板的一個(gè)主面的外部連接用的外部接地電極、形成于所述布線基板的內(nèi)部的布線電極、以及在與所述布線電極相同的面或在所述布線基板的內(nèi)部，形成在所述布線電極與所述外部接地電極之間的第一接地電極，所述布線電極在俯視時(shí)與所述第一接地電極和所述外部接地電極中的至少一個(gè)相重疊。
[0009]由此，布線電極在布線基板的一個(gè)主面?zhèn)缺煌獠拷拥仉姌O和第一接地電極屏蔽，因此，例如在布線基板的一個(gè)主面?zhèn)扰c母基板相連接的情況下，能夠防止從形成或搭載于母基板的其他元件、模塊等泄漏的信號(hào)與布線電極發(fā)生干涉。
[0010]為了實(shí)現(xiàn)上述第二目的，可以將所述第一接地電極設(shè)置于與所述布線電極不同的面，并在所述第一接地電極中，在俯視時(shí)與所述布線電極和所述外部接地電極相重疊的區(qū)域的至少一部分形成第一缺口部。該情況下，由于在俯視時(shí)第一缺口部與外部接地電極相重疊，因此，能夠確保布線電極的布線基板的一個(gè)主面?zhèn)鹊钠帘涡浴２⑶?，通過(guò)形成該缺口部，能夠減小俯視時(shí)第一接地電極的電極形成部與布線電極重疊的面積，從而能夠減小兩個(gè)電極之間產(chǎn)生的寄生電容。并且，通過(guò)調(diào)整第一缺口部俯視時(shí)的面積，能夠進(jìn)行布線電極的阻抗調(diào)整。
[0011]此外，還可以包括設(shè)置在所述布線電極與所述布線基板的另一個(gè)主面之間的第二接地電極，在第二接地電極中，在俯視時(shí)與所述布線電極重疊的至少一部分形成第二缺口部。該情況下，能夠同時(shí)利用第一及第二缺口部進(jìn)行阻抗調(diào)整，因此，能夠增大調(diào)整的自由度，并能夠擴(kuò)大該調(diào)整范圍。
[0012]此外，所述第二缺口部可以以俯視時(shí)不與所述第一缺口部重疊的方式進(jìn)行配置。該情況下，例如，由于從布線基板的另一個(gè)主面?zhèn)韧ㄟ^(guò)第二缺口部的不需要的泄漏信號(hào)被第一接地電極切斷，因此，能夠抑制因設(shè)置第二缺口部而產(chǎn)生的屏蔽效果的降低。
[0013]此外，所述第一缺口部及所述第二缺口部中，可以使得在所述第一接地電極及所述第二接地電極與所述布線電極之間的距離較近的一側(cè)形成的一個(gè)缺口部俯視時(shí)的面積大于形成于較遠(yuǎn)一側(cè)的另一個(gè)缺口部俯視時(shí)的面積。
[0014]通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，與使得形成在與布線電極之間的距離較近一側(cè)的一個(gè)缺口部俯視時(shí)的面積大于另一個(gè)缺口部俯視時(shí)的面積的情況相比，能夠抑制寄生電容，因而能夠有效的抑制寄生電容。
[0015]此外，也可以將所述第一接地電極設(shè)置于與所述布線電極相同的面，在所述第一接地電極中，在俯視時(shí)與所述外部接地電極重疊的區(qū)域的至少一部分形成第三缺口部，在所述第三缺口部設(shè)置所述布線電極。該情況下，通過(guò)將布線電極形成于與第一接地電極相同的面，能夠?qū)崿F(xiàn)形成于布線基板的電極的高密度化，從而能夠使復(fù)合模塊小型化。此外，由于布線電極設(shè)置于俯視時(shí)與外部接地電極重疊的第三缺口部，因此，還能夠確保布線電極的布線基板的一個(gè)主面?zhèn)鹊钠帘涡浴?br> 發(fā)明效果
[0016]根據(jù)本發(fā)明，形成于布線基板內(nèi)部的布線電極在俯視時(shí)與第一接地電極和外部接地電極中的至少一個(gè)相重疊，在第一接地電極中，在俯視時(shí)與布線電極和外部接地電極相重疊的區(qū)域的至少一部分形成有第一缺口部，因此，在確保布線電極的布線基板的一個(gè)主面?zhèn)鹊钠帘涡缘耐瑫r(shí)，利用第一缺口部，能夠減小布線電極與第一接地電極之間產(chǎn)生的寄生電容，并且還能夠進(jìn)行布線電極的阻抗調(diào)整。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的復(fù)合模塊的剖視圖。
圖2是圖1的布線基板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。
圖3是圖1的布線基板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。
圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的復(fù)合模塊的布線基板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。
圖5是現(xiàn)有的復(fù)合模塊的布線基板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018]參照?qǐng)D1至圖3，對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的復(fù)合模塊進(jìn)行說(shuō)明。另外，圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的復(fù)合模塊的剖視圖，圖2和圖3是圖1的布線基板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，示出形成有布線電極、第一和第二接地電極、外部接地電極等的各層的俯視圖。
[0019]本實(shí)施方式所涉及的復(fù)合模塊I是搭載于可收發(fā)多個(gè)頻帶的信號(hào)的移動(dòng)電話等的支持多頻帶的開(kāi)關(guān)模塊，如圖1所示，包括:布線基板2，該布線基板2在表面背面及其內(nèi)部形成有電極、層間連接用的過(guò)孔導(dǎo)體；開(kāi)關(guān)IC3，該開(kāi)關(guān)IC3安裝于布線基板2的表面；以及貼片元器件4，該貼片元器件4構(gòu)成形成于布線基板2的阻抗匹配電路等的電容器、電感器，該開(kāi)關(guān)模塊具有將從公共天線接收到的多個(gè)頻帶的信號(hào)通過(guò)開(kāi)關(guān)IC3的切換連接提供給分別支持各頻帶的信號(hào)路徑，或者將從母基板輸入的發(fā)送信號(hào)提供給公共天線，從而發(fā)送至各頻帶的每個(gè)頻帶。
[0020]布線基板2由玻璃環(huán)氧樹(shù)脂多層基板、低溫同時(shí)燒成陶瓷(LTCC)多層基板等形成，例如，在布線基板2為L(zhǎng)TCC多層基板的情況下，將氧化鋁及玻璃等的混合粉末與有機(jī)粘合劑及溶劑等一起混合，將由此得到的漿料制成片狀，從而形成陶瓷生片，通過(guò)激光加工等在該陶瓷生片的規(guī)定位置上形成過(guò)孔，再將含有Ag或Cu等的導(dǎo)體糊料填充到所形成的過(guò)孔中，從而形成層間連接用的過(guò)孔導(dǎo)體，然后通過(guò)利用導(dǎo)體糊料進(jìn)行印刷，來(lái)形成各種電極圖案。然后，通過(guò)對(duì)各陶瓷生片進(jìn)行層疊、壓接，來(lái)形成陶瓷層疊體，并在約1000°C左右的較低溫度下進(jìn)行燒成，即通過(guò)所謂的低溫?zé)蓙?lái)進(jìn)行制造。
[0021]如圖1所示，在布線基板2的一個(gè)主面及內(nèi)部形成外部連接用的外部接地電極5、形成電感器元件的布線電極6、形成在外部接地電極5與布線電極6之間的第一接地電極7、形成在布線電極6與布線基板2的另一個(gè)主面之間的第二接地電極8、以及形成于布線基板的信號(hào)傳輸線路用的布線圖案11等。
[0022]在該情況下，如圖2(a)所示，在布線基板2的各層中，在位于最下層的層2a的背面(布線基板2的一個(gè)主面)的周邊部分形成多個(gè)安裝電極9，用于在母基板與復(fù)合模塊I之間進(jìn)行信號(hào)的輸入輸出，并且在各安裝電極9所包圍的區(qū)域內(nèi)的三個(gè)部位形成外部連接用的外部接地電極5，用于與母基板的接地電極進(jìn)行連接。另外，作為各安裝電極9的示例，可以舉出RF信號(hào)的輸入輸出用電極、用于向開(kāi)關(guān)IC3輸入控制信號(hào)的電極、用于向開(kāi)關(guān)IC3提供電源的電極、與外部天線連接用的電極等。
[0023]如圖2 (b)所示，在位于最下層2a的上層的層2b形成接地用的第一接地電極7，在該第一接地電極7形成第一缺口部10，用于減小形成電感器元件的布線電極6與第一接地電極7之間產(chǎn)生的寄生電容，并進(jìn)行布線電極6的阻抗調(diào)整。第一缺口部10是沒(méi)有形成第一接地電極7的部分，構(gòu)成層2b的材料露出。
[0024]如圖2 (c)所示，在位于層2b的上層的層2c形成布線電極6和信號(hào)傳輸線路用的布線圖案11等，其中，布線電極6形成構(gòu)成復(fù)合模塊I的電路的一部分的電感器元件。
[0025]如圖2 (d)所示，在位于層2c的上層的層2d形成接地用的第二接地電極8，在該第二接地電極8形成第二缺口部10a，用于減小布線電極6與第二接地電極8之間產(chǎn)生的寄生電容、以及進(jìn)行布線電極6的阻抗調(diào)整。該第二缺口部1a也與第一缺口部10相同，是構(gòu)成層2d的材料露出的部分。另外，外部接地電極5、第一接地電極7、第二接地電極8分別經(jīng)由形成于布線基板2各層的過(guò)孔導(dǎo)體(未圖示)來(lái)進(jìn)行連接。
[0026]在布線基板2的另一個(gè)主面(未圖示)形成用于與開(kāi)關(guān)IC3和貼片元器件4進(jìn)行連接的安裝電極等，通過(guò)利用焊料使開(kāi)關(guān)IC3和貼片元器件4與該安裝電極相連接，從而將開(kāi)關(guān)IC3和貼片元器件4安裝到布線基板2的另一個(gè)主面上。
[0027]接著，參照?qǐng)D3，對(duì)布線電極6與外部接地電極5、第一接地電極的第一缺口部10、第二接地電極8的第二缺口部10各自的配置關(guān)系進(jìn)行說(shuō)明。另外，圖3是以圖2(c)的層2c為基準(zhǔn)，在使圖2(a)、(b)及(d)所示的各層2a、2b、2d重合時(shí)的各電極的俯視時(shí)的配置圖，示出層的一部分(圖2的各層中的紙面左側(cè)部分)。此外，用實(shí)線示出形成于層2c的布線電極6，用虛線示出形成于其他的層2a、2b、2d的各電極、各缺口部。并且，僅示出外部接地電極5、第一接地電極7、形成于第一接地電極7的第一缺口部10、以及形成于第二接地電極8的第二缺口部10a，其他部分省略圖示。
[0028]如圖3所示，在俯視時(shí)布線電極6與外部接地電極5和第一接地電極7中的至少一個(gè)相重疊。第一缺口部10形成于第一接地電極7中在俯視時(shí)與布線電極6和外部接地電極5重疊的區(qū)域。第一缺口部10只要形成于第一接地電極7中在俯視時(shí)與布線電極6和外部接地電極5重疊的區(qū)域中的至少一部分即可。此時(shí)，通過(guò)調(diào)整第一缺口部10在俯視時(shí)與布線電極6重疊的區(qū)域的面積，能夠調(diào)整布線電極6與第一接地電極7之間產(chǎn)生的寄生電容，從而能夠?qū)⒌谝蝗笨诓?0利用于布線電極6的阻抗調(diào)整。
[0029]如圖3所示，第二缺口部1a形成于第二接地電極8中在俯視時(shí)與布線電極6重疊的區(qū)域的一部分。此時(shí)，第一缺口部10與第二缺口部1a以俯視時(shí)一部分重疊的方式進(jìn)行配置。另外，也可以構(gòu)成為以第二缺口部1a在俯視時(shí)不與第一缺口部10重疊的方式對(duì)第二缺口部1a進(jìn)行配置。若以俯視時(shí)不與第一缺口部10重疊的方式配置第二缺口部10a，則從布線基板2的另一個(gè)主面?zhèn)韧ㄟ^(guò)第二缺口部1a的不需要的泄漏信號(hào)被第一接地電極7切斷，因此，能夠抑制因設(shè)置第二缺口部1a而產(chǎn)生的屏蔽效果的降低。
[0030]另外，若想要在確保布線電極6的屏蔽性的同時(shí)，抑制第一和第二接地電極7、8與布線電極6之間產(chǎn)生的寄生電容，則只要使形成于第一接地電極7及第二接地電極8與布線電極6之間的距離較近的一側(cè)的一個(gè)缺口部俯視時(shí)的面積(兩個(gè)缺口部10、10a在俯視時(shí)分別與布線電極6重疊的部分)大于形成于較遠(yuǎn)一側(cè)的另一個(gè)缺口部俯視時(shí)的面積即可。由此，通過(guò)增大形成于與布線電極6之間的距離較近的一側(cè)的缺口部俯視時(shí)的面積，從而使得與使得形成于與布線電極之間的距離較遠(yuǎn)的一側(cè)的一個(gè)缺口部俯視時(shí)的面積大于另一個(gè)缺口部俯視時(shí)的面積的情況相比，能夠抑制寄生電容，從而能夠有效地抑制寄生電容。
[0031]因此，根據(jù)上述實(shí)施方式，由于布線電極6在布線基板2的一個(gè)主面?zhèn)缺煌獠拷拥仉姌O5和第一接地電極7屏蔽，因此，例如在布線基板2的一個(gè)主面?zhèn)扰c母基板相連接的情況下，能夠防止從形成于母基板、或搭載于母基板的其他元件、模塊等泄漏的信號(hào)與布線基板6發(fā)生干涉，由此，能夠防止復(fù)合模塊I的高頻特性發(fā)生劣化。
[0032]此外，利用形成于第一接地電極7的第一缺口部10能夠減小俯視時(shí)第一接地電極7的電極形成部與布線電極6相重疊的面積，因此，能夠減小兩個(gè)電極6、7之間產(chǎn)生的寄生電容。此外，由于第一缺口部10在俯視時(shí)與外部接地電極5重疊，因此，從母基板側(cè)泄漏的不需要的信號(hào)不會(huì)與布線電極6發(fā)生干涉，從而通過(guò)在第一接地電極7形成第一缺口部10，能夠防止復(fù)合模塊I的高頻特性發(fā)生劣化。
[0033]此外，由于在第二接地電極8中的俯視時(shí)與布線電極6相重疊的區(qū)域的一部分形成第二缺口部10a，因此，通過(guò)調(diào)整第二缺口部1a俯視時(shí)的面積，從而也能利用第二缺口部1a進(jìn)行布線電極6的阻抗調(diào)整。由此，布線電極6的阻抗調(diào)整的自由度得以提高，并且還能夠擴(kuò)大其調(diào)整范圍。
[0034]此外，由于兩個(gè)缺口部10、10a分別僅形成于第一及第二接地電極7、8在俯視時(shí)與布線電極6相重疊的區(qū)域，因此，與現(xiàn)有技術(shù)那樣的在對(duì)應(yīng)于電感器元件的部分設(shè)置俯視時(shí)面積較大的缺口部的結(jié)構(gòu)相比，能夠減小兩個(gè)缺口部10、10a俯視時(shí)的面積。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，各接地電極7、8的電極形成部在俯視時(shí)的面積變大，由此，能夠抑制連接安裝于布線基板2的開(kāi)關(guān)IC3、貼片元器件4與各接地電極7、8的布線中的寄生電感的增加。
[0035]并且，通過(guò)變更形成有各缺口部10、1a的層2b、2d及形成有布線電極6的層2c的厚度，能夠改變布線電極6與第一及第二接地電極7、8之間的間隔，因此，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大阻抗的調(diào)整范圍。
[0036](實(shí)施方式2)
參照?qǐng)D4對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的復(fù)合模塊Ia進(jìn)行說(shuō)明。圖4是復(fù)合模塊Ia的布線基板12的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，是布線基板12的形成有外部接地電極5、第一接地電極7、布線電極6等的各層的俯視圖。
[0037]該實(shí)施方式所涉及的復(fù)合模塊Ia與參照?qǐng)D1和圖2所說(shuō)明的實(shí)施方式I的復(fù)合模塊I的不同點(diǎn)在于，如圖4(b)和圖4(c)所示，形成于復(fù)合模塊Ia的布線基板12的內(nèi)部的第一接地電極7與布線電極6的一部分6a形成于同一面(同一層12b)，在與形成第一接地電極7和布線電極6的一部分6a的層12b不同的其他層12c上形成有布線電極6的剩余部分6b。其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式I的復(fù)合模塊I相同，因此通過(guò)標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)來(lái)省略說(shuō)明。
[0038]在該情況下，如圖4(a)所示，在布線基板12的各層中，與實(shí)施方式I所說(shuō)明的布線基板2的層2a相同地，在位于最下層的層12a (布線基板2的一個(gè)主面)的周邊部分形成多個(gè)安裝電極9，用于在母基板與復(fù)合模塊Ia之間進(jìn)行信號(hào)的輸入輸出，并且在各安裝電極9所包圍的區(qū)域內(nèi)的三個(gè)部位形成外部連接用的外部接地電極5，用于與母基板的接地電極進(jìn)行連接。
[0039]此外，如圖4(b)所示，在位于最下層12a的上層的層12b形成接地用的第一接地電極7，并且在該第一接地電極7中，在俯視時(shí)與外部接地電極5相重疊的區(qū)域的一部分形成第三缺口部10b。并且,在第三缺口部1b形成用于形成電感器兀件布線電極6的一部分6a。
[0040]此外，如圖4(c)所示，在位于層12b的上層的層12c形成作為與布線電極6的剩余的部分6b進(jìn)行信號(hào)傳輸?shù)男盘?hào)傳輸線路用的布線圖案11。此時(shí)，布線電極6的剩余部分6b形成在俯視時(shí)與第一接地電極7重疊的位置。
[0041]另外，與圖2(d)所示的實(shí)施方式I的布線基板2的層2d相同，在位于層12c的上層的層中，可以構(gòu)成為形成第二接地電極8。該情況下，可以在第二接地電極8的俯視時(shí)與布線電極6相重疊的區(qū)域的一部分設(shè)置缺口部，將該缺口部利用于布線電極6的阻抗調(diào)整坐寸ο
[0042]因此，根據(jù)上述實(shí)施方式2，通過(guò)將第一接地電極7與布線電極6a形成于同一面(層12b)，能夠?qū)崿F(xiàn)形成于布線基板12的電極的高密度化，從而能夠使復(fù)合模塊Ia小型化。此外，由于布線電極6在俯視時(shí)與外部接地電極5和第一接地電極7中的至少一個(gè)相重疊，因此，能夠確保布線電極6中布線基板12的一個(gè)主面?zhèn)鹊钠帘涡浴?br> [0043]另外，本發(fā)明并不限于上述的各實(shí)施方式，只要不脫離其技術(shù)思想，可以在上述實(shí)施方式以外進(jìn)行各種變更。
[0044]例如，在上述各實(shí)施方式中，在各接地電極7、8中，在俯視時(shí)構(gòu)成電感器元件的布線電極6與各接地電極7、8相重疊的區(qū)域形成第一、第二缺口部10、10a，但設(shè)置第一、第二缺口部10、10a的對(duì)象并不限于構(gòu)成電感器元件的布線電極6，可將形成于布線基板2、12的內(nèi)部的各種布線作為對(duì)象。該情況下，只要在各接地電極7、8中，在俯視時(shí)作為對(duì)象的布線與各接地電極7、8相重疊的區(qū)域形成第一、第二缺口部10、10a，將該第一、第二缺口部10、1a利用于作為對(duì)象的布線的阻抗調(diào)整、用于減小各接地電極7、8之間產(chǎn)生的寄生電容即可。
[0045]此外，形成于布線基板2、12的內(nèi)部的接地電極不僅限于第一和第二接點(diǎn)電極7、8，也可以是在其他的層也形成有接地電極的結(jié)構(gòu)。對(duì)于該情況也是一樣，只要在接地電極形成缺口部，利用該缺口部來(lái)進(jìn)行阻抗調(diào)整、減小寄生電容即可。
工業(yè)上的實(shí)用性
[0046]本發(fā)明能夠適用于具備布線基板的各種復(fù)合模塊，該布線基板在主面及內(nèi)部形成有布線電極。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0047]1、Ia復(fù)合模塊
2、12布線基板
5外部接地電極 6、6a、6b布線電極 7第一接地電極 8第二接地電極 10第一缺口部 1a第二缺口部 1b第三缺口部
【權(quán)利要求】
1.一種復(fù)合模塊，其特征在于，包括: 外部接地電極，該外部接地電極形成于布線基板的一個(gè)主面，用于進(jìn)行外部連接； 布線電極，該布線電極形成于所述布線基板的內(nèi)部；以及 第一接地電極，該第一接地電極形成于與所述布線電極相同的面、或所述布線基板的內(nèi)部，位于所述布線電極與所述外部接地電極之間， 所述布線電極在俯視時(shí)與所述第一接地電極和所述外部接地電極中的至少一個(gè)相重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合模塊，其特征在于， 所述第一接地電極形成于與所述布線電極不同的面， 在所述第一接地電極中，在俯視時(shí)與所述布線電極及所述外部接地電極相重疊的區(qū)域的至少一部分形成有第一缺口部。
3.如權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合模塊，其特征在于， 還包括第二接地電極，該第二接地電極設(shè)置于所述布線電極與所述布線基板的另一個(gè)主面之間， 在所述第二接地電極中，在俯視時(shí)與所述布線電極相重疊的區(qū)域的至少一部分形成有第二缺口部。
4.如權(quán)利要求3所述的復(fù)合模塊，其特征在于， 所述第二缺口部以俯視時(shí)不與所述第一缺口部重疊的方式進(jìn)行配置。
5.如權(quán)利要求4所述的復(fù)合模塊，其特征在于， 所述第一缺口部及所述第二缺口部中，在所述第一接地電極及所述第二接地電極與所述布線電極之間的距離較近的一側(cè)形成的一個(gè)缺口部俯視時(shí)的面積大于形成于較遠(yuǎn)一側(cè)的另一個(gè)缺口部俯視時(shí)的面積。
6.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合模塊，其特征在于， 所述第一接地電極形成于與所述布線電極相同的面， 在所述第一接地電極中，在俯視時(shí)與所述外部接地電極相重疊的區(qū)域的至少一部分形成第三缺口部， 所述第三缺口部設(shè)置有所述布線電極。
【文檔編號(hào)】H04B1/40GK104335344SQ201380027321
【公開(kāi)日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2013年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月28日
【發(fā)明者】北嶋宏通 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所