高頻封裝基板用覆銅箔層壓板的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及覆銅箱層壓板技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高頻封裝基板用覆銅箱層壓板 的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子信息技術(shù)的高速發(fā)展，電子產(chǎn)品越來越輕薄化、微型化，其結(jié)構(gòu)骨架的 PCB板，裝載密度越來越高，諸多方面用到封裝IC，IC載板簡稱封裝基板。封裝基板所用的 覆銅箱層壓板的基板材料，是當(dāng)前十分重要的課題。隨著IC封裝的高頻化，高頻封裝基板 所用的覆銅板必須具有高頻性能，即不但具有更低膨脹數(shù)性能，還必須具有低介電常數(shù)、低 損耗常數(shù)、高熱傳導(dǎo)率性能。
[0003] 現(xiàn)有通用耐熱型高頻覆銅板，是通過提高樹脂的交聯(lián)密度、增加芳香結(jié)構(gòu)的含量 來達(dá)到耐熱性能，其Tg最高為180°C，X、Y膨脹系數(shù)數(shù)最低為12~16ppm/°C，Z軸膨脹系 數(shù)數(shù)最低為50ppm/°C (Tg前），介電常數(shù)Dk最低為3. 8,介質(zhì)損耗最低為0. 008。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的是提供一種高頻封裝基板用覆銅箱層壓板的制備方法，制備的覆銅 箱層壓板具有耐高熱性能及低介電、低介電損耗常數(shù)性能、高熱傳導(dǎo)率性能。本發(fā)明的目的 由以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
[0005] -種高頻封裝基板用覆銅箱層壓板的制備方法，其特征在于，包括：
[0006] (1)提供下表組分的原材料：
[0008] (2)聚酰亞胺樹脂溶解：加入上表劑量的二甲基甲酰胺溶劑，加熱到50~60°C，攪 拌狀態(tài)下加入雙馬亞酰亞胺，溶解至透明；
[0009] (3)再加入上表劑量的雙酚A型二氰酸酯樹脂，加熱至溫度為70~90°C，反應(yīng)預(yù) 聚 60 ~IOOmin ;
[0010] (4)加入上表劑量的雙環(huán)戊二烯環(huán)氧樹脂，攪拌至溶解，維持溫度50~70°C，反應(yīng) 預(yù)聚60~IOOmin ;
[0011] (5)加入上表劑量的乙酰丙酮合鈷，調(diào)節(jié)膠液的膠化時(shí)間為200~260s，膠化溫度 為 170 ~171。。；
[0012] (6)加入上表劑量的硅烷偶聯(lián)劑KH560,攪拌30~60min ;
[0013] (7)加入上表劑量的2 μπι粒徑空心玻璃微球，高速攪拌30~60min，然后再加入 上表劑量的8 μ m粒徑空心玻璃微球，高速攪拌60~120min ;
[0014] (8)半固化片制備；
[0015] (9)疊片、配板、壓合；
[0016] (10)高溫后固化，生產(chǎn)出成品。
[0017] 本發(fā)明的有益效果在于：通過引入三嗪環(huán)結(jié)構(gòu)，交聯(lián)密度高而且樹脂結(jié)構(gòu)的對稱 性極好，因此，基板的介電常數(shù)Dk小于3. 6,介質(zhì)損耗常數(shù)小于0. 005 ;Tg大于220°C，X、Y 膨脹系數(shù)為6~10ppm/°C，Z軸膨脹系數(shù)小于35ppm/°C (Tg前）。
【附圖說明】
[0018] 圖1為本發(fā)明提供的高頻封裝基板用覆銅箱層壓板的制備方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019] 本申請將通過多個(gè)實(shí)施例闡述高頻封裝基板用覆銅箱層壓板的制備方法，以下各 實(shí)施例均將用到的主要原材料如下：
[0020] 空心玻璃微球粒徑：2μπι;
[0021] 空心玻璃微球粒徑：8 μ m ;
[0022] 雙環(huán)戊二烯環(huán)氧樹脂：
[0026] 雙酚A型二氰酸酯：
[0030] 有機(jī)溶劑：二甲基甲酰胺（DMF)、丙酮；
[0031] 2116玻璃開纖纖維布；
[0032] 電解銅箱：18 μ m 35 μ m ;
[0033] 偶聯(lián)劑：硅烷偶聯(lián)劑KH560。
[0034] 實(shí)例一：
[0035] 結(jié)合圖1所示，本實(shí)施例提供的高頻封裝基板用覆銅箱層壓板的制備方法包括以 下步驟：
[0036] (1)提供下表組分的原材料：
[0038] (2)聚酰亞胺樹脂溶解：加入上表劑量的二甲基甲酰胺溶劑，加熱到50~60°C，攪 拌狀態(tài)下加入雙馬亞酰亞胺，溶解至透明；
[0039] (3)再加入上表劑量的雙酚A型二氰酸酯樹脂，加熱至溫度為70~90°C，反應(yīng)預(yù) 聚 60 ~IOOmin ;
[0040] (4)加入上表劑量的雙環(huán)戊二烯環(huán)氧樹脂，攪拌至溶解，維持溫度50~70°C，反應(yīng) 預(yù)聚60~IOOmin ;
[0041] (5)加入上表劑量的乙酰丙酮合鈷，調(diào)節(jié)膠液的膠化時(shí)間為200~260s，膠化溫度 為 170 ~171。。；
[0042] (6)加入上表劑量的硅烷偶聯(lián)劑KH560,攪拌30~60min ;
[0043] (7)加入上表劑量的空心玻璃微球（2 μ m)，高速攪拌30~60min，然后再加入上表 劑量的空心玻璃微球（8 μ m)，高速攪拌60~120min ;
[0044] (8)半固化片制備：采用立式涂膠機(jī)對2116玻璃布涂膠，通過烘箱對涂膠的2116 玻璃布進(jìn)行烘干，烘箱溫度：180~200°C，烘焙時(shí)間：1~3min。
[0045] 半固化片膠化時(shí)間控制：60~100s/170~171°C
[0046] 半固化片樹脂含量RC :為56±2%，（具體根據(jù)制作板材的厚度而調(diào)整）
[0047] (9)疊片、配板、壓合：
[0048] 按工藝厚度要求疊合相應(yīng)張數(shù)的半固化片，如1.6mm需15張，I. 2mm需11張， 1.0 mm 需 9 張。
[0049] 覆上電解銅箱，于壓機(jī)中壓制，壓制溫度：190~200°C /lh，壓力：真空壓機(jī)30~ 40kg/cm2〇
[0050] (10)高溫后固化：220~230°C /2h，生產(chǎn)出成品。
[0051] 按照上述膠液制備方法、玻璃布涂膠工藝、覆銅板壓制工藝制作，覆銅板特性性能 指標(biāo)如下：
[0053] 實(shí)例二：
[0054] 結(jié)合圖1所示，本實(shí)施例提供的高頻封裝基板用覆銅箱層壓板的制備方法包括以 下步驟：
[0055] (1)提供下表組分的原材料：

[0057] (2)聚酰亞胺樹脂溶解：加入上表劑量的二甲基甲酰胺溶劑，加熱到50~60°C，攪 拌狀態(tài)下加入雙馬亞酰亞胺，溶解至透明；
[0058] (3)再加入上表劑量的雙酚A型二氰酸酯樹脂，加熱至溫度為70~90°C，反應(yīng)預(yù) 聚 60 ~IOOmin ;
[0059] (4)加入上表劑量的雙環(huán)戊二烯環(huán)氧樹脂，攪拌至溶解，維持溫度50~70°C，反應(yīng) 預(yù)聚60~IOOmin ;
[0060] (5)加入上表劑量的乙酰丙酮合鈷，調(diào)節(jié)膠液的膠化時(shí)間為200~260s，膠化溫度 為 170 ~171。。；
[0061] (6)加入上表劑量的硅烷偶聯(lián)劑KH560,攪拌30~60min ;
[0062] (7)加入上表劑量的空心玻璃微球（2 μ m)，高速攪拌30~60min，然后再加入上表 劑量的空心玻璃微球（8 μ m)，高速攪拌60~120min ;
[0063] (8)半固化片制備：采用立式涂膠機(jī)對2116玻璃布涂膠，通過烘箱對涂膠的2116 玻璃布進(jìn)行烘干，烘箱溫度：180~200°C，烘焙時(shí)間：1~3