一種輸出大電流的llc整流電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型設(shè)及電學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種輸出大電流的化C整流電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 整流電路的作用是將交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電，整流電路主要由整流二極 管組成。經(jīng)過(guò)整流電路之后的電壓已經(jīng)不是交流電壓，而是一種含有直流電壓和交流電壓 的混合電壓，習(xí)慣上稱為單向脈動(dòng)性直流電壓。
[0003] 常用的整流方式有：（1)半波整流:如圖1所示，變壓器的次級(jí)繞組與負(fù)載相接，中 間串聯(lián)一個(gè)整流二極管。利用二極管的單向?qū)щ娦?，只有半個(gè)周期內(nèi)有電流流過(guò)負(fù)載，另半 個(gè)周期被二極管所阻，沒(méi)有電流。但是，運(yùn)種電路，變壓器中有直流分量流過(guò)，降低了變壓器 的效率，且整流電流的脈動(dòng)成分太大，對(duì)濾波電路的要求高，只適用于小電流整流電路；（2) 全波整流:一般來(lái)講，全波整流電路是指能夠把交流電轉(zhuǎn)換成單一方向電流的電路，最少由 兩個(gè)整流器合并而成，一個(gè)負(fù)責(zé)正方向，一個(gè)負(fù)責(zé)負(fù)方向。如圖2所示，兩個(gè)半波整流電路串 聯(lián)就組成全波整流電路1，運(yùn)樣整個(gè)周期內(nèi)都有電流流過(guò)負(fù)載。但該電路用做化C整流時(shí)，參 與原邊諧振的漏感不一致會(huì)導(dǎo)致電流不均衡，高頻下尤為明顯；另外，如圖3所示，全波整流 電路2由四個(gè)二極管組成，又稱橋式整流，與全波整流電路1比較副邊繞組整個(gè)周期都有電 流流過(guò)，所W橋式整流也不適合大電流輸出。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷及存在的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了一種輸出大電流 的化C整流電路，將諧振電感Lr、勵(lì)磁電感Lm做成1個(gè)集成磁件，利用漏感做諧振電感可W很 好的控制感量，同時(shí)減小了磁器件的體積;副邊繞組采用雙線并繞法，能較好的控制參與原 邊諧振的漏感一致性，很好的消除了傳統(tǒng)方案中由參與原邊諧振的漏感不一致而導(dǎo)致的電 流不均衡現(xiàn)象。
[0005] 本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：一種輸出大電流的化C整流電 路，所述化C整流電路包含輸入端Vin,所述輸入端Vin接直流母線正端，PGND為原邊地，電壓 Vs為半橋中點(diǎn)對(duì)原邊地電壓，電信號(hào)Vsl為電壓Vs的基波，諧振電容Cr一端接半橋中點(diǎn)，另 一端接磁件Tl原邊同名端，磁件Tl原邊另一端接原邊地，磁件Tl集成漏感Lr,勵(lì)磁電感Lm于 一體。磁件T1副邊A同名端接整流二極管DP1陽(yáng)極，磁件T1副邊D端接整流二極管DP2陽(yáng)極，整 流二極管DPl和整流二極管DP2的陰極接輸出正端VO+，B端和C同名端接輸出負(fù)端VO-; MOS管 Ql的D極接直流母線正端，MOS管Q2的討及接原邊地。
[0006] 進(jìn)一步地，對(duì)上述方案的解釋如下:本方案根據(jù)傳統(tǒng)全波整流進(jìn)行優(yōu)化，本方案中 Vin為輸入電壓，電信號(hào)Vsl為電壓Vs的基波，fs為開關(guān)頻率，Vsl為正弦波，參數(shù)如下：

[0009] 集成磁件的漏感由原邊圈數(shù)、原副邊繞組與磁忍的相對(duì)位置及繞線緊密程度共同 決定，該集成磁件的原副邊有擋墻隔離，原邊圈數(shù)、原副邊繞組與磁忍的相對(duì)位置可W做到 較好的一致性;副邊繞組采用雙線并繞法，4、(：^8、0，再把8、(：相連，運(yùn)樣繞線緊密程度也可 W做到較好的一致性。最終能較好的控制參與原邊諧振的漏感大小及一致性，運(yùn)樣副邊單 繞組只有半個(gè)周期有電流流過(guò)且電流均分，適合于輸出大電流的化C整流。
[0010] 本實(shí)用新型的有益效果是：一種輸出大電流的化C整流電路，將諧振電感Lr、勵(lì)磁 電感Lm做成1個(gè)集成磁件，利用漏感做諧振電感可W很好的控制感量，同時(shí)減小了磁器件的 體積;副邊繞組采用雙線并繞法，能較好的控制參與原邊諧振的漏感一致性，很好的消除了 傳統(tǒng)方案中由參與原邊諧振的漏感不一致而導(dǎo)致的電流不均衡現(xiàn)象。
【附圖說(shuō)明】
[0011] 圖1是半波整流電路圖。
[0012] 圖2是全波整流電路1的電路圖。
[0013] 圖3是全波整流電路2的電路圖。
[0014] 圖4是本實(shí)用新型化C整流電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作詳細(xì)說(shuō)明，進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型 的優(yōu)點(diǎn)及相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的突出貢獻(xiàn)，可W理解的，下述的實(shí)施例僅是對(duì)本實(shí)用新型較佳 實(shí)施方案的詳細(xì)說(shuō)明，不應(yīng)該解釋為對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案的任何限制。
[0016] 作為本實(shí)用新型的一種實(shí)施例，本實(shí)用新型提供如圖4所示的一種輸出大電流的 LLC整流電路，所述化C整流電路包含輸入端Vin，所述輸入端Vin接直流母線正端，PGND為原 邊地，電壓Vs為半橋中點(diǎn)對(duì)原邊地電壓，電信號(hào)Vsl為電壓Vs的基波，諧振電容Cr一端接半 橋中點(diǎn)，另一端接磁件Tl原邊同名端，磁件Tl原邊另一端接原邊地，磁件Tl集成漏感Lr,勵(lì) 磁電感Lm于一體。磁件T1副邊A同名端接整流二極管DP1陽(yáng)極，磁件T1副邊D端接整流二極管 DP2陽(yáng)極，整流二極管DPl和整流二極管DP2的陰極接輸出正端V0+，B端和C同名端接輸出負(fù) 端V0-;M0S管Ql的D極接直流母線正端，MOS管Q2的討及接原邊地。
[0017] 進(jìn)一步地，對(duì)上述方案的解釋如下:本方案根據(jù)傳統(tǒng)全波整流進(jìn)行優(yōu)化，本方案中 Vin為輸入電壓，電信號(hào)Vsl為電壓Vs的基波，fs為開關(guān)頻率，Vsl為正弦波，參數(shù)如下：
[0020]集成磁件的漏感由原邊圈數(shù)、原副邊繞組與磁忍的相對(duì)位置及繞線緊密程度共同 決定，該集成磁件的原副邊有擋墻隔離，原邊圈數(shù)、原副邊繞組與磁忍的相對(duì)位置可W做到 較好的一致性;副邊繞組采用雙線并繞法，4、(：^8、0，再把8、(：相連，運(yùn)樣繞線緊密程度也可 W做到較好的一致性。最終能較好的控制參與原邊諧振的漏感大小及一致性，運(yùn)樣副邊單 繞組只有半個(gè)周期有電流流過(guò)且電流均分，適合于輸出大電流的化C整流。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種輸出大電流的LLC整流電路，其特征在于:所述LLC整流電路包含輸入端Vin，所 述輸入端Vin接直流母線正端，PGND為原邊地，電壓Vs為半橋中點(diǎn)對(duì)原邊地電壓，電信號(hào)Vsl 為電壓Vs的基波，諧振電容Cr 一端接半橋中點(diǎn)，另一端接磁件T1原邊同名端，磁件T1原邊另 一端接原邊地，磁件T1集成漏感Lr，勵(lì)磁電感Lm于一體;磁件T1副邊A同名端接整流二極管 DPI陽(yáng)極，磁件T1副邊D端接整流二極管DP2陽(yáng)極，整流二極管DPI和整流二極管DP2的陰極接 輸出正端V0+，B端和C同名端接輸出負(fù)端VO-; MOS管Q1的D極接直流母線正端，MOS管〇2的3極 接原邊地。
【專利摘要】本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了一種輸出大電流的LLC整流電路，所述LLC整流電路包含輸入端Vin，所述輸入端Vin接直流母線正端，PGND為原邊地，電壓Vs為半橋中點(diǎn)對(duì)原邊地電壓，電信號(hào)Vs1為電壓Vs的基波，諧振電容Cr一端接半橋中點(diǎn)，另一端接磁件T1原邊同名端，磁件T1原邊另一端接原邊地，磁件T1集成漏感Lr，勵(lì)磁電感Lm于一體。利用漏感做諧振電感可以很好的控制感量，同時(shí)減小了磁器件的體積；副邊繞組采用雙線并繞法，能較好的控制參與原邊諧振的漏感一致性，很好的消除了傳統(tǒng)方案中由參與原邊諧振的漏感不一致而導(dǎo)致的電流不均衡現(xiàn)象。
【IPC分類】H02M3/28
【公開號(hào)】CN205283401
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520850806
【發(fā)明人】劉常浩, 李耀文, 李輝
【申請(qǐng)人】浙江同鑫電源設(shè)備有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請(qǐng)日】2015年10月29日