一種電機(jī)及其過(guò)壓保護(hù)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于保護(hù)電路領(lǐng)域，尤其涉及一種電機(jī)及其過(guò)壓保護(hù)電路。所述電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路包括：電容C1、電容C2、開(kāi)關(guān)管、分壓電阻R1、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、穩(wěn)壓管D1、NPN型三極管Q2和NPN型三極管Q3。在本發(fā)明中，電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路采用分立元器件實(shí)現(xiàn)，當(dāng)電源電壓穩(wěn)定時(shí)，開(kāi)關(guān)管保持導(dǎo)通，電機(jī)供電通路導(dǎo)通，當(dāng)電源電壓出現(xiàn)波動(dòng)過(guò)壓時(shí)，開(kāi)關(guān)管斷開(kāi)，電機(jī)供電通路切斷，從而有效地保護(hù)了電機(jī)免受損壞，并且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉。
【專利說(shuō)明】一種電機(jī)及其過(guò)壓保護(hù)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于保護(hù)電路領(lǐng)域，尤其涉及一種電機(jī)及其過(guò)壓保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]過(guò)壓保護(hù)是指當(dāng)被保護(hù)線路的電源電壓高于一定數(shù)值時(shí)，保護(hù)器切斷該線路，當(dāng)電源電壓恢復(fù)到正常范圍時(shí)，保護(hù)器自動(dòng)接通。
[0003]由于現(xiàn)在低電壓電機(jī)工作電壓低，大電壓、大電流的電網(wǎng)干擾電壓會(huì)損壞電機(jī)，給人們的工作和生活帶來(lái)很大的不便。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路，旨在解決現(xiàn)在存在電機(jī)輸入電壓過(guò)高會(huì)損壞電機(jī)的問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路，所述電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路包括:
[0006]電容Cl、電容C2、開(kāi)關(guān)管、分壓電阻R1、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、穩(wěn)壓管Dl、NPN型三極管Q2和NPN型三極管Q3 ；
[0007]所述開(kāi)關(guān)管的高電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸入端接電源，所述開(kāi)關(guān)管的低電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端接電機(jī)電路，所述電容Cl和電容C2并聯(lián)在所述輸入端與地之間，所述NPN型三極管Q2的集電極接所述開(kāi)關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q2的發(fā)射極接地，所述分壓電阻Rl連接在所述開(kāi)關(guān)管的控制端和低電位端之間，所述分壓電阻R2連接在所述開(kāi)關(guān)管的低電位端和NPN型三極管Q2的基極之間，所述穩(wěn)壓管Dl的陰極接所述開(kāi)關(guān)管的低電位端，所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極通過(guò)分壓電阻R3接NPN型三極管Q3的基極，所述NPN型三極管Q3的集電極接NPN型三極管Q2的基極，所述NPN型三極管Q3的發(fā)射極接地，所述分壓電阻R4連接在所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極與地之間。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提供一種電機(jī)，所述電機(jī)包括電機(jī)電路和電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路，所述電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路包括:
[0009]電容Cl、電容C2、開(kāi)關(guān)管、分壓電阻R1、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、穩(wěn)壓管Dl、NPN型三極管Q2和NPN型三極管Q3 ；
[0010]所述開(kāi)關(guān)管的高電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸入端接電源，所述開(kāi)關(guān)管的低電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端接電機(jī)電路，所述電容Cl和電容C2并聯(lián)在所述輸入端與地之間，所述NPN型三極管Q2的集電極接所述開(kāi)關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q2的發(fā)射極接地，所述分壓電阻Rl連接在所述開(kāi)關(guān)管的控制端和低電位端之間，所述分壓電阻R2連接在所述開(kāi)關(guān)管的低電位端和NPN型三極管Q2的基極之間，所述穩(wěn)壓管Dl的陰極接所述開(kāi)關(guān)管的低電位端，所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極通過(guò)分壓電阻R3接NPN型三極管Q3的基極，所述NPN型三極管Q3的集電極接NPN型三極管Q2的基極，所述NPN型三極管Q3的發(fā)射極接地，所述分壓電阻R4連接在所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極與地之間。[0011]在本發(fā)明實(shí)施例中，電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路采用分立元器件實(shí)現(xiàn)，當(dāng)電源電壓穩(wěn)定時(shí)，開(kāi)關(guān)管保持導(dǎo)通，電機(jī)供電通路導(dǎo)通，當(dāng)電源電壓出現(xiàn)波動(dòng)過(guò)壓時(shí)，開(kāi)關(guān)管斷開(kāi)，電機(jī)供電通路切斷，從而有效地保護(hù)了電機(jī)免受損壞，并且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)圖；
[0013]圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0015]圖1示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，詳述如下。
[0016]一種電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路，所述電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路包括:
[0017]電容Cl、電容C2、開(kāi)關(guān)管100、分壓電阻R1、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻
R4、穩(wěn)壓管Dl、NPN型三極管Q2和NPN型三極管Q3 ；
[0018]所述開(kāi)關(guān)管100的高電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸入端接電源，所述開(kāi)關(guān)管100的低電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端接電機(jī)電路，所述電容Cl和電容C2并聯(lián)在所述輸入端與地之間，所述NPN型三極管Q2的集電極接所述開(kāi)關(guān)管100的控制端，所述NPN型三極管Q2的發(fā)射極接地，所述分壓電阻Rl連接在所述開(kāi)關(guān)管100的控制端和低電位端之間，所述分壓電阻R2連接在所述開(kāi)關(guān)管100的低電位端和NPN型三極管Q2的基極之間，所述穩(wěn)壓管Dl的陰極接所述開(kāi)關(guān)管100的低電位端，所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極通過(guò)分壓電阻R3接NPN型三極管Q3的基極，所述NPN型三極管Q3的集電極接NPN型三極管Q2的基極，所述NPN型三極管Q3的發(fā)射極接地，所述分壓電阻R4連接在所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極與地之間。
[0019]作為本發(fā)明一實(shí)施例，所述開(kāi)關(guān)管100采用PNP型三極管Ql，所述PNP型三極管Ql的基極為開(kāi)關(guān)管100的控制端，所述PNP型三極管Ql的集電極為開(kāi)關(guān)管100的高電位端，所述PNP型三極管Ql的發(fā)射極為開(kāi)關(guān)管100的低電位端。
[0020]圖2示出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，詳述如下。
[0021]作為本發(fā)明一實(shí)施例，所述開(kāi)關(guān)管100采用P型MOS管Q4，所述P型MOS管Q4的柵極為開(kāi)關(guān)管100的控制端，所述P型MOS管Q4的漏極為開(kāi)關(guān)管100的高電位端，所述P型MOS管Q4的源極為開(kāi)關(guān)管100的低電位端。
[0022]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種電機(jī)，所述電機(jī)包括電機(jī)電路和電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路，所述電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路包括:
[0023]電容Cl、電容C2、開(kāi)關(guān)管100、分壓電阻R1、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻
R4、穩(wěn)壓管Dl、NPN型三極管Q2和NPN型三極管Q3 ；
[0024]所述開(kāi)關(guān)管100的高電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸入端接電源，所述開(kāi)關(guān)管100的低電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端接電機(jī)電路，所述電容Cl和電容C2并聯(lián)在所述輸入端與地之間，所述NPN型三極管Q2的集電極接所述開(kāi)關(guān)管100的控制端，所述NPN型三極管Q2的發(fā)射極接地，所述分壓電阻Rl連接在所述開(kāi)關(guān)管100的控制端和低電位端之間，所述分壓電阻R2連接在所述開(kāi)關(guān)管100的低電位端和NPN型三極管Q2的基極之間，所述穩(wěn)壓管Dl的陰極接所述開(kāi)關(guān)管100的低電位端，所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極通過(guò)分壓電阻R3接NPN型三極管Q3的基極，所述NPN型三極管Q3的集電極接NPN型三極管Q2的基極，所述NPN型三極管Q3的發(fā)射極接地，所述分壓電阻R4連接在所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極與地之間。
[0025]作為本發(fā)明一實(shí)施例，所述開(kāi)關(guān)管100采用PNP型三極管Ql，所述PNP型三極管Ql的基極為開(kāi)關(guān)管100的控制端，所述PNP型三極管Ql的集電極為開(kāi)關(guān)管100的高電位端，所述PNP型三極管Ql的發(fā)射極為開(kāi)關(guān)管100的低電位端。
[0026]如圖2所示，作為本發(fā)明一實(shí)施例，所述開(kāi)關(guān)管100采用P型MOS管Q4，所述P型MOS管Q4的柵極為開(kāi)關(guān)管100的控制端，所述P型MOS管Q4的漏極為開(kāi)關(guān)管100的高電位端，所述P型MOS管Q4的源極為開(kāi)關(guān)管100的低電位端。
[0027]在本發(fā)明實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)管可以導(dǎo)通或者切斷電機(jī)供電通路，當(dāng)電源出現(xiàn)過(guò)壓時(shí)，可以有效地保護(hù)電機(jī)免受損壞，電容Cl、電容C2起到濾波作用，而NPN型三極管Q2和NPN型三極管Q3起到放大管的作用。
[0028]在本發(fā)明實(shí)施例中，電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路采用分立元器件實(shí)現(xiàn)，當(dāng)電源電壓穩(wěn)定時(shí)，開(kāi)關(guān)管保持導(dǎo)通，電機(jī)供電通路導(dǎo)通，當(dāng)電源電壓出現(xiàn)波動(dòng)過(guò)壓時(shí)，開(kāi)關(guān)管斷開(kāi)，電機(jī)供電通路切斷，從而有效地保護(hù)了電機(jī)免受損壞，并且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉。
[0029]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路包括: 電容Cl、電容C2、開(kāi)關(guān)管、分壓電阻Rl、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、穩(wěn)壓管Dl、NPN型三極管Q2和NPN型三極管Q3 ； 所述開(kāi)關(guān)管的高電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸入端接電源，所述開(kāi)關(guān)管的低電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端接電機(jī)電路，所述電容Cl和電容C2并聯(lián)在所述輸入端與地之間，所述NPN型三極管Q2的集電極接所述開(kāi)關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q2的發(fā)射極接地，所述分壓電阻Rl連接在所述開(kāi)關(guān)管的控制端和低電位端之間，所述分壓電阻R2連接在所述開(kāi)關(guān)管的低電位端和NPN型三極管Q2的基極之間，所述穩(wěn)壓管Dl的陰極接所述開(kāi)關(guān)管的低電位端，所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極通過(guò)分壓電阻R3接NPN型三極管Q3的基極，所述NPN型三極管Q3的集電極接NPN型三極管Q2的基極，所述NPN型三極管Q3的發(fā)射極接地，所述分壓電阻R4連接在所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極與地之間。
2.如權(quán)利要求1所述的電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管采用PNP型三極管Ql，所述PNP型三極管Ql的基極為開(kāi)關(guān)管的控制端，所述PNP型三極管Ql的集電極為開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述PNP型三極管Ql的發(fā)射極為開(kāi)關(guān)管的低電位端。
3.如權(quán)利要求1所述的電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管采用P型MOS管Q4，所述P型MOS管Q4的柵極為開(kāi)關(guān)管的控制端，所述P型MOS管Q4的漏極為開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述P型MOS管Q4的源極為開(kāi)關(guān)管的低電位端。
4.一種電機(jī)，所述電機(jī)包括電機(jī)電路和電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路包括: 電容Cl、電容C2、開(kāi)關(guān)管、分壓電阻Rl、分壓電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、穩(wěn)壓管Dl、NPN型三極管Q2和NPN型三極管Q3 ； 所述開(kāi)關(guān)管的高電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸入端接電源，所述開(kāi)關(guān)管的低電位端為電機(jī)過(guò)壓保護(hù)電路的輸出端接電機(jī)電路，所述電容Cl和電容C2并聯(lián)在所述輸入端與地之間，所述NPN型三極管Q2的集電極接所述開(kāi)關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q2的發(fā)射極接地，所述分壓電阻Rl連接在所述開(kāi)關(guān)管的控制端和低電位端之間，所述分壓電阻R2連接在所述開(kāi)關(guān)管的低電位端和NPN型三極管Q2的基極之間，所述穩(wěn)壓管Dl的陰極接所述開(kāi)關(guān)管的低電位端，所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極通過(guò)分壓電阻R3接NPN型三極管Q3的基極，所述NPN型三極管Q3的集電極接NPN型三極管Q2的基極，所述NPN型三極管Q3的發(fā)射極接地，所述分壓電阻R4連接在所述穩(wěn)壓管Dl的陽(yáng)極與地之間。
5.如權(quán)利要求4所述的電機(jī)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管采用PNP型三極管Q1，所述PNP型三極管Ql的基極為開(kāi)關(guān)管的控制端，所述PNP型三極管Ql的集電極為開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述PNP型三極管Ql的發(fā)射極為開(kāi)關(guān)管的低電位端。
6.如權(quán)利要求4所述的電機(jī)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管采用P型MOS管Q4，所述P型MOS管Q4的柵極為開(kāi)關(guān)管的控制端，所述P型MOS管Q4的漏極為開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述P型MOS管Q4的源極為開(kāi)關(guān)管的低電位端。
【文檔編號(hào)】H02H7/09GK103915822SQ201210594572
【公開(kāi)日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月31日
【發(fā)明者】周明杰, 劉金財(cái) 申請(qǐng)人:海洋王（東莞）照明科技有限公司, 海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司