一種離子注入設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種離子注入設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可在離子注入中斷后，僅對(duì)未注入部分進(jìn)行補(bǔ)注入。該離子注入設(shè)備，包括離子注入腔室，所述離子注入腔室包括離子束入口以及基板承載臺(tái)，所述基板承載臺(tái)用于承載待注入基板；所述離子注入設(shè)備還包括設(shè)置在所述離子注入腔室內(nèi)的擋板，所述擋板用于在離子注入時(shí)阻擋對(duì)所述待注入基板的已注入部分進(jìn)行注入。用于離子注入。
【專利說(shuō)明】
一種禹子注入設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種離子注入設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有LTPS TFT (Low Temperature Poly-silicon Thin Film Transistor，低溫多晶硅薄膜晶體管)或半導(dǎo)體器件工藝制成中，一般都需要對(duì)基板進(jìn)行多次注入，在注入過(guò)程中會(huì)發(fā)生由于離子注入設(shè)備自身故障，氣體供應(yīng)等問(wèn)題導(dǎo)致設(shè)備出現(xiàn)報(bào)警，導(dǎo)致注入過(guò)程中斷，使得正在進(jìn)行工藝的基板被分成已注入部分和未注入部分。
[0003]在此情況下，由于目前離子注入設(shè)備無(wú)法實(shí)現(xiàn)只對(duì)未注入部分進(jìn)行注入，而只能重新全部注入，在這樣的情況下，已注入部分就會(huì)被重新注入，導(dǎo)致注入劑量過(guò)多，大于工藝需求劑量，使TFT基板或半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性受到影響，甚至影響產(chǎn)品良率。
[0004]例如，如圖1(a)，對(duì)于P型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，在Vth等于0.1V的情況下，從圖中可以明顯看出，過(guò)量注入時(shí)，其反饋電壓明顯大于正常工藝需求劑量時(shí)的反饋電壓，已超出其正常規(guī)格，無(wú)法滿足生產(chǎn)需求。如圖1(b)所示，對(duì)于N型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，在Vth等于0.1V的情況下，從圖中可以明顯看出，過(guò)量注入時(shí)，其反饋電壓也大于正常工藝需求劑量時(shí)的反饋電壓。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種離子注入設(shè)備，可在離子注入中斷后，僅對(duì)未注入部分進(jìn)行補(bǔ)注入。
[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]提供一種離子注入設(shè)備，包括離子注入腔室，所述離子注入腔室包括離子束入口以及基板承載臺(tái)，所述基板承載臺(tái)用于承載待注入基板;所述離子注入設(shè)備還包括設(shè)置在所述離子注入腔室內(nèi)的擋板，所述擋板用于在離子注入時(shí)阻擋對(duì)所述待注入基板的已注入部分進(jìn)行注入。
[0008]可選的，所述擋板設(shè)置在所述離子束入口的邊緣側(cè)，用于遮擋所述離子束入口；其中，所述擋板的尺寸大于等于所述離子束入口的尺寸。
[0009]進(jìn)一步可選的，所述離子注入設(shè)備還包括與所述擋板連接的擋板轉(zhuǎn)軸，通過(guò)所述擋板轉(zhuǎn)軸，所述擋板相對(duì)所述離子束入口轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0010]可選的，所述擋板設(shè)置在所述待注入基板面向所述離子束入口的一側(cè)，用于遮擋所述待注入基板的所述已注入部分。
[0011]進(jìn)一步可選的，所述離子注入設(shè)備還包括擋板傳輸裝置和基板傳輸裝置，所述擋板設(shè)置在所述擋板傳輸裝置上，所述基板承載臺(tái)設(shè)置在所述基板傳輸裝置上;其中，所述擋板傳輸裝置的傳輸方向與所述基板傳輸裝置的傳輸方向一致。
[0012]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述擋板傳輸裝置和所述基板傳輸裝置共用。
[0013]基于上述，優(yōu)選的，所述擋板為折疊式擋板。
[0014]優(yōu)選的，所述擋板為石墨碳板。
[0015]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種離子注入設(shè)備，通過(guò)設(shè)置擋板，可在待注入基板還未移動(dòng)至出現(xiàn)中斷的位置時(shí)，阻擋對(duì)已注入部分的再次注入，在待注入基板移動(dòng)至出現(xiàn)中斷的位置時(shí)，擋板取消阻擋作用，從而可對(duì)未注入部分進(jìn)行補(bǔ)注入。由于在注入中斷后，可僅對(duì)未注入部分進(jìn)行補(bǔ)注入，因此可避免再對(duì)已注入部分進(jìn)行離子注入而導(dǎo)致對(duì)TFT基板或半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性的影響，保證了注入劑量，因而保證了產(chǎn)品良率。
【附圖說(shuō)明】
[0016]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1(a)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種P型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在注入量不同時(shí)的電學(xué)性能變化曲線；
[0018]圖1(b)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種N型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在注入量不同時(shí)的電學(xué)性能變化曲線；
[0019]圖2(a)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種離子注入設(shè)備的俯視示意圖；
[0020]圖2(b)為一種針對(duì)圖2(a)的離子注入設(shè)備中離子注入腔室的俯視示意圖；
[0021]圖3(a)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種離子注入設(shè)備的俯視示意圖；
[0022]圖3(b)為一種針對(duì)圖3(a)中的離子注入設(shè)備中離子注入腔室內(nèi)部分結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0023]圖3(c)為一種針對(duì)圖3(a)的離子注入設(shè)備中離子注入腔室的俯視示意圖；
[0024]圖4(a)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種折疊式擋板的示意圖；
[0025]圖4(b)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種折疊式擋板展開(kāi)后的示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記:
[0027]10-離子注入腔室；20-離子束入口 ； 30-基板承載臺(tái)；40-待注入基板;401-已注入部分;402-未注入部分；50-擋板;60-離子源；70-分析磁場(chǎng);80-傳遞腔室；90-基板傳輸裝置;100-擋板轉(zhuǎn)軸;110-擋板傳輸裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0029]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種離子注入設(shè)備，如圖2(a)、2(b)和圖3(a)、3(b)、3(c)所示，包括離子注入腔室10，該離子注入腔室10包括離子束入口 20以及基板承載臺(tái)30，基板承載臺(tái)30用于承載待注入基板40，所述離子注入設(shè)備還包括設(shè)置在離子注入腔室內(nèi)10的擋板50，該擋板50用于在離子注入時(shí)阻擋對(duì)待注入基板40的已注入部分401進(jìn)行注入。
[0030]此外，參考圖2(a)和3(a)所示，離子注入設(shè)備還包括離子源60、分析磁場(chǎng)70、傳遞腔室80等。離子源60用于發(fā)出離子束;分析磁場(chǎng)70用于使離子源60發(fā)出的離子束射向離子注入腔室10的離子束入口 20;傳遞腔室80用于傳送待注入基板40。
[0031]當(dāng)然，參考圖2(a)、2(b)和圖3(a)、3(b)、3(c)所示，離子注入設(shè)備還包括設(shè)置在離子注入腔室10內(nèi)的基板傳輸裝置90以及用于驅(qū)動(dòng)基板傳輸裝置90的驅(qū)動(dòng)裝置(圖中均未示出)，基板承載臺(tái)30設(shè)置在基板傳輸裝置90上，通過(guò)驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)基板傳輸裝置90運(yùn)動(dòng)，可帶動(dòng)基板承載臺(tái)30移動(dòng)，從而可完成對(duì)整個(gè)待注入基板40離子注入。
[0032]對(duì)于驅(qū)動(dòng)裝置，其具有記憶功能，當(dāng)離子注入設(shè)備出現(xiàn)離子注入中斷后，通過(guò)驅(qū)動(dòng)裝置記憶的信息以及離子束入口 20的尺寸，可計(jì)算出已注入部分401的尺寸，因而，也就可區(qū)分出已注入部分401和未注入部分402。在此基礎(chǔ)上，當(dāng)對(duì)出現(xiàn)注入中斷的基板進(jìn)行補(bǔ)注入時(shí)，即對(duì)待注入基板40中除已注入部分401外的未注入部分402進(jìn)行補(bǔ)注入時(shí)，通過(guò)驅(qū)動(dòng)裝置的記憶功能，當(dāng)其驅(qū)動(dòng)基板傳輸裝置90，并帶動(dòng)待注入基板40未移動(dòng)至出現(xiàn)中斷的位置時(shí)，通過(guò)擋板50可阻擋對(duì)已注入部分401的再次注入，當(dāng)待注入基板40移動(dòng)至出現(xiàn)中斷的位置時(shí)，擋板50取消阻擋作用，從而可對(duì)未注入部分402進(jìn)行補(bǔ)注入。
[0033]本實(shí)用新型實(shí)施例中，在離子注入腔室10中，待注入基板40的離子注入側(cè)，面相離子束入口 20設(shè)置，這樣在離子束通過(guò)離子注入腔室10的離子束入口 20后，便可直接對(duì)待注入基板40進(jìn)行離子注入操作。
[0034]需要說(shuō)明的是，第一，上述離子注入設(shè)備并不限于只對(duì)包括已注入部分401的待注入基板40進(jìn)行離子注入，也可以對(duì)未發(fā)生離子注入異常(即未發(fā)生注入過(guò)程中斷異常)的待注入基板40進(jìn)行離子注入。本實(shí)用新型實(shí)施例的附圖中以待注入基板40包括已注入部分401和未注入部分402進(jìn)行示意。
[0035]當(dāng)待注入基板40包括已注入部分401時(shí)，通過(guò)擋板50，可避免對(duì)待注入基板40的已注入部分401進(jìn)行注入；當(dāng)待注入基板40未發(fā)生離子注入異常時(shí)，擋板50不參與該離子注入設(shè)備的離子注入過(guò)程。
[0036]第二，在離子注入腔室10中，可設(shè)置一個(gè)、兩個(gè)及以上的基板承載臺(tái)30。當(dāng)設(shè)置兩個(gè)及以上的基板承載臺(tái)30時(shí)，需設(shè)置一一對(duì)應(yīng)的基板傳輸裝置90以及驅(qū)動(dòng)裝置;其中，多個(gè)基板承載臺(tái)30可沿離子束在離子注入腔室10中的運(yùn)動(dòng)方向設(shè)置?；鍌鬏斞b置90例如可以是傳輸導(dǎo)軌、傳輸皮帶等;驅(qū)動(dòng)裝置例如可以是馬達(dá)。
[0037]基于此，通過(guò)驅(qū)動(dòng)裝置控制與多個(gè)基板承載臺(tái)30—一對(duì)應(yīng)的基板傳輸裝置90，當(dāng)位于其中一個(gè)基板承載臺(tái)30上的待注入基板40完成補(bǔ)注入后，便可將其移動(dòng)至其他位置，之后接著對(duì)下一個(gè)基板承載臺(tái)30上的待注入基板40進(jìn)行離子注入。
[0038]其中，待注入基板40例如可通過(guò)夾子與基板承載臺(tái)30固定，具體固定方式在此不做限定。
[0039]第三，擋板50需能完全遮擋離子而不使其透過(guò)。
[0040]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種離子注入設(shè)備，通過(guò)設(shè)置擋板50，可在基板傳輸裝置90還未將待注入基板40移動(dòng)至出現(xiàn)中斷的位置時(shí)，阻擋對(duì)已注入部分401的再次注入，在基板傳輸裝置90將待注入基板40移動(dòng)至出現(xiàn)中斷的位置時(shí)，擋板50取消阻擋作用，從而可對(duì)未注入部分402進(jìn)行補(bǔ)注入。由于在注入中斷后，可僅對(duì)未注入部分402進(jìn)行補(bǔ)注入，因此可避免再對(duì)已注入部分401進(jìn)行離子注入而導(dǎo)致對(duì)TFT基板或半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性的影響，保證了注入劑量，因而保證了產(chǎn)品良率。
[0041]可選的，參考圖2(b)所示，擋板50設(shè)置在離子束入口20的邊緣側(cè)，用于遮擋離子束入口 20;其中，所述擋板50的尺寸大于等于離子束入口 20的尺寸。
[0042]S卩，在需要對(duì)待注入基板40的未注入部分402進(jìn)行補(bǔ)注入時(shí)，可先將擋板50遮擋在離子束入口 20處，以使離子束無(wú)法通過(guò)離子束入口 20，而避免對(duì)待注入基板40的已注入部分401進(jìn)行再次注入。與此同時(shí)，基板傳輸裝置90—直運(yùn)送待注入基板40向出現(xiàn)中斷的位置移動(dòng)，直到基板傳輸裝置90將待注入基板40移動(dòng)至出現(xiàn)中斷的位置時(shí)，可使擋板50不遮擋離子束入口 20，以使離子束通過(guò)離子束入口 20，而對(duì)待注入基板40的未注入部分402進(jìn)行補(bǔ)注入。
[0043]需要說(shuō)明的是，在將擋板50遮擋在離子束入口20處之前，可先對(duì)離子束的參數(shù)進(jìn)行確定，其參數(shù)例如包括離子束能量、密度等。當(dāng)參數(shù)確認(rèn)正常后，可將擋板50遮擋在離子束入口 20處。
[0044]進(jìn)一步可選的，參考圖2(b)所示，所述離子注入設(shè)備還包括與擋板50連接的擋板轉(zhuǎn)軸100，通過(guò)擋板轉(zhuǎn)軸100，擋板50可相對(duì)離子束入口 20轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0045]進(jìn)一步的還可以包括與擋板轉(zhuǎn)軸100連接的馬達(dá)，可在需要遮擋住離子束入口20時(shí)，通過(guò)馬達(dá)的控制將擋板50轉(zhuǎn)動(dòng)到離子束入口 20。在不需要遮擋住離子束入口 20時(shí)，通過(guò)馬達(dá)的控制將擋板50轉(zhuǎn)動(dòng)到離子束入口 20的邊緣側(cè)，以撤銷對(duì)離子束入口 20的遮擋。
[0046]需要說(shuō)明的是，對(duì)于擋板50，并不限于通過(guò)擋板轉(zhuǎn)軸100來(lái)使其轉(zhuǎn)動(dòng)。例如還可以通過(guò)在離子束入口 20兩側(cè)設(shè)置導(dǎo)軌，擋板50固定在導(dǎo)軌上，來(lái)實(shí)現(xiàn)擋板50對(duì)離子束入口 20的遮擋。對(duì)于該方式，也可設(shè)置馬達(dá)，通過(guò)馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)，可使擋板50在軌道上滑動(dòng)，從而在需要對(duì)離子束入口 20進(jìn)行遮擋時(shí)，將擋板50滑動(dòng)到離子束入口 20處。
[0047]可選的，參考圖3(b)和3(c)所示，擋板50可以設(shè)置在待注入基板40面向離子束入口 20的一側(cè)，用于遮擋待注入基板40的已注入部分401。
[0048]S卩，在需要對(duì)待注入基板40的未注入部分402進(jìn)行補(bǔ)注入時(shí)，可將擋板50遮擋在待注入基板40的已注入部分401，而避免對(duì)已注入部分401進(jìn)行再次注入。
[0049]需要說(shuō)明的是，在將擋板50遮擋在待注入基板40的已注入部分401之前，可先對(duì)離子束的參數(shù)進(jìn)行確定，其參數(shù)例如包括離子束能量、密度等。當(dāng)參數(shù)確認(rèn)正常后，進(jìn)行此次補(bǔ)注入過(guò)程。
[0050]進(jìn)一步可選的，參考圖3(b)所示，所述離子注入設(shè)備還包括擋板傳輸裝置110，擋板50設(shè)置在擋板傳輸裝置110上;其中，擋板傳輸裝置110的傳輸方向與基板傳輸裝置90的傳輸方向一致。
[0051]其中，擋板傳輸裝置110也由相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)裝置例如馬達(dá)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
[0052]具體的，由于當(dāng)離子注入設(shè)備出現(xiàn)離子注入中斷后，通過(guò)驅(qū)動(dòng)基板傳輸裝置90的驅(qū)動(dòng)裝置記憶的信息以及離子束入口 20的尺寸，可計(jì)算出已注入部分401的尺寸，因此在進(jìn)行補(bǔ)注入時(shí)，可先將擋板50遮擋在待注入基板40的已注入部分401，然后通過(guò)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)裝置控制擋板傳輸裝置110和基板傳輸裝置90同步移動(dòng)，直到使待注入基板40移動(dòng)至出現(xiàn)中斷的位置時(shí)，開(kāi)始對(duì)未注入部分402進(jìn)行補(bǔ)注入。
[0053]進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖3(c)所示，擋板傳輸裝置110和基板傳輸裝置90共用。
[0054]S卩，將擋板50和基板承載臺(tái)30設(shè)置在同一個(gè)傳輸裝置上，由一個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
[0055]這樣可降低對(duì)離子注入腔室10的空間要求，也可節(jié)省成本。
[0056]基于上述，如圖4(a)所示，優(yōu)選的，擋板50為折疊式擋板。
[0057]需要說(shuō)明的是，當(dāng)展開(kāi)所述折疊式擋板的任一部分后，需使其形狀保持同一形狀，只是尺寸發(fā)生變化。例如，折疊式擋板展開(kāi)后，形狀可以為如圖4(b)所示的矩形。
[0058]本實(shí)用新型實(shí)施例中，通過(guò)將擋板50設(shè)置為折疊式擋板，可以隨意打開(kāi)任何尺寸，以適用對(duì)不同待注入基板40的已注入部分401的遮擋，而且占用空間少。
[0059]考慮到在離子注入設(shè)備中，各腔室基本都采用石墨碳板作為防護(hù)板，且石墨碳板即廉價(jià)又不會(huì)污染腔體，而且拆卸方便，易于保養(yǎng)，因此，優(yōu)選的，擋板50為石墨碳板。
[0060]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種離子注入設(shè)備，包括離子注入腔室，所述離子注入腔室包括離子束入口以及基板承載臺(tái)，所述基板承載臺(tái)用于承載待注入基板;其特征在于， 所述離子注入設(shè)備還包括設(shè)置在所述離子注入腔室內(nèi)的擋板，所述擋板用于在離子注入時(shí)阻擋對(duì)所述待注入基板的已注入部分進(jìn)行注入。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述擋板設(shè)置在所述離子束入口的邊緣側(cè)，用于遮擋所述離子束入口 ； 其中，所述擋板的尺寸大于等于所述離子束入口的尺寸。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，還包括與所述擋板連接的擋板轉(zhuǎn)軸，通過(guò)所述擋板轉(zhuǎn)軸，所述擋板相對(duì)所述離子束入口轉(zhuǎn)動(dòng)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述擋板設(shè)置在所述待注入基板面向所述離子束入口的一側(cè)，用于遮擋所述待注入基板的所述已注入部分。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，還包括擋板傳輸裝置和基板傳輸裝置，所述擋板設(shè)置在所述擋板傳輸裝置上，所述基板承載臺(tái)設(shè)置在所述基板傳輸裝置上； 其中，所述擋板傳輸裝置的傳輸方向與所述基板傳輸裝置的傳輸方向一致。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述擋板傳輸裝置和所述基板傳輸裝置共用。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述擋板為折疊式擋板。8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的離子注入設(shè)備，其特征在于，所述擋板為石墨碳板。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK205428882SQ201620241814
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年3月25日
【發(fā)明人】王學(xué)偉, 董英賓, 胡雙, 朱可杰, 肖廣純
【申請(qǐng)人】鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司