一種rena濕法刻蝕設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種RENA濕法刻蝕設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體硅太陽能電池常規(guī)生產(chǎn)工藝一般包括以下步驟:清洗、制絨、擴(kuò)散、刻蝕、去PSG、PECVD、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)。其中刻蝕是其中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，其目的是去掉硅片背面和硅片四周的PN結(jié)，使正面和背面絕緣。目前，“RENA in-line”式結(jié)構(gòu)的設(shè)備是一種常用的濕法刻蝕設(shè)備，其原理是:在HF/HN03體系中，利用表面張力和毛吸力的作用去除邊緣和背面的PN結(jié)，而不會(huì)影響太陽能電池的工藝結(jié)構(gòu)。這種設(shè)備包括:刻蝕槽、水噴淋槽、堿槽、水噴淋槽、去PSG槽、水噴淋槽和吹干裝置。
[0003]然而，目前利用RENA濕法刻蝕設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)的過程中，存在如下問題:其刻蝕槽蓋板常出現(xiàn)水汽凝結(jié)的現(xiàn)象，凝結(jié)的液滴會(huì)滴落在正在流通的硅片上，在硅片上發(fā)生腐蝕反應(yīng)，導(dǎo)致硅片的外觀不良甚至PN結(jié)被破壞，使得硅片返工，這就造成成本的浪費(fèi)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種RENA濕法刻蝕設(shè)備，能夠防止蓋板冷凝滴液，從而減少硅片返工，提升刻蝕良率。
[0005]本實(shí)用新型提供的一種RENA濕法刻蝕設(shè)備，包括設(shè)置于RENA濕法刻蝕蓋板上部的加熱裝置。
[0006]優(yōu)選的，在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，所述加熱裝置為浴霸燈。
[0007]優(yōu)選的，在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，所述加熱裝置為功率范圍為I千瓦至20千瓦的加熱裝置，用于將所述RENA濕法刻蝕蓋板加熱到20°C至80°C的溫度范圍。
[0008]優(yōu)選的，在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，所述加熱裝置與所述RENA濕法刻蝕蓋板之間的距離的范圍為1mm至50mm。
[0009]優(yōu)選的，在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，所述加熱裝置的數(shù)量為四個(gè)，且四個(gè)所述加熱裝置在所述濕法刻蝕蓋板上方等距離設(shè)置。
[0010]優(yōu)選的，在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，還包括設(shè)置于所述濕法刻蝕蓋板側(cè)部的多個(gè)附屬加熱裝置。
[0011]優(yōu)選的，在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，所述附屬加熱裝置的數(shù)量為四個(gè)，且分別設(shè)置于所述RENA濕法刻蝕設(shè)備蓋板的四個(gè)側(cè)邊處。
[0012]優(yōu)選的，在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，所述加熱裝置設(shè)置于透明防腐蝕罩內(nèi)。
[0013]從上述技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型所提供的一種RENA濕法刻蝕設(shè)備，能夠加熱蓋板，且能夠提高液面和蓋板之間的水汽的溫度，以減少水汽和蓋板之間的溫差，因此能夠防止水汽在蓋板處冷凝而出現(xiàn)滴液現(xiàn)象，從而減少硅片返工，提升刻蝕良率。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種RENA濕法刻蝕設(shè)備的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0017]本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種RENA濕法刻蝕設(shè)備如圖1所示，圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種RENA濕法刻蝕設(shè)備的示意圖。該設(shè)備包括設(shè)置于RENA濕法刻蝕蓋板I上部的加熱裝置2。
[0018]RENA濕法刻蝕蓋板上凝結(jié)的水汽主要來源于刻蝕槽后的水噴淋槽，水在噴淋過程中會(huì)形成大量的水汽，尤其是在氣溫較高的夏季，水的溫度較高，往往要高于生產(chǎn)車間的溫度，水的蒸汽分壓也較大，大量的水蒸汽會(huì)進(jìn)入到刻蝕槽中，而RENA濕法刻蝕蓋板的溫度是受車間溫度控制的，會(huì)低于進(jìn)入槽體內(nèi)的水蒸氣的溫度，當(dāng)水蒸氣遇到溫度較低的RENA濕法刻蝕蓋板時(shí)就發(fā)生凝結(jié)。
[0019]本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的一種RENA濕法刻蝕設(shè)備，能夠加熱蓋板1，且能夠提高液面和蓋板I之間的水汽的溫度，以減少水汽和蓋板I之間的溫差，因此能夠防止水汽在蓋板I處冷凝而出現(xiàn)滴液現(xiàn)象，從而減少硅片返工，提升刻蝕良率。
[0020]在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，所述加熱裝置可以優(yōu)選為浴霸燈。這種浴霸燈較為常見，易于得到，且其熱量散發(fā)的范圍能夠基本覆蓋蓋板的表面，從而使加熱效果更好。
[0021]在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，所述加熱裝置為功率范圍為I千瓦至20千瓦的加熱裝置，用于將所述RENA濕法刻蝕蓋板加熱到20°C至80°C的溫度范圍。在這種功率范圍內(nèi)，既能夠有效的減少蓋板和水汽之間的溫差，又不至于對(duì)刻蝕的環(huán)境造成不利影響。
[0022]在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，所述加熱裝置與所述RENA濕法刻蝕蓋板之間的距離的范圍為1mm至50mm。這種優(yōu)選的距離范圍能夠保證對(duì)蓋板的加熱效果足夠好，而且也不至于對(duì)刻蝕環(huán)境造成不利影響。
[0023]在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，所述加熱裝置的數(shù)量可以優(yōu)選為四個(gè)，且四個(gè)所述加熱裝置在所述濕法刻蝕蓋板上方等距離設(shè)置。這樣能夠使對(duì)蓋板的加熱更為均勻，使對(duì)水滴的防止效果更好。
[0024]在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，還包括設(shè)置于所述濕法刻蝕蓋板側(cè)部的多個(gè)附屬加熱裝置。這種優(yōu)選方案能夠使熱量從蓋板的側(cè)面進(jìn)入，能夠增強(qiáng)加熱效果，全方位的防止水汽在蓋板處冷凝。
[0025]進(jìn)一步的，所述附屬加熱裝置的數(shù)量為四個(gè)，且分別設(shè)置于所述RENA濕法刻蝕設(shè)備蓋板的四個(gè)側(cè)邊處。
[0026]在上述RENA濕法刻蝕設(shè)備中，所述加熱裝置設(shè)置于透明防腐蝕罩內(nèi)。這樣能防止刻蝕所用的液體濺出而對(duì)加熱裝置造成腐蝕，從而提高加熱裝置的使用壽命。
[0027]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種RENA濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，包括設(shè)置于RENA濕法刻蝕蓋板上部的加熱裝置，所述加熱裝置為浴霸燈。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RENA濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置為功率范圍為I千瓦至20千瓦的加熱裝置，用于將所述RENA濕法刻蝕蓋板加熱到20°C至80°C的溫度范圍。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RENA濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置與所述RENA濕法刻蝕蓋板之間的距離的范圍為1mm至50mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RENA濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置的數(shù)量為四個(gè)，且四個(gè)所述加熱裝置在所述濕法刻蝕蓋板上方等距離設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的RENA濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，還包括設(shè)置于所述濕法刻蝕蓋板側(cè)部的多個(gè)附屬加熱裝置。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的RENA濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述附屬加熱裝置的數(shù)量為四個(gè)，且分別設(shè)置于所述RENA濕法刻蝕設(shè)備蓋板的四個(gè)側(cè)邊處。7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的RENA濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置設(shè)置于透明防腐蝕罩內(nèi)。
【專利摘要】本申請(qǐng)公開了一種RENA濕法刻蝕設(shè)備，包括設(shè)置于RENA濕法刻蝕蓋板上部的加熱裝置。本申請(qǐng)?zhí)峁┑乃鯮ENA濕法刻蝕設(shè)備，能夠加熱蓋板，且能夠提高液面和蓋板之間的水汽的溫度，以減少水汽和蓋板之間的溫差，因此能夠防止水汽在蓋板處冷凝而出現(xiàn)滴液現(xiàn)象，從而減少硅片返工，提升刻蝕良率。
【IPC分類】H01L31/18
【公開號(hào)】CN204760408
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520419173
【發(fā)明人】黃華, 蔣方丹, 金浩
【申請(qǐng)人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年6月17日