專利名稱：：濕法清洗工藝及使用此清洗工藝的半導(dǎo)體元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝方法，且特別涉及一種濕法清洗工藝及使用此清洗工藝的半導(dǎo)體元件的制造方法。
背景技術(shù)：
：光刻工藝可用來圖案化各種的材料層，或是用來在選擇的區(qū)域進(jìn)行一些工藝，例如是離子注入，是半導(dǎo)體元件的工藝中舉足輕重的步驟。典型的光刻工藝方法是在材料層上涂布一層光刻膠層，然后，經(jīng)由曝光工藝，選擇性地照射光刻膠層上部分的區(qū)域，之后，再經(jīng)由顯影液去除部分的光刻膠層，以形成光刻膠圖案。當(dāng)光刻膠層為正光刻膠時，顯影液去除的是產(chǎn)生裂解的曝光處；當(dāng)光刻膠層為負(fù)光刻膠時，顯影液則是移除未產(chǎn)生交聯(lián)的未曝光處。當(dāng)光刻膠圖案形成之后，則可以其作為掩模，進(jìn)行后續(xù)的介電層蝕刻、金屬層蝕刻或是離子注入工藝等。當(dāng)后續(xù)的蝕刻或是離子注入工藝完成之后，則必須將光刻膠層去除。光刻膠層可以干法或是濕法來去除。通常，干法可以采用氧等離子體；濕法則是以有機(jī)溶劑或是各種的酸性溶液來去除。之后，再進(jìn)行清洗的工藝，以去除基底表面上殘留的光刻膠層或者雜質(zhì)。以上述傳統(tǒng)的光刻、蝕刻技術(shù)來進(jìn)行金屬層的圖案化時，或是進(jìn)行其他的絕緣層的蝕刻但在蝕刻的過程中棵露出金屬層時，尤其是金屬層的材質(zhì)為鋁金屬層或是鋁銅合金時，會造成金屬微腐蝕(metalmicro-corrosion)。金屬微腐蝕即為所熟知的孔洞(pitting)問題。美國專利第5，175，124號提出一種半導(dǎo)體元件的制造方法。該專利中揭露在以有機(jī)溶液去除光刻膠層之后，以碳酸水(carbonatedwater)沖洗基底，可以減少金屬微腐蝕的現(xiàn)象。另，在美國專利第5,336371號中提出一種半導(dǎo)晶片的清洗方法。該專利中揭露在清洗槽中通入二氧化碳，并使水溢流，可以減少金屬微腐蝕的現(xiàn)象。上述兩個專利所揭露的方法雖可減少部分金屬微腐蝕的現(xiàn)象，但是，仍無法將金屬微腐蝕的問題降低到可以接受的范圍。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明旨在提供一種濕法清洗工藝，其可以減少金屬微腐蝕的現(xiàn)象。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其可以減少金屬微腐蝕的現(xiàn)象。本發(fā)明提出一種濕法清洗工藝，此工藝包括至少進(jìn)行第一沖洗步驟，此步驟包括以含有二氧化碳的去離子水沖洗基底，再排除含有二氧化碳的去離子水，使基底暴露于充滿二氧化碳的氣體環(huán)境中。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的濕法清洗工藝中，以含有二氧化碳的去離子水沖洗基底的方法包括在清洗槽中持續(xù)通入去離子水與二氧化碳，使去離子水溢流。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的濕法清洗工藝中，使基底暴露于充滿二氧化碳的氣體環(huán)境中的方法包括排出清洗槽中的去離子水，但持續(xù)通入二氧化碳。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的濕法清洗工藝中，清洗槽包括快排沖水清洗槽。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的濕法清洗工藝，更包括第二沖洗步驟，第二沖洗步驟是以含有二氧化碳的去離子水沖洗基底。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的濕法清洗工藝中第二沖洗步驟和第一沖洗步驟是在同一個清洗槽中進(jìn)行，且第二沖洗步驟是以溢流的含有二氧化碳的去離子水沖洗基底。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的濕法清洗工藝，更包括第三沖洗步驟，第三沖洗步驟是以去離子水沖洗基底。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的濕法清洗工藝中，第三沖洗步驟是在清洗槽中進(jìn)行，且是以溢流的去離子水沖洗基底。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的濕法清洗工藝中，基底上包括金屬材料。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的濕法清洗工藝中，金屬材料包括鋁或鋁銅合金。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的濕法清洗工藝中，金屬材料上包括抗反射層。本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體元件的工藝方法。首先，提供基底，基底上具有金屬層，接著，在金屬層上方形成光刻膠層。之后，以光刻膠層為蝕刻掩模，進(jìn)行蝕刻工藝，以蝕刻金屬層。其后，以干法移除光刻膠層，再以有機(jī)溶液或是堿性溶液移除蝕刻過程中所形成的聚合物副產(chǎn)物以及雜質(zhì)。之后，進(jìn)行至少第一沖洗步驟，其包括以含有二氧化碳的去離子水沖洗基底；以及排除該含有二氧化碳的去離子水，使基底暴露于充滿二氧化碳的氣體環(huán)境中。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的半導(dǎo)體元件的工藝方法中，第一沖洗步驟之后更包括第二沖洗步驟，第二沖洗步驟是以含有二氧化碳的去離子水沖洗基底。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的濕法清洗工藝中第二沖洗步驟和第一沖洗步驟是在同一個清洗槽中進(jìn)行，且第二沖洗步驟是以溢流的含有二氧化碳的去離子水沖洗基底。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的半導(dǎo)體元件的工藝方法中，第二沖洗步驟之后更包括第三沖洗步驟，第三沖洗步驟是以去離子水沖洗基底。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的半導(dǎo)體元件的工藝方法中，所述的蝕刻工藝是用以蝕刻金屬層，以形成金屬線。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的半導(dǎo)體元件的工藝方法，更包括在金屬層與光刻膠層之間形成絕緣層，且蝕刻工藝更包括蝕刻絕緣層，以形成棵露出金屬層的開口。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的半導(dǎo)體元件的工藝方法中，絕緣層為金屬層間介電層，開口包括介層窗開口。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的半導(dǎo)體元件的工藝方法中，絕緣層為金屬層間介電層，開口包括雙重金屬鑲嵌開口。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的半導(dǎo)體元件的工藝方法中，絕緣層為保護(hù)層，開口為焊墊開口。依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的半導(dǎo)體元件的工藝方法中，在形成光刻膠層之前，更包括在金屬層上形成抗反射層。本發(fā)明確實(shí)可以有效減少金屬微腐蝕的現(xiàn)象，使金屬微腐蝕的現(xiàn)象降低到可以接受的范圍。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)i兌明如下。圖1為依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例所示的一種繪示濕法清洗工藝的流程圖。圖2A至圖2C為依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例所示的金屬線的制造方法的流程剖面示意圖。圖3A至圖3C為依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例所示的一層窗開口的制造方法的流程剖面示意圖。圖4A至圖4D為依據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例所示的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法的流程剖面示意圖。圖5A至圖5C為依據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例所示的一種焊墊開口的制造方法的流程剖面示意圖。附圖標(biāo)記il明10-30:步驟202、302、402、502:205306412506金屬線介電層溝槽保護(hù)層506b:氮化硅層200、300、400、500:基底金屬層204、304、404、504:抗反射層220、320、410、420、520:光刻膠圖案308、408:介層窗開口414:雙重金屬鑲嵌開口506a:氧化硅層508:焊墊開口具體實(shí)施方式實(shí)施例一圖1為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所示的一種濕法清洗工藝的流程圖。請參照圖1,本發(fā)明的濕法清洗工藝，適用于基底，此基底上包括金屬材料，金屬材料為易于腐蝕的材料，例如是鋁或鋁銅合金。此外，金屬材料上還可包括抗反射層，例如是鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、氮氧化硅或其組合物等。金屬材料在進(jìn)行蝕刻的過程中棵露出來，且金屬材料上方的光刻膠層已^至去除，并且蝕刻過程中所產(chǎn)生的聚合物副產(chǎn)物以及雜質(zhì)已經(jīng)以堿性溶液如胺類溶解去除，再以有機(jī)溶劑，例如是N-甲基吡咯烷酮(NMP)或異丙醇將基底表面上殘留的胺類去除。此清洗方法包括至少進(jìn)行第一沖洗步驟10,以去除基底表面上的有機(jī)溶劑或胺類。第一沖洗步驟10包括步驟12以及步驟14。步驟12是以含有二氧化碳的去離子水沖洗基底。步驟14是排除步驟12中含有二氧化碳的去離子水，使基底暴露于充滿二氧化碳的氣體環(huán)境中。第一沖洗步驟IO可以在清洗槽中進(jìn)行。清洗槽例如是快排沖水清洗槽(QDR)。在進(jìn)行步驟12時，可以在清洗槽中持續(xù)通入水例如是去離子水與二氧化碳，并使去離子水溢流。步驟12進(jìn)行的時間可以是大約5秒至90秒。所通入二氧化碳的流量例如是約為3至20升/分鐘。在進(jìn)行步驟14時，雖排出步驟12所使用的是清洗槽中的去離子水，但二氧化碳并不停止供應(yīng)，而還是在清洗槽中持續(xù)通入二氧化碳，以使基底暴露于充滿二氧化碳的氣體環(huán)境中。步驟14所通入二氧化碳的流量例如是約為3至20升/分鐘通入的時間可以是大約5秒至120秒。在本發(fā)明實(shí)施例中，在含有二氧化碳的去離子水中進(jìn)行沖洗的步驟12,可以去除基底表面上的有機(jī)溶劑或胺類，并且可以減少金屬微腐蝕的現(xiàn)象。而步驟14，排出清洗槽中的去離子水，但持續(xù)通入二氧化碳，則可以確?；妆┞队诔錆M二氧化碳的氣體環(huán)境中，避免基底與空氣接觸。經(jīng)實(shí)驗(yàn)證實(shí)，在進(jìn)行第一清洗步驟10中，避免基底暴露于空氣中，可以有效減少金屬微腐蝕的現(xiàn)象，這可能是因?yàn)槎趸伎梢詼p少基底上的堿或是有機(jī)溶劑的作用。在本發(fā)明實(shí)施例中，第一沖洗步驟10進(jìn)行的次數(shù)依實(shí)際的需要而定。在一個實(shí)施例中，第一沖洗步驟10至少進(jìn)行1次，但不超過7次。當(dāng)進(jìn)行的第一沖洗步驟10次數(shù)過低，基底無法完全清洗干凈。當(dāng)進(jìn)行的第一沖洗步驟10次數(shù)過多，則反而容易導(dǎo)致金屬微腐蝕的現(xiàn)象。在一個實(shí)施例中，上述的濕法清洗工藝還包括第二沖洗步驟20,其可以在清洗槽中持續(xù)通入水例如是去離子水與二氧化碳，并使去離子水溢流。第二沖洗步驟20所通入二氧化碳的流量例如是約為3至20升/分鐘，進(jìn)行的時間可以是大約3秒至120秒。第二沖洗步驟20所使用的清洗槽可以采用第一清洗步驟IO所使用的清洗槽，例如是快排沖水清洗槽。在一個實(shí)施例中，上述的濕法清洗工藝還包括第三沖洗步驟30，第三沖洗步驟30是以去離子水沖洗基底。第三沖洗步驟30可以在清洗槽中進(jìn)行，且可以以溢流的去離子水沖洗基底。在進(jìn)行第三沖洗步驟30時，可以同時進(jìn)行檢測，以判斷基底清洗的程度是否符合所需。本發(fā)明的清洗方法可以應(yīng)用于各種的半導(dǎo)體工藝之中，以下特舉數(shù)個實(shí)施例來i兌明。實(shí)施例二圖2A至圖2C為依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例所示的一種金屬線的制造方法的流程剖面示意圖。請參照圖2A,在基底200上方形成一層金屬層202，金屬層202的材料為易于腐蝕的材料，例如是鋁或鋁銅合金。在一個實(shí)施例中，金屬層202上還形成一層抗反射層204，其材料例如是鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭或其組合物等。之后，進(jìn)行光刻工藝，在抗反射層204上形成光刻膠圖案220。接著，請參照圖2B，以光刻膠圖案220為掩模，進(jìn)行非等向性蝕刻工藝，以圖案化抗反射層204與金屬層202，形成金屬線205。之后，請參照圖2C,移除光刻膠圖案220,再進(jìn)行清洗工藝，以去除殘留的堿液或是有機(jī)溶液。清洗工藝可以采用上述實(shí)施例之一所述的方法，其可以避免金屬線205的側(cè)壁遭受腐蝕而形成孔洞。其后，再將基底200干燥。例如可以利用異丙醇來施行。實(shí)施例三圖3A至圖3C為依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例所示的介層窗開口的制造方法的流程剖面示意圖。請參照圖3A,提供基底300，其上已形成一層金屬層302,金屬層302的材料為易于腐蝕的材料，例如是鋁或鋁銅合金。在一個實(shí)施例中，金屬層302上還形成一層抗反射層304，其材料例如是鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、氮氧化硅或其組合物等。接著，在抗反射層304上形成一層介電層306。介電層306的材質(zhì)例如是氧化硅或是介電常數(shù)低于4的低介電常數(shù)材料。之后，進(jìn)行光刻工藝，在介電層306上形成光刻膠圖案320。接著，請參照圖3B,以光刻膠圖案320為掩模，進(jìn)行非等向性蝕刻工藝，以蝕刻介電層306，并蝕穿抗反射層304，形成棵露出金屬層302的介層窗開口308。之后，請參照圖3C,移除光刻膠圖案320,再進(jìn)行清洗工藝，以去除殘留的>成液或是有機(jī)溶液。清洗工藝可以采用上述實(shí)施例之一所迷的方法，其可以避免棵露出來的金屬層302的表面遭受腐蝕而形成孔洞。其后，再將基底300千燥。例如可以利用異丙醇來施行。實(shí)施例四圖4A至圖4D為依據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例所示的雙重金屬鑲嵌開口的制造方法的流程剖面示意圖。請參照圖4A,提供基底400,其上已形成一層金屬層402,金屬層402的材料為易于腐蝕的材料，例如是鋁或鋁銅合金。在一個實(shí)施例中，金屬層402上還形成一層抗反射層404,其材料例如是鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭或其組合物等。接著，在抗反射層404上形成一層介電層406。介電層406的材質(zhì)例如是氧化硅或是介電常數(shù)低于4的低介電常數(shù)材料。之后，進(jìn)行光刻工藝，在介電層406上形成光刻膠圖案420。接著，請參照圖4B,以光刻膠圖案420為掩模，進(jìn)行非等向性蝕刻工藝，以蝕刻介電層406，并蝕穿抗反射層404，形成棵露出金屬層402的介層窗開口408。之后，請參照圖4C，移除光刻膠圖案420，再進(jìn)行清洗工藝，以去除殘留的堿液或是有機(jī)溶液。清洗工藝可以采用上述實(shí)施例之一所述的方法，其可以避免棵露出來的金屬層402的表面遭受腐蝕而形成孔洞。然后，請參照圖4C，在介電層406上形成另一層光刻膠圖案410,并以其為掩模，蝕刻介電層406,以在介電層406中形成與介層窗開口408連通的溝槽412,溝槽412與介層窗開口408構(gòu)成雙重金屬鑲嵌開口414。其后，請參照圖4D，移除光刻膠圖案410,再進(jìn)行清洗工藝，以去除殘留的堿液或是有機(jī)溶液。清洗工藝可以采用上述實(shí)施例之一所述的方法，其可以避免棵露出來的金屬層402的表面遭受腐蝕而形成孔洞。其后，再將基底400千燥。例如可以利用異丙醇來施行。上述的實(shí)施例是以先形成介層窗開口再形成溝槽來說明，然而，也可以先形成溝槽再形成介層窗開口。只要是在去除光刻膠圖案時，金屬層已被棵露出來，都可以采用本發(fā)明實(shí)施例之一所述的方法來進(jìn)行清洗，達(dá)到避免棵露出來的金屬層的表面遭受腐蝕而形成孔洞的功效。實(shí)施例五圖5A至圖5C為依據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例所示的一種焊墊開口的制造方法的流程剖面示意圖。請參照圖5A,提供基底500，其上已形成一層金屬層502，金屬層502的材料為易于腐蝕的材料，例如是鋁或鋁銅合金。在一個實(shí)施例中，金屬層502上還形成一層抗反射層504，其材料例如是鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭或其組合物等。接著，在抗反射層504上形成一層保護(hù)層506。保護(hù)層506例如是由氧化硅層506a與氮化硅層506b所組成。之后，以光刻工藝在保護(hù)層506上形成光刻膠圖案520。接著，請參照圖5B，以光刻膠圖案520為掩模，進(jìn)行非等向性蝕刻工藝，以蝕刻保護(hù)層506,并蝕穿抗反射層504，形成棵露出金屬層502的焊墊開口508。之后，請參照圖5C，移除光刻膠圖案520,再進(jìn)行清洗工藝，以去除殘留的堿液或是有機(jī)溶液。清洗工藝可以采用上述實(shí)施例之一所述的方法，其可以避免棵露出來的金屬層502的表面遭受腐蝕而形成孔洞。其后，再將基底500干燥。例如可以利用異丙醇來施行。實(shí)例以表1所示的步驟1至8的順序進(jìn)行具有鋁銅合金金屬線的基底清洗工藝。其是先在快排沖水清洗槽中以含有二氧化碳的去離子水沖洗基底，步驟1，再排除快排沖水清洗槽中含有二氧化碳的去離子水，但持續(xù)通入二氧化碳，步驟2,使基底暴露于充滿二氧化碳的氣體環(huán)境中。接著，進(jìn)行步驟3-6，其中步驟3、5與步驟1相同，但，時間略有不同；步驟4、6與步驟2相同，但，時間略有不同。步驟7、8,則還是在同一個快排沖水清洗槽中以含有二氧化碳的去離子水沖洗基底。實(shí)驗(yàn)的結(jié)果顯示基底上金屬腐蝕所造成的孔洞缺陷大概是10顆左右，孔洞的直徑大小小于0.3微米。表1步驟時間(秒)供應(yīng)去離子水排除去離子水供應(yīng)二氧化碳1100029o03700048005700068007450086000比壽交例以表2所示的步驟1至8的順序進(jìn)行具有鋁銅合金金屬線的基底的清洗工藝。比較例與實(shí)例的方法相似，但在進(jìn)行步驟2、4、6時，僅是將含有二氧化碳的去離子水排出快排沖水清洗槽，使基底棵露于空氣之中，而不持續(xù)通入二氧化碳。此外，在進(jìn)行步驟7、8時，也僅以去離子水沖洗，而不通入二氧化碳。實(shí)驗(yàn)的結(jié)果顯示基底上金屬腐蝕所造成的孔洞缺陷大概是50顆左右，孔洞的直徑大小約為0.8微米。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>由以上的結(jié)果顯示，本發(fā)明在以含有二氧化碳的去離子水清洗之后，在排出水的過程中持續(xù)通入二氧化碳，可以進(jìn)一步減少孔洞缺陷。雖然本發(fā)明已以數(shù)個實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)由權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種濕法清洗工藝，包括至少進(jìn)行第一沖洗步驟，該步驟包括以含有二氧化碳的去離子水沖洗基底；以及排除該含有二氧化碳的去離子水，使該基底暴露于充滿二氧化碳的氣體環(huán)境中。2.如權(quán)利要求1所述的濕法清洗工藝，其中以該含有二氧化碳的去離子水沖洗該基底的方法包括在清洗槽中持續(xù)通入去離子水與二氧化碳，使該去離子水溢流。3.如權(quán)利要求2所述的濕法清洗工藝，其中使該基底暴露于該充滿二氧化碳的氣體環(huán)境中的方法包括排出該清洗槽中的去離子水，但持續(xù)通入二氧化碳。4.如權(quán)利要求2所述的濕法清洗工藝，其中該清洗槽包括快排沖水清洗槽。5.如權(quán)利要求1所述的濕法清洗工藝，更包括在該第一沖洗步驟之后進(jìn)行第二沖洗步驟，該第二沖洗步驟是以含有二氧化碳的去離子水沖洗該基底。6.如權(quán)利要求5所述的濕法清洗工藝，其中該第二沖洗步驟和該第一沖洗步驟是在同一個清洗槽中進(jìn)行，且該第二沖洗步驟是以溢流的含有二氧化碳的去離子水沖洗該基底。。7.如權(quán)利要求6所述的濕法清洗工藝，其中進(jìn)行該第二沖洗步驟和該第一沖洗步驟的該清洗槽為快排沖水清洗槽。8.如權(quán)利要求7所述的濕法清洗工藝，更包括在該第二沖洗步驟之后進(jìn)行第三沖洗步驟，該第三沖洗步驟是以去離子水沖洗該基底。9.如權(quán)利要求8所述的濕法清洗工藝，其中該第三沖洗步驟是在清洗槽中進(jìn)行，且是以溢流的去離子水沖洗該基底。10.如權(quán)利要求1所述的濕法清洗工藝，其中該基底上包括金屬材料。11.如權(quán)利要求10所述的清洗工藝，其中該金屬材料包括鋁或鋁銅合金。12.如權(quán)利要求10所述的濕法清洗工藝，其中該金屬材料上包括抗反射層。13.—種半導(dǎo)體元件的工藝方法，包括提供基底，該基底上具有金屬層；在該金屬層上方形成光刻膠層；以該光刻膠層為蝕刻掩模，進(jìn)行蝕刻工藝，以蝕刻該金屬層；以干法移除該光刻膠層；以及以有機(jī)溶液或^堿性溶液移除蝕刻工藝形成的聚合物副產(chǎn)物與雜質(zhì)；進(jìn)行至少第一沖洗步驟，包括以含有二氧化碳的去離子水沖洗該基底；以及排除該含有二氧化碳的去離子水，使該基底暴露于充滿二氧化碳的氣體環(huán)境中。14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件的工藝方法，更包括在該第一沖洗步驟之后進(jìn)行第二沖洗步驟，該第二沖洗步驟是以含有二氧化碳的去離子水沖洗該基底。15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的工藝方法，其中該第二沖洗步驟和該第一沖洗步驟是在同一個清洗槽中進(jìn)行，且該第二沖洗步驟是以溢流的含有二氧化碳的去離子水沖洗該基底。16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的工藝方法，更包括在該第二沖洗步驟之后進(jìn)行第三沖洗步驟，該第三沖洗步驟是以去離子水沖洗該基底。17.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件的工藝方法，其中該蝕刻工藝，是用以蝕刻該金屬層以形成金屬線。18.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件的工藝方法，更包括在該金屬層與該光刻膠層之間形成絕緣層，且該蝕刻工藝更包括蝕刻該絕緣層，以形成棵露出該金屬層的開口。19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件的工藝方法，其中該絕緣層為金屬層間介電層，該開口包括介層窗開口。20.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件的工藝方法，其中該絕緣層為金屬層間介電層，該開口包括雙重金屬鑲嵌開口。21.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件的工藝方法，其中該絕緣層為保護(hù)層，該開口為焊墊開口。22.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件的工藝方法，在形成該光刻膠層之前，更包括在該金屬層上形成抗反射層。全文摘要一種濕法清洗工藝，適用于經(jīng)過堿液或有機(jī)溶液處理的基底，此方法包括至少進(jìn)行一次第一沖洗步驟，接著，再進(jìn)行第二沖洗步驟。第一沖洗步驟包括以含有二氧化碳的去離子水沖洗基底，接著，將含有二氧化碳的去離子水排除，使基底暴露于充滿二氧化碳的氣體環(huán)境中。第二沖洗步驟則是以含有二氧化碳的去離子水沖洗基底。文檔編號H01L21/00GK101266914SQ20071008637公開日2008年9月17日申請日期2007年3月15日優(yōu)先權(quán)日2007年3月15日發(fā)明者李浡升,梁志楠,許薦恩申請人:聯(lián)華電子股份有限公司