一種ddr3存儲器芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導體領(lǐng)域，特別涉及一種DDR3存儲器芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]DDR3P內(nèi)存芯片采用了 ODT (核心整合終結(jié)器）技術(shù)以及用于優(yōu)化性能的EMRS技術(shù)，同時也允許輸入時鐘異步。在針腳定義方面，DDR3表現(xiàn)出很強的獨立性，對比DDR2系列有著絕對的優(yōu)勢.
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，先對單個芯片進行封裝和測試，然后再進行貼片，所需設(shè)備、材料和人力費用很大。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]針對現(xiàn)有DDR3芯片封裝中材料設(shè)備耗材大的問題，本實用新型提供一種DDR3存儲器芯片，為了達到上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案：本實用新型包括晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7、環(huán)氧樹脂2、電路基板3、環(huán)氧樹脂4、金線5、錫球6，所述電路基板3上表面設(shè)置有兩個相互疊加的晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7，所述電路基板3通過金線5分別與晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7連接，所述電路基板3與晶元芯片II 7之間有環(huán)氧樹脂4，所述電路基板3下方與錫球6連接，所述晶圓芯片I I與晶元芯片II 7之間有環(huán)氧樹脂4，所述晶圓芯片I I與晶元芯片II 7外側(cè)包覆有環(huán)氧樹脂2。
[0005]優(yōu)選的，所述環(huán)氧樹脂4厚度為60um。
[0006]優(yōu)選的，所述環(huán)氧樹脂2厚度為550um。
[0007]本實用新型的有益效果：使用2個芯片同時貼片和鍵合技術(shù)，提高設(shè)備利用率，減少人工成本。
【附圖說明】
[0008]圖I為本實用新型的系統(tǒng)框架圖。
[0009]I、晶圓芯片I，7、晶兀芯片II ;2、環(huán)氧樹脂；3、電路基板；4、環(huán)氧樹脂；5、金線；6、錫球。
【具體實施方式】
[0010]由圖I所示可知，本實用新型包括晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7、環(huán)氧樹脂2、電路基板3、環(huán)氧樹脂4、金線5、錫球6，所述電路基板3上表面設(shè)置有兩個相互疊加的晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7，所述電路基板3通過金線5分別與晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7連接，所述電路基板3與晶元芯片II 7之間有環(huán)氧樹脂4，所述電路基板3下方與錫球6連接，所述晶圓芯片I I與晶元芯片II 7之間有環(huán)氧樹脂4，所述晶圓芯片I I與晶元芯片II 7外側(cè)包覆有環(huán)氧樹脂2。
[0011]優(yōu)選的，所述環(huán)氧樹脂4厚度為60um。
[0012] 優(yōu)選的，所述環(huán)氧樹脂2厚度為550um。
【主權(quán)項】
1.一種DDR3存儲器芯片，包括晶圓芯片I (I )、晶兀芯片II (7)、環(huán)氧樹脂(2)、電路基板(3)、環(huán)氧樹脂(4)、金線(5)、錫球(6)，其特征在于:所述電路基板(3)上表面設(shè)置有兩個相互疊加的晶圓芯片I (I)、晶元芯片II (7)，所述電路基板(3)通過金線(5)分別與晶圓芯片I (1)、晶元芯片II (7)連接，所述電路基板(3)與晶元芯片II (7)之間有環(huán)氧樹脂(4)，所述電路基板(3)下方與錫球(6)連接，所述晶圓芯片I (I)與晶元芯片II (7)之間有環(huán)氧樹脂(4)，所述晶圓芯片I (I)與晶元芯片II (7)外側(cè)包覆有環(huán)氧樹脂(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DDR3存儲器芯片，其特征在于:所述環(huán)氧樹脂(4)厚度為 60umo
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DDR3存儲器芯片，其特征在于:所述環(huán)氧樹脂(2)厚度為 550um。
【專利摘要】本實用新型提供一種DDR3存儲器芯片，包括晶圓芯片Ⅰ、晶元芯片Ⅱ、環(huán)氧樹脂、電路基板、環(huán)氧樹脂、金線、錫球，所述電路基板上表面設(shè)置有兩個相互疊加的晶圓芯片Ⅰ、晶元芯片Ⅱ，所述電路基板通過金線分別與晶圓芯片Ⅰ、晶元芯片Ⅱ連接，所述電路基板與晶元芯片Ⅱ之間有環(huán)氧樹脂，所述電路基板下方與錫球連接，所述晶圓芯片Ⅰ與晶元芯片Ⅱ之間有環(huán)氧樹脂,所述晶圓芯片Ⅰ與晶元芯片Ⅱ外側(cè)包覆有環(huán)氧樹脂，使用2個芯片同時貼片和鍵合技術(shù)，提高設(shè)備利用率，減少人工成本。
【IPC分類】H01L25-18, H01L23-31, H01L23-495
【公開號】CN204577427
【申請?zhí)枴緾N201520268927
【發(fā)明人】任其超
【申請人】海太半導體（無錫）有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2015年4月29日