一種晶硅太陽能電池氧化設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，具體涉及一種晶硅太陽能電池氧化設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在晶娃太陽能電池制造過程中，通過在娃片表面形成一層納米級厚度的氧化娃層，可有效防止晶硅太陽能組件PID效應(yīng)的產(chǎn)生。國內(nèi)現(xiàn)有的形成氧化層的方法有:1)使用笑氣結(jié)合管式PECVD設(shè)備，在鍍膜前形成一層氧化層；2)利用氧氣在高溫氧化爐內(nèi)形成一層氧化層；3)在清洗刻蝕下料部分使用臭氧噴淋的方式形成一層氧化層。
[0003]上述3個形成氧化層的方法均存在其局限性及缺點:
[0004]I)笑氣改造管式PECVD設(shè)備成本昂貴；
[0005]2)高溫氧化形成氧化層成本高，能耗高、成品率低；
[0006]3)噴淋時間難以控制，氧化層厚度不可控。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本實用新型要解決的技術(shù)問題是:提供一種結(jié)構(gòu)簡單，兼容能力強，可在現(xiàn)在技術(shù)條件下實現(xiàn)對硅片的批量氧化處理的晶硅太陽能電池氧化設(shè)備。
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型的一種晶硅太陽能電池氧化設(shè)備，由真空系統(tǒng)、臭氧系統(tǒng)以及反應(yīng)腔室組成，所述真空系統(tǒng)由真空泵和真空管路組成，真空泵與反應(yīng)腔室通過真空管路相連通，所述臭氧系統(tǒng)由臭氧發(fā)生器和臭氧管路組成，臭氧發(fā)生器和反應(yīng)腔室通過臭氧管路相連通，所述反應(yīng)腔室上設(shè)置密封門。
[0009]上述技術(shù)方案的工作原理為:
[0010]打開密封門，將刻蝕后的硅片連帶承載其的花籃置于反應(yīng)腔室中，然后關(guān)閉密封門。打開真空泵，將反應(yīng)腔中空氣抽出，然后關(guān)閉真空泵并開啟臭氧發(fā)生器，向反應(yīng)腔室中通入臭氧，對硅片進(jìn)行氧化，通過控制通入臭氧時間的長短即控制反應(yīng)時間控制氧化層的厚度。
[0011]進(jìn)一步地，為保證排氣充分，真空管路位于反應(yīng)腔室下方并與反應(yīng)腔室下部相連通。
[0012]進(jìn)一步地，為使得臭氧進(jìn)氣順暢且分布均勻，臭氧管路位于反應(yīng)腔室上方并于反應(yīng)腔室上部相連通。
[0013]進(jìn)一步地，為使得反應(yīng)腔室密封效果更好，密封門四周設(shè)置密封膠條。
[0014]進(jìn)一步地，為方便放入和取出需氧化硅片，密封門設(shè)置2扇。
[0015]進(jìn)一步地，真空泵采用羅茨真空泵。
[0016]本實用新型的有益效果為:通過設(shè)置反應(yīng)腔室、真空系統(tǒng)和臭氧系統(tǒng)，無需改變現(xiàn)有的太陽能電池生產(chǎn)流程即可對刻蝕清洗后的電池片進(jìn)行氧化處理，形成氧化層后的硅片可下傳后續(xù)工序，操作簡單、能夠常溫使用并適于批量生產(chǎn)。此外，氧化層厚度可通過氧化時間進(jìn)行調(diào)節(jié)，減少由于氧化不徹底導(dǎo)致的異常產(chǎn)生。
【附圖說明】
[0017]圖1為本實用新型一種晶硅太陽能電池氧化設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0018]以下結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進(jìn)一步描述。
[0019]圖1示出了本實用新型一種晶硅太陽能電池氧化設(shè)備的一種【具體實施方式】，圖示的晶硅太陽能電池氧化設(shè)備由真空系統(tǒng)、臭氧系統(tǒng)以及反應(yīng)腔室5組成，所述真空系統(tǒng)由真空泵I和真空管路2組成，真空泵I與反應(yīng)腔室5通過真空管路2相連通，真空管路2位于反應(yīng)腔室5下方并與反應(yīng)腔室5下部相連通，所述臭氧系統(tǒng)由臭氧發(fā)生器3和臭氧管路4組成，臭氧發(fā)生器3和反應(yīng)腔室5通過臭氧管路4相連通，臭氧管路4位于反應(yīng)腔室5上方并于反應(yīng)腔室5上部相連通，所述反應(yīng)腔室5上設(shè)置2扇密封門6，密封門6四周設(shè)置密封膠條，真空泵I采用羅茨真空泵。
[0020]上述實施例的操作步驟和工作原理為:
[0021]打開密封門6，將刻蝕后的硅片連帶承載其的花籃置于反應(yīng)腔室5中，然后關(guān)閉密封門6。
[0022]打開真空泵1，將反應(yīng)腔室5中空氣抽出，然后關(guān)閉真空泵I并開啟臭氧發(fā)生器3，向反應(yīng)腔室5中通入臭氧，對硅片進(jìn)行氧化，通過控制通入臭氧時間的長短即控制反應(yīng)時間控制氧化層的厚度。
[0023]如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實施例已經(jīng)表示和表述了本實用新型，但其不得解釋為對本實用新型自身的限制。在本實用新型權(quán)利要求解釋的精神和范圍前提下，可對其在形式上和細(xì)節(jié)上作出各種變化。
【主權(quán)項】
1.一種晶硅太陽能電池氧化設(shè)備，其特征在于:由真空系統(tǒng)、臭氧系統(tǒng)以及反應(yīng)腔室組成，所述真空系統(tǒng)由真空泵和真空管路組成，真空泵與反應(yīng)腔室通過真空管路相連通，所述臭氧系統(tǒng)由臭氧發(fā)生器和臭氧管路組成，臭氧發(fā)生器和反應(yīng)腔室通過臭氧管路相連通，所述反應(yīng)腔室上設(shè)置密封門。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅太陽能電池氧化設(shè)備，其特征在于:所述真空管路位于反應(yīng)腔室下方并與反應(yīng)腔室下部相連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅太陽能電池氧化設(shè)備，其特征在于:所述臭氧管路位于反應(yīng)腔室上方并于反應(yīng)腔室上部相連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅太陽能電池氧化設(shè)備，其特征在于:所述密封門四周設(shè)置密封膠條。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶硅太陽能電池氧化設(shè)備，其特征在于:所述密封門為2扇。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅太陽能電池氧化設(shè)備，其特征在于:所述真空泵為羅茨真空泵。
【專利摘要】本實用新型公開了一種晶硅太陽能電池氧化設(shè)備，由真空系統(tǒng)、臭氧系統(tǒng)以及反應(yīng)腔室組成，所述真空系統(tǒng)由真空泵和真空管路組成，真空泵與反應(yīng)腔室通過真空管路相連通，所述臭氧系統(tǒng)由臭氧發(fā)生器和臭氧管路組成，臭氧發(fā)生器和反應(yīng)腔室通過臭氧管路相連通，所述反應(yīng)腔室上設(shè)置密封門。本實用新型的有益效果為通過設(shè)置反應(yīng)腔室、真空系統(tǒng)和臭氧系統(tǒng)，無需改變現(xiàn)有的太陽能電池生產(chǎn)流程即可對刻蝕清洗后的電池片進(jìn)行氧化處理，形成氧化層后的硅片可下傳后續(xù)工序，操作簡單、能夠常溫使用并適于批量生產(chǎn)。此外，氧化層厚度可通過氧化時間進(jìn)行調(diào)節(jié)，減少由于氧化不徹底導(dǎo)致的異常產(chǎn)生。
【IPC分類】H01L31-18
【公開號】CN204538069
【申請?zhí)枴緾N201520243525
【發(fā)明人】孫晨財, 勾憲芳, 高榮剛
【申請人】中節(jié)能太陽能科技（鎮(zhèn)江）有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年4月21日