摻雜TiO₂的環(huán)形壓敏電阻的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了摻雜TiO2的環(huán)形壓敏電阻的制備方法，所述的壓敏電阻的制備步驟如下：1)、按照要求選取配料中的各種摻雜劑成分，采用行星式球磨使其充分混合均勻，2)、將納米級(jí)的TiO2同分散劑混合，攪拌均勻，3)、將上述得到的摻雜劑混合物與TiO2混合物放入坩堝中進(jìn)行干燥，并加入粘合劑進(jìn)行造粒，成型，4)、將得到的成型片進(jìn)行排膠、燒結(jié)，得到環(huán)形電阻基體，5)、在環(huán)形電阻基體的端面或側(cè)面加工出凹槽，并在相鄰凹槽之間覆蓋金屬電極即可。本發(fā)明可以獲得不同電壓范圍的高壓環(huán)形壓敏電阻器，采用本發(fā)明可完全避免多層電極之間的錯(cuò)位，提高產(chǎn)品的外觀質(zhì)量，生產(chǎn)穩(wěn)定性較好，制備工藝簡單，能耗較低，安全可靠。
【專利說明】
摻雜T12的環(huán)形壓敏電阻的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種壓敏電阻，尤其涉及摻雜T12的環(huán)形壓敏電阻的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]微電機(jī)在運(yùn)行過程中會(huì)產(chǎn)生電火花，對(duì)微電機(jī)本身產(chǎn)生破壞，并對(duì)周圍環(huán)境造成電磁污染，在微電機(jī)內(nèi)部使用環(huán)形壓敏電阻器，可以有效抑制電火花的產(chǎn)生，從而增加微電機(jī)的安全性，保護(hù)環(huán)境，一般用于微型直流有刷電機(jī)上消噪的多電極壓敏電阻器通常是由環(huán)形壓敏電阻陶瓷基體和金屬電極構(gòu)成，現(xiàn)有的壓敏電阻制備工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本較高，而且由于其半導(dǎo)化是在高溫還原性氣氛中實(shí)現(xiàn)的，所以在空氣中長期使用易發(fā)生老化而使性能蛻變，尤其限制了其在高壓條件下的使用壽命，若能用納米級(jí)粉料來替代，將會(huì)提高和改善ZnO壓敏電阻的各項(xiàng)性能，使其能適應(yīng)多領(lǐng)域應(yīng)用的需要。但是摻雜納米級(jí)粉料存在一個(gè)難題，這就是很難使其與其他粉料分散均勻。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的主要目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的制備工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本較高，使用壽命短等問題，而提出摻雜T12的環(huán)形壓敏電阻的制備方法。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0005]本發(fā)明所涉及的壓敏電阻的制備步驟如下:
[0006]I)、按照要求選取配料中的各種摻雜劑成分，采用行星式球磨使其充分混合均勻；
[0007]2)、將納米級(jí)的T12同分散劑混合，攪拌均勻；
[0008]3)、將上述得到的摻雜劑混合物與T12混合物放入坩堝中進(jìn)行干燥，并加入粘合劑進(jìn)行造粒，成型；
[0009]4)、將得到的成型片進(jìn)行排膠、燒結(jié)，得到環(huán)形電阻基體；
[0010]5)、在環(huán)形電阻基體的端面或側(cè)面加工出凹槽，并在相鄰凹槽之間覆蓋金屬電極即可。
[0011]所述的行星式球磨條件為以180-240r/min的速度球磨3_5h。
[0012]所述的干燥條件為100-120°C下干燥12_16h。
[0013]所述的排膠條件為在350-650°C下保溫2_4h進(jìn)行。
[0014]所述的燒結(jié)條件為在1200-1500°C下燒結(jié)l_3h。
[0015]本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明可以獲得不同電壓范圍的高壓環(huán)形壓敏電阻器，采用本發(fā)明可完全避免多層電極之間的錯(cuò)位，提高產(chǎn)品的外觀質(zhì)量，生產(chǎn)穩(wěn)定性較好，制備工藝簡單，能耗較低，安全可靠。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面將結(jié)合具體實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明:
[0017]本發(fā)明所涉及的壓敏電阻的制備步驟如下:
[0018]I)、按照要求選取配料中的各種摻雜劑成分，以180-240r/min的速度行星式球磨
3-5h使其充分混合均勻；
[0019]2)、將納米級(jí)的T12同分散劑混合，攪拌均勻；
[0020]3)、將上述得到的摻雜劑混合物與T12混合物放入坩堝中在100-120°C下干燥12-16h，并加入粘合劑進(jìn)行造粒，成型；
[0021]4)、將得到的成型片在350-650°C下保溫2-4h進(jìn)行進(jìn)行排膠、并在1200-1500°C下燒結(jié)l_3h，得到環(huán)形電阻基體；
[0022]5)、在環(huán)形電阻基體的端面或側(cè)面加工出凹槽，并在相鄰凹槽之間覆蓋金屬電極即可。
[0023]由上述實(shí)施例可以看出:本發(fā)明可以獲得不同電壓范圍的高壓環(huán)形壓敏電阻器，采用本發(fā)明可完全避免多層電極之間的錯(cuò)位，提高產(chǎn)品的外觀質(zhì)量，生產(chǎn)穩(wěn)定性較好，制備工藝簡單，能耗較低，安全可靠。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.摻雜T12的環(huán)形壓敏電阻的制備方法，其特征在于:所述的壓敏電阻的制備步驟如下: 1)、按照要求選取配料中的各種摻雜劑成分，采用行星式球磨使其充分混合均勻； 2)、將納米級(jí)的T12同分散劑混合，攪拌均勻； 3)、將上述得到的摻雜劑混合物與T12混合物放入坩堝中進(jìn)行干燥，并加入粘合劑進(jìn)行造粒，成型； 4)、將得到的成型片進(jìn)行排膠、燒結(jié)，得到環(huán)形電阻基體； 5)、在環(huán)形電阻基體的端面或側(cè)面加工出凹槽，并在相鄰凹槽之間覆蓋金屬電極即可。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜T12的環(huán)形壓敏電阻的制備方法，其特征在于:所述的行星式球磨條件為以180-240r/min的速度球磨3_5h。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜T12的環(huán)形壓敏電阻的制備方法，其特征在于:所述的干燥條件為100-120°C下干燥12-16h。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜T12的環(huán)形壓敏電阻的制備方法，其特征在于:所述的排膠條件為在350-650°C下保溫2-4h進(jìn)行。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜T12的環(huán)形壓敏電阻的制備方法，其特征在于:所述的燒結(jié)條件為在1200-1500°C下燒結(jié)l_3h。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜T12的環(huán)形壓敏電阻的制備方法，其特征在于:所述的T12在放入坩堝前必須先同分散劑混合均勻。
【文檔編號(hào)】H01C17/30GK106067355SQ201410632518
【公開日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2014年11月11日 公開號(hào)201410632518.7, CN 106067355 A, CN 106067355A, CN 201410632518, CN-A-106067355, CN106067355 A, CN106067355A, CN201410632518, CN201410632518.7
【發(fā)明人】閆寧
【申請(qǐng)人】西安立偉電子科技有限責(zé)任公司