硅片承載花籃的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及光伏組件制造技術(shù)領域，尤其是一種硅片承載花籃，包括底板，底板的左右兩側(cè)均等間距分布有若干隔片，位于底板同一側(cè)的相鄰兩個隔片之間形成卡槽，底板上位于其左右兩側(cè)的隔片之間分布有定位組件，定位組件包括若干等間距分布在底板的凸起，凸起與隔片一一對應，凸起的前后兩側(cè)均具有截面呈錐形的延伸部，凸起前側(cè)的延伸部向前延伸并超出與其對應隔片的前側(cè)面一段距離，凸起后側(cè)的延伸部向后延伸并超出與其對應隔片的后側(cè)面一段距離，通過在底板上設置有前后兩側(cè)均具有延伸布的凸起，硅片無論向哪一側(cè)傾斜，均保持與花籃為點接觸，保證了硅片的制絨質(zhì)量，避免硅片表面制絨時不出絨面或出絨面不均的問題。
【專利說明】
娃片承載花籃
技術(shù)領域
[0001]本發(fā)明涉及光伏組件制造技術(shù)領域，尤其是一種硅片承載花籃。
【背景技術(shù)】
[0002]前在太陽能電池行業(yè)領域內(nèi)，對硅片表面進行絨面處理的工藝，按其化學性質(zhì)可以分為酸性制絨和堿性制絨這兩種方法。在堿性制絨的過程中，要先把硅片放入花籃里，再將硅片和花籃整體放入到堿藥槽中，使硅片與堿液反應，當硅片表面的絨面達到工藝要求時，硅片和花籃整體取出。在酸性制絨法處理硅片的過程中，同樣要把裝有硅片的花籃一同放入酸藥槽中浸泡清洗，待清洗完成后將花籃取出。現(xiàn)有用于太陽能電池制程的花籃在于硅片接觸的地方通常采取溝槽式的設計，硅片與花籃之間為面接觸，在制絨時，硅片與花籃的接觸處表面容易不出絨面或出絨面不均。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:為了解決現(xiàn)有技術(shù)硅片在制絨時與花籃為面接觸，導致硅片與花籃的接觸處表面容易不出絨面或出絨面不均的問題，現(xiàn)提供一種硅片承載花候
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[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種硅片承載花籃，包括底板，所述底板的左右兩側(cè)均等間距分布有若干隔片，位于底板同一側(cè)的相鄰兩個隔片之間形成卡槽，所述底板上位于其左右兩側(cè)的隔片之間分布有定位組件，所述定位組件包括若干等間距分布在底板的凸起，所述凸起與所述隔片一一對應，所述凸起的前后兩側(cè)均具有截面呈錐形的延伸部，所述凸起前側(cè)的延伸部向前延伸并超出與其對應隔片的前側(cè)面一段距離，所述凸起后側(cè)的延伸部向后延伸并超出與其對應隔片的后側(cè)面一段距離。
[0005]本方案中的花籃在硅片制絨時，將硅片一一對應放置在花籃的卡槽中，硅片的左右兩側(cè)對應位于底板左右兩側(cè)的卡槽中，如硅片向底板的前側(cè)傾斜抵靠在卡槽中，則硅片的前側(cè)底部與凸起前側(cè)的延伸部點接觸，硅片的前側(cè)上端與卡槽點接觸;如硅片向底板的后側(cè)傾斜抵靠在卡槽中，則硅片的后側(cè)底部與凸起后側(cè)的延伸部點接觸，硅片的后側(cè)上端與卡槽點接觸，因此，通過在底板上設置有前后兩側(cè)均具有延伸布的凸起，硅片無論向哪一側(cè)傾斜，均保持與花籃為點接觸，保證了硅片的制絨質(zhì)量，避免硅片表面制絨時不出絨面或出絨面不均的問題。
[0006]優(yōu)選地，所述底板上同一側(cè)的卡槽數(shù)量為25個。
[0007]優(yōu)選地，所述定位組件有兩組。
[0008]為了提高花籃的強度，進一步地，所述隔片的外側(cè)設置有加強筋。
[0009]為了便于花籃的拿取，進一步地，所述隔片的外側(cè)頂端設置有側(cè)邊。
[0010]優(yōu)選地，所述凸起及其前后兩側(cè)的延伸部所結(jié)合成的整體呈菱形。
[0011]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的硅片承載花籃通過在底板上設置有前后兩側(cè)均具有延伸布的凸起，硅片無論向哪一側(cè)傾斜，均保持與花籃為點接觸，保證了硅片的制絨質(zhì)量，避免硅片表面制絨時不出絨面或出絨面不均的問題。
【附圖說明】
[0012]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。
[0013]圖1是本發(fā)明硅片承載花籃的三維示意圖；
[0014]圖2是本發(fā)明硅片承載花籃的俯視示意圖。
[0015]圖中:1、底板，2、隔片，3、卡槽，4、凸起，401、延伸部，5、加強筋，6、側(cè)邊。
【具體實施方式】
[0016]現(xiàn)在結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關的構(gòu)成。
[0017]實施例1
[0018]如圖1-2所示，一種硅片承載花籃，包括底板I，底板I的左右兩側(cè)均等間距分布有若干隔片2，位于底板I同一側(cè)的相鄰兩個隔片2之間形成卡槽3，底板I上位于其左右兩側(cè)的隔片2之間分布有定位組件，定位組件包括若干等間距分布在底板I的凸起4，凸起4與隔片2——對應，凸起4的前后兩側(cè)均具有截面呈錐形的延伸部401，凸起4前側(cè)的延伸部401向前延伸并超出與其對應隔片2的前側(cè)面一段距離，凸起4后側(cè)的延伸部401向后延伸并超出與其對應隔片2的后側(cè)面一段距離。
[0019]底板I上同一側(cè)的卡槽3數(shù)量為25個。
[0020]定位組件有兩組。
[0021]隔片2的外側(cè)設置有加強筋5。
[0022]隔片2的外側(cè)頂端設置有側(cè)邊6。
[0023]凸起4及其前后兩側(cè)的延伸部401所結(jié)合成的整體呈菱形。
[0024]與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明的硅片承載花籃在硅片制絨時，將硅片一一對應放置在花籃的卡槽3中，硅片的左右兩側(cè)對應位于底板I左右兩側(cè)的卡槽3中，如硅片向底板I的前側(cè)傾斜抵靠在卡槽3中，則硅片的前側(cè)底部與凸起4前側(cè)的延伸部401點接觸，硅片的前側(cè)上端與卡槽3點接觸；如硅片向底板I的后側(cè)傾斜抵靠在卡槽3中，則硅片的后側(cè)底部與凸起4后側(cè)的延伸部401點接觸，娃片的后側(cè)上端與卡槽3點接觸，因此，通過在底板I上設置有前后兩側(cè)均具有延伸布的凸起4，硅片無論向哪一側(cè)傾斜，均保持與花籃為點接觸，保證了硅片的制絨質(zhì)量，避免硅片表面制絨時不出絨面或出絨面不均的問題。
[0025]上述依據(jù)本發(fā)明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
【主權(quán)項】
1.一種硅片承載花籃，其特征在于:包括底板(I)，所述底板(I)的左右兩側(cè)均等間距分布有若干隔片(2)，位于底板(I)同一側(cè)的相鄰兩個隔片(2)之間形成卡槽(3)，所述底板(I)上位于其左右兩側(cè)的隔片(2)之間分布有定位組件，所述定位組件包括若干等間距分布在底板(I)的凸起(4)，所述凸起(4)與所述隔片(2)—一對應，所述凸起(4)的前后兩側(cè)均具有截面呈錐形的延伸部(401)，所述凸起(4)前側(cè)的延伸部(401)向前延伸并超出與其對應隔片(2)的前側(cè)面一段距離，所述凸起(4)后側(cè)的延伸部(401)向后延伸并超出與其對應隔片(2)的后側(cè)面一段距離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載花籃，其特征在于:所述底板(I)上同一側(cè)的卡槽(3)數(shù)量為25個。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載花籃，其特征在于:所述定位組件有兩組。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載花籃，其特征在于:所述隔片(2)的外側(cè)設置有加強筋(5)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載花籃，其特征在于:所述隔片(2)的外側(cè)頂端設置有側(cè)邊(6)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載花籃，其特征在于:所述凸起(4)及其前后兩側(cè)的延伸部(401)所結(jié)合成的整體呈菱形。
【文檔編號】H01L21/673GK106057714SQ201610688855
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年8月17日
【發(fā)明人】吳佳俊, 鄒海軍, 吳俊 , 王少華, 吳家宏, 張凱勝, 姚偉忠, 孫鐵囤
【申請人】常州億晶光電科技有限公司