一種硅片承載基座及原子層沉積設備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于半導體集成電路制造設備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種硅片承載基座及原子層沉積設備。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導體集成電路工業(yè)中，隨著半導體器件集成度的持續(xù)增加以及與這些器件相關(guān)的臨界尺寸的持續(xù)減小，很多新的材料和工藝被運用到器件制造工藝中。例如，傳統(tǒng)的CVD沉積技術(shù)已很難有效地精確控制薄膜特性及滿足日益嚴苛的工藝技術(shù)要求，原子層沉積技術(shù)(Atomic Layer Deposit1n ；ALD)被廣泛運用，原子層沉積是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法，可以通過控制反應周期數(shù)簡單精確地控制薄膜的厚度，形成達到原子層厚度精度的薄膜；其生長的薄膜沒有針孔、均勻、且對薄膜圖形的保形性極好。
[0003]然而，采用原子層沉積技術(shù)淀積薄膜時，由于原子層沉積設備本身的缺陷，反應氣體會從硅片的上表面流動至硅片的背面，從而導致在硅片背面也會淀積一層薄膜(例如二氧化硅等)，而且硅片背面的薄膜均勻性較差，硅片背面存在的不均勻薄膜會導致后續(xù)的光刻工藝無法對準，從而影響光刻工藝的進行。
[0004]當前，為了解決該問題，通常做法是在硅片背面形成不均勻薄膜后，增加一道背清洗工藝，把硅片背面的多余薄膜去除。但由于硅片背面生長的薄膜的厚度無法控制，從而導致背清洗的工藝時間也無法控制，背清洗工藝時間過長，會把硅片表面的介質(zhì)膜也清洗掉；背清洗時間過短，又不能把硅片背面多余的薄膜去除干凈，無法達到理想的清洗效果，而且，后續(xù)增加的背清洗工藝同時會導致生產(chǎn)成本的增加以及流片周期的延長。
[0005]因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需提供一種防止硅片背面生長薄膜的硅片承載基座及原子層沉積設備。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種防止硅片背面生長薄膜的硅片承載基座及原子層沉積設備。
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供了一種硅片承載基座，用于將硅片固定于原子層沉積設備的淀積腔中，包括:基座本體，設于硅片下方，所述基座本體上具有多個用于承載硅片的支撐件，所述硅片的下表面與基座本體的上表面具有預設間距；氣體供應管道，所述氣體供應管道為多個，自底部貫通所述基座本體向硅片背面與基座本體上表面之間吹送氣體，以阻止反應氣體流動至硅片背面，所述氣體供應管道上具有用于控制所述氣體供應管道啟閉的控制閥；以及氣體供應源，與所述氣體供應管道連接，用于向所述氣體供應管道輸送氣體。
[0008]優(yōu)選的，所述氣體供應管道上具有氣體流量調(diào)節(jié)器，用于調(diào)節(jié)所述氣體供應管道輸送的氣體流量大小。
[0009]優(yōu)選的，所述氣體供應管道至少為四根，且均勻分布于所述基座本體的圓周方向。
[0010]優(yōu)選的，所述氣體供應管道的供應口與所述基座本體的上表面在同一平面。
[0011]優(yōu)選的，所述氣體供應管道距所述基座本體的邊緣3?15mm。
[0012]優(yōu)選的，所述氣體供應管道的直徑為3?5mm。
[0013]優(yōu)選的，所述氣體供應管道的橫截面為圓形、橢圓形、矩形或不規(guī)則形。
[0014]優(yōu)選的，所述氣體供應管道的材質(zhì)為不銹鋼或鈦。
[0015]優(yōu)選的，所述氣體供應管道與基座本體為一體成型結(jié)構(gòu)。
[0016]本實用新型還提供一種原子層沉積設備，包括淀積腔，所述淀積腔中設有上述所述的硅片承載基座，用于將晶片固定于所述淀積腔中進行沉積工藝。
[0017]與現(xiàn)有的方案相比，本實用新型提供了一種硅片承載基座及原子層沉積設備，通過在原子層沉積設備的基座本體上增設氣體供應管道，從而向硅片背面與基座本體之間吹送氣體，以阻止反應氣體流動至硅片背面，進而防止硅片背面薄膜的生成；本實用新型省略了現(xiàn)有的背清洗工藝，避免由于背清洗工藝導帶來的潛在的工藝風險，降低了生產(chǎn)成本，同時提尚了廣能。
【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1是本實用新型中硅片承載基座的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2是本實用新型中硅片承載基座的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0021]為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實用新型的實施方式作進一步地詳細描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本實用新型的精神下進行各種修飾或改變。
[0022]上述及其它技術(shù)特征和有益效果，將結(jié)合實施例及附圖對本實用新型的硅片承載基座及原子層沉積設備進行詳細說明。圖1是本實用新型中硅片承載基座的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型中硅片承載基座的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]如圖1、2所示，本實用新型提供了一種硅片承載基座，用于將硅片60固定于原子層沉積設備的淀積腔中，包括基座本體10、氣體供應管道20以及氣體供應源30，其中，基座本體10設于硅片60下方，基座本體10上具有多個用于承載硅片的支撐件11，硅片60的下表面與基座本體10的上表面具有預設間距；氣體供應管道20為多個，自底部貫通基座本體10向硅片60背面與基座本體10上表面之間吹送氣體，以阻止反應氣體流動至硅片6