非水電解質(zhì)二次電池用負極活性物質(zhì)以及使用該負極活性物質(zhì)的非水電解質(zhì)二次電池的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提高將SiOX用作負極活性物質(zhì)的非水電解質(zhì)二次電池的初次充放電效率和循環(huán)特性。本發(fā)明提供一種非水電解質(zhì)二次電池用負極活性物質(zhì)，其是由SiOX(0.5≤X≤1.5)形成的顆粒，在碳覆膜上固著有無定形碳。SiOX的粒徑優(yōu)選為1μm以上且15μm以下，無定形碳的粒徑優(yōu)選為0.01μm以上且1μm以下。SiOX的表面優(yōu)選100％被碳覆膜覆蓋。
【專利說明】
非水電解質(zhì)二次電池用負極活性物質(zhì)從及使用該負極活性物 質(zhì)的非水電解質(zhì)二次電池
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設及非水電解質(zhì)二次電池用負極活性物質(zhì)W及使用該負極活性物質(zhì)的非 水電解質(zhì)二次電池。
【背景技術(shù)】
[0002] 由于娃(Si) W及由Si化所表示的氧化娃的每單位體積的容量比石墨等碳材料高， 因此研究了將其應用于負極活性物質(zhì)。尤其，在充電時，SiOx吸藏Li時的體積膨脹率小于 Si,因此可W期待提前實用化。例如，專利文獻1中公開了表面形成有碳覆膜的SK)x。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004] 專利文獻
[0005] 專利文獻1:日本特開2004-47404號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[OOOW 發(fā)明要解決的問題
[0007]然而，將Si化等用作負極活性物質(zhì)的非水電解質(zhì)二次電池與將石墨用作負極活性 物質(zhì)的情況相比，存在初次充放電效率差、循環(huán)初期的容量大幅降低的課題。
[000引用于解決問題的方案
[0009] 出現(xiàn)上述課題的主要原因在于，充放電時的Si化等的體積變化大于石墨。認為活 性物質(zhì)的大的體積變化導致例如活性物質(zhì)層的導電性的降低，與初次充放電效率的惡化等 相關(guān)。
[0010] 為解決上述課題，本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池用負極活性物質(zhì)的特征如下：其 是用于非水電解質(zhì)二次電池的顆粒狀的負極活性物質(zhì)，具備：由Si化(0.5 1.5)構(gòu)成的 基礎顆粒、覆蓋前述基礎顆粒的至少一部分表面的碳覆蓋層、W及固著于前述碳覆蓋層上 的無定形碳顆粒。
[0011] 本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池具備包含上述負極活性物質(zhì)的負極、正極、配置于 上述正極和上述負極之間的分隔件、W及非水電解質(zhì)。
[00。]發(fā)明的效果
[0013] 根據(jù)本發(fā)明能夠改善將Si化用作負極活性物質(zhì)的非水電解質(zhì)二次電池的循環(huán)特 性和初次充放電效率。
【附圖說明】
[0014] 圖1是示出作為本發(fā)明的實施方式的一個例子的負極的截面圖。
[0015] 圖2是示出作為本發(fā)明的實施方式的一個例子的負極活性物質(zhì)顆粒的截面圖。
[0016] 圖3是示出實驗1中使用的負極活性物質(zhì)顆粒的截面的第一電子顯微鏡圖像。
[0017] 圖4是示出實驗1中使用的負極活性物質(zhì)顆粒的截面的第二電子顯微鏡圖像。
[0018] 圖5是示出實驗I中使用的負極活性物質(zhì)顆粒的激光拉曼光譜分析結(jié)果的圖。
[0019] 圖6是示出實驗4中使用的負極活性物質(zhì)顆粒的激光拉曼光譜分析結(jié)果的圖。
[0020] 圖7是示出僅用巧樣酸進行熱處理而制作的碳質(zhì)的激光拉曼光譜分析結(jié)果的圖。
[0021] 圖8是將圖5~圖7中的IVIG值圖形化的圖。
[0022] 圖9是示出實驗4中使用的負極活性物質(zhì)顆粒的截面的第=電子顯微鏡圖像。
【具體實施方式】
[0023] 下面，對本發(fā)明的實施方式詳細說明。
[0024] 本說明書中的"大致**"是指，若W "大致相等"為例進行說明，則表示不僅包括完 全相同，還包括可W認為實質(zhì)相同的情況。實施方式的說明中參照的附圖是示意性記載的， 附圖中描繪的構(gòu)成要素的尺寸比率等有時與實物不同。具體的尺寸比率等應參照W下說明 來進行判斷。
[0025] 作為本發(fā)明的實施方式的一個例子的非水電解質(zhì)二次電池具備包含正極活性物 質(zhì)的正極、包含負極活性物質(zhì)的負極、包含非水溶劑的非水電解質(zhì)、W及分隔件。作為非水 電解質(zhì)二次電池的一個例子，可W舉出正極和負極隔著分隔件卷繞而成的電極體和非水電 解質(zhì)容納于外殼體的結(jié)構(gòu)。
[0026] 證極]
[0027] 正極優(yōu)選由正極集電體和形成于正極集電體上的正極活性物質(zhì)層構(gòu)成。作為正極 集電體，例如可W使用具有導電性的薄膜體，尤其是侶等的在正極的電位范圍穩(wěn)定的金屬 錐、合金錐，具有侶等的金屬表層的薄膜。除了正極活性物質(zhì)W外，正極活性物質(zhì)層優(yōu)選包 含導電材料和粘結(jié)劑。
[00%]對正極活性物質(zhì)沒有特別限制，但優(yōu)選為含裡的過渡金屬氧化物。含裡的過渡金 屬氧化物也可W含有Mg、Al等非過渡金屬元素。作為具體例子，可W舉出鉆酸裡；W憐酸鐵 裡為代表的橄攬石型憐酸裡;Ni-C〇-Mn、Ni-Mn-Al、Ni-C〇-Al等含裡的過渡金屬氧化物。正 極活性物質(zhì)可W單獨使用其中的1種，也可W混合使用多種。
[0029] 作為導電材料，可W使用炭黑、乙烘黑、科琴黑、石墨等碳材料、及其中的巧巾W上 的混合物等。作為粘結(jié)劑，可W使用聚四氣乙締、聚偏氣乙締、聚乙酸乙締醋、聚丙締臘、聚 乙締醇、及其中的巧巾W上的混合物等。
[0030] [負極]
[0031] 如圖1所例示的那樣，負極10優(yōu)選具備負極集電體11W及形成于負極集電體11上 的負極活性物質(zhì)層12。作為負極集電體11，例如可W使用具有導電性的薄膜體，尤其是銅等 的在負極的電位范圍穩(wěn)定的金屬錐、合金錐，具有銅等的金屬表層的薄膜。除了負極活性物 質(zhì)13W外，負極活性物質(zhì)層12優(yōu)選還包含粘結(jié)劑(未圖示）。作為粘結(jié)劑，與正極的情況同樣 地也可W使用聚四氣乙締等，但優(yōu)選使用下苯橡膠（SBR)、聚酷亞胺等。粘結(jié)劑也可W與簇 甲基纖維素等增稠劑組合使用。
[0032] 如圖2所例示的那樣，作為負極活性物質(zhì)13,可W使用負極活性物質(zhì)13a，其具有由 Si化(0.5含X含1.5)構(gòu)成的基礎顆粒14、覆蓋基礎顆粒14的至少一部分表面的碳覆蓋層15、 W及固著于碳覆蓋層15的表面的無定形碳顆粒16。作為負極活性物質(zhì)13,也可W單獨使用 負極活性物質(zhì)13a，但從兼顧高容量化和循環(huán)特性提高的觀點出發(fā)，優(yōu)選與充放電引起的體 積變化小于負極活性物質(zhì)13a的其它的負極活性物質(zhì)13b混合而使用。對負極活性物質(zhì)13b 沒有特別限制，優(yōu)選石墨、硬碳等碳系活性物質(zhì)。
[0033] 將負極活性物質(zhì)13a與負極活性物質(zhì)13b混合使用時，例如，負極活性物質(zhì)13b為石 墨時，負極活性物質(zhì)13a與石墨的比率優(yōu)選W質(zhì)量比計為1:99~20:80。若質(zhì)量比為該范圍 內(nèi)，則容易兼具高容量化和循環(huán)特性的提高。另一方面，負極活性物質(zhì)13a相對于負極活性 物質(zhì)13的總質(zhì)量的比率小于1質(zhì)量％時，添加負極活性物質(zhì)13a來進行高容量化的優(yōu)點變 小。
[0034] 負極活性物質(zhì)13a在由Si化(0.5 <X< 1.5)構(gòu)成的基礎顆粒14的表面形成有碳覆 蓋層15,進而在碳覆蓋層15的表面固著有無定形碳顆粒16( W下，稱為"負極活性物質(zhì)顆粒 13a" )。5地例如具有在非晶質(zhì)的Si化基體中分散有Si的結(jié)構(gòu)。用透射式電子顯微鏡(TEM)進 行觀察時，能夠確認存在分散的Si。
[0035] 對于使用了負極活性物質(zhì)顆粒13a的非水電解質(zhì)二次電池，通過基礎顆粒14的表 面的碳覆蓋層15能夠改善電子電導率低的Si化的缺點，而且通過固著于碳覆蓋層15的表面 的無定形碳顆粒16,利用錯固效果能夠改善Si化與粘結(jié)劑的粘合力。固著于碳覆蓋層15的 表面的顆粒為無定形碳顆粒時，尤其能夠改善初次充放電效率、循環(huán)特性。其理由如下。將 W石墨為代表那樣的結(jié)晶性高的碳、金屬微粒固著于Si化的表面時，需要高溫處理、化學鍛 等工序。對Si化進行高溫處理時，由于Si化的歧化反應，充放電容量大幅降低。另外，對Si化 的表面進行化學鍛處理時，顆粒的表面不易形成凹凸面，不能得到充分的錯固效果。
[0036] 碳覆蓋層15的表面固著有無定形碳16是指，在制作負極時，即使在與溶劑等混合 的情況下，無定形碳16也附著于碳覆蓋層15的表面，與二次凝聚不同。
[0037] 基礎顆粒14的平均粒徑優(yōu)選為1~15WI1，更優(yōu)選為4~1 Omi。本說明書中"平均粒 徑"是指，用激光衍射散射法測得的粒度分布中，體積積算值達到50%的粒徑(體積平均粒 徑;Dvso) dDvso例如可W使用HORIBA制造的"LA-75(T進行測定。需要說明的是，若基礎顆粒 14的平均粒徑變得過小，則有時顆粒的表面積變得過大，從而與電解液的反應量變大、容量 降低。另一方面，若平均粒徑變得過大，則有時充電時的Si化的體積膨脹導致的影響變大、 充放電特性降低。
[0038] 無定形碳顆粒16的平均粒徑優(yōu)選0.0 lwiiW上且IwnW下，更優(yōu)選0.05~0.8WI1。若 無定形碳顆粒16的平均粒徑變得過小，則基礎顆粒14上的碳覆蓋層15的表面的凹凸變小， 存在不能充分地得到錯固效果的傾向。另一方面，若平均粒徑變得過大，則導致固著于碳覆 蓋層15上的無定形碳顆粒16的個數(shù)受限，存在不能充分地得到錯固效果的傾向。
[0039] 無定形碳顆粒16優(yōu)選相對于基礎顆粒14為大于0質(zhì)量％且為15質(zhì)量％ ^下，更優(yōu) 選為2質(zhì)量％ W上且8質(zhì)量％ ^下。若無定形碳顆粒16相對于基礎顆粒14過少，則于基礎顆 粒14上的碳覆蓋層15的表面形成的凹凸變少，存在不能得到充分的錯固效果的傾向。另一 方面，若過多，則活性物質(zhì)中的無定形碳的占有量變大，存在容量降低的傾向。
[0040] 作為碳覆蓋層15中的碳材料，與正極活性物質(zhì)層的導電材料同樣地可W使用炭 黑、乙烘黑、科琴黑、石墨、及其中的巧巾W上的混合物等。
[0041] 碳覆蓋層15優(yōu)選覆蓋基礎顆粒14的表面的50% W上且100% W下，更優(yōu)選覆蓋 100%。需要說明的是，本發(fā)明中，基礎顆粒14的表面被碳覆蓋層15覆蓋是指，對顆粒截面進 行沈M觀察時，基礎顆粒14的表面被至少厚度InmW上的碳覆膜層15覆蓋。
[0042] 考慮到導電性的確保W及Li+朝向作為基礎顆粒14的Si化等的擴散性，碳覆蓋層15 的平均厚度優(yōu)選為1~200nm，更優(yōu)選為5~lOOnm。另外，覆蓋層15優(yōu)選在其整個區(qū)域的范圍 內(nèi)具有大致均勻的厚度。碳覆蓋層15的平均厚度能夠通過使用了掃描電子顯微鏡(SEM)、透 射電子顯微鏡(TEM)等的負極活性物質(zhì)顆粒13a的截面觀察進行測量。需要說明的是，若覆 蓋層15的厚度變得過薄，則導電性降低，而且難W均勻地覆蓋基礎顆粒14。另一方面，若覆 蓋層15的厚度變得過厚，貝化i+朝向基礎顆粒14的擴散受阻，從而存在容量降低的傾向。碳 覆蓋層相對于Si化的比率優(yōu)選為10質(zhì)量％ W下。
[0043] 碳覆蓋層15例如可W使用CV的去、瓣射法、鍛覆法（電鍛/化學鍛)等一般的方法來 形成。例如利用CV的去在Si化顆粒的表面形成由碳材料形成的覆蓋層15時，例如將Si化顆粒 和控系氣體在氣相中加熱，使通過控系氣體的熱分解生成的碳沉積在Si化顆粒上。作為控 系氣體，可W使用甲燒氣體、乙烘氣體。
[0044] 負極活性物質(zhì)13a優(yōu)選邸T比表面積為1~30mVg，更優(yōu)選為5~30mVg。若肥T比表 面積變得過小，則SiOx顆粒上的凹凸不能充分地形成，存在不能得到充分的錯固效果的傾 向。另一方面，若BET比表面積變得過大，則粘結(jié)劑附著于SWx的表面的量變得過多，導致粘 結(jié)劑的分散性降低，存在密合性降低的傾向。
[0045] 為了將無定形碳顆粒16固著于碳覆蓋層15,例如可W通過如下來得到：將包含有 機酸催化劑的水溶液和具備碳覆蓋層的Si化顆粒混合之后，在80~120°C下進行水解和聚 合反應之后，將水蒸發(fā)掉，在500~800°C下進行熱處理。在將包含有機酸催化劑的水溶液和 具備碳覆蓋層的Si化顆?；旌蠒r，也可W混合裡化合物。作為有機酸催化劑，可W例示出巧 樣酸、蘋果酸、酒石酸、乳酸、W及乙醇酸等。作為裡化合物，可W例示出LiOH、Li2C〇3、LiF、W 及LiCl等。
[0046] 構(gòu)成基礎顆粒14的SiOx也可W在顆粒內(nèi)包含娃酸裡化i4Si〇4、Li2Si〇3、Li2Si2〇5、 LisSiOs等）。
[0047] [非水電解質(zhì)]
[004引作為非水電解質(zhì)的電解質(zhì)鹽，例如可W使用LiCl04、LiBF4、LiPF6、LiAlCl4、LKbF6、 LiSCN、LiCF3S03、LiCF3C02、LiAsF6、LiBloCllo、低級脂肪族簇酸裡、LiCl、Li化、LiI、氯棚燒 裡、棚酸鹽類、酷亞胺鹽類等。其中，從離子電導性和電化學穩(wěn)定性的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用 LiPFs。電解質(zhì)鹽可W單獨使用1種，也可W組合使用巧巾W上。優(yōu)選相對于非水電解質(zhì)ILW 0.8~1.5mol的比率包含運些電解質(zhì)鹽。
[0049] 作為非水電解質(zhì)的溶劑，例如可W使用環(huán)狀碳酸醋、鏈狀碳酸醋、環(huán)狀簇酸醋等。 作為環(huán)狀碳酸醋，可W舉出碳酸亞丙醋(PC)、碳酸亞乙醋化C)等。作為鏈狀碳酸醋，可W舉 出碳酸二乙醋(DEC)、碳酸甲乙醋化MC)、碳酸二甲醋（DMC)等。作為環(huán)狀簇酸醋，可W舉出 丫-下內(nèi)醋(G化）、丫-戊內(nèi)醋(G化)等。非水溶劑可W單獨使用1種，也可W組合使用巧中W 上。
[0050] [分隔件]
[0051] 作為分隔件，可W使用具有離子透過性和絕緣性的多孔片材。作為多孔片材的具 體例子，可W舉出微孔薄膜、織布、無紡布等。作為分隔件的材質(zhì)，優(yōu)選聚乙締、聚丙締等聚 締控。
[0052] 實施例
[0053] 下面，通過實施例進一步說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限于運些實施例。
[0054] <實施例〉
[0055] (實驗 1)
[0056] [負極的制作]
[0057] 準備表面被碳覆蓋的Si化(X = O.93,平均一次粒徑:5.0皿）。需要說明的是，覆蓋 使用CV的去進行，另外，碳相對于Si化的比率為10質(zhì)量％，使Si化的表面的碳覆蓋率為100%。 SiOx的表面的碳覆蓋率用下面的方法進行確認。使用Hitachi High-Technologies Corporation制造的離子銳裝置(ex. IM4000)使Si化顆粒的截面露出，將顆粒截面用SEM及 反射電子圖像進行確認。由反射電子圖像確定顆粒截面的碳覆蓋層與SWx的界面。然后，由 膜厚InmW上的碳覆膜與Si化的界面長度的總和相對于顆粒截面上的Si化外周長的比算出 各Si化顆粒的表面上的膜厚InmW上的碳覆膜的比率。將30個Si化顆粒的表面上的碳覆膜的 比率的平均值作為碳覆蓋率算出。
[0化引將0.5摩爾的Li20)3添加到1000 g的水中之后，添加巧樣酸0.2摩爾，制備Li20)3完 全溶解的水溶液。在上述水溶液中添加1摩爾的上述SWx,進行混合。使混合溶液在80°C下 進行脫水縮合反應，在120°C下進行干燥之后，將得到的中間體在Ar氣氛中、600°C下進行5 小時的熱處理，將Si化用純水進行水洗。使用化istar 113020(島津制作所社制）測定熱處 理和水洗后的Si化顆粒的邸T比表面積，結(jié)果為20mVg。將熱處理和水洗后的Si化顆粒的SEM 圖像示于圖3。圖3中，可W觀察到無定形碳細致地附著在碳覆蓋層15或結(jié)晶性碳顆粒的表 面。
[0059] 用W下方法來確認無定形碳固著于表面被碳覆蓋的Si化的表面的情況。將使用 TK化il mix(PRIMIX Co. ,Ltd.制）對熱處理和水洗后的Si化顆粒實施在溶劑中微?；?、分 散之后的SEM圖像示于圖4。對于無定形碳，由于在對表面被碳覆蓋的Si化實施微?；⒎稚?之后，無定形碳仍然存在于碳覆膜表面上，因此判斷該無定形碳不是二次凝聚、單純的附 著，而是固著于碳覆膜的表面上。
[0060] 通過W下方法來確認表面被碳覆蓋的Si化上的固著的碳為無定形碳。將使用拉曼 光譜儀ARAMIS(島津制作所制）測定的、熱處理和水洗后的Si化顆粒表面上的碳質(zhì)（后文記 作曰）的激光拉曼光譜分析示于圖5。觀測到被認為是巧巾W上的混合系的拉曼光譜。為了解 釋光譜，將觀測未處理的Si化顆粒表面的碳質(zhì)（后文記作0)和僅用巧樣酸進行熱處理制作 的碳質(zhì)（后文記作丫）的拉曼光譜的結(jié)果示于圖6和圖7。作為未處理的Si化顆粒，使用W下 實驗4中使用的材料。由碳材料的評價中使用的D譜帶(在1360cnfi附近出現(xiàn)的峰）的強度Id 與G譜帶(在ieOOcnfi附近出現(xiàn)的峰）的強度Ig的強度比R( = Id/Ig)能夠確認0為結(jié)晶性高的 碳質(zhì)，丫為炭黑(SOOt)等結(jié)晶性低的碳質(zhì)。
[0061] 接著，關(guān)于圖5~圖7,將村普帶和D譜帶之間的鞍部(最小值)的強度定義為IV，進行 IvAc值的比較，對a進行光譜解釋。適當進行平滑，W基線為800~1900cnfi進行線性近似。 將各Iv/Ic值圖形化的結(jié)果示于圖8。由圖8可知，a由0和丫的混合成分得到。因此，可W確認， 固著于表面被碳覆蓋的Si化上的碳為結(jié)晶性低的無定形碳。
[0062] 將Si化和作為粘結(jié)劑的PAN(聚丙締臘）W質(zhì)量比計成為95:5的方式進行混合，進 而添加作為稀釋溶劑的匪P(N-甲基-2-化咯燒酬）。使用混合機（PRIMIX Co. ,Ltd.制， ROBOMIX )對其進行攬拌，制備負極合劑漿料。將上述負極合劑漿料W每Im2的負極合劑層的 質(zhì)量成為25g/m2的方式涂布在銅錐的單面上。接著，對其在大氣中、105°C下進行干燥并進 行壓延來制作負極。需要說明的是，使負極合劑層的填充密度為1.50g/ml。
[0063] [非水電解液的制備]
[0064] 在W體積比成為3:7的比率的方式混合了碳酸亞乙醋化C)和碳酸二乙醋(DEC)的 混合溶劑中Wl.0摩爾/升添加六氣憐酸裡化iPFs)來制備非水電解液。
[0(?日][電池的組裝]
[0066] 在非活性氣氛中，使用外周安裝有Ni極耳的上述負極、裡金屬錐、配置于負極和裡 金屬錐之間的聚乙締制分隔件來制作電極體。將該電極體放入由侶層壓片材制成的電池外 殼體內(nèi)，進而將非水電解液注入電池外殼體內(nèi)，其后密封電池外殼體來制作電池 A1。
[0067] (實驗 2)
[006引除了使添加的巧樣酸的量為0.18摩爾W外，與上述實驗1同樣地操作來制作電池 A2。使用化is化r II3020來測定熱處理和水洗后的SiOx顆粒的肥化k表面積，結(jié)果為15mVg。
[0069] (實驗 3)
[0070] 除了使添加的巧樣酸的量為0.25摩爾W外，與上述實驗1同樣地操作來制作電池 A2。使用化is化r II3020來測定熱處理和水洗后的SiOx顆粒的肥化k表面積，結(jié)果為30mVg。
[0071] (實驗 4)
[0072] 除了使用未處理的SWx(即，使用碳覆膜上不具有無定形碳顆粒的Si化)作為屬于 負極活性物質(zhì)的SWxW外，與上述實驗1同樣地制作電池 Z。使用化is化r II3020來測定Si化 顆粒的BET比表面積，結(jié)果為5m2/g。將該Si化顆粒的截面SEM圖像示于圖9。圖9中的小粒狀的 顆粒是結(jié)晶性高的碳顆粒，其是在形成碳覆蓋層15時未完全形成層而殘留的碳顆粒。
[007；3](實驗）
[0074] 使上述各電池在W下條件下進行充放電，調(diào)查下述式（1)所示的初次充放電效率 和下述式(2)所示的第10次循環(huán)的容量維持率，將其結(jié)果示于表1。
[0075] [充放電條件]
[0076] Wo. 2It (4mA)的電流進行恒定電流充電直至電壓成為OV之后，Wo. 05It( ImA)的 電流進行恒定電流充電直至電壓成為OV。接著，停頓10分鐘之后，W0.211 (4mA)的電流進行 恒定電流放電直至電壓成為1.0V。
[0077] [初次充放電效率的計算公式]
[0078] 初次充放電效率（％ )=(第1次循環(huán)的放電容量/第1次循環(huán)的充電容量）X 100… (1)
[0079] [第10次循環(huán)的容量維持率的計算公式]
[0080] 第10次循環(huán)的容量維持率（％ )=(第10次循環(huán)的放電容量/第1次循環(huán)的放電容 量）X100...(2)
[0081 ][表1]
[0082]
[0083] 認為Si化顆粒表面的碳覆膜上未形成無定形碳顆粒的電池 Z在活性物質(zhì)顆粒和粘 結(jié)劑之間不能夠得到充分的錯固效果，活性物質(zhì)間的密合性降低。另一方面，認為電池 Al~ A3由于在Si化顆粒表面形成了碳覆膜，進而在碳覆膜上固著有無定形碳顆粒，因此在顆粒 表面出現(xiàn)足夠的凹凸從而在活性物質(zhì)顆粒和粘結(jié)劑之間得到錯固效果，改善了活性物質(zhì)間 的密合性。
[0084] 附圖標記說明
[0085] 10負極，11負極集電體，12負極活性物質(zhì)層，13、13a、13b負極活性物質(zhì)，14基礎顆 粒，15碳覆蓋層，16無定形碳顆粒。
【主權(quán)項】
1. 一種非水電解質(zhì)二次電池用負極活性物質(zhì)，其是用于非水電解質(zhì)二次電池的顆粒狀 的負極活性物質(zhì)，其具備： 由Si0x(0.5<X< 1.5)構(gòu)成的基礎顆粒； 覆蓋所述基礎顆粒的至少一部分表面的碳覆蓋層；以及 固著于所述碳覆蓋層上的無定形碳顆粒。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非水電解質(zhì)二次電池用負極活性物質(zhì)，其中，所述基礎顆粒的 平均粒徑為Ιμπι以上且15μπι以下，所述無定形碳顆粒的平均粒徑為Ο.ΟΙμπι以上且Ιμπι以下。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非水電解質(zhì)二次電池用負極活性物質(zhì)，其中，所述基礎顆 粒的表面100%被所述碳覆蓋層覆蓋。4. 一種非水電解質(zhì)二次電池，其具備： 包含權(quán)利要求1~3中任一項所述的負極活性物質(zhì)的負極； 包含正極活性物質(zhì)的正極； 配置于上述正極和上述負極之間的分隔件；以及 非水電解質(zhì)。
【文檔編號】H01M4/48GK105849948SQ201480071109
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2014年12月12日
【發(fā)明人】明樂達哉, 南博之, 砂野泰三, 加藤善雄
【申請人】三洋電機株式會社