基板處理裝置和基板處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種對(duì)被處理基板實(shí)施處理的基板處理裝置和基板處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在制造半導(dǎo)體設(shè)備的情況下，對(duì)作為被處理基板的半導(dǎo)體晶圓(以下簡(jiǎn)稱為晶圓)反復(fù)進(jìn)行蝕刻處理、成膜處理等各種處理來制造期望的設(shè)備。
[0003]以往，作為這種進(jìn)行基板處理的裝置，大多使用對(duì)被處理基板逐個(gè)地進(jìn)行基板處理的單片式的處理裝置。然而，為了使處理裝置的生產(chǎn)率提高，也使用在維持單片式的處理裝置的平臺(tái)的狀態(tài)下一次對(duì)兩個(gè)以上的被處理基板實(shí)施基板處理的處理裝置(例如專利文獻(xiàn)I)。
[0004]專利文獻(xiàn)I中記載的基板處理裝置在腔室內(nèi)設(shè)置用于載置多個(gè)被處理基板的基板載置臺(tái)，將多個(gè)處理區(qū)域和用于分離多個(gè)處理區(qū)域的分離區(qū)域沿著基板載置臺(tái)的圓周方向交替地設(shè)置。在進(jìn)行基板處理時(shí)，使基板載置臺(tái)旋轉(zhuǎn)，來使多個(gè)被處理基板按“處理區(qū)域、分離區(qū)域、處理區(qū)域、分離區(qū)域……”這樣的順序通過，由此對(duì)多個(gè)被處理基板實(shí)施不同的氣體條件的基板處理。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-80924號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

_6] 發(fā)明要解決的問題
[0007]在專利文獻(xiàn)I中，為了對(duì)多個(gè)被處理基板實(shí)施不同的氣體條件的基板處理，按每個(gè)處理區(qū)域分別獨(dú)立地設(shè)置排氣機(jī)構(gòu)。因此，基板處理裝置的制造成本升高。
[0008]本發(fā)明是鑒于這種問題而完成的，以提供如下一種基板處理裝置和基板處理方法為課題:在通過多個(gè)處理部分別對(duì)多個(gè)被處理基板進(jìn)行處理時(shí)，能夠共用排氣機(jī)構(gòu)并且實(shí)施不同的氣體條件的基板處理。
[0009]用于解決問題的方案
[0010]為了解決上述問題，本發(fā)明的第一觀點(diǎn)提供一種基板處理裝置，在真空環(huán)境下對(duì)多個(gè)被處理基板實(shí)施規(guī)定的處理，其特征在于，具備:多個(gè)處理部，多個(gè)處理部分別對(duì)上述多個(gè)被處理基板的各處理基板實(shí)施基板處理；氣體供給機(jī)構(gòu)，其對(duì)上述多個(gè)處理部相獨(dú)立地供給處理氣體；共同的排氣機(jī)構(gòu)，其將上述多個(gè)處理部?jī)?nèi)的處理氣體一并排出；以及控制部，其控制上述氣體供給機(jī)構(gòu)和上述排氣機(jī)構(gòu)，其中，在對(duì)上述多個(gè)被處理基板實(shí)施基板處理時(shí)，上述控制部一邊控制上述排氣機(jī)構(gòu)使得從上述多個(gè)處理部一并排出處理氣體，一邊控制上述氣體供給機(jī)構(gòu)使得對(duì)上述多個(gè)處理部相獨(dú)立地供給處理氣體并且阻止產(chǎn)生上述多個(gè)處理部之間的壓力差。
[0011 ] 在上述第一觀點(diǎn)中，優(yōu)選的是，在對(duì)上述多個(gè)被處理基板實(shí)施基板處理時(shí)，上述控制部執(zhí)行第一模式和第二模式，其中，該第一模式是如下模式:一邊從上述多個(gè)處理部共同排出處理氣體，一邊將第一氣體作為處理氣體以相同的氣體條件供給到全部上述多個(gè)處理部，該第二模式是如下模式:一邊控制上述排氣機(jī)構(gòu)使得從上述多個(gè)處理部一并排出處理氣體，一邊對(duì)上述多個(gè)處理部中的一部分處理部供給上述第一氣體并對(duì)上述多個(gè)處理部中的其余處理部供給與上述第一氣體不同的第二氣體，在上述第二模式下，上述控制部控制上述氣體供給機(jī)構(gòu)使得阻止產(chǎn)生上述多個(gè)處理部之間的壓力差。
[0012]另外，優(yōu)選的是，在上述第二模式下，上述控制部以阻止產(chǎn)生上述多個(gè)處理部中的一部分處理部的壓力與上述多個(gè)處理部中的其余處理部的壓力之間的壓力差的方式，控制對(duì)上述多個(gè)處理部中的其余處理部的上述第二氣體的供給量。
[0013]另外，上述第二氣體是非活性氣體和/或與要被處理的被處理基板不發(fā)生反應(yīng)的非反應(yīng)性氣體。
[0014]在上述第二模式下，上述控制部使得在上述多個(gè)處理部中的一部分處理部中，繼續(xù)利用作為處理氣體的第一氣體對(duì)上述被處理基板進(jìn)行基板處理，并且使得在上述多個(gè)處理部中的其余處理部中，停止對(duì)上述被處理基板供給作為處理氣體的第一氣體并將上述第二氣體作為補(bǔ)充氣體進(jìn)行供給來使基板處理停止。
[0015]在該情況下，優(yōu)選的是，上述控制部使得在進(jìn)行上述基板處理之前執(zhí)行壓力穩(wěn)定化，該壓力穩(wěn)定化用于利用調(diào)壓氣體對(duì)上述多個(gè)處理部進(jìn)行調(diào)壓并且使壓力穩(wěn)定化，上述控制部在執(zhí)行該壓力穩(wěn)定化時(shí)，將上述調(diào)壓氣體的流量控制為能夠形成如下的流動(dòng)的流量:該流動(dòng)是上述調(diào)壓氣體流向上述排氣機(jī)構(gòu)的流動(dòng)，該流動(dòng)能夠抑制在上述基板處理的上述第二模式下作為處理氣體的上述第一氣體和作為補(bǔ)充氣體的上述第二氣體在上述多個(gè)處理部之間進(jìn)行反向擴(kuò)散。使用作為在進(jìn)行上述基板處理時(shí)供給的氣體的一部分的不發(fā)生基板處理的氣體作為上述調(diào)壓氣體，使執(zhí)行上述壓力穩(wěn)定化時(shí)的上述調(diào)壓氣體的流量比進(jìn)行上述基板處理時(shí)供給的氣體的流量多即可，優(yōu)選將執(zhí)行上述壓力穩(wěn)定化時(shí)的上述調(diào)壓氣體的流量設(shè)為進(jìn)行上述基板處理時(shí)供給的氣體的流量的三倍以上。
[0016]另外，也可以使用被用作上述第一氣體的稀釋氣體的氣體作為上述第二氣體。
[0017]在上述第一觀點(diǎn)中，能夠設(shè)為以下結(jié)構(gòu):上述多個(gè)處理部的各處理部設(shè)置于一個(gè)共同的腔室內(nèi)，設(shè)置于上述一個(gè)共同的腔室內(nèi)的上述多個(gè)處理部共用上述排氣機(jī)構(gòu)。另外，也能夠設(shè)為以下結(jié)構(gòu):上述多個(gè)處理部的各處理部設(shè)置于各自獨(dú)立的腔室內(nèi)，上述獨(dú)立的腔室共用上述排氣機(jī)構(gòu)。
[0018]本發(fā)明的第二觀點(diǎn)提供一種基板處理方法，使用基板處理裝置在真空環(huán)境下對(duì)多個(gè)被處理基板實(shí)施規(guī)定的處理，該基板處理裝置具備:多個(gè)處理部，該多個(gè)處理部分別對(duì)多個(gè)被處理基板的各被處理基板實(shí)施基板處理；氣體供給機(jī)構(gòu)，其對(duì)上述多個(gè)處理部相獨(dú)立地供給氣體；以及共同的排氣機(jī)構(gòu)，其將上述多個(gè)處理部?jī)?nèi)的氣體一并排出，該基板處理方法的特征在于，在對(duì)上述多個(gè)被處理基板實(shí)施基板處理時(shí)，利用上述排氣機(jī)構(gòu)從上述多個(gè)處理部一并排出處理氣體，利用上述氣體供給機(jī)構(gòu)對(duì)上述多個(gè)處理部相獨(dú)立地供給處理氣體并且阻止產(chǎn)生上述多個(gè)處理部之間的壓力差。
[0019]本發(fā)明的第三觀點(diǎn)提供一種基板處理方法，使用基板處理裝置在真空環(huán)境下對(duì)多個(gè)被處理基板實(shí)施規(guī)定的處理，該基板處理裝置具備:多個(gè)處理部，該多個(gè)處理部分別對(duì)多個(gè)被處理基板的各被處理基板實(shí)施基板處理；氣體供給機(jī)構(gòu)，其對(duì)上述多個(gè)處理部相獨(dú)立地供給氣體；以及共同的排氣機(jī)構(gòu)，其將上述多個(gè)處理部?jī)?nèi)的氣體一并排出，該基板處理方法的特征在于，在對(duì)多個(gè)被處理基板實(shí)施基板處理時(shí)，執(zhí)行第一模式和第二模式，其中，該第一模式是如下模式:一邊從上述多個(gè)處理部共同排出處理氣體，一邊將第一氣體作為處理氣體以相同的氣體條件供給到全部上述多個(gè)處理部，該第二模式是如下模式:一邊控制上述排氣機(jī)構(gòu)使得從上述多個(gè)處理部一并排出處理氣體，一邊對(duì)上述多個(gè)處理部中的一部分處理部供給上述第一氣體并對(duì)上述多個(gè)處理部中的其余處理部供給與上述第一氣體不同的第二氣體，在上述第二模式下，阻止產(chǎn)生上述多個(gè)處理部之間的壓力差。
[0020]在第三觀點(diǎn)中，優(yōu)選的是，在上述第二模式下，以阻止產(chǎn)生上述多個(gè)處理部中的一部分處理部的壓力與上述多個(gè)處理部中的其余處理部的壓力之間的壓力差的方式，控制對(duì)上述多個(gè)處理部中的其余處理部的上述第二氣體的供給量。
[0021]另外，優(yōu)選的是，上述第二氣體是非活性氣體和/或與要被處理的被處理基板不發(fā)生反應(yīng)的非反應(yīng)性氣體。另外，也可以是，在上述第二模式下，在上述多個(gè)處理部中的一部分處理部中，繼續(xù)利用作為處理氣體的第一氣體對(duì)上述被處理基板進(jìn)行基板處理，并且在上述多個(gè)處理部中的其余處理部中，停止對(duì)上述被處理基板供給作為處理氣體的第一氣體并將上述第二氣體作為補(bǔ)充氣體進(jìn)行供給來使基板處理停止。
[0022]在該情況下，優(yōu)選的是，在進(jìn)行上述基板處理之前執(zhí)行壓力穩(wěn)定化工序，在該壓力穩(wěn)定化工序中，利用調(diào)壓氣體對(duì)上述多個(gè)處理部進(jìn)行調(diào)壓并且使壓力穩(wěn)定化，在執(zhí)行該壓力穩(wěn)定化工序時(shí)，將上述調(diào)壓氣體的流量控制為能夠形成如下的流動(dòng)的流量:該流動(dòng)是上述調(diào)壓氣體流向上述排氣機(jī)構(gòu)的流動(dòng)，該流動(dòng)能夠抑制在上述基板處理的上述第二模式下作為處理氣體的上述第一氣體和作為補(bǔ)充氣體的上述第二氣體在上述多個(gè)處理部之間進(jìn)行反向擴(kuò)散。使用作為在進(jìn)行上述基板處理時(shí)供給的氣體的一部分的不發(fā)生基板處理的氣體作為上述調(diào)壓氣體，使執(zhí)行上述壓力穩(wěn)定化工序時(shí)的上述調(diào)壓氣體的流量比進(jìn)行上述基板處理時(shí)供給的氣體的流量多即可，優(yōu)選將執(zhí)行上述壓力穩(wěn)定化工序時(shí)的上述調(diào)壓氣體的流量設(shè)為進(jìn)行上述基板處理時(shí)供給的氣體的流量的三倍以上。
[0023]另外，也可以使用被用作上述第一氣體的稀釋氣體的氣體作為上述第二氣體。
[0024]另外，本發(fā)明的其它觀點(diǎn)提供一種存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)中進(jìn)行動(dòng)作且用于控制基板處理裝置的程序，該存儲(chǔ)介質(zhì)的特征在于，上述程序在被執(zhí)行時(shí)使計(jì)算機(jī)控制上述基板處理裝置來進(jìn)行上述第二觀點(diǎn)或者第三觀點(diǎn)的基板處理方法。
[0025]發(fā)明的效果
[0026]根據(jù)本發(fā)明，在對(duì)多個(gè)被處理基板實(shí)施基板處理時(shí)，一邊控制排氣機(jī)構(gòu)使得從多個(gè)處理部一并排出氣體，一邊對(duì)多個(gè)處理部相獨(dú)立地供給處理氣體并且阻止產(chǎn)生多個(gè)處理部之間的壓力差，因此，在通過多個(gè)處理部對(duì)多個(gè)被處理基板分別進(jìn)行處理時(shí)，能夠共用排氣機(jī)構(gòu)并且實(shí)施不同的氣體條件的基板處理。
【附圖說明】
[0027]圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的一例的截面圖。
[0028]圖2是表示氣體供給機(jī)構(gòu)14的一個(gè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)例的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。
[0029]圖3A是概要性地表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的共同基板處理模式的圖。
[0030]圖3B是概要性地表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的獨(dú)立基板處理模式的圖。
[0031]圖4是概要性地表示參考例所涉及的基板處理模式的圖。
[0032]圖5是表示圖1的基板處理裝置的處理順序的一例的圖。
[0033]圖6是表示圖1的基板處理裝置的處理順