基板處理方法以及基板處理裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種以低成本且高效地在基板的表面上形成凝固體的基板處理方法以及基板處理裝置。使用冷卻構(gòu)件使在水平姿勢的基板的上表面形成的凝固對象液的液膜凝固來形成凝固體的凝固體形成工序包括第一工序和第二工序，在第一工序中，使冷卻構(gòu)件中的溫度比凝固對象液的凝固點低的處理面著落于液膜，使位于由上表面和處理面夾持的區(qū)域的凝固對象液凝固，在第二工序中，從通過第一工序凝固的凝固區(qū)域剝離處理面，凝固區(qū)域和處理面的附著力小于凝固區(qū)域和上表面的附著力。
【專利說明】
基板處理方法以及基板處理裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及對在半導體基板、光掩模用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、等離子顯示用玻璃基板、FED(Field Emiss1n Display:場發(fā)射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板等各種基板(以下僅記為“基板”)的上表面形成的液膜進行凝固的凝固技術(shù)、以及使用該凝固技術(shù)對基板的上表面進行清洗的基板處理方法以及基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導體裝置和液晶顯示裝置等的電子部件等的制造工序中，包括對基板的表面反復實施成膜、蝕刻等處理來形成微細圖案的工序。在此，為了良好地進行微細加工，需要將基板表面保持為清潔的狀態(tài)，根據(jù)需要對基板表面進行清洗處理。在例如JP特開2008-71875號公報記載的裝置中，向基板表面供給去離子水(De 1nized Water:以下記為“DIW”)等液體，使液體凍結(jié)后，利用沖洗液進行解凍除去，由此執(zhí)行對板表面的清洗。
[0003]即，在JP特開2008-71875號公報記載的裝置中，執(zhí)行以下的工序。首先，在表面朝向上方的狀態(tài)下將基板以水平姿勢配置，通過向該基板的表面(上表面)供給DIW，來在基板的整個表面形成DIW的液膜。接著，停止供給DIW，向基板的表面噴射低溫的氮氣來使DIW的液膜凍結(jié)。由此，侵入到顆粒等污染物質(zhì)和基板的表面之間的DIW變成冰，通過進行膨脹，顆粒等污染物質(zhì)從基板離開微小距離。另外，在與基板的表面平行的方向上也進行膨脹，從而剝離在基板上固定的顆粒等。其結(jié)果，基板的表面和顆粒等的污染物質(zhì)之間的附著力降低，進而，顆粒等污染物質(zhì)從基板的表面脫離。之后，利用作為沖洗液的DIW解凍除去在基板的表面上存在的冰，由此，能夠高效地從基板的表面除去顆粒等污染物質(zhì)。
[0004]但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，為了生成低溫的氮氣，需要使用高價的液態(tài)氮，這成為使用于在基板的表面形成凝固體的處理成本增大的主要原因之一。而且，由于作為冷卻介質(zhì)使用低溫氣體，所以在冷卻效率方面未必說良好，期望實現(xiàn)以低成本且高效地使在基板的表面形成的液膜凝固的技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種以低成本且效率地在基板的上表面上形成凝固體的技術(shù)。
[0006]本發(fā)明的一方式的基板處理方法，其特征在于，包括凝固體形成工序，在該凝固體形成工序中，使用冷卻構(gòu)件使在水平姿勢的基板的表面上形成的凝固對象液的液膜凝固來形成凝固體，
[0007]凝固體形成工序包括第一工序和第二工序，在第一工序中，使冷卻構(gòu)件中的溫度比凝固對象液的凝固點低的處理面著落于液膜，來使位于由表面和處理面夾持的區(qū)域的凝固對象液凝固；在第二工序中，從通過第一工序凝固的凝固區(qū)域剝離處理面，
[0008]凝固區(qū)域和處理面的附著力小于凝固區(qū)域和上表面的附著力。
[0009]另外，本發(fā)明的其他方式的一種基板處理裝置，其特征在于，
[0010]具有:
[0011 ]基板保持部，將在表面上形成有凝固對象液的液膜的基板保持為水平姿勢，
[0012]冷卻構(gòu)件，具有溫度比凝固對象液的凝固點低的處理面，
[0013]移動部，使冷卻構(gòu)件相對于由基板保持部保持的基板的表面移動；
[0014]以使處理面著落于液膜的方式使冷卻構(gòu)件移動，對位于由表面和處理面夾持的區(qū)域的凝固對象液進行凝固來形成凝固區(qū)域后，通過移動冷卻構(gòu)件來進行使處理面從凝固區(qū)域剝離的動作，并使液膜凝固來形成凝固體，
[0015]處理面由和凝固區(qū)域的附著力小于凝固區(qū)域和表面的附著力的材料構(gòu)成。
[0016]發(fā)明效果
[0017]如上所述，根據(jù)本發(fā)明，溫度比凝固對象液的凝固點低的處理面著落于液膜，位于由基板的表面和處理面夾持的區(qū)域的凝固對象液被上述處理面高效地凝固，形成凝固區(qū)域。但是，由于使冷卻構(gòu)件的處理面直接與液膜抵接，該凝固區(qū)域不僅附著于基板的表面，而且附著于冷卻構(gòu)件的處理面。因此，為了在基板的表面上形成凝固體，需要緊接著上述凝固動作，將冷卻構(gòu)件從凝固區(qū)域剝離。因此，在本發(fā)明中構(gòu)成為，冷卻構(gòu)件的處理面和凝固區(qū)域的附著力小于基板的表面和凝固區(qū)域的附著力。因此，當冷卻構(gòu)件移動時，在凝固區(qū)域殘存于基板的表面的狀態(tài)下，僅處理面從凝固區(qū)域剝離，能夠以低成本且高效地在基板的表面上形成凝固體。
【附圖說明】
[0018]圖1是示意性地表示用于驗證冷卻構(gòu)件的剝離性的驗證實驗的順序的圖。
[0019]圖2是示意性地表示用于驗證利用冷卻構(gòu)件進行凝固的凝固可能性的驗證實驗的順序的圖。
[0020]圖3是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第一實施方式的圖。
[0021]圖4是圖3的基板處理裝置的局部俯視圖。
[0022]圖5是表示圖3所示的基板處理裝置的動作的流程圖。
[0023]圖6是示意性地表示基板處理裝置的動作的圖。
[0024]圖7是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第二實施方式的圖。
[0025]圖8是表示圖7的基板處理裝置的動作的圖。
[0026]圖9是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第三實施方式的圖。
[0027]圖10是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第四實施方式的圖。
[0028]圖11是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第五實施方式的圖。
[0029]圖12是表示本發(fā)明的基板處理裝置的其他實施方式的圖。
[0030]其中，附圖標記說明如下:
[0031]11第一樣品片(冷卻構(gòu)件)
[0032]12第二樣品片(冷卻構(gòu)件)
[0033]llc、12a、533 處理面
[0034]16、16a、16b 凝固區(qū)域
[0035]19 液膜
[0036]20凝固體
[0037]21旋轉(zhuǎn)基座(基板保持部)
[0038]22卡盤銷(基板保持部)
[0039]41 DIW噴出噴嘴(除去部)
[0040]51頭驅(qū)動機構(gòu)(移動部)
[0041]53冷卻構(gòu)件、直圓錐狀冷卻構(gòu)件
[0042]W 基板
[0043]Wf (基板W的)表面
【具體實施方式】
[0044]A.冷卻構(gòu)件對液膜的直接凝固
[0045]在JP特開2008-71875號公報記載的裝置中，冷卻氣體噴出噴嘴分離配置在形成在基板的表面(上表面)上的DIW的液膜的上方，具有比DIW的凝固點低的溫度的冷卻氣體(例如氮氣)從冷卻氣體噴出噴嘴噴射到液膜。因此，由于作為制冷劑使用氣體成分，所以無法避免冷卻效率下降。因此，本發(fā)明人產(chǎn)生了如下構(gòu)思:使冷卻構(gòu)件(固體)的至少一部分的面(以下稱為“處理面”)冷卻到比液膜的凝固點低的溫度，并使該處理面與液膜直接抵接來使液膜凝固，由此提高冷卻效率。但是，為了使這樣的構(gòu)思具體化，需要對以下的2個技術(shù)事項進行研究。
[0046]A-1.冷卻構(gòu)件的剝離性
[0047]首先，第一點的技術(shù)事項是冷卻構(gòu)件的剝離性。當使冷卻構(gòu)件的處理面著落在液膜上使液膜凝固時，由基板的表面和處理構(gòu)件的處理面夾持的區(qū)域凝固而附著在基板的表面上，但是，這樣凝固的區(qū)域也附著在冷卻構(gòu)件的處理面上。因此，為了在基板的表面良好地形成凝固體，需要緊接著上述凝固動作將冷卻構(gòu)件的處理面從凝固區(qū)域可靠剝離。
[0048]對在材料表面凍結(jié)的冰的附著力、即冰附著力進行各種研究。例如在“關(guān)于防止冰雪附著技術(shù)的研究(第一報)”(北海道立工業(yè)試驗場報告N0.292，1993年，p.13-22)中，測定了各種材料的冰附著力。如在該研究中報告那樣，P T F E (聚四氟乙烯:polytetrafluoroethylene)、氟樹脂涂層鋼板等使用的氟類材料、娃酮類材料、PE(聚乙稀:polyethylene)等比娃基板的冰附著力(3.3[kgf/cm2])低，通過將它們用作構(gòu)成冷卻構(gòu)件的處理面的材料，能夠從凝固區(qū)域(冰區(qū)域)優(yōu)先剝離處理面。因此，本發(fā)明進行圖1所示的驗證實驗來對冷卻構(gòu)件的剝離性進行了驗證。
[0049]圖1是示意性地表示用于驗證冷卻構(gòu)件的剝離性的驗證實驗的順序的圖。為了驗證冷卻構(gòu)件的剝離性，向水平姿勢的硅基板W(以下僅稱為“基板W” )的表面Wf照射紫外線光UV約20分鐘，除去在表面Wf附著的有機物污染(參照圖1的(a))。另一方面，預先準備在鋁基材Ila的下方部貼附有PTFE帶Ilb的第一樣品片11和將PTFE形成為塊狀的第二樣品片12。然后，一邊將第一樣品片11的下表面llc(PTFE帶Ib的PTFE面)以及第二樣品片12的下表面12a當作本發(fā)明的“處理面”，使其與基板W的表面Wf相向，一邊將兩樣品片11、12經(jīng)由間隔件13載置在基板W的表面Wf上。由此，如圖1的(b)所示，第一樣品片11的下表面Ilc以及第二樣品片12的下表面12a從基板W的表面Wf向上方離開間隔件13的厚度，而形成間隙部14。此外，在本驗證實驗中，將間隔件13的厚度設定為2[mm]。
[0050]接著，從注射器15向第一樣品片11的下表面I Ic以及第二樣品片12的下表面12a和基板W的表面Wf的間隙部14注入DIW，利用DIW充滿各間隙部14 (參照圖1的(C))。由此，構(gòu)建與如后述的實施方式所示那樣的冷卻構(gòu)件的處理面著落于在基板W的表面Wf上形成的DIW的液膜的情況等效的著落狀況。然后，保持這樣的著落狀況將基板W容納在冷凍室內(nèi)使DIW凝固，形成凝固區(qū)域16a、16b(參照圖1的(d))。此外，凝固區(qū)域16a是使由第一樣品片11的下表面Ilc以及基板W的表面Wf夾持的區(qū)域的DIW凍結(jié)而成的區(qū)域，凝固區(qū)域16b是使由第二樣品片12的下表面12a以及基板W的表面Wf夾持的區(qū)域的DIW凍結(jié)而成的區(qū)域。另外，在凝固時DIW體積膨脹，但是，凝固區(qū)域16a、16b會從間隙部14向水平方向釋放其體積增加量，在間隙部14存在的DIW在保持與基板W的表面Wf和樣品片11的下表面11c (處理面)以及樣品片12的下表面12a(處理面)緊貼的狀態(tài)下進行凝固，形成凝固區(qū)域。
[0051]從上述研究報告推測出，這樣凝固時在各界面產(chǎn)生的附著力具有如下關(guān)系:
[0052]F11〈F12 …式(I)
[0053]F21〈F22 …式(2)
[0054]其中，
[0055]Fll:凝固區(qū)域16a相對于第一樣品片11的下表面Ilc的冰附著力，
[0056]F12:凝固區(qū)域16a相對于基板W的表面Wf的冰附著力，
[0057]F21:凝固區(qū)域16b相對于第二樣品片12的下表面12a的冰附著力，
[0058]F22:凝固區(qū)域16b相對于基板W的表面Wf的冰附著力。
[0059]因此，如圖1的(e)所示，通過在冷凍室內(nèi)用戴有絕熱手套的手指進行推動，對樣品片11、12的側(cè)面施加水平方向的力Fa、Fb，結(jié)果，在第一樣品片11以及第二樣品片12中，基板W的表面Wf和凝固區(qū)域16a、16b都牢牢地附著在一起，在第一樣品片11的下表面I Ic和凝固區(qū)域16a的界面，第一樣品片11從凝固區(qū)域16a發(fā)生剝離，在第二樣品片12的下表面12a和凝固區(qū)域16b的界面，第二樣品片12從凝固區(qū)域16b發(fā)生剝離。由此，如圖1的(f)所示，在基板W的表面Wf上形成所期望的形狀的凝固區(qū)域16a、16b，并且樣品片11、12分別良好地從凝固區(qū)域16a、16b剝離。
[0060]因而，從圖1所示的驗證實驗可知，在利用冷卻構(gòu)件使液膜凝固時，即使冷卻構(gòu)件的處理面與凝固區(qū)域附著，通過使構(gòu)成冷卻構(gòu)件的處理面的材料滿足下述關(guān)系:
[0061](凝固區(qū)域相對于處理面的冰附著力)〈(凝固區(qū)域相對于表面Wf的冰附著力)，就能夠使冷卻構(gòu)件從凝固區(qū)域優(yōu)先剝離，使凝固區(qū)域在保持所期望的形狀的狀態(tài)下可靠地殘存于基板W的表面Wf。此外，在此，對使用DIW作為本發(fā)明的“凝固對象液”的情況進行了說明，但是，在將其他的液體用作本發(fā)明的“凝固對象液”的情況也同樣。
[0062]A-2.冷卻構(gòu)件對液膜進行凝固的凝固可能性
[0063]在上述驗證實驗中，通過在冷凍室容納基板W來使液膜凝固，但是，需要對使冷卻構(gòu)件著落在液膜上來使液膜凝固是否合理進行驗證。因此，本發(fā)明人進行圖2所示的驗證實驗來驗證利用冷卻構(gòu)件進行凝固的凝固可能性。
[0064]圖2是示意性地表示用于對利用冷卻構(gòu)件進行凝固的凝固可能性進行驗證的驗證實驗的順序的圖。為了驗證利用冷卻構(gòu)件進行凝固的凝固可能性，準備具有與在圖1所示的驗證實驗中使用的第一樣品片同樣的結(jié)構(gòu)的樣品片11作為冷卻構(gòu)件，如圖2的(a)所示，將樣品片11浸漬于在罐18內(nèi)貯存的液態(tài)氮中來對樣品片11進行冷卻。然后，從罐18取出被冷卻的樣品片11至室溫環(huán)境中，構(gòu)成樣品片11的鋁基材Ila的溫度升溫直到_30°C(參照圖2的(b))。此外，調(diào)整至-30°C的樣品片11的處理面Ilc的溫度(PTFE帶Ilb的表面溫度)為-10°C。
[0065]另一方面，與樣品片11的冷卻以及溫度調(diào)整并行，準備具有DIW的液膜的基板W。在該驗證實驗中，也向基板W的表面Wf照射紫外線光來除去有機物污染，在該表面Wf形成的DIW的液膜19為室溫(21°C)。然后，以如上述那樣溫度被調(diào)整的樣品片11的處理面Ilc著落于該液膜19的方式將樣品片11載置在基板W的表面Wf (參照圖2的(C))。進而，如圖2的(d)所示，通過等待1秒鐘，由樣品片11的下表面11 c以及基板W的表面Wf夾持的區(qū)域的DIW被凍結(jié)，形成凝固區(qū)域16a。然后，通過利用戴有絕熱手套的手指進行推動，對樣品片11的側(cè)面施加水平方向的力Fa，結(jié)果確認，樣品片11順利地從凝固區(qū)域16a剝離并向水平方向移動，并且，液膜19中的樣品片11通過的區(qū)域被凍結(jié)，凝固區(qū)域16a向水平方向擴寬(參照圖2的(e))o
[0066]從圖2所示的驗證實驗可知，通過使被調(diào)整至比DIW的凝固點低的溫度的冷卻構(gòu)件的處理面著落于液膜，能夠使被處理面和基板W的表面Wf夾持的區(qū)域凝固。而且，確認了冷卻構(gòu)件的溫度在-30°c左右能夠進行凝固，使冷卻構(gòu)件與液膜直接接觸使液膜凝固是合理的。進而，在圖2的驗證實驗中也同時確認，能夠使冷卻構(gòu)件從凝固區(qū)域優(yōu)先剝離，使凝固區(qū)域保持所期望的形狀可靠地殘存于基板W的表面Wf。
[0067]A-3.總結(jié)
[0068]基于上述的2個驗證實驗可知，能夠通過使溫度比液膜的凝固點低的冷卻構(gòu)件的處理面與液膜直接抵接來形成凝固區(qū)域，而且，通過利用如能由人的手指進行推動的程度的小的力使冷卻構(gòu)件移動，在使凝固區(qū)域殘存于基板W的表面Wf上的狀態(tài)下使冷卻構(gòu)件從凝固區(qū)域剝離。于是，本發(fā)明人實現(xiàn)了使上述的構(gòu)思具體化的實施方式。以下，參照圖3至圖6對本發(fā)明的基板處理裝置以及基板處理方法的第一實施方式進行詳細說明。
[0069]B.第一實施方式
[0070]圖3是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第一實施方式的圖。另外，圖4是圖3的基板處理裝置的局部俯視圖。該基板處理裝置是在用于除去在半導體晶片等的基板W的表面Wf上附著的顆粒等的污染物質(zhì)的清洗處理中使用的單張式的基板處理裝置。此外，在圖3以及圖4中，為了明確各圖的方向關(guān)系，示出了 XYZ直角坐標軸。
[0071]該基板處理裝置具有比基板W大一些的平面尺寸的旋轉(zhuǎn)基座21。另外，在旋轉(zhuǎn)基座21的周緣部附近立設有用于把持基板W的周緣部的多個卡盤銷22?？ūP銷22設置有3個以上即可，以可靠地保持圓形的基板W，卡盤銷22沿著旋轉(zhuǎn)基座21的周緣部以等角度間隔配置。各卡盤銷22具有對基板W的周緣部從下方進行支撐的基板支撐部和對由基板支撐部支撐的基板W的外周端面進行推壓來保持基板W的基板保持部。另外，各卡盤銷22能夠在基板保持部對基板W的外周端面進行推壓的推壓狀態(tài)和基板保持部從基板W的外周端面離開的分離狀態(tài)之間進行切換，根據(jù)來自對裝置整體進行控制的控制單元90的動作指令來執(zhí)行狀態(tài)切換。
[0072]更詳細地說，在向旋轉(zhuǎn)基座21交付基板W時，使各卡盤銷22處于分離狀態(tài)，在對基板W進行清洗處理時，使各卡盤銷22處于推壓狀態(tài)。當各卡盤銷22處于推壓狀態(tài)時，各卡盤銷22把持基板W的周緣部，基板W與旋轉(zhuǎn)基座21隔開規(guī)定間隔保持為水平姿勢。由此，基板W以表面Wf朝向上方的狀態(tài)被保持。這樣，在本實施方式中，由旋轉(zhuǎn)基座21和卡盤銷22保持基板W，但是基板保持方式并不限于，例如也可以通過旋轉(zhuǎn)卡盤等的吸附方式來保持基板W。
[0073]如圖3所示，在旋轉(zhuǎn)基座21上連接有旋轉(zhuǎn)軸31。該旋轉(zhuǎn)軸31經(jīng)由帶32與馬達33的輸出旋轉(zhuǎn)軸34連接。并且，當馬達33基于來自控制單元90的控制信號進行動作時，旋轉(zhuǎn)軸31伴隨馬達驅(qū)動進行旋轉(zhuǎn)。由此，在旋轉(zhuǎn)基座21的上方且由卡盤銷22保持的基板W與旋轉(zhuǎn)基座21一起圍繞旋轉(zhuǎn)軸心Pa旋轉(zhuǎn)。
[0074]用于向這樣被驅(qū)動旋轉(zhuǎn)的基板W的表面Wf供給DIW的DIW噴出噴嘴41配置在旋轉(zhuǎn)基座21的上方位置。DIW供給部42經(jīng)由開閉閥43與該DIW噴出噴嘴41連接。該開閉閥43平時關(guān)閉，如后述那樣，在基板W上形成DIW的液膜時以及對基板W進行沖洗處理時，根據(jù)來自控制單元90的打開指令來打開開閉閥43。另外，該DIW噴出噴嘴41安裝在水平延伸設置的第一臂44的頂端部。該第一臂44的后端部被沿著鉛垂方向Z延伸設置的旋轉(zhuǎn)軸45支撐為能夠圍繞旋轉(zhuǎn)中心軸Jl自由旋轉(zhuǎn)。并且，在旋轉(zhuǎn)軸45上連接有噴嘴驅(qū)動機構(gòu)46，旋轉(zhuǎn)軸45根據(jù)來自控制單元90的動作指令被驅(qū)動圍繞旋轉(zhuǎn)中心軸Jl旋轉(zhuǎn)。由此，在第一臂44的頂端部安裝的DIW噴出噴嘴41如圖4的虛線所示那樣能夠移動到基板W的表面Wf的上方側(cè)，另外，如該圖的實線所示那樣能夠移動到從基板W離開的待機位置。
[0075]另外，在本實施方式中，除了第一臂44外，第二臂52被水平延伸設置。在第二臂52的頂端部安裝有冷卻構(gòu)件53，另一方面，在后端部連接有頭驅(qū)動機構(gòu)51。如圖3所示，該頭驅(qū)動機構(gòu)51具有旋轉(zhuǎn)馬達511。并且，旋轉(zhuǎn)馬達511的旋轉(zhuǎn)軸512與第二臂52的后端部連接，當旋轉(zhuǎn)馬達511根據(jù)來自控制單元90的控制信號進行動作時，第二臂52圍繞旋轉(zhuǎn)中心J2擺動，使冷卻構(gòu)件53在基板W的表面中央部的上方位置和退避位置之間往復移動。此外，在本說明書中，將冷卻構(gòu)件53從退避位置向基板W的表面中央部的上方位置移動的動作以及方向分別稱為“去程動作”以及“去程方向”，另一方面，反之將冷卻構(gòu)件53從基板W的表面中央部的上方位置向退避位置移動的動作以及方向分別稱為“回程動作”以及“回程方向”。
[0076]搭載有旋轉(zhuǎn)馬達511的升降基座514滑動自由地與立設的引導件515嵌合安裝，并且與和引導件515并排設置的滾珠絲杠516螺合。該滾珠絲杠516與升降馬達517的旋轉(zhuǎn)軸連動連接。另外，該升降馬達517根據(jù)來自控制單元90的控制信號進行動作，使?jié)L珠絲杠516旋轉(zhuǎn)來使冷卻構(gòu)件53在上下方向上升降。這樣，頭驅(qū)動機構(gòu)51是使冷卻構(gòu)件53升降以及往復移動的機構(gòu)。
[0077]該冷卻構(gòu)件53具有與樣品片11同樣的結(jié)構(gòu)。即，冷卻構(gòu)件53具有比基板W的表面Wf小的基臺531和在基臺531的下方部貼附的PTFE帶532，PTFE帶532中的朝向旋轉(zhuǎn)基座21的下表面533(參照圖6的(a))相當于本發(fā)明的“處理面”。并且，當通過上述回程動作使冷卻構(gòu)件53移動到退避位置時，冷卻構(gòu)件53被在該退避位置設置的溫度調(diào)整部54(參照圖2)調(diào)整為適于凍結(jié)清洗的溫度(在本實施方式中為-30°C )。另一方面，當通過上述去程動作使冷卻構(gòu)件53定位在基板W的表面中央部的上方，進而使其下降時，冷卻構(gòu)件53的處理面著落于在基板W的表面Wf形成的DIW的液膜，對由冷卻構(gòu)件53的處理面和基板W的表面Wf夾持的區(qū)域進行凝固。這樣，冷卻構(gòu)件53具有作為凍結(jié)頭的功能。
[0078]另外，在利用基板處理裝置進行液膜形成處理、凍結(jié)及剝離處理和沖洗處理等各種處理期間，為了防止DIW向基板W以及旋轉(zhuǎn)基座21的周邊飛散，飛散防止杯61以包圍旋轉(zhuǎn)基座21的方式設置。即，根據(jù)來控制單元90的控制信號，杯升降驅(qū)動機構(gòu)62將杯61定位在規(guī)定位置，由此，如圖3所示，杯61從側(cè)方位置包圍由旋轉(zhuǎn)基座21以及卡盤銷22保持的基板W，能夠捕獲從旋轉(zhuǎn)基座21以及基板W飛散的DIW。
[0079]圖5是表示圖3所示的基板處理裝置的動作的流程圖。另外，圖6是示意性地表示基板處理裝置的動作的圖。在該裝置中，當將未處理的基板W搬入裝置內(nèi)時，控制單元90對裝置各部進行控制來對該基板W執(zhí)行一系列的處理。在此，預先以表面Wf朝向上方的狀態(tài)將基板W裝載于基板處理裝置，并由卡盤銷22保持。
[0080]在搬入基板W后，控制單元90驅(qū)動馬達33使旋轉(zhuǎn)基座21旋轉(zhuǎn)，并且通過噴嘴驅(qū)動機構(gòu)46使第一臂44轉(zhuǎn)動，將DIW噴出噴嘴41移動到基板W的旋轉(zhuǎn)軸心Pa附近，并將DIW噴出噴嘴41的噴出口(省略圖示)朝向基板W的表面Wf的旋轉(zhuǎn)中心部進行定位。然后，控制單元90對DIW供給部42以及開閉閥43進行控制來從DIW供給部42供給DIW，從DIW噴出噴嘴41噴出DIW。被供給到基板W的表面Wf的中央部上的DIW借助由基板W的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力，向基板W的徑向外側(cè)均勻擴展，其一部分被甩到基板W外。由此，在基板W的整個表面Wf對DIW的液膜的厚度進行均勻地控制，在基板W的表面Wf整體形成具有規(guī)定的厚度的液膜19(圖6)(液膜形成處理:步驟SI)。此外，在形成液膜時，如上所述，甩掉供給到基板W的表面Wf上的DIW并不是必須的要件。例如也可以在使基板W的旋轉(zhuǎn)停止的狀態(tài)或使基板W以比較低速旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，不從基板W甩掉DIW來在基板W的表面Wf上形成液膜19。此外，在本實施方式中，在保持DIW噴出噴嘴41朝向基板W的表面Wf的狀態(tài)下進入下一個步驟S2，但是，也可以在液膜形成完成后，使第一臂42反向轉(zhuǎn)動，使DIW噴出噴嘴41從基板W的上方位置向退避位置(圖4的實線位置)移動，在如后述那樣進行沖洗處理時，再次使DIW噴出噴嘴41移動并定位。
[0081 ]在下一個步驟S2中，控制單元90使基板W的旋轉(zhuǎn)停止，并且，利用頭驅(qū)動機構(gòu)51使第二臂52沿去程方向轉(zhuǎn)動，使冷卻構(gòu)件53移動到基板表面W的旋轉(zhuǎn)中心部的正上方位置，使處理面533與基板W的表面中央部相向(圖6的(a))。
[0082]并且，控制單元90進一步控制頭驅(qū)動機構(gòu)51來使第二臂52整體下降，使冷卻構(gòu)件53的處理面533著落于液膜19。于是，如圖6的(b)所示，液膜19中的由處理面533和基板W的表面Wf夾持的區(qū)域的DIW凝固而形成凝固區(qū)域16(步驟S3)。由此，在該凝固區(qū)域16中，在基板W的表面Wf上附著的顆粒PT從原來的附著位置離開而被從基板W的表面Wf除去。此外，此時的冷卻構(gòu)件53的位置(在圖6的(b)示出的冷卻構(gòu)件53的位置)相當于本發(fā)明的“初始位置”。
[0083]緊接著，控制單元90再次使基板W開始旋轉(zhuǎn)，并利用頭驅(qū)動機構(gòu)51使第二臂52沿回程方向轉(zhuǎn)動，使冷卻構(gòu)件53以從上述初始位置沿回程方向離開的方式移動。由此，如圖6的
(c)所示，處理面533從在步驟S3形成的凝固區(qū)域16剝離(步驟S4)。此外，在本實施方式中，由于基板W圍繞旋轉(zhuǎn)軸心Pa旋轉(zhuǎn)并且冷卻構(gòu)件53在徑向上移動，因此，從鉛垂上方俯視觀察，處理面533以呈螺旋狀且從旋轉(zhuǎn)軸心Pa沿徑向離開的方式移動。并且，在處理面533與基板W的表面Wf相向移動的期間，也就是直到在步驟S5判定為“是”為止的期間，反復對冷卻構(gòu)件53所移動到的位置處被處理面533和基板W的表面Wf夾持的區(qū)域的DIW進行凝固處理(步驟S3)以及剝離處理(步驟S4)，由此將凝固區(qū)域16在徑向上擴寬。
[0084]另一方面，當在步驟S5判斷為“是”、即如圖6的(d)所示那樣對于基板W的表面Wf整體完成液膜19的凝固而在表面Wf形成凝固體20(凝固以及剝離處理完成)時，控制單元90利用頭驅(qū)動機構(gòu)51使第二臂52沿回程方向進一步轉(zhuǎn)動，使冷卻構(gòu)件53移動到退避位置(步驟S6)。然后，準備下一次的凝固處理，利用溫度調(diào)整部54對冷卻構(gòu)件53進行溫度調(diào)整。
[0085]這樣，當凝固以及剝離處理完成時，控制單元90打開開閉閥43將DIW向基板W的表面Wf供給。從DIW噴出噴嘴41供給的DIW借助離心力成為流水而在基板W的表面Wf擴展，該流水的一部分對凝固體20進行解凍(解凍處理:步驟S7) ο進而，繼續(xù)供給來自DIW噴出噴嘴41的DIW，來對基板W的表面Wf實施沖洗處理，將利用凝固以及剝離處理從基板W的表面Wf除去的顆粒與DIW—起從基板W的表面Wf除去(沖洗處理(除去工序):步驟S8)。當該沖洗處理完成時，控制單元90關(guān)閉開閉閥43停止供給DIW，并且，利用噴嘴驅(qū)動機構(gòu)46使DIW噴出噴嘴41移動到從基板W離開的退避位置后，使基板W旋轉(zhuǎn)干燥(旋轉(zhuǎn)干燥處理:步驟S9)。
[0086]如以上那樣，在本實施方式中，在將冷卻構(gòu)件53的處理面533調(diào)整到比液膜19的凝固點低的低溫后，使該處理面533著落于液膜19來使液膜凝固，因此，與使用冷卻氣體的現(xiàn)有技術(shù)相比，高效地形成凝固區(qū)域16。另外，由于使低溫的處理面533與液膜19直接接觸，冷卻構(gòu)件53附著于凝固區(qū)域16，但是，通過使處理面533由PTFE構(gòu)成，冷卻構(gòu)件53的處理面533和凝固區(qū)域16的附著力小于基板W的表面Wf和凝固區(qū)域16的附著力。其結(jié)果，通過使冷卻構(gòu)件53沿徑向移動，在基板W的表面Wf上殘存凝固區(qū)域16的狀態(tài)下，使處理面533從凝固區(qū)域16剝離。這樣，根據(jù)本實施方式，能夠以低成本且高效地在基板W的表面Wf上形成所期望的形狀的凝固體20。
[0087]并且，通過將該凝固技術(shù)應用于所謂的凍結(jié)清洗技術(shù)，能夠大幅縮短對I張基板W進行凍結(jié)清洗所需的時間、所謂的生產(chǎn)節(jié)拍時間(tact time)，而且能夠抑制凍結(jié)清洗的成本。
[0088]C.第二實施方式
[0089]圖7是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第二實施方式的圖。另外，圖8是表示圖7的基板處理裝置的動作的圖。第二實施方式與第一實施方式顯著不同之處在于冷卻構(gòu)件53的結(jié)構(gòu)，冷卻構(gòu)件53在第二臂52平行的方向上延伸設置。并且，控制單元90利用頭驅(qū)動機構(gòu)51使第二臂52向去程方向上轉(zhuǎn)動，當如圖7中的虛線以及圖8的(a)所示那樣使冷卻構(gòu)件53的頂端部移動到基板表面W的旋轉(zhuǎn)中心部的正上方位置時，冷卻構(gòu)件53的處理面533與基板W的從表面中央部至表面周緣部為止的表面區(qū)域相向。即，處理面533具有矩形形狀，并以與基板W的旋轉(zhuǎn)中心部至端緣部的距離相同的長度或其以上的長度延伸設置。另外，伴隨冷卻構(gòu)件53的形狀的變更，如圖7所示，溫度調(diào)整部54在與定位于退避位置上的第二臂52平行的方向上延伸設置。此外，其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式相同，因此對同一結(jié)構(gòu)標注同一附圖標記并省略結(jié)構(gòu)說明。
[0090]在這樣構(gòu)成的第二實施方式中，當將未處理的基板W搬入裝置內(nèi)時，基板W以表面Wf朝向上方的狀態(tài)被卡盤銷22保持后，在基板W的表面Wf整體形成具有規(guī)定的厚度的液膜19(液膜形成處理)。緊接著，控制單元90使基板W的旋轉(zhuǎn)停止，并且利用頭驅(qū)動機構(gòu)51使第二臂52沿去程方向轉(zhuǎn)動，將冷卻構(gòu)件53定位呈如下狀態(tài):從基板W的表面Wf的旋轉(zhuǎn)中心部的正上方位置延伸至基板W的表面Wf的(-X)側(cè)端緣部的正上方位置(圖8的(a))。
[0091]然后，控制單元90進一步控制頭驅(qū)動機構(gòu)51來使第二臂52整體下降以使冷卻構(gòu)件53的處理面533著落于液膜19。于是，如圖8的(b)所示，液膜19中的由處理面533和基板W的表面Wf夾持的區(qū)域的DIW凝固，一次形成在徑向上比第一實施方式長的矩形形狀的凝固區(qū)域16。此外，在該第二實施方式中，此時的冷卻構(gòu)件53的位置(在圖8的(b)示出的冷卻構(gòu)件53的位置)相當于本發(fā)明的“初始位置”。
[0092]緊接著，控制單元90在保持冷卻構(gòu)件53靜止的狀態(tài)下使基板W再次開始旋轉(zhuǎn)，使基板W旋轉(zhuǎn)至少I周以上。由此，如圖8的(C)所示，在基板W的表面Wf整體形成凝固體20。然后，控制單元90利用頭驅(qū)動機構(gòu)51控制第二臂52的移動使冷卻構(gòu)件53從凝固體20完全剝離，進而使冷卻構(gòu)件53移動到退避位置。并且，準備下一次的凝固處理，利用溫度調(diào)整部54對冷卻構(gòu)件53進行溫度調(diào)整。這樣，當凝固以及剝離處理完成時，控制單元90與第一實施方式同樣地進行凝固體20的解凍處理、沖洗處理以及旋轉(zhuǎn)干燥處理。
[0093]如上所述，在第二實施方式中，也使溫度比液膜19的凝固點低的處理面533著落于液膜19來使液膜19凝固，而且處理面533由PTFE構(gòu)成，因此能夠以低成本且高效地在基板W的表面Wf上形成所期望的形狀的凝固體20。另外，在第二實施方式中，由于一次形成的凝固區(qū)域16的面積比第一實施方式寬，因此能夠縮短對I張基板W進行凍結(jié)清洗所需的時間、所謂的生產(chǎn)節(jié)拍時間，實現(xiàn)生產(chǎn)效率(生產(chǎn)能力)的進一步提高。此外，在上述第二實施方式中，將處理面533加工成在與第二臂52平行的方向(長度方向)上延伸設置的矩形，但是也可以加工成其他形狀、例如橢圓形或圓角矩形等。
[0094]D.第三實施方式
[0095]在上述第二實施方式中，將冷卻構(gòu)件53加工成長方體形狀，但是也可以將冷卻構(gòu)件53如圖9所示那樣加工成直線圓錐形狀。以下參照圖9對第三實施方式進行說明。
[0096]圖9是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第三實施方式的圖。在第三實施方式中，使用具有基板W的半徑以上的母線534的直圓錐狀冷卻構(gòu)件53。冷卻構(gòu)件53是將直圓錐形狀的基臺531的頂部以及側(cè)面用PTFE覆蓋而成的，圓錐面作為處理面533發(fā)揮功能。利用省略圖示的頭驅(qū)動機構(gòu)，能夠驅(qū)動直圓錐狀冷卻構(gòu)件53接近或離開基板W的表面Wf。另外，直圓錐狀冷卻構(gòu)件53構(gòu)成為，能夠以從頂點535延伸至底面中央部的旋轉(zhuǎn)軸心536為旋轉(zhuǎn)中心進行自由旋轉(zhuǎn)。此外，其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式相同，因此對同一結(jié)構(gòu)標注同一附圖標記并省略結(jié)構(gòu)說明。
[0097]在這樣構(gòu)成的第三實施方式中，當將未處理的基板W搬入裝置內(nèi)時，基板W以表面Wf朝向上方的狀態(tài)被卡盤銷22保持后，在基板W的表面Wf整體形成具有規(guī)定的厚度的液膜19(液膜形成處理)。緊接著，控制單元90使基板W的旋轉(zhuǎn)停止，并且利用頭驅(qū)動機構(gòu)將冷卻構(gòu)件53定位成如下狀態(tài):頂點535位于基板W的表面Wf的旋轉(zhuǎn)中心部的正上方位置，并且母線534與表面Wf平行地延伸到基板W的表面Wf的端緣部的正上方位置(圖9的(a))。
[0098]并且，控制單元90進一步對頭驅(qū)動機構(gòu)進行控制來使冷卻構(gòu)件53向鉛垂下方下降以使冷卻構(gòu)件53的處理面533著落于液膜19。于是，如圖9的(b)所示，液膜19中的由處理面533和基板W的表面Wf夾持的區(qū)域的DIW凝固，一次形成在徑向長的線狀的凝固區(qū)域16。此夕卜，在該第三實施方式中，此時的冷卻構(gòu)件53的位置(圖9的(b)示出的冷卻構(gòu)件53的位置)相當于本發(fā)明的“初始位置”。
[0099]緊接著，控制單元90驅(qū)動基板W圍繞旋轉(zhuǎn)軸心Pa旋轉(zhuǎn)至少I圈以上，并且與該基板旋轉(zhuǎn)同步地驅(qū)動冷卻構(gòu)件53圍繞旋轉(zhuǎn)軸心536旋轉(zhuǎn)。由此，如圖9的(c)所示，在基板W的表面Wf整體形成凝固體20。然后，控制單元90利用頭驅(qū)動機構(gòu)使冷卻構(gòu)件53向鉛垂上方上升后，停止冷卻構(gòu)件53的旋轉(zhuǎn)。當然，也可以在旋轉(zhuǎn)停止后或同時使冷卻構(gòu)件53向鉛垂上方上升。并且，準備下一次的凝固處理，利用溫度調(diào)整部(省略圖示)對冷卻構(gòu)件53進行溫度調(diào)整。這樣一來，當凝固以及剝離處理完成時，控制單元90與第一實施方式同樣地進行凝固體20的解凍處理、沖洗處理以及旋轉(zhuǎn)干燥處理。
[0100]如上所述，在第三實施方式中，也使溫度比液膜19的凝固點低的處理面533著落于液膜19來使液膜19凝固，而且處理面533由PTFE構(gòu)成，因此，能夠以低成本且高效地在基板W的表面Wf上形成所期望的形狀的凝固體20。
[0101]E.第四實施方式
[0102]在上述實施方式中，在基板W的表面Wf形成液膜19(液膜形成處理)后使冷卻構(gòu)件53著落于液膜19，但是也可以圖10所示那樣從冷卻構(gòu)件53供給DIW來形成凝固體20。
[0103]圖10是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第四實施方式的圖。該第四實施方式與第二實施方式顯著不同之處在于，在冷卻構(gòu)件53設置有多個貫通孔537，從DIW供給部42(參照圖3)輸送來的DIW經(jīng)由各貫通孔537向處理面533和基板W的表面Wf之間供給。通過使用具有這種結(jié)構(gòu)的冷卻構(gòu)件53，能夠省略液膜形成處理。
[0104]F.第五實施方式
[0105]在上述實施方式中，冷卻構(gòu)件53的處理面533都比基板W的表面Wf窄(S卩，處理面533與基板W的表面Wf接觸時不會從基板W的表面Wf向外側(cè)突出且不會完全覆蓋基板W的表面wf)，一邊對液膜19的一部分進行凝固來形成凝固區(qū)域16，一邊使冷卻構(gòu)件53相對于基板W的表面Wf移動來形成凝固體20，但是，如圖11所示，也可以利用冷卻構(gòu)件53對液膜19一次凝固后，剝離冷卻構(gòu)件53來形成凝固體20。
[0106]圖11是表示本發(fā)明的基板處理裝置的第五實施方式的圖。該第五實施方式與第一實施方式顯著不同之處在于，冷卻構(gòu)件53具有基板W的表面Wf同一形狀的處理面533;利用省略圖示的頭驅(qū)動機構(gòu)使冷卻構(gòu)件53在基板W的正上方位置、使冷卻構(gòu)件53的處理面533著落于液膜19的著落位置、從正上方位置以及著落位置離開的退避位置之間移動。此外，其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式基本相同，因此對同一結(jié)構(gòu)標注同一附圖標記并省略結(jié)構(gòu)說明。
[0107]在這樣構(gòu)成的第五實施方式中，當將未處理的基板W搬入裝置內(nèi)時，基板W以表面Wf朝向上方的狀態(tài)被卡盤銷22保持后，在基板W的表面Wf整體形成具有規(guī)定的厚度的液膜19(液膜形成處理)。緊接著，控制單元90停止基板W的旋轉(zhuǎn)，并且利用頭驅(qū)動機構(gòu)將冷卻構(gòu)件53定位在基板W的表面W的正上方位置(圖11的(a))。由此，液膜19整體由冷卻構(gòu)件53的處理面533從鉛垂上方覆蓋。
[0108]然后，控制單元90進一步控制頭驅(qū)動機構(gòu)來使冷卻構(gòu)件53下降以使冷卻構(gòu)件53的處理面533著落于液膜19。于是，如圖11的(b)所示，液膜19整體凝固，一次形成凝固體20。緊接著，控制單元90控制頭驅(qū)動機構(gòu)來使冷卻構(gòu)件53移動到退避位置(圖11的(c))，準備下一次的凝固處理，利用溫度調(diào)整部(省略圖示)對冷卻構(gòu)件53進行溫度調(diào)整。這樣一來，當凝固以及剝離處理完成時，控制單元90與第一實施方式同樣進行凝固體20的解凍處理、沖洗處理以及旋轉(zhuǎn)干燥處理。
[0109]如上所述，在第五實施方式中，也使溫度比液膜19的凝固點低的處理面533著落于液膜19來使液膜19凝固，而且處理面533由PTFE構(gòu)成，因此，能夠以低成本且高效地在基板W的表面Wf上形成所期望的形狀的凝固體20。另外，在第五實施方式中，由于一次形成凝固體20，所以能進一步縮短生產(chǎn)節(jié)拍時間，進一步提高生產(chǎn)能力(throughput)。
[0110]此外，在第五實施方式中，冷卻構(gòu)件53具有與基板W的表面Wf同一形狀的處理面533 (S卩，處理面533與基板W的表面Wf接觸時完全覆蓋基板W的表面Wf且不會從基板W的表面Wf突出)，但是，也可以使用具有比基板W的表面Wf寬的處理面533的冷卻構(gòu)件53(8卩，處理面533與基板W的表面Wf接觸時完全覆蓋基板W的表面Wf且從基板W的表面Wf突出)，利用冷卻構(gòu)件53的處理面533對液膜19的各部同時進行冷卻來使其凝固。
[0111]G.其他
[0112]在上述的實施方式中，基板W以表面Wf朝向上方的水平姿勢保持在旋轉(zhuǎn)基座21上，基板W的表面Wf相當于本發(fā)明的“基板的上表面”的一例，旋轉(zhuǎn)基座21以及卡盤銷22相當于本發(fā)明的“基板保持部”的一例。另外，基板W的表面中央部相當于本發(fā)明的“上表面中央部”。另外，步驟S3、S4分別相當于本發(fā)明的“第一工序”以及“第二工序”，包含它們的工序相當于本發(fā)明的“凝固體形成工序”的一例。另外，步驟S8相當于本發(fā)明的“除去工序”的一例。進而，頭驅(qū)動機構(gòu)51以及DIW噴出噴嘴41分別相當于本發(fā)明的“移動部”以及“除去部”的一例。
[0113]此外，本發(fā)明并不限于上述的實施方式，只要不脫離其宗旨，除了上述以外還能夠進行各種變更。例如，在上述實施方式中，將在基臺531的下方部貼附有PTFE帶532而成的構(gòu)件作為冷卻構(gòu)件53，但是，與圖1的第二樣品片12同樣，可以將形成為所期望的形狀的PTFE塊作為冷卻構(gòu)件53來使用，在該情況下，PTFE塊的下表面作為處理面發(fā)揮功能。
[0114]另外，在上述實施方式中，由PTFE構(gòu)成處理面533，但是也可以由和凝固區(qū)域16的附著力小于凝固區(qū)域16和基板W的表面(上表面)Wf的附著力的材料、例如PTFE以外的氟類材料、硅酮類材料、PE等構(gòu)成處理面533。
[0115]另外，在上述實施方式中，使冷卻構(gòu)件53移動到退避位置，在該退避位置，準備下一次的凝固以及剝離處理，利用溫度調(diào)整部54對冷卻構(gòu)件53進行溫度調(diào)整，但是，也可以如圖12所示那樣構(gòu)成。在該實施方式中，可以在冷卻構(gòu)件53上安裝溫度調(diào)整機構(gòu)55，并且從溫度控制部56接收電信號或制冷劑等，對冷卻構(gòu)件53的處理部533的溫度進行實時調(diào)整。由此，能夠利用冷卻構(gòu)件53以高的面內(nèi)均勻性進行凝固處理，比較理想。
[0116]另外，在上述實施方式中，向基板W供給作為凝固對象液的DIW，但是，作為凝固對象液并不限于DIW，也能夠使用純水、超純水、含氫水、碳酸水等，甚至還能夠使用SCl等液體。
[0117]另外，在上述各實施方式中，為了解凍(融解)除去凝固體20，向基板W供給DIW，但是，作為解凍液或融解液，并不限于DIW，也能夠使用純水、超純水、含氫水、碳酸水等，甚至還能夠使用SCl等液體。
[0118]另外，在上述各實施方式中，凝固對象液和解凍液(融解液)為相同的DIW，但是可以為各自不同的液體。
[0119]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0120]本發(fā)明能夠適用于對在基板的上表面上形成的液膜進行凝固的所有凝固技術(shù)、以及使用該凝固技術(shù)來對基板實施所謂的凍結(jié)清洗處理的基板處理方法以及基板處理裝置。
【主權(quán)項】
1.一種基板處理方法，其特征在于， 包括凝固體形成工序，在該凝固體形成工序中，使用冷卻構(gòu)件使在水平姿勢的基板的上表面上形成的凝固對象液的液膜凝固來形成凝固體， 所述凝固體形成工序包括第一工序和第二工序，在所述第一工序中，使所述冷卻構(gòu)件中的溫度比所述凝固對象液的凝固點低的處理面著落于所述液膜，來使位于由所述上表面和所述處理面夾持的區(qū)域的所述凝固對象液凝固；在所述第二工序中，從通過所述第一工序凝固的凝固區(qū)域剝離所述處理面， 所述凝固區(qū)域和所述處理面的附著力小于所述凝固區(qū)域和所述上表面的附著力。2.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于， 所述處理面比所述上表面窄， 在所述凝固體形成工序中，以使所述處理面與所述上表面的一部分相向的方式將所述冷卻構(gòu)件配置在初始位置，來執(zhí)行所述第一工序后，一邊使所述冷卻構(gòu)件從所述初始位置沿水平方向相對所述上表面移動，一邊進行所述第二工序和所述第一工序，以形成所述凝固體。3.如權(quán)利要求2所述的基板處理方法，其特征在于， 所述初始位置是所述基板的上表面中央部的上方位置， 在所述凝固體形成工序中，使所述冷卻構(gòu)件向從所述初始位置離開的方向相對所述上表面移動，來使所述凝固區(qū)域在徑向擴寬，以形成所述凝固體。4.如權(quán)利要求2所述的基板處理方法，其特征在于， 所述處理面具有長條形狀，并以從所述基板的旋轉(zhuǎn)中心部至所述基板的端緣部的距離以上的長度延伸設置， 在所述初始位置，以所述處理面的長度方向上的一個端部位于所述基板的旋轉(zhuǎn)中心部的上方，并且所述處理面的所述長度方向上的另一端部位于所述基板的端緣部的上方的方式，配置所述冷卻構(gòu)件， 在所述凝固體形成工序中，一邊將所述冷卻構(gòu)件定位在所述初始位置，一邊以所述旋轉(zhuǎn)中心部為旋轉(zhuǎn)中心使所述基板旋轉(zhuǎn)，使所述凝固區(qū)域在旋轉(zhuǎn)方向上擴寬，以形成所述凝固體。5.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于， 所述處理面與所述上表面同一形狀或比所述上表面寬， 在所述凝固體形成工序中，以由所述處理面從鉛垂上方覆蓋所述上表面的方式配置所述冷卻構(gòu)件并執(zhí)行所述第一工序后，使所述冷卻構(gòu)件相對于所述基板移動來進行所述第二工序。6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的基板處理方法，其特征在于， 還包括從所述上表面除去所述凝固體的除去工序。7.一種基板處理裝置，其特征在于， 具有: 基板保持部，將在上表面上形成有凝固對象液的液膜的基板保持為水平姿勢， 冷卻構(gòu)件，具有溫度比所述凝固對象液的凝固點低的處理面， 移動部，使所述冷卻構(gòu)件相對于由所述基板保持部保持的基板的上表面移動；以使所述處理面著落于所述液膜的方式使所述冷卻構(gòu)件移動，對位于由所述上表面和所述處理面夾持的區(qū)域的所述凝固對象液進行凝固來形成凝固區(qū)域后，通過移動所述冷卻構(gòu)件來進行使所述處理面從所述凝固區(qū)域剝離的動作，并使所述液膜凝固來形成凝固體，所述處理面由和所述凝固區(qū)域的附著力小于所述凝固區(qū)域和所述上表面的附著力的材料構(gòu)成。8.如權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具有將所述凝固體從所述基板除去的除去部。
【文檔編號】H01L21/67GK106024669SQ201610016289
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年1月12日
【發(fā)明人】北川廣明, 宮勝彥
【申請人】株式會社思可林集團