液體處理裝置和液體處理方法
【專利說明】液體處理裝置和液體處理方法
[0001]本案是申請?zhí)枮?01380011195.3、申請日為2013年2月22日、發(fā)明名稱為液體處理裝置和液體處理方法的專利申請的分案申請
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及對例如半導(dǎo)體晶片、LCD用玻璃基板等的被處理基板表面供給處理液進(jìn)行處理的液體處理裝置和液體處理方法。
[0003]本申請基于2012年2月27日在日本國提出的專利申請2012 — 39538號和2012年12月28日在日本國提出的專利申請2012 — 288515號要求優(yōu)先權(quán)，在此援引其內(nèi)容。
【背景技術(shù)】
[0004]一般來說，在半導(dǎo)體器件的制造的光刻技術(shù)中，對半導(dǎo)體晶片、FPD基板等(以下稱為晶片等)涂敷光致抗蝕劑，根據(jù)規(guī)定的電路圖案對由此形成的抗蝕劑膜進(jìn)行曝光，對該曝光圖案進(jìn)行顯影處理，由此在抗蝕劑膜形成電路圖案。
[0005]在這樣的光刻工序中，供給到晶片等的抗蝕劑液和顯影液等的處理液由于各種原因有時會混入氮?dú)獾鹊臍馀荨㈩w粒(異物)，當(dāng)混有氣泡、顆粒的處理液供給到晶片等時，有時會發(fā)生涂敷不均和缺陷。因此，在處理液的管路設(shè)置有用于將處理液中混有的氣泡、顆粒除去的裝置。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)中，作為這種裝置已知有一種處理液供給裝置，該處理液供給裝置在將供給噴嘴和處理液存儲容器連接的供給管路中設(shè)置暫時存儲容器、過濾器和栗，該處理液供給裝置具有:連接于處理液存儲容器與暫時存儲容器之間的供給管路和過濾器的循環(huán)管路；和設(shè)置于循環(huán)管路的可變節(jié)流閥(例如參照專利文獻(xiàn)1)。該處理液供給裝置為了提高通過光刻工序進(jìn)行的處理的效率、實(shí)現(xiàn)多樣化，具有多個供給噴嘴，根據(jù)目的選擇供給噴嘴進(jìn)行使用。
[0007]在該處理液供給裝置中，由過濾器除泡后的處理液的液壓由于可變節(jié)流閥而減低，由此溶解在處理液中的氣體氣泡化，該氣泡從循環(huán)路徑經(jīng)由供給管路再次通過過濾器而被除去。因此，能夠有效地除去溶解在處理液中的氣體。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)1:日本特開2010 - 135535號公報(bào)(權(quán)利要求的范圍、圖3、圖4)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0012]但是，在具有多個供給管路的處理液供給裝置中，在設(shè)置于與不使用的供給噴嘴連接的供給管路的過濾器，產(chǎn)生處理液的滯留。在此，發(fā)現(xiàn)當(dāng)在過濾器等容量大的部位使處理液長期滯留時，具有特別是滯留在過濾器的氣泡、膠滯體在過濾器與處理液的界面作為顆粒成長、增加的傾向。因此，作為防止混于處理液中的顆粒的增加的方法，能夠考慮對晶片等以外的部位定期進(jìn)行處理液的排出，由此使得不會在過濾器等容量大的部位長期滯留處理液的方法(所謂的假排出)。但是，因?yàn)閷⒃诩倥懦鲋信懦龅奶幚硪簭U棄，所以存在處理液的消耗量增大的問題。
[0013]本發(fā)明鑒于上述情況而完成，目的在于不浪費(fèi)處理液地有效地抑制處理液中的顆粒的增加。
[0014]用于解決技術(shù)課題的技術(shù)方案
[0015]為了解決上述課題，本發(fā)明的液體處理裝置與對被處理基板供給處理液的多個處理液供給噴嘴中的一個處理液供給噴嘴連接，該液體處理裝置包括:
[0016]將存儲上述處理液的處理液存儲容器和上述一個處理液供給噴嘴連接的供給管路；
[0017]過濾器裝置，其設(shè)置于上述供給管路，對上述處理液進(jìn)行過濾，并且將混入上述處理液中的異物除去；
[0018]在上述過濾器裝置的二次側(cè)的上述供給管路設(shè)置的栗；
[0019]將上述栗的排出側(cè)和上述過濾器裝置的吸入側(cè)連接的循環(huán)管路；
[0020]在上述栗的二次側(cè)的上述供給管路設(shè)置的供給控制閥；
[0021]在上述循環(huán)管路設(shè)置的循環(huán)控制閥；和
[0022]控制上述栗、供給控制閥和循環(huán)控制閥的控制裝置，
[0023]利用上述控制裝置，使得通過關(guān)閉上述供給控制閥使從上述一個處理液供給噴嘴向上述被處理基板的處理液的供給停止時，打開上述循環(huán)控制閥，驅(qū)動上述栗，使上述處理液在具有上述過濾器裝置的上述供給管路與上述循環(huán)管路之間循環(huán)。
[0024]利用上述結(jié)構(gòu)，在停止從一個處理液供給噴嘴對被處理基板供給處理液的狀態(tài)(所謂的空閑狀態(tài))下，能夠使滯留在過濾器裝置的處理液經(jīng)由供給管路和循環(huán)管路循環(huán)。
[0025]此外，在本發(fā)明中，所謂空閑狀態(tài)除了停止從一個處理液供給噴嘴對被處理基板供給處理液的狀態(tài)之外，也包括在從處理液存儲容器安裝之后直到向被處理基板開始供給處理液為止的狀態(tài)。
[0026]另外，根據(jù)其它的觀點(diǎn)，本發(fā)明為一種使用液體處理裝置的液體處理方法，其中，
[0027]上述液體處理裝置包括:
[0028]將存儲處理液的處理液存儲容器和對被處理基板供給上述處理液的處理液供給噴嘴連接的供給管路；
[0029]過濾器裝置，其設(shè)置于上述供給管路，對上述處理液進(jìn)行過濾，并且將混入上述處理液中的異物除去；
[0030]在上述過濾器裝置的二次側(cè)的上述供給管路設(shè)置的栗；
[0031]將上述栗的排出側(cè)和上述過濾器裝置的吸入側(cè)連接的循環(huán)管路；
[0032]在上述栗的二次側(cè)的上述供給管路設(shè)置的供給控制閥；
[0033]設(shè)置于上述循環(huán)管路的循環(huán)控制閥；和
[0034]控制上述栗、供給控制閥和循環(huán)控制閥的控制裝置，
[0035]上述液體處理方法包括:
[0036]打開上述供給控制閥并且關(guān)閉上述循環(huán)控制閥，通過驅(qū)動上述栗對上述被處理基板供給上述處理液的處理液供給工序；和
[0037]在不進(jìn)行上述處理液供給工序時，關(guān)閉上述供給控制閥并且打開上述循環(huán)控制閥，通過驅(qū)動上述栗使上述處理液在上述循環(huán)管路與上述供給管路之間循環(huán)的循環(huán)工序。
[0038]通過利用這種方法，在不對被處理基板供給處理液時使上述處理液在上述循環(huán)管路與上述供給管路之間循環(huán)，因此，在空閑狀態(tài)下，能夠使滯留在過濾器裝置的處理液經(jīng)由供給管路和循環(huán)管路循環(huán)。
[0039]發(fā)明效果
[0040]根據(jù)本發(fā)明，在不使用狀態(tài)下，能夠使滯留在過濾器裝置的處理液經(jīng)由供給管路和循環(huán)管路循環(huán)，因此，在使用時不進(jìn)行假排出，能夠抑制處理液中的顆粒的增加。因此，能夠不浪費(fèi)處理液地有效地防止處理液中的顆粒的增加。
【附圖說明】
[0041]圖1是表示在應(yīng)用本發(fā)明的液體處理裝置的涂敷/顯影處理裝置連接曝光處理裝置而得的處理系統(tǒng)的整體的概略立體圖。
[0042]圖2是上述處理系統(tǒng)的概略平面圖。
[0043]圖3表示本發(fā)明的液體處理裝置的第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的概要，圖3(a)是概略截面圖，圖3(b)是圖3(a)中的A部概略截面圖。
[0044]圖4是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第一實(shí)施方式的過濾器裝置附近的放大概略截面圖。
[0045]圖5是表示上述液體處理裝置中的通常處理動作的概略截面圖。
[0046]圖6是表示上述液體處理裝置中的循環(huán)處理動作的概略截面圖。
[0047]圖7是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第二實(shí)施方式的概略截面圖。
[0048]圖8是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第三實(shí)施方式的概略截面圖。
[0049]圖9是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第四實(shí)施方式的概略截面圖。
[0050]圖10是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第五實(shí)施方式的概略截面圖。
[0051]圖11是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第五實(shí)施方式的脫氣機(jī)構(gòu)的整體，圖11(a)是截面圖，圖11(b)是圖11(a)中的B部放大截面圖。
[0052]圖12是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第六實(shí)施方式的概略截面圖。
[0053]圖13是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第六實(shí)施方式的過濾器裝置附近的放大概略截面圖。
[0054]圖14是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第七實(shí)施方式的概略截面圖。
[0055]圖15是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第七實(shí)施方式的過濾器裝置附近的放大概略截面圖。
[0056]圖16是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第八實(shí)施方式的概略截面圖。
[0057]圖17是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第九實(shí)施方式的概略截面圖。
[0058]圖18是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第十實(shí)施方式的概略截面圖。
[0059]圖19是表示本發(fā)明的液體處理裝置的第十實(shí)施方式的栗附近的放大概略截面圖。
[0060]圖20是本發(fā)明的液體處理裝置的第十實(shí)施方式的概略圖，圖20 (a)表示氣泡顯在化工序，圖20(b)表示脫氣工序。
[0061]圖21是在本發(fā)明的液體處理裝置的第十實(shí)施方式中對捕獲罐補(bǔ)充處理液的動作的概略圖。
[0062]圖22是表示與本發(fā)明的液體處理裝置連接的液體處理單元的概略截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0063]以下，基于附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。在此，對將作為本發(fā)明的液體處理裝置的抗蝕劑液體處理裝置搭載于涂敷/顯影處理裝置的情況進(jìn)行說明。
[0064]如圖1和圖2所示，上述涂敷/顯影處理裝置包括:用于對密閉收納多個例如25個作為被處理基板的晶片W的運(yùn)載體10進(jìn)行搬出和搬入的運(yùn)載站1 ;對從該運(yùn)載站1取出的晶片W實(shí)施抗蝕劑涂敷、顯影處理等的處理部2 ;在晶片W的表面形成有透過光的液層的狀態(tài)下，對晶片W的表面進(jìn)行液浸曝光的曝光部4 ;和連接在處理部2與曝光部4之間、進(jìn)行晶片W的交接的接口部3。
[0065]運(yùn)載站1設(shè)置有:能夠以排列多個運(yùn)載體10的方式載置運(yùn)載體10的載置部11 ;從該載置部11看設(shè)置在前方的壁面的開閉部12 ;和用于經(jīng)由開閉部12從運(yùn)載體10取出晶片W的交接機(jī)構(gòu)A1。
[0066]接口部3由在處理部2與曝光部4之間前后設(shè)置的第一輸送室3A和第二輸送室3B構(gòu)成，各自設(shè)置有第一晶片輸送部30A和第二晶片輸送部30B。
[0067]另外，周圍由殼體20包圍的處理部2連接在運(yùn)載站1的里側(cè)，該處理部2從跟前側(cè)依次交替地排列設(shè)置有:將加熱/冷卻系統(tǒng)的單元多層化而形成的架單元Ul、U2、U3、液體處理單元U4、U5和進(jìn)行各單元間的晶片W的交接的主輸送機(jī)構(gòu)A2、A3。
[0068]另外，主輸送機(jī)構(gòu)A2、A3配置在被由從運(yùn)載站1看在前后方向上配置的架單元U1、U2、U3側(cè)的一面部、后述的例如右側(cè)的液體處理單元U4、U5側(cè)的一面部和成為左側(cè)的一面的背面部構(gòu)成的分隔壁21所包圍的空間內(nèi)。另外，在運(yùn)載站1與處理部2之間、處理部2與接口部3之間，配置有具有在各單元中使用的處理液的溫度調(diào)節(jié)裝置、溫濕度調(diào)節(jié)用的管路等的溫濕度調(diào)節(jié)單元22。
[0069]架單元U1、U2、U3為將用于進(jìn)行在液體處理單元U4、U5中進(jìn)行的處理的前處理和后處理的各種單元層疊多層例如十層而形成的結(jié)構(gòu)，其組合中包括對晶片W進(jìn)行加熱(所謂的烘培處理)的加熱單元(未圖示)、對晶片W進(jìn)行冷卻的冷卻單元(未圖示)等。另夕卜，對晶片W供給規(guī)定的處理液進(jìn)行處理的液體處理單元U4、U5例如如圖1所示，通過在抗蝕劑、顯影液等的藥液收納部14之上將涂敷反射防止膜的反射防止膜涂敷單元(BCT)23、對晶片W涂敷抗蝕劑液的涂敷單元(C0T) 24、對晶片W供給顯影液進(jìn)行顯影處理的顯影單元(DEV)25等層疊多層例如5層而構(gòu)成。涂敷單元(C0T) 24包括本發(fā)明的液體處理裝置5和液體處理單元100。
[0070]參照圖1和圖2，對以上述方式構(gòu)成的涂敷/顯影處理裝置中的晶片的流程的一個例子簡單地進(jìn)行說明。首先，將收納有例如25個晶片W的運(yùn)載體10載置到載置部11上時，與開閉部12 —起取下運(yùn)載體10的蓋體，利用交接機(jī)構(gòu)A1取出晶片W。然后，晶片W經(jīng)由為架單元