陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在G0A(Gate Driver on Array，陣列基板行驅(qū)動)技術(shù)中，GOA單元集成在顯示裝置的陣列基板上，陣列基板包括顯示區(qū)域和G0A區(qū)域，其中，顯示區(qū)域上交叉設(shè)置有數(shù)據(jù)線和柵線。G0A區(qū)域分布了多個(gè)G0A單元，該G0A區(qū)域包括多個(gè)薄膜晶體管(Thin-filmtransistor，TFT)，各GOA單元分別與陣列基板上的各條柵線相連，從而實(shí)現(xiàn)對柵線的掃描驅(qū)動。
[0003]G0A陣列基板的制作過程大致為:首先在襯底基板上制作TFT，該些TFT包括位于顯示區(qū)域TFT 101陣列和位于GOA區(qū)域12的用于構(gòu)成GOA單元的GOA區(qū)域TFT 102(如圖1所示)，然后在G0A區(qū)域12制作第一過孔103和第二過孔104，之后沉積導(dǎo)電薄膜并形成需要的圖形:在顯示區(qū)域11的導(dǎo)電薄膜105形成為像素電極或者公共電極，在G0A區(qū)域12的導(dǎo)電薄膜106通過第一過孔103電連接G0A單元中的各TFT102，通過第二過孔104實(shí)現(xiàn)外部驅(qū)動電路與陣列基板上的各元件(數(shù)據(jù)線、G0A單元等)的綁定。
[0004]G0A區(qū)域的導(dǎo)電薄膜106位于最上方，顯露在外面，在顯示裝置的長期使用過程中，G0A單元中的第一過孔103上方及周圍的導(dǎo)電薄膜106長時(shí)間處于低電位的工作狀態(tài)，并且位于靠近封框膠的位置，容易受到外部電磁干擾，并且經(jīng)常處于高溫、高濕、污染、應(yīng)力等環(huán)境下，造成該位置處的導(dǎo)電薄膜106容易發(fā)生電化學(xué)腐蝕，導(dǎo)電薄膜106劣化甚至燒毀，最終引起屏幕顯示異常。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制備方法，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)存在的G0A區(qū)域上的導(dǎo)電薄膜易受外部電磁干擾和易受腐蝕的問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板，該陣列基板包括顯示區(qū)域和G0A區(qū)域。顯示區(qū)域包括顯示區(qū)域TFT，所述顯示區(qū)域交叉設(shè)置有數(shù)據(jù)線和柵線。G0A區(qū)域包括G0A區(qū)域TFT、G0A區(qū)域電極層和電路保護(hù)層，所述G0A區(qū)域設(shè)置有至少一個(gè)第一過孔和至少一個(gè)第二過孔，所述第一過孔的底部為數(shù)據(jù)線金屬層，所述第二過孔的底部為柵線金屬層；所述G0A區(qū)域電極層通過所述第一過孔與所述G0A區(qū)域TFT電連接，所述G0A區(qū)域電極層通過所述第二過孔與外部驅(qū)動電路電連接，所述電路保護(hù)層覆蓋在所述G0A區(qū)域的上方，用于屏蔽外部電磁干擾及保護(hù)所述G0A區(qū)域的電路免受腐蝕。
[0007]其中，所述顯示區(qū)域包括下層透明電極和上層透明電極，所述G0A區(qū)域電極層與所述下層透明電極同層設(shè)置，所述電路保護(hù)層與所述上層透明電極同層設(shè)置。其中，所述下層透明電極為像素電極，所述上層透明電極為公共電極；或者，所述下層透明電極為公共電極，所述上層透明電極為像素電極。
[0008]其中，所述GOA區(qū)域電極層與所述下層透明電極利用同層同構(gòu)圖工藝形成，所述電路保護(hù)層與所述上層透明電極利用同層同構(gòu)圖工藝形成。
[0009]其中，所述G0A區(qū)域電極層和所述電路保護(hù)層均為透明導(dǎo)電薄膜。
[0010]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述陣列基板。
[0011]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板的制備方法，該方法包括以下步驟:在襯底上形成TFT，所述TFT包括G0A區(qū)域TFT和顯示區(qū)域TFT。在所述TFT之上形成第一絕緣層。在所述第一絕緣層的G0A區(qū)域中形成第一過孔和第二過孔，所述第一過孔的底部為數(shù)據(jù)線金屬層，所述第二過孔的底部為柵線金屬層。在所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一絕緣層之上形成下層透明電極，并在所述G0A區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一絕緣層之上形成G0A區(qū)域電極層，所述G0A區(qū)域電極層通過所述第一過孔與所述G0A區(qū)域TFT電連接，所述GOA區(qū)域電極層層通過所述第二過孔與外部驅(qū)動電路電連接。在所述下層透明電極和所述G0A區(qū)域電極層之上形成第二絕緣層。在所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二絕緣層之上形成上層透明電極，并在所述G0A區(qū)域?qū)?yīng)的第二絕緣層之上形成電路保護(hù)層，所述電路保護(hù)層用于屏蔽外部電磁干擾及保護(hù)所述G0A電路免受腐蝕。
[0012]其中，所述下層透明電極為像素電極，所述上層透明電極為公共電極；或者，所述下層透明電極為公共電極，所述上層透明電極為像素電極。
[0013]其中，在所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一絕緣層之上形成下層透明電極，并在所述G0A區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一絕緣層之上形成G0A區(qū)域電極層的步驟包括:在所述第一絕緣層之上沉積一層透明導(dǎo)電薄膜，通過光刻將所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)的透明導(dǎo)電薄膜形成下層透明電極、將所述G0A區(qū)域?qū)?yīng)的透明導(dǎo)電薄膜形成G0A區(qū)域電極層。
[0014]其中，在所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二絕緣層之上形成上層透明電極，并在所述G0A區(qū)域?qū)?yīng)的第二絕緣層之上形成電路保護(hù)層的步驟包括:在所述第二絕緣層之上沉積一層透明導(dǎo)電薄膜，通過光刻將所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)的透明導(dǎo)電薄膜形成上層透明電極、將所述G0A區(qū)域?qū)?yīng)的透明導(dǎo)電薄膜形成電路保護(hù)層。
[0015]其中，所述透明導(dǎo)電薄膜為ΙΤ0。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過在G0A區(qū)域的上方覆蓋電路保護(hù)層，屏蔽了外部電磁對G0A電路的干擾，同時(shí)，在電路保護(hù)層還保護(hù)。G0A電路免受外部環(huán)境的腐蝕，使其更耐高溫、高濕、污染和應(yīng)力等的環(huán)境，防止G0A電路劣化或者燒毀，從而提升了屏幕的品質(zhì)。
【附圖說明】
[0017]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板G0A區(qū)域和顯示區(qū)域?qū)嵤├哪咏Y(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是本發(fā)明陣列基板實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3是本發(fā)明陣列基板的G0A區(qū)域和顯示區(qū)域?qū)嵤├哪咏Y(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4是本發(fā)明顯示裝置實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖5是本發(fā)明陣列基板的制備方法實(shí)施例的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0023]請參閱圖2和圖3，圖2是本發(fā)明陣列基板實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明陣列基板的G0A區(qū)域和顯示區(qū)域?qū)嵤├哪咏Y(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]本發(fā)明提供了一種陣列基板，該陣列基板包括柵極驅(qū)動外圍走線20、顯示區(qū)域21和G0A區(qū)域22。
[0025]其中，顯示區(qū)域21包括顯示區(qū)域TFT 210，顯示區(qū)域還交叉設(shè)置有數(shù)據(jù)線214和柵線 215。
[0026]G0A區(qū)域22包括G0A區(qū)域TFT 220、GOA區(qū)域電極層221和電路保護(hù)層222。
[0027]具體而言，G0A區(qū)域22設(shè)置有至少一個(gè)第一過孔223和至少一個(gè)第二過孔224。第一過孔223的底部為數(shù)據(jù)線金屬層，第二過孔224的底部為柵線金屬層。G0A區(qū)域電極層221通過第一過孔223與G0A區(qū)域TFT 220電連接，G0A區(qū)域電極層221層通過第二過孔224與外部驅(qū)動電路電連接。
[0028]G0A區(qū)域TFT 220用于輸出柵極掃描信號，該柵極掃描信號輸出至陣列基板的顯示區(qū)域21，用于驅(qū)動顯示區(qū)域21中一行像素的開啟或關(guān)閉。
[0029]電路保護(hù)層222覆蓋在G0A區(qū)域22的上方，用于屏蔽外部電磁干擾及保護(hù)G0A電路免受腐蝕。
[0030]區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過在G0A區(qū)域的上方覆蓋電路保護(hù)層，屏蔽了外部電磁對G0A電路的干擾，同時(shí)，在電路保護(hù)層還保護(hù)。G0A電路免受外部環(huán)境的腐蝕，使其更耐高溫、高濕、污染和應(yīng)力等的環(huán)境，防止G0A電路劣化或者燒毀，從而提升了屏幕的品質(zhì)。
[0031]值得一提的是，本實(shí)施例的電路保護(hù)層222完全覆蓋了 G0A區(qū)域22的電路。
[0032]本實(shí)施例的陣列基板中的顯示區(qū)域TFT 210和G0A區(qū)域TFT 220均包括襯底23、柵極24、柵極絕緣層25、半導(dǎo)體島26和源、漏極27。
[0033]具體而言，該襯底23可以是玻璃基板，其中，該玻璃基板材質(zhì)均勻，具有高透明度和低反射率，并且有好的熱穩(wěn)定性，從而能在多次高溫工藝之后保持性質(zhì)穩(wěn)定。由于TFT制造工藝中用到的化學(xué)藥品很多，因而，該玻璃基板需具有很好的化學(xué)耐藥性。該玻璃基板還需要具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度，還需要有很好的精密機(jī)械加工特性以及要有優(yōu)良的電學(xué)絕緣特性。
[0034]其中，柵極24可以是多層金屬形成的金屬化合物導(dǎo)電層。柵極24通常采用鋁以及鋁合金等材料制成，或者是鋁層、鎢層、鉻層疊加后形成的金屬化合物導(dǎo)電層。柵極24的形成首先通過物理氣相沉積(Physical Vapor Deposit1n, PVD)技術(shù)形成柵極金屬層，然后經(jīng)過蝕刻等工藝形成具有所需的圖案的柵極24。
[0035]柵極絕緣層25覆蓋在柵極24之上，柵極絕緣層25可以為一層，其由S1，SiN或A10形成，厚度在175-300nm左右。當(dāng)然，柵極絕緣層25還可以是兩層，第一層是S1j莫，為了提高膜的質(zhì)量，在S1j莫上增加了第二層SiNx。
[0036]半導(dǎo)體26即有源層，其形成在柵極絕緣層25之上，為非晶硅層或多晶硅層。
[0037]源、漏極27設(shè)在半導(dǎo)體島26的兩側(cè)，通過離子注入法將半導(dǎo)體島26的兩側(cè)形成重?fù)诫s區(qū)二形成了源、漏極27。
[0038]本實(shí)施例的顯示區(qū)域TFT 210和G0A區(qū)域TFT 220之上還覆蓋有第一絕緣層28和第二絕緣層29。第一絕緣層28和第二絕緣層29均可以是SiNx或者S1 2。
[0039]顯示區(qū)域21包括下層透明電極211和上層透明電極212，其中，下層透明電極211設(shè)在第一絕緣層28和第二絕緣層29之間，上層透明電極212設(shè)在第二絕緣層29之上。
[0040]G0A區(qū)域電極層221與下層透明電極211同層，電路保護(hù)層222與上層透明電極212同層。本實(shí)施例中，下層透明電極211為像素電極，上層透明電極212為公共電極。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，下層透明電極211還可以是公共電極，而上層透明電極212是像素電極。
[0041]本發(fā)明的同層設(shè)置是針對至少兩