Oled陣列基板及其制作方法、顯示面板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種OLED陣列基板及其制作方法、顯示面板，該陣列基板包括：第一基板；位于第一基板表面的第一柵極；覆蓋第一柵極和第一基板的第一絕緣層；位于第一絕緣層背離第一基板一側(cè)的第一極、第二極、控制電極和溝道；覆蓋第一極和第二極的第二絕緣層；位于第二絕緣層表面的第二柵極和連接電極，第二柵極與連接電極同時(shí)形成，其中，第二柵極與控制電極電連接，接收控制電極處的控制信號(hào)，連接電極與預(yù)設(shè)位置的第二極電連接；覆蓋第二柵極和連接電極的第三絕緣層；位于第三絕緣層表面的OLED像素電極，OLED像素電極與連接電極電連接。該陣列基板能夠避免第二柵極形成時(shí)對(duì)預(yù)設(shè)位置的第二極造成損傷的問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
OLED陣列基板及其制作方法、顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED陣列基板及其制作方法以及一種包括該OLED陣列基板的顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，顯示面板的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。目前顯示面板劃分為顯示區(qū)和包裹所述顯示區(qū)的邊框區(qū)兩部分，其中，所述顯示區(qū)包括多個(gè)呈陣列排布的像素單元，每個(gè)像素單元內(nèi)均設(shè)置有一個(gè)薄膜晶體管，來(lái)控制各像素單元的顯示，所述邊框區(qū)包括驅(qū)動(dòng)電路，用于為各薄膜晶體管提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，控制各薄膜晶體管的導(dǎo)通和截止。但是，隨著顯示面板的使用時(shí)間變化，所述顯示面板內(nèi)各薄膜晶體管會(huì)出現(xiàn)不同程度的老化，從而導(dǎo)致各薄膜晶體管的閾值電壓不同，造成所述顯示面板的顯示畫(huà)面存在顯示不均的現(xiàn)象。
[0003]為解決上述問(wèn)題，本領(lǐng)域技術(shù)研究人員提供了一種雙柵薄膜晶體管，這種薄膜晶體管包括兩個(gè)柵極，其中，一個(gè)柵極與源/漏極構(gòu)成傳統(tǒng)薄膜晶體管，作為控制開(kāi)關(guān)，另一個(gè)柵極用于調(diào)節(jié)該薄膜晶體管的閾值電壓，從而在薄膜晶體管出現(xiàn)不同程度的老化時(shí)，可以通過(guò)調(diào)節(jié)另一個(gè)柵極，調(diào)節(jié)各薄膜晶體管的閾值電壓，使各薄膜晶體管的閾值電壓保持一致，改善由此引起的顯示不均的現(xiàn)象。
[0004]但是，現(xiàn)有技術(shù)中包括雙柵薄膜晶體管的顯示面板在具體制作過(guò)程中容易出現(xiàn)源漏極被損傷的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板及其制作方法以及一種包括該OLED陣列基板的顯示面板，以解決所述顯示面板中的雙柵薄膜晶體管在具體制作過(guò)程中容易出現(xiàn)漏極損傷的問(wèn)題。
[0006]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:
[0007]—種OLED陣列基板，包括:
[0008]第一基板；
[0009]位于所述第一基板表面的第一柵極；
[0010]覆蓋所述第一柵極和所述第一基板的第一絕緣層；
[0011]位于所述第一絕緣層表面的第一極、第二極、控制電極和溝道；
[0012]覆蓋所述第一極和所述第二極的第二絕緣層；
[0013]位于所述第二絕緣層表面的第二柵極和連接電極，所述第二柵極與所述連接電極同時(shí)形成，其中，所述第二柵極與所述控制電極電連接，接收所述控制電極處的控制信號(hào)，所述連接電極與預(yù)設(shè)位置的所述第二極電連接；
[0014]覆蓋所述第二柵極和所述連接電極的第三絕緣層；
[0015]位于所述第三絕緣層表面的OLED像素電極，所述OLED像素電極與所述連接電極電連接。
[0016]一種顯示面板，包括:上述OLED陣列基板。
[0017]—種OLED陣列基板的制作方法，應(yīng)用于上述OLED陣列基板，該方法包括:
[0018]提供第一基板；
[0019]在所述第一基板表面形成第一柵極；
[0020]在所述第一基板和所述第一柵極表面形成覆蓋所述第一基板和所述第一柵極的第一絕緣層；
[0021 ]在所述第一絕緣層表面形成第一極、第二極、控制電極和溝道；
[0022]在所述第一絕緣層表面形成覆蓋所述第一極、第二極、控制電極和溝道的第二絕緣層；
[0023]在所述第二絕緣層表面形成第二柵極和連接電極，所述第二柵極與所述連接電極同時(shí)形成，其中，所述第二柵極與所述控制電極電連接，接收所述控制電極處的控制信號(hào)，所述連接電極與預(yù)設(shè)位置的所述第二極電連接；
[0024]在所述第二絕緣層表面形成覆蓋所述第二柵極和所述連接電極的第三絕緣層；
[0025]在所述第三絕緣層表面形成OLED像素電極，所述OLED像素電極與所述連接電極電連接。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0027]本發(fā)明實(shí)施例所提供的OLED陣列基板中，所述第二柵極與所述連接電極同時(shí)形成，其中，所述第二柵極與所述控制電極電連接，接收所述控制電極處的控制信號(hào)，所述連接電極與預(yù)設(shè)位置的所述第二極電連接，而所述OLED的像素電極與所述連接電極電連接，從而使得所述OLED像素電極與預(yù)設(shè)位置的所述第二極通過(guò)所述連接電極電連接，且所述連接電極與所述第二柵極同時(shí)形成，從而避免了所述第二柵極形成時(shí)對(duì)預(yù)設(shè)位置的所述第二極造成損傷的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0028]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031 ]圖3為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖4-13為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的OLED陣列基板的制作方法的各部分結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]正如【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中包括雙柵薄膜晶體管的顯示面板在具體制作過(guò)程中容易出現(xiàn)源漏極被損傷的現(xiàn)象。
[0034]發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，這是由于現(xiàn)有技術(shù)中的顯示面板在制作時(shí)，通常是依次形成底柵層、源漏極層、頂柵層和陽(yáng)極層，其中，在形成頂柵層過(guò)程前，會(huì)先對(duì)源漏極層與頂柵層之間的絕緣層進(jìn)行刻蝕，在漏極對(duì)應(yīng)的位置形成通孔，以用于后續(xù)陽(yáng)極的填充，實(shí)現(xiàn)陽(yáng)極與漏極的電連接。但是，在頂柵形成過(guò)程中，該頂柵的形成電極層不僅形成于源漏極層與頂柵層之間的絕緣層，還形成于源漏極層與頂柵層之間的絕緣層內(nèi)的通孔中，而在刻蝕位于所述通孔內(nèi)的頂柵的形成電極層時(shí)，很容易出現(xiàn)過(guò)刻蝕，對(duì)漏極造成損傷，導(dǎo)致現(xiàn)有包括雙柵薄膜晶體管的顯示面板中容易出現(xiàn)源漏極被損傷的現(xiàn)象。
[0035]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板，包括:
[0036]第一基板；
[0037]位于所述第一基板表面的第一柵極；
[0038]覆蓋所述第一柵極和所述第一基板的第一絕緣層；
[0039]位于所述第一絕緣層背離所述第一基板一側(cè)的第一極、第二極、控制電極和溝道；
[0040]覆蓋所述第一極和所述第二極的第二絕緣層；
[0041]位于所述第二絕緣層表面的第二柵極和連接電極，所述第二柵極與所述連接電極同時(shí)形成，其中，所述第二柵極與所述控制電極電連接，接收所述控制電極處的控制信號(hào)，所述連接電極與預(yù)設(shè)位置的所述第二極電連接；
[0042]覆蓋所述第二柵極和所述連接電極的第三絕緣層；
[0043]位于所述第三絕緣層表面的OLED像素電極，所述OLED像素電極與所述連接電極電連接。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例所提供的OLED陣列基板中，所述第二柵極與所述連接電極同時(shí)形成，其中，所述第二柵極與所述控制電極電連接，接收所述控制電極處的控制信號(hào)，所述連接電極與預(yù)設(shè)位置的所述第二極電連接，而所述OLED像素電極與所述連接電極電連接，從而使得所述OLED像素電極與預(yù)設(shè)位置的所述第二極通過(guò)所述連接電極電連接，且所述連接電極與所述第二柵極同時(shí)形成，從而避免了所述第二柵極形成時(shí)對(duì)預(yù)設(shè)位置的所述第二極造成損傷的問(wèn)題。
[0045]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0046]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
[0047]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板，包括:
[0048]第一基板I;
[0049]位于第一基板I表面的第一柵極2;
[0050]覆蓋第一柵極2和第一基板I的第一絕緣層3;
[0051]位于第一絕緣層3背離第一基板I一側(cè)的第一極4、第二極5、控制電極7和溝道6;
[0052]覆蓋第一極4和第二極5的第二絕緣層8;
[0053]位于第二絕緣層8表面的第二柵極9和連接電極10，第二柵極9與連接電極10同時(shí)形成，其中，第二柵極9與控制電極7電連接，接收控制電極7處的控制信號(hào)，連接電極1與預(yù)設(shè)位置的第二極5電連接；
[0054]覆蓋第二柵極9和連接電極10的第三絕緣層11;
[0055 ] 位于第三絕緣層11表面的OLED的像素電極12，OLED的像素電極12與連接電極1電連接。
[0056]由此可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例所提供的OLED陣列基板中，連接電極10與預(yù)設(shè)位置的第二極5電連接，OLED的像素電極12與連接電極1電連接，使得OLED的像素電極12通過(guò)連接電極10與預(yù)設(shè)位置的第二極5電連接，實(shí)現(xiàn)OLED的像素電極12與預(yù)設(shè)位置的第二極5的電連接，且連接電極10與第二柵極9同時(shí)形成，從而避免了第二柵極9形成過(guò)程中對(duì)預(yù)設(shè)位置的第二極5造成損傷的問(wèn)題。
[0057]需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一極4為源極，第二極5為漏極;在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，第一極4為漏極，第二極5為源極，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0058]下面以第一極4為源極，第二極5為漏極，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的OLED陣列基板進(jìn)行說(shuō)明。
[0059]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第二絕緣層8具有第一過(guò)孔與第二過(guò)孔，第二柵極9通過(guò)第一過(guò)孔與控制電極7電連接，接收控制電極7處的控制信號(hào)，連接電極10通過(guò)第二過(guò)孔與預(yù)設(shè)位置的第二極5電連接。但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，控制電極7也可以不與第一極4、第二極5位于同一層，具體視情況而定。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，第一過(guò)孔和第二過(guò)孔同時(shí)形成，以減少OLED陣列基板的制作工藝流程。
[0060]還需要說(shuō)明的是，由于所述OLED陣列基板中不僅包括雙柵薄膜晶體管，還可能包括單柵薄膜晶體管，故在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，所述OLED陣列基板包括多個(gè)第一柵極2和至少一個(gè)第二柵極9，其中，第一柵極2的數(shù)量不小于第二柵極9的數(shù)量;當(dāng)?shù)谝粬艠O2對(duì)應(yīng)的溝道6上方不具有第二柵極9時(shí)，第一柵極2與其對(duì)應(yīng)的第一極4、第二極5構(gòu)成單柵薄膜晶體管13;當(dāng)?shù)谝粬艠O2對(duì)應(yīng)的溝道6上方具有第二柵極9時(shí)，第一柵極2與其對(duì)應(yīng)的第一極4、第二極5、第二柵極9構(gòu)成雙柵薄膜晶體管14。
[0061]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，OLED像素電極12直接與雙柵薄膜晶體管電連接，在本實(shí)施例中，預(yù)設(shè)位置的第二極5為與該OLED像素電極12電連接的雙柵薄膜晶體管中的第二極;在發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，OLED像素電極12與單柵薄膜晶體管電連接，在本實(shí)施例中，預(yù)設(shè)位置的第二極5為與該OLED像素電極12電連接的單柵薄膜晶體管中的第二極，雙柵薄膜晶體管中的第二極與單柵薄膜晶體管中的第一極電連接?？偠灾诒緦?shí)施例中，預(yù)設(shè)位置的第二極5為直接與OLED像素電極12電連接的第二極。
[0062]在上述兩個(gè)實(shí)施例中任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一柵極2沿預(yù)設(shè)方向A的長(zhǎng)度不小于其對(duì)應(yīng)溝道6的長(zhǎng)度，從而保證可以通過(guò)第一柵極2控制溝道6的導(dǎo)通狀態(tài)。其中，預(yù)設(shè)方向A平行于第一極4至第二極5方向。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，第一柵極2沿預(yù)設(shè)方向A的長(zhǎng)度不小于其對(duì)應(yīng)溝道6的長(zhǎng)度包括:第一柵極2沿預(yù)設(shè)方向A的長(zhǎng)度等于其對(duì)應(yīng)溝道6的長(zhǎng)度(如圖1所示)和第一柵極2沿預(yù)設(shè)方向A的長(zhǎng)度大于其對(duì)應(yīng)溝道6的長(zhǎng)度(如圖2所示)，具體視情況而定，本發(fā)明對(duì)此并不做限定。
[0063]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在垂直于所述OLED陣列基板表面方向上，雙柵薄膜晶體管14中，第二柵極9與其對(duì)應(yīng)的溝道6至少部分交疊，以使得第二柵極9可以在控制電極7輸出的控制信號(hào)的作用下，調(diào)節(jié)溝道6的閾值電壓。優(yōu)選的，在垂直于所述OLED陣列基板表面的方向上，溝道6的投影完全覆蓋第二柵極9的投影，也即在垂直于所述OLED陣列基板表面方向上，雙柵薄膜晶體管14中，第二柵極9的投影完全落入與其對(duì)應(yīng)的溝道6的投影范圍內(nèi)，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0064]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，第一柵極2、第一極
4、第二極5、第二柵極9、控制電極7和連接電極10均為金屬電極，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，只要第一柵極2、第一極4、第二極5、第二柵極9、控制電極7和連接電極10能夠?qū)щ娂纯?，?yōu)選為高導(dǎo)電率的電極。
[0065]需要說(shuō)明的是，在上述任一實(shí)施例中，OLED陣列基板還包括:位于OLED像素電極背離第一基板一側(cè)的多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)(圖中未示出)以及位于發(fā)光結(jié)構(gòu)背離OLED像素電極一側(cè)的OLED公共電極(圖中未示出)，以通過(guò)OLED像素電極和OLED公共電極控制各發(fā)光結(jié)構(gòu)的顯示。其中，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，OLED像素電極為陽(yáng)極，OLED公共電極為陰極;在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，OLED像素電極為陰極，OLED公共電極為陽(yáng)極，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。另外，由于本發(fā)明中的發(fā)光結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)相同，本發(fā)明對(duì)此不再詳細(xì)贅述。
[0066]相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，如圖3所示，該顯示面板包括:
[0067]上述任一實(shí)施例所提供的陣列基板100;
[0068]與所述陣列基板100相對(duì)設(shè)置的第二基板200。
[0069]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的OLED陣列基板及包括該OLED陣列基板的顯示面板中，連接電極1與預(yù)設(shè)位置的第二極5電連接，OLED像素電極12與連接電極1電連接，使得OLED像素電極12通過(guò)連接電極10與預(yù)設(shè)位置的第二極5電連接，實(shí)現(xiàn)OLED像素電極12與預(yù)設(shè)位置的第二極5的電連接，且連接電極10與第二柵極9同時(shí)形成，從而避免了第二柵極9形成過(guò)程中對(duì)預(yù)設(shè)位置的第二極5造成損傷的問(wèn)題。
[0070]此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種OLED陣列基板的制作方法，該方法包括:
[0071]如圖4所示，提供第一基板I，在第一基板I表面形成第一柵極2。具體的，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在第一基板I表面形成第一柵極2包括:在第一基板I表面形成第一電極層，對(duì)第一電極層進(jìn)行刻蝕，形成第一柵極2。其中，第一基板I優(yōu)選為玻璃基板，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0072]如圖5所示，在第一基板I和第一柵極2表面形成覆蓋第一基板I和第一柵極2的第一絕緣層3。
[0073]如圖6和圖7所示，在第一絕緣層3表面形成第一極4、第二極5、控制電極7和溝道6。具體的，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在第一絕緣層3表面形成第一極4、第二極5、控制電極7和溝道6包括:在第一絕緣層3表面形成有源層，對(duì)有源層進(jìn)行刻蝕，形成溝道6;在溝道6背離第一絕緣層3表面形成第二電極層，對(duì)第二電極層進(jìn)行刻蝕，形成第一極4、第二極5和控制電極7。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，第一極4、第二極5和控制電極7的材料需相同，才能在一步工藝中同時(shí)形成第一極4、第二極5和控制電極7，以減少OLED陣列基板的制作工藝流程，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，第一極4、第二極5和控制電極7還可以不同時(shí)形成，具體視情況而定。
[0074]如圖8所示，在第一絕緣層3表面形成覆蓋第一極4、第二極5、控制電極7和溝道6的第二絕緣層8。需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一極4為源極，第二極5為漏極;在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，第一極4為漏極，第二極5為源極，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0075]如圖9所示，在第二絕緣層8表面形成第二柵極9和連接電極10，第二柵極9與連接電極10同時(shí)形成，其中，第二柵極9與控制電極7電連接，接收控制電極7處的控制信號(hào)，連接電極10與預(yù)設(shè)位置的第二極5電連接。具體的，如圖10所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在第二絕緣層8表面形成第二柵極9和連接電極10之前還包括:
[0076]在第二絕緣層8中形成第一過(guò)孔15與第二過(guò)孔16，以便于第二柵極9和連接電極10形成之后，第二柵極9通過(guò)第一過(guò)孔15與控制電極7電連接，接收控制電極7處的控制信號(hào)，連接電極10通過(guò)第二過(guò)孔16與預(yù)設(shè)位置的第二極5電連接。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，第一過(guò)孔15和第二過(guò)孔16同時(shí)形成，以減少OLED陣列基板的制作工藝流程。
[0077]如圖11所示，在第二絕緣層8表面形成覆蓋第二柵極9和連接電極10的第三絕緣層11，優(yōu)選的，第三絕緣層11為有機(jī)層，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0078]如圖12所示，在第三絕緣層11表面形成OLED像素電極12，0LED像素電極12與連接電極10電連接。具體的，如圖13所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在第三絕緣層11表面形成OLED像素電極12之前還包括:在第三絕緣層11內(nèi)形成多個(gè)第三過(guò)孔17，OLED像素電極12通過(guò)第三過(guò)孔17與預(yù)設(shè)位置的第二極5電連接。在第三過(guò)孔17形成之后，再形成OLED像素電極12，以保證OLED像素電極12可以形成于第三過(guò)孔17內(nèi)通過(guò)連接電極10與預(yù)設(shè)位置的第二極5電連接。
[0079]需要說(shuō)明的是，在上述任一實(shí)施例中，第一柵極2、第一極4、第二極5、控制電極7、第二柵極9和/或OLED像素電極12等電極優(yōu)選為通過(guò)沉積、刻蝕工藝形成，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0080]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，OLED像素電極12直接與雙柵薄膜晶體管電連接，在本實(shí)施例中，預(yù)設(shè)位置的第二極5為與該OLED像素電極12電連接的雙柵薄膜晶體管中的第二極;在發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，OLED像素電極12與單柵薄膜晶體管電連接，在本實(shí)施例中，預(yù)設(shè)位置的第二極5為與該OLED像素電極12電連接的單柵薄膜晶體管中的第二極，雙柵薄膜晶體管中的第二極與單柵薄膜晶體管中的第一極電連接?？偠灾?，在本實(shí)施例中，預(yù)設(shè)位置的第二極5為直接與OLED像素電極12電連接的第二極。
[0081 ]此外，本發(fā)明實(shí)施例所提供的OLED陣列基板的制作方法還包括:在OLED像素電極背離第一基板一側(cè)形成多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)(圖中未不出)以及在發(fā)光結(jié)構(gòu)背離OLED像素電極一側(cè)形成OLED公共電極(圖中未示出)，以通過(guò)OLED像素電極和OLED公共電極控制各發(fā)光結(jié)構(gòu)的顯示。其中，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，OLED像素電極為陽(yáng)極，OLED公共電極為陰極;在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，OLED像素電極為陰極，OLED公共電極為陽(yáng)極，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0082]由上可知，本發(fā)明實(shí)施例所提供的OLED陣列基板的制作方法中，在形成第二柵極9時(shí)，同時(shí)在第二過(guò)孔16內(nèi)形成連接電極10，以避免第二柵極9形成時(shí)由于過(guò)刻蝕而對(duì)預(yù)設(shè)位置的第二極5造成損傷，然后再在連接電極10表面形成OLED像素電極12，使得OLED像素電極12通過(guò)連接電極10與預(yù)設(shè)位置的第二極5電連接，保證OLED陣列基板的正常工作。
[0083]本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。
[0084]對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED陣列基板，其特征在于，包括: 第一基板； 位于所述第一基板表面的第一柵極； 覆蓋所述第一柵極和所述第一基板的第一絕緣層； 位于所述第一絕緣層背離所述第一基板一側(cè)的第一極、第二極、控制電極和溝道； 覆蓋所述第一極和所述第二極的第二絕緣層； 位于所述第二絕緣層表面的第二柵極和連接電極，所述第二柵極與所述連接電極同時(shí)形成，其中，所述第二柵極與所述控制電極電連接，接收所述控制電極處的控制信號(hào)，所述連接電極與預(yù)設(shè)位置的所述第二極電連接； 覆蓋所述第二柵極和所述連接電極的第三絕緣層； 位于所述第三絕緣層表面的OLED的像素電極，所述OLED的像素電極與所述連接電極電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述第一極為源極，所述第二極為漏極;或，所述第一極為漏極，所述第二極為源極。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層具有第一過(guò)孔與第二過(guò)孔，所述第二柵極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述控制電極電連接，所述連接電極通過(guò)所述第二過(guò)孔與預(yù)設(shè)位置的所述第二極電連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED陣列基板，所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔同時(shí)形成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述OLED陣列基板包括多個(gè)第一柵極和至少一個(gè)第二柵極，其中，第一柵極的數(shù)量不小于所述第二柵極的數(shù)量； 當(dāng)所述第一柵極對(duì)應(yīng)的溝道上方不具有第二柵極時(shí)，所述第一柵極與其對(duì)應(yīng)的第一極、第二極構(gòu)成單柵薄膜晶體管；當(dāng)所述第一柵極對(duì)應(yīng)的溝道上方具有第二柵極時(shí)，所述第一柵極與其對(duì)應(yīng)的第一極、第二極、第二柵極構(gòu)成雙柵薄膜晶體管。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述預(yù)設(shè)位置的第二極為與所述OLED像素電極電連接的所述雙柵薄膜晶體管中的第二極。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述預(yù)設(shè)位置的第二極為與所述像素電連接的所述單柵薄膜晶體管中的第二極，所述雙柵薄膜晶體管中的第二極與所述單柵薄膜晶體管中的第一極電連接。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述第一柵極沿所述預(yù)設(shè)方向的長(zhǎng)度不小于其對(duì)應(yīng)溝道的長(zhǎng)度，所述預(yù)設(shè)方向平行于所述第一極至所述第二極方向。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED陣列基板，其特征在于，在垂直于所述OLED陣列基板表面方向上，所述雙柵薄膜晶體管中，所述第二柵極與其對(duì)應(yīng)的溝道至少部分交疊。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的OLED陣列基板，其特征在于，在垂直于所述OLED陣列基板表面方向上，所述雙柵薄膜晶體管中，所述第二柵極的投影完全落入與其對(duì)應(yīng)的溝道的投影范圍內(nèi)。11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述第一柵極、第一極、第二極、第二柵極、控制電極和連接電極均為金屬電極。12.—種顯示面板，其特征在于，包括:權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的OLED陣列基板。13.—種OLED陣列基板的制作方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的OLED陣列基板，其特征在于，該方法包括: 提供第一基板； 在所述第一基板表面形成第一柵極； 在所述第一基板和所述第一柵極表面形成覆蓋所述第一基板和所述第一柵極的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層背離所述第一基板一側(cè)形成第一極、第二極、控制電極和溝道； 在所述第一絕緣層表面形成覆蓋所述第一極、第二極、控制電極和溝道的第二絕緣層； 在所述第二絕緣層表面形成第二柵極和連接電極，所述第二柵極與所述連接電極同時(shí)形成，其中，所述第二柵極與所述控制電極電連接，接收所述控制電極處的控制信號(hào)，所述連接電極與預(yù)設(shè)位置的所述第二極電連接； 在所述第二絕緣層表面形成覆蓋所述第二柵極和所述連接電極的第三絕緣層； 在所述第三絕緣層表面形成OLED的像素電極，所述OLED的像素電極與所述連接電極電連接。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其特征在于，在所述第二絕緣層表面形成第二柵極和連接電極之前還包括: 在所述第二絕緣層中形成第一過(guò)孔與第二過(guò)孔，所述第二柵極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述控制電極電連接，接收所述控制電極處的控制信號(hào)，所述連接電極通過(guò)所述第二過(guò)孔與預(yù)設(shè)位置的所述第二極電連接。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制作方法，其特征在于，在所述第三絕緣層表面形成OLED像素電極之前還包括: 在所述第三絕緣層中形成多個(gè)第三過(guò)孔，所述OLED像素電極通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述連接電極電連接。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK105870160SQ201610444394
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年6月20日
【發(fā)明人】樓均輝, 吳天, 吳天一
【申請(qǐng)人】上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司