薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。本實(shí)用新型提供一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，該薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極以及位于所述源極與所述漏極之間的溝道，所述源極與所述漏極均包括直線部分與弧線部分，所述源極的直線部分與所述漏極的直線部分相對設(shè)置且相互平行，所述源極的弧線部分與所述漏極的弧線部分相對設(shè)置且相互平行。該薄膜晶體管像素充電更好，功耗低，可有效改善寄生電容造成的畫面異常情況。
【專利說明】
薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置，如液晶顯示器(Liquid CrystaL DispLay,LCD)具有體積小、重量輕、功耗小、色彩鮮艷、圖像逼真等優(yōu)勢。通常，顯示裝置包括陣列基板、彩色濾光片基板及背光模組等幾部分。陣列基板包括:玻璃基板和形成于玻璃基板上的多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線相互交叉從而形成多個(gè)子像素單元，每個(gè)子像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管作為開關(guān)器件用于控制子像素單元的狀態(tài)。薄膜晶體管包括:柵極、源極、漏極以及位于源極與漏極之間的溝道，其中，柵極與對應(yīng)的柵極線連接，源極與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接，漏極與像素電極連接。
[0003]隨著人們對顯示器品質(zhì)的要求逐漸提高，高分辨率、低功耗及高穿透率的液晶顯示器的已成為發(fā)展趨勢，一般高分辨率的像素架構(gòu)需要很強(qiáng)的TFT充電能力，而提高薄膜晶體管的溝道寬長比(W/L)可以提高TFT的充電性能。請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該薄膜晶體管10包括源極11、漏極12以及位于源極11與漏極12之間的溝道13?，F(xiàn)有技術(shù)中，若增加TFT寬度則會犧牲像素的開口率，減小TFT的長度還會容易發(fā)生短線。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的包括提供一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，用于改善應(yīng)用該薄膜晶體管的陣列基板的充電能力，從而改善像素架構(gòu)的高分辨率，且不會對開口率產(chǎn)生影響。
[0005]具體地，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，包括柵極、源極、漏極以及位于所述源極與所述漏極之間的溝道，所述源極與所述漏極均包括直線部分與弧線部分，所述源極的直線部分與所述漏極的直線部分相對設(shè)置且相互平行，所述源極的弧線部分與所述漏極的弧線部分相對設(shè)置且相互平行。
[0006]優(yōu)選地，所述源極的弧線部分的面積與一長度等于所述源極的弧線部分的高度、寬度等于所述源極的弧線部分的線寬的矩形的面積相等，所述漏極的弧線部分的面積與一長度等于所述漏極的弧線部分的高度、寬度等于所述漏極的弧線部分的線寬的矩形的面積相等。
[0007]優(yōu)選地，所述源極的直線部分的線寬大于或等于所述源極的弧線部分的線寬，所述漏極的直線部分的線寬大于或等于所述漏極的弧線部分的線寬。
[0008]優(yōu)選地，所述源極的直線部分與所述漏極的直線部分之間的距離與所述源極的弧線部分與所述漏極的弧線部分之間的距離相等。
[0009]優(yōu)選地，所述源極的弧線部分為“C”型結(jié)構(gòu)或“U”型結(jié)構(gòu)，所述漏極的弧線部分為“C"型結(jié)構(gòu)或“U”型結(jié)構(gòu)。
[0010]優(yōu)選地，所述源極的直線部分的線寬等于所述漏極的直線部分的線寬，所述源極的弧線部分的線寬等于所述漏極的弧線部分的線寬。
[0011]優(yōu)選地，所述源極的直線部分的面積等于所述漏極的直線部分的面積。
[0012]在此基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還提供一種陣列基板，所述陣列基板包括多條相互平行的柵極線以及多條相互平行的數(shù)據(jù)線，所述多條柵極線和所述多條數(shù)據(jù)線相互交叉從而限定的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括像素電極，每個(gè)像素單元還包括上述的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與對應(yīng)的柵極線連接，所述薄膜晶體管的源極與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接，所述薄膜晶體管的漏極與像素電極連接。
[0013]在此基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0014]本實(shí)用新型所提供的薄膜晶體管的源極與漏極包括弧線部分，在等高度、面積不變的情況下，該薄膜晶體管的溝道寬度(即弧線部分的長度)大于現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的溝道寬度，因此本實(shí)用新型所提供的薄膜晶體管的溝道寬長比W/L變大，從而在TFT大小不變的情況下提高像素充電能力，同時(shí)降低功耗，不會影響到液晶面板的開口率。
[0015]上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本實(shí)用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖3為現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管及圖2所示的薄膜晶體管在不同溝道寬度下的相移掩膜的電流-電壓曲線示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定實(shí)用新型目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本實(shí)用新型提出的一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置及其【具體實(shí)施方式】、方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及功效，詳細(xì)說明如后。
[0020]有關(guān)本實(shí)用新型的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中將可清楚的呈現(xiàn)。通過【具體實(shí)施方式】的說明，當(dāng)可對本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效得以更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本實(shí)用新型加以限制。
[0021]請參考圖2，圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，該薄膜晶體管20包括柵極(圖未示)、源極21、漏極22以及位于該源極21與該漏極22之間的溝道23，該源極21與該漏極22均包括直線部分與弧線部分，該源極21的直線部分211與該漏極22的直線部分221相對設(shè)置且相互平行，該源極21的弧線部分212與該漏極22的弧線部分222相對設(shè)置且相互平行，該源極21的弧線部分212的面積與一長度等于該源極21的弧線部分212的高度h、寬度等于該源極21的弧線部分212的線寬32的矩形的面積相等，該漏極22的弧線部分222的面積與一長度等于該漏極22的弧線部分222的高度h、寬度等于該漏極22的弧線部分212的線寬S3的矩形的面積相等。該源極21的直線部分211的面積等于該漏極22的直線部分221的面積。在本實(shí)施例中，該源極21的弧線部分212為“C”型結(jié)構(gòu)或“U”型結(jié)構(gòu)，該漏極22的弧線部分222為“C”型結(jié)構(gòu)或“U”型結(jié)構(gòu)，該溝道23為長方形或“U”型結(jié)構(gòu)。
[0022]該源極21的直線部分211的線寬S1大于或等于該源極21的弧線部分212的線寬&，即31 2 S2，該漏極22的直線部分221的線寬S3大于或等于該漏極22的弧線部分222的線寬S4，即S3^ S4。該源極21的直線部分211的線寬S1等于該漏極22的直線部分221的線寬S3 ,SPS1 =S3，該源極21的弧線部分212的線寬S2等于該漏極22的弧線部分222的線寬S4，S卩S2 = S4。該源極21的直線部分211與該漏極22的直線部分221之間的距離0工與該源極21的弧線部分212與該漏極22的弧線部分222之間的距離D2相等，SPD1 = D2d
[0023]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的薄膜晶體管20的源極21與漏極22包括弧線部分，在等高度h、面積不變的情況下，該溝道23的寬度W即該薄膜晶體管22弧線部分的長度大于現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的溝道寬度，則該薄膜晶體管20溝道23的寬長比W/L增大，提高了薄膜晶體管的充電電路及薄膜晶體管的充電能力，同時(shí)降低功耗，可有效改善寄生電容造成的畫面異常情況。
[0024]在固定源極21和漏極22的面積和高度h的情況下，采用本實(shí)用新型中提供的薄膜晶體管并通過相移掩膜技術(shù)來測試在不同溝道寬度條件下的電流-電壓情況。請參考圖3，圖3為現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管及本實(shí)用新型的薄膜晶體管在不同溝道寬度下的相移掩膜的電流-電壓曲線示意圖。如圖3所示，當(dāng)溝道寬度W為ΙΟμπι時(shí)，本實(shí)用新型提供的實(shí)施例(新架構(gòu))與現(xiàn)有技術(shù)(傳統(tǒng)架構(gòu))相比，本實(shí)用新型提供的實(shí)施例的電流-電壓曲線示意圖中的電流更大，即本實(shí)施例提供的該薄膜晶體管的充電電流更大，從而提高薄膜晶體管的充電能力；當(dāng)溝道寬度W分別為I Ομπι、15μπι、20μπι時(shí)，該電流-電壓曲線示意圖中的電流值遞增，即隨著溝道寬度的增加，該薄膜晶體管的電流-電壓的電流值增大，從而提高充電電流。在本實(shí)施例中，該薄膜晶體管通過相移掩膜技術(shù)來測試，其電流值隨著電壓增大而增大，同時(shí)，隨著溝道寬度的增加，電流值越高，即說明在源極和漏極面積及高度一定的情況下，采用本實(shí)用新型中提供的薄膜晶體管并通過相移掩膜技術(shù)來測試在不同溝道寬度條件下的電壓-電流情況，本實(shí)施例提供的該薄膜晶體管該源極和漏極弧線W的增加，可提高充電電流，從而提尚像素充電能力。
[0025]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的薄膜晶體管的源極與漏極包括弧線部分，在等高度h、面積不變的情況下，該薄膜晶體管溝道寬度W大于現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的溝道寬度，則該薄膜晶體管溝道的寬長比W/L增大，提高了薄膜晶體管的充電能力，同時(shí)降低功耗;另外，通過相移掩膜技術(shù)來進(jìn)行測試得到不同溝道寬度下的電流-電壓曲線示意圖，即隨著溝道寬度的增加，電流-電壓增大，增加溝道寬長比W/L，提高了薄膜晶體管的充電能力，同時(shí)降低功耗。
[0026]本實(shí)用新型還提供一種陣列基板，該陣列基板包括多條相互平行的柵極線以及多條相互平行的數(shù)據(jù)線，該多條柵極線和該多條數(shù)據(jù)線相互交叉從而限定的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括像素電極，每個(gè)像素單元還包括上述薄膜晶體管，該薄膜晶體管的柵極與對應(yīng)的柵極線連接，該薄膜晶體管的源極與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接，該薄膜晶體管的漏極與像素電極連接。
[0027]本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。具體地，所述顯示裝置可以為顯示面板、液晶電視、手機(jī)、液晶顯示器等。
[0028]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述所揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許變更或修飾等，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換或改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管，包括柵極、源極、漏極以及位于所述源極與所述漏極之間的溝道，其特征在于，所述源極與所述漏極均包括直線部分與弧線部分，所述源極的直線部分與所述漏極的直線部分相對設(shè)置且相互平行，所述源極的弧線部分與所述漏極的弧線部分相對設(shè)置且相互平行。2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極的弧線部分的面積與一長度等于所述源極的弧線部分的高度、寬度等于所述源極的弧線部分的線寬的矩形的面積相等，所述漏極的弧線部分的面積與一長度等于所述漏極的弧線部分的高度、寬度等于所述漏極的弧線部分的線寬的矩形的面積相等。3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極的直線部分的線寬大于或等于所述源極的弧線部分的線寬，所述漏極的直線部分的線寬大于或等于所述漏極的弧線部分的線寬。4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極的直線部分與所述漏極的直線部分之間的距離與所述源極的弧線部分與所述漏極的弧線部分之間的距離相等。5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極的弧線部分為“C”型結(jié)構(gòu)或“U”型結(jié)構(gòu)，所述漏極的弧線部分為型結(jié)構(gòu)或“U”型結(jié)構(gòu)。6.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極的直線部分的線寬等于所述漏極的直線部分的線寬，所述源極的弧線部分的線寬等于所述漏極的弧線部分的線寬。7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極的直線部分的面積等于所述漏極的直線部分的面積。8.—種陣列基板，所述陣列基板包括多條相互平行的柵極線以及多條相互平行的數(shù)據(jù)線，所述多條柵極線和所述多條數(shù)據(jù)線相互交叉從而限定的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括像素電極，其特征在于，每個(gè)像素單元還包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與對應(yīng)的柵極線連接，所述薄膜晶體管的源極與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接，所述薄膜晶體管的漏極與像素電極連接。9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L29/417GK205452295SQ201620106405
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年2月2日
【發(fā)明人】宋文慶
【申請人】昆山龍騰光電有限公司