一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶體管）作為顯示器中像素單元的開關(guān)，是顯示 器中的重要元件之一。傳統(tǒng)的TFT采用a-Si(非晶硅）材料作為有源層，其載流子迀移率僅 為0. 5cm2/V*s，難以滿足目前大尺寸、高驅(qū)動頻率的顯示器的驅(qū)動需要。因此，人們將研宄 目光轉(zhuǎn)向具有高載流子迀移率的氧化物半導(dǎo)體作為有源層的材料，如氧化鋅（ZincOxide， 簡稱ZnO)、氧化銦嫁鋅（IndiumGalliumZincOxide，簡稱IGZ0)以及氧化鋅錫（ZincTin Oxide，簡稱ZTO)等。
[0003] 然而，由于氧化物半導(dǎo)體受光照會產(chǎn)生光電流，而現(xiàn)有的TFT結(jié)構(gòu)中，由金屬材料 構(gòu)成的柵極只能阻擋有源層一側(cè)的光線，由于背光源的光線反射等原因仍有光線會照射到 有源層中，使得TFT導(dǎo)通時的閾值電壓（Vth)發(fā)生偏移，影響TFT的電性能與信賴性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 鑒于此，為解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管、陣列基板 及顯示裝置，可避免或阻止絕大多數(shù)光線照射到有源層相對于源極與漏極之間的相對區(qū)域 中，避免或降低TFT導(dǎo)通時Vth電壓產(chǎn)生偏移，保證了TFT具有良好的電性能與信賴性。
[0005] 為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
[0006] 一方面、本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：位于襯底基 板上的柵極、由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的有源層、以及相對設(shè)置的源極與漏極；其特征在 于，所述薄膜晶體管還包括：位于所述有源層遠離所述柵極一側(cè)的遮光層，且所述遮光層在 所述襯底基板上的投影至少覆蓋所述有源層對應(yīng)于所述源極與所述漏極之間的相對區(qū)域 在所述襯底基板上的投影；其中，所述遮光層包括：交替排列的第一材料層與第二材料層， 且所述第一材料層與所述第二材料層的層數(shù)之和為大于1的奇數(shù)；所述第一材料層與所述 第二材料層的折射率不同。
[0007] 可選的，所述第一材料層由硅材料構(gòu)成；所述第二材料層由氧化硅材料構(gòu)成。
[0008] 優(yōu)選的，所述第一材料層的厚度為32. 4nm的X倍；所述第二材料層的厚度為 85. 6nm的x倍；其中，x為正整數(shù)。
[0009] 優(yōu)選的，所述第一材料層與所述第二材料層的層數(shù)之和為7層。
[0010] 作為一種可選的方式，所述柵極位于所述有源層靠近所述襯底基板的一側(cè)；所述 有源層與所述源極、所述漏極直接接觸；所述遮光層在所述襯底基板上的投影覆蓋所述源 極、所述漏極、以及所述有源層。
[0011] 作為另一種可選的方式，所述柵極位于所述有源層遠離所述襯底基板的一側(cè)；所 述有源層位于所述遮光層上，且所述遮光層在所述襯底基板上的投影覆蓋所述源極、所述 漏極、以及所述有源層。
[0012] 在上述基礎(chǔ)上優(yōu)選的，所述第二材料層與所述有源層相接觸。
[0013] 另一方面、本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，包括上述任一項所述的薄膜晶 體管。
[0014] 可選的，所述陣列基板還包括：像素電極；所述薄膜晶體管中的遮光層上設(shè)置有 露出漏極的過孔；所述像素電極通過所述過孔與所述像素電極相接觸。
[0015] 再一方面、本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述所述的陣列基板。
[0016] 基于此，本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管由于在由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的 有源層遠離柵極的一側(cè)設(shè)置有具有DBR結(jié)構(gòu)的遮光層，遮光層在襯底基板上的投影至少覆 蓋有源層對應(yīng)于源極與漏極之間的相對區(qū)域在襯底基板上的投影，從而可避免或阻止絕大 多數(shù)光線照射到有源層中的相對區(qū)域內(nèi)，避免或降低了TFT導(dǎo)通時Vth電壓產(chǎn)生偏移，保證 了TFT具有良好的電性能與信賴性。
【附圖說明】
[0017] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018] 圖1為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0019] 圖2為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0020]圖3(a)為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管中遮光層的剖面結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0021] 圖3(b)為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管中遮光層的剖面結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0022] 圖4為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管中遮光層層數(shù)為7層時的反射譜模擬 結(jié)果示意圖。
[0023] 附圖標記：
[0024] 01-薄膜晶體管；100-襯底基板；10-柵極；20-有源層；20a-相對區(qū)域；30-遮光 層；31-第一材料層；32-第二材料層；301-過孔；41-源極；42-漏極；50-柵絕緣層。
【具體實施方式】
[0025] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0026] 需要指出的是，除非另有定義，本發(fā)明實施例中所使用的所有術(shù)語（包括技術(shù)和 科學(xué)術(shù)語）具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員共同理解的相同含義。還應(yīng)當理解，諸 如在通常字典里定義的那些術(shù)語應(yīng)當被解釋為具有與它們在相關(guān)技術(shù)的上下文中的含義 相一致的含義，而不應(yīng)用理想化或極度形式化的意義來解釋，除非這里明確地這樣定義。
[0027] 并且，本發(fā)明專利申請說明書以及權(quán)利要求書中所使用的術(shù)語"上"、"下"等指示 的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描 述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作， 因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0028] 本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管01，如圖1或圖2所示，該薄膜晶體管01包 括：位于襯底基板1〇〇上的柵極10、由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的有源層20、以及相對設(shè)置的 源極41與漏極42 ;該薄膜晶體管01還包括：位于有源層20遠離柵極10的一側(cè)的遮光層 30 ;遮光層30在襯底基板100上的投影至少覆蓋有源層20對應(yīng)于源極41與漏極42之間 的相對區(qū)域20a在襯底基板100上的投影；其中，如圖3所示，遮光層30具體包括：交替排 列的第一材料層31與第二材料層32,且第一材料層31與第二材料層32的層數(shù)之和為大于 1的奇數(shù)；第一材料層31與第二材料層32的折射率不同。
[0029] 需要說明的是，第一、當上述的薄膜晶體管為底柵型（bottomgate，即柵極位于有 源層靠近于襯底基板的一側(cè)）結(jié)構(gòu)時，如圖1所示，相對于襯底基板100,遮光層30位于有 源層20的上方。在此情況下，遮光層30可以是位于有源層20的上方、且與有源層20相接 觸；或者，也可以是位于有源層20的上方、且不與其直接相接觸（即二者之間還包括有其他 膜層，如鈍化層等）。本發(fā)明實施例對此不作限定，只要使得遮光層30位于有源層20的上 方，遮擋住有源層20對應(yīng)于源極41與漏極42之間的相對區(qū)域20a(即TFT導(dǎo)通時的溝道， channel)艮P可。
[0030] 同樣的，當上述的薄膜晶體管為頂