1.一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述方法包括步驟：
在襯底上形成下部半導(dǎo)體層的第一區(qū)；
使用在形成所述第一區(qū)時使用的至少一種氣體，在已執(zhí)行形成所述第一區(qū)的處理的腔室中原位地對所述第一區(qū)的上表面進行刻蝕；
在所述第一區(qū)上形成下部半導(dǎo)體層的第二區(qū)；
在下部半導(dǎo)體層上形成有源層；以及
在有源層上形成上部半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述至少一種氣體為載氣。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述至少一種氣體為氫氣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，對所述第一區(qū)的上表面進行刻蝕的步驟包括：刻蝕所述第一區(qū)的上表面，以在所述第一區(qū)的上表面上形成凹凸部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第二區(qū)形成為具有平坦上表面并且填充形成在所述第一區(qū)的上表面上的凹凸部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第二區(qū)形成為具有平坦上表面并且在形成在所述第一區(qū)的上表面上的凹凸部分處形成空隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在腔室內(nèi)原位地執(zhí)行形成所述第一區(qū)的步驟、從所述第一區(qū)的上表面刻蝕所述上表面的步驟以及形成所述第二區(qū)的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用相同的材料來形成所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的鄰近于所述第一區(qū)與所述第二區(qū)之間的界面的部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一區(qū)的刻蝕后的上表面是由氮化鋁形成的層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在刻蝕所述第一區(qū)的上表面的步驟中，阻擋用于形成氮化鋁的氮化物源氣流入。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，下部半導(dǎo)體層包括順序地設(shè)置在襯底上的緩沖層和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一區(qū)由緩沖層的一部分形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，下部半導(dǎo)體層還包括設(shè)置在緩沖層與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的超晶格層。
14.一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述方法包括步驟：
在襯底上形成下部半導(dǎo)體層的第一區(qū)；
使用在形成所述第一區(qū)時使用的至少一種氣體來刻蝕所述第一區(qū)的一部分；
在所述第一區(qū)上形成下部半導(dǎo)體層的第二區(qū)；
在下部半導(dǎo)體層上形成有源層；以及
在有源層上形成上部半導(dǎo)體層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，使用單件設(shè)備原位地進行形成所述第一區(qū)的步驟和刻蝕所述第一區(qū)的一部分的步驟。
16.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件包括：
襯底；
下部半導(dǎo)體層，其設(shè)置在襯底上并且包括第一區(qū)和設(shè)置在所述第一區(qū)上的第二區(qū)；
有源層，其設(shè)置在下部半導(dǎo)體層上；以及
上部半導(dǎo)體層，其設(shè)置在有源層上，
其中，所述第一區(qū)與所述第二區(qū)之間的界面為非平坦表面，并且分別位于所述界面下方和上方的所述第一區(qū)和所述第二區(qū)由相同的材料形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，下部半導(dǎo)體層包括順序地設(shè)置在襯底上的緩沖層和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，并且所述非平坦表面位于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，下部半導(dǎo)體層包括順序地設(shè)置在襯底上的緩沖層和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，并且所述非平坦表面是緩沖層與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的界面。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述非平坦表面包括空隙。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述空隙沿所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的晶面形成。
21.一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件包括多個半導(dǎo)體層，所述方法包括步驟：
在制造過程期間，刻蝕所述多個半導(dǎo)體層中的兩個半導(dǎo)體層之間的接觸界面，以在所述界面處形成非平坦表面，所述非平坦表面防止隨后在制造過程中設(shè)置的各半導(dǎo)體層中的穿透位錯和裂紋中的至少一種；以及
在所述多個半導(dǎo)體層上形成有源層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，在制造過程期間，所述多個半導(dǎo)體層形成在襯底上，并且
其中，由不同的材料來形成襯底和所述多個半導(dǎo)體層中的接觸襯底的半導(dǎo)體層。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述非平坦表面包括凹凸部分。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述非平坦表面還包括多個空隙。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述非平坦表面包括多個空隙。