技術(shù)編號：11136734
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2015年8月3日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請第10-2015-0109489號的優(yōu)先權(quán)，其全部公開內(nèi)容通過引用合并于此。技術(shù)領(lǐng)域符合本發(fā)明構(gòu)思的方法、設(shè)備、裝置和制造產(chǎn)品涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體發(fā)光器件在被施加電流時通過電子和空穴的復(fù)合而發(fā)光。半導(dǎo)體發(fā)光器件已經(jīng)由于諸如低功耗、高亮度、小型化等許多積極屬性而被廣泛使用。具體地，在開發(fā)了基于氮化物的發(fā)光器件之后，其實用范圍進(jìn)一步擴大。因此，半導(dǎo)體發(fā)光器件已用于背光...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。