本發(fā)明涉及一種硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu)及制備方法,尤其涉及一種量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池光陽(yáng)極材料的制備。
背景技術(shù):
量子點(diǎn)(quantum dots,QDs)是三維尺寸小于或接近激子波爾半徑,具有量子局限效應(yīng)的準(zhǔn)零維納米粒子,可通過吸收一個(gè)光子能量產(chǎn)生多個(gè)激子,即多重激子效應(yīng)(multiple exciton generation,簡(jiǎn)稱MEG),進(jìn)而形成多重電荷載流子對(duì),以更加有效地利用太陽(yáng)能。根據(jù)美國(guó)物理學(xué)家Shockley和Queisser提出的S-Q極限模型,半導(dǎo)體PN結(jié)太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率極限為31%,然而以QD為光敏劑構(gòu)筑的量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池(Quantum dot sensitized solar cell,簡(jiǎn)稱QDSC),在MEG效應(yīng)作用下,則能突破S-Q極限效率模型,具有更高的理論光電轉(zhuǎn)換效率。并且,QDSC制造成本遠(yuǎn)低于硅太陽(yáng)能電池。因此,QDSC被認(rèn)為是極具發(fā)展?jié)摿Φ男乱淮?yáng)能電池,成為世界范圍內(nèi)研究的熱點(diǎn)之一。
與單一的CdS、CdSe、InP、PbSe QDs相比,CdS/CdSe共敏化體系用于QDSC中獲得了更高的能量轉(zhuǎn)換效率由于其通過引入CdS提高了CdSe量子點(diǎn)的吸附量從而增加了光俘獲能量。然而,傳統(tǒng)的制備方法中,先利用連續(xù)離子層交互吸附反應(yīng)法(SILAR)吸附CdS QDs和化學(xué)浴沉積吸附CdSe QDs的方法制備光陽(yáng)極的時(shí)間大于5h。而利用外接法制備的核殼結(jié)構(gòu)CdS/CdSe過程需要隔絕空氣,操作條件苛刻。
本發(fā)明采用連續(xù)離子層交互吸附反應(yīng)的合成方法,通過控制S與Se的比例制備的CdSxSe1-x/ZnSxSe1-x QDs修飾二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)既可以獲得帶隙可調(diào)的CdSxSe1-xQDs實(shí)現(xiàn)對(duì)光譜響應(yīng)范圍的調(diào)節(jié),又可使ZnSxSe1-x有效降低CdSxSe1-x QDs的缺陷,減少電子-空穴復(fù)合。本實(shí)驗(yàn)合成方法使用同一Na2SxSe1-x溶液合成ZnSxSe1-x與CdSxSe1-x QDs,節(jié)約了成本、簡(jiǎn)化了工序,將量子點(diǎn)吸附時(shí)間控制在1h內(nèi),極大地縮短了反應(yīng)時(shí)間,提高了效率。同時(shí),該結(jié)構(gòu)的光陽(yáng)極應(yīng)用于量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池可有效提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明涉及的納米材料制備方法具有成本低廉、過程可控、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn),可運(yùn)用于太陽(yáng)能電池光陽(yáng)極材料,也可用于光催化領(lǐng)域。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于,提供一種硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu)及制備方法,該薄膜結(jié)構(gòu)為TiO2納米顆粒為載體,在TiO2顆粒表面吸附CdSSe合金量子點(diǎn),之后吸附ZnSSe修飾量子點(diǎn)。采用絲網(wǎng)印刷或刮涂法制備TiO2薄膜,采用連續(xù)離子層交互吸附反應(yīng)法在TiO2顆粒表面吸附CdSSe和ZnSSe。該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的主要目的是通過調(diào)節(jié)S與Se的比例,一步法制備禁帶寬度可調(diào)的CdSSe三元合金量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)對(duì)光譜響應(yīng)的精確可控,同時(shí)利用ZnSSe對(duì)量子點(diǎn)進(jìn)行修飾降低其表面缺陷。本發(fā)明所述方法具有簡(jiǎn)單快速、成本低廉、過程可控、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn),可運(yùn)用于太陽(yáng)能電池光陽(yáng)極材料,也可用于光催化領(lǐng)域。
本發(fā)明所述的一種硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu),該薄膜結(jié)構(gòu)為硫硒化鎘量子點(diǎn)修飾的TiO2納米顆粒,再用硫硒化鋅修飾形成硫硒化鎘/硫硒化鋅異質(zhì)結(jié),其中TiO2納米顆粒為P25或是粒徑可調(diào)20-400nm的TiO2納米顆粒,具體操作按下列步驟進(jìn)行:
a、制備二氧化鈦漿料:將P25或粒徑可調(diào)20-400nm的TiO2、松油醇和乙基纖維素按照2:7:1的比例混合,加入10mL無(wú)水乙醇,攪拌0.5h后,使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀移除無(wú)水乙醇,制得TiO2漿料;
b、將透明導(dǎo)電玻璃清洗干凈,烘干,采用絲網(wǎng)印刷或刮涂法將制備好的TiO2漿料刮在透明導(dǎo)電玻璃表面,然后在馬弗爐中溫度500℃退火30min,升溫速率5℃/分鐘,得到TiO2薄膜;
c、吸附硫硒化鎘量子點(diǎn):在0.1M的Na2S溶液中加入Se粉混合均勻,得到Na2SSe溶液;再配制0.01-0.1M的Cd(NO3)2或Cd(CH3COO)2溶液;采用SILAR法吸附量子點(diǎn):將TiO2薄膜在Cd2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,此過程稱為1個(gè)循環(huán),重復(fù)4-12個(gè)循環(huán);
d、吸附硫硒化鋅鈍化層:配制0.01-0.1M的Zn(NO3)2或Zn(CH3COO)2溶液,將吸附有硫硒化鎘量子點(diǎn)的TiO2薄膜在Zn2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入步驟c中的Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,重復(fù)1-4個(gè)循環(huán),得到硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜。
一種硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu)的制備方法,按下列步驟進(jìn)行:
a、制備二氧化鈦漿料:將P25或粒徑可調(diào)20-400nm的TiO2、松油醇和乙基纖維素按照2:7:1的比例混合,加入10mL無(wú)水乙醇,攪拌0.5h后,使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀移除無(wú)水乙醇,制得TiO2漿料;
b、將FTO玻璃清洗干凈,烘干,采用絲網(wǎng)印刷或刮涂法將制備好的TiO2漿料刮在FTO玻璃表面,然后在馬弗爐中溫度500℃退火30min,升溫速率5℃/分鐘,得到TiO2薄膜;
c、吸附硫硒化鎘量子點(diǎn):在0.1M的Na2S溶液中加入Se粉混合均勻,得到Na2SSe溶液;再配制0.01-0.1M的Cd(NO3)2或Cd(CH3COO)2溶液;采用SILAR法吸附量子點(diǎn):將TiO2薄膜在Cd2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,此過程稱為1個(gè)循環(huán),重復(fù)4-12個(gè)循環(huán);
d、吸附硫硒化鋅鈍化層:配制0.01-0.1M的Zn(NO3)2或Zn(CH3COO)2溶液,將吸附有硫硒化鎘量子點(diǎn)的TiO2薄膜在Zn2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入步驟c中的Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,重復(fù)1-4個(gè)循環(huán),得到硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜。
步驟c中Se粉的加入量為Se與S的摩爾比0.1-0.9。
步驟d中鈍化層的吸附量通過循環(huán)次數(shù)來(lái)精確控制。
本發(fā)明所述的硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu)及制備方法,其優(yōu)點(diǎn)和積極效果:本發(fā)明采用硫硒化鎘和硫硒化鋅(CdSSe/ZnSSe)修飾二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu)通過控制S與Se的比例制備的CdSSe/ZnSSe QDs修飾二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)即獲得帶隙可調(diào)的CdSSe QDs實(shí)現(xiàn)對(duì)光譜響應(yīng)范圍的調(diào)節(jié),又使ZnSSe有效降低CdSSe QDs的缺陷,減少電子-空穴復(fù)合。本發(fā)明所述方法使用同一Na2SSe溶液合成ZnSSe與CdSSe QDs,節(jié)約了成本、簡(jiǎn)化了工序,將量子點(diǎn)吸附時(shí)間控制在1h內(nèi),極大地縮短了反應(yīng)時(shí)間,提高了效率。該薄膜結(jié)構(gòu)的光陽(yáng)極應(yīng)用于量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池可有效提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。采用連續(xù)離子層交互吸附反應(yīng)方法制備工藝簡(jiǎn)單,成本低廉、過程可控、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。
通過本發(fā)明所述方法獲得的CdSSe/ZnSSe修飾的二氧化鈦薄膜,該材料結(jié)構(gòu)為CdSSe量子點(diǎn)修飾的TiO2納米顆粒之后用ZnSSe修飾形成CdSSe/ZnSSe,其中TiO2納米顆粒為P25或是粒徑可調(diào)(20~400nm)的TiO2納米晶,量子點(diǎn)CdSSe與ZnSSe形成異質(zhì)結(jié)。該結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池光陽(yáng)極材料。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明實(shí)施2組裝成量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的I-V圖;
圖2為本發(fā)明硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜圖,其中a為實(shí)例1的結(jié)果,吸附CdSSe量子點(diǎn)的循環(huán)次數(shù)為4,吸附ZnSSe的循環(huán)次數(shù)為1;b為實(shí)例2的結(jié)果,吸附CdSSe量子點(diǎn)的循環(huán)次數(shù)分別為6,,吸附ZnSSe的循環(huán)次數(shù)為2;c為實(shí)例3的結(jié)果,吸附CdSSe量子點(diǎn)的循環(huán)次數(shù)分別為10,吸附ZnSSe的循環(huán)次數(shù)為3;d為實(shí)例4的結(jié)果,吸附CdSSe量子點(diǎn)的循環(huán)次數(shù)分別為12,吸附ZnSSe的循環(huán)次數(shù)為4;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例2得到的硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu)的透射電子顯微鏡(TEM)照片。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
a、制備二氧化鈦漿料:將P25的TiO2、松油醇和乙基纖維素按照2:7:1的比例混合,加入10mL無(wú)水乙醇,攪拌0.5h后,使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀移除無(wú)水乙醇,制得TiO2漿料;
b、將透明導(dǎo)電玻璃(FTO)清洗干凈、烘干,采用絲網(wǎng)印刷將制備好的漿料刮在透明導(dǎo)電玻璃表面,然后在馬弗爐中溫度500℃退火30min,升溫速率5℃/分鐘,得到TiO2薄膜;
c、吸附硫硒化鎘(CdSSe)量子點(diǎn):在0.1M的Na2S溶液中加入0.01moL Se粉混合均勻,得到Na2SSe溶液;再配制0.01M的Cd(NO3)2溶液;采用SILAR法吸附量子點(diǎn):將TiO2薄膜在Cd2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,此過程稱為1個(gè)循環(huán),重復(fù)4個(gè)循環(huán)過程;
d、吸附ZnSSe鈍化層:配制0.01M的Zn(NO3)2溶液,將吸附有硫硒化鎘(CdSSe)量子點(diǎn)的TiO2薄膜在Zn2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入步驟c中的Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,重復(fù)1個(gè)循環(huán),得到硫硒化鎘和硫硒化鋅(CdSSe/ZnSSe)修飾的二氧化鈦薄膜,鈍化層的吸附量通過循環(huán)次數(shù)來(lái)精確控制(圖2a)。
實(shí)施例2
a、制備二氧化鈦漿料:將粒徑可調(diào)20nm的TiO2、松油醇和乙基纖維素按照2:7:1的比例混合,加入10mL無(wú)水乙醇,攪拌0.5h后,使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀移除無(wú)水乙醇,制得TiO2漿料;
b、將透明導(dǎo)電玻璃(FTO)玻璃清洗干凈,烘干,采用刮涂法將制備好的TiO2漿料刮在透明導(dǎo)電玻璃表面,然后在馬弗爐中溫度500℃退火30min,升溫速率5℃/分鐘,得到TiO2薄膜;
c、吸附硫硒化鎘量子點(diǎn):在0.1M的Na2S溶液中加入0.03moL Se粉混合均勻,得到Na2SSe溶液;再配制0.01M的Cd(CH3COO)2溶液;采用SILAR法吸附量子點(diǎn):將TiO2薄膜在Cd2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,此過程稱為1個(gè)循環(huán),重復(fù)6個(gè)循環(huán)過程;
d、吸附硫硒化鋅鈍化層:配制0.01M的Zn(CH3COO)2溶液,將吸附有硫硒化鎘量子點(diǎn)的TiO2薄膜在Zn2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入步驟c中的Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,重復(fù)2個(gè)循環(huán),得到硫硒化鎘和硫硒化鋅(CdSSe/ZnSSe)修飾的二氧化鈦薄膜,鈍化層的吸附量通過循環(huán)次數(shù)來(lái)精確控制(圖2b)。
實(shí)施例3
a、制備二氧化鈦漿料:將調(diào)400nm的TiO2、松油醇和乙基纖維素按照2:7:1的比例混合,加入10mL無(wú)水乙醇,攪拌0.5h后,使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀移除無(wú)水乙醇,制得TiO2漿料;
b、將透明導(dǎo)電玻璃(FTO)玻璃清洗干凈,烘干,采用絲網(wǎng)印刷將制備好的TiO2漿料刮在透明導(dǎo)電玻璃表面,然后在馬弗爐中溫度500℃退火30min,升溫速率5℃/分鐘,得到TiO2薄膜;
c、吸附硫硒化鎘量子點(diǎn):在0.1M的Na2S溶液中加入0.05moL Se粉混合均勻,得到Na2SSe溶液;再配制0.01M的Cd(NO3)2溶液;采用SILAR法吸附量子點(diǎn):將TiO2薄膜在Cd2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,此過程稱為1個(gè)循環(huán),重復(fù)10個(gè)循環(huán)過程;
d、吸附硫硒化鋅鈍化層:配制0.01M的Zn(NO3)2溶液,將吸附有硫硒化鎘量子點(diǎn)的TiO2薄膜在Zn2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入步驟c中的Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,重復(fù)3個(gè)循環(huán),得到硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜,鈍化層的吸附量通過循環(huán)次數(shù)來(lái)精確控制(圖2c)。
實(shí)施例4
a、制備二氧化鈦漿料:將粒徑可調(diào)200nm的TiO2、松油醇和乙基纖維素按照2:7:1的比例混合,加入10mL無(wú)水乙醇,攪拌0.5h后,使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀移除無(wú)水乙醇,制得TiO2漿料;
b、將透明導(dǎo)電玻璃(FTO)玻璃清洗干凈,烘干,采用刮涂法將制備好的TiO2漿料刮在透明導(dǎo)電玻璃表面,然后在馬弗爐中溫度500℃退火30min,升溫速率5℃/分鐘,得到TiO2薄膜;
c、吸附硫硒化鎘量子點(diǎn):在0.1M的Na2S溶液中加入0.09moL Se粉混合均勻,得到Na2SSe溶液;再配制0.01M的Cd(CH3COO)2溶液;采用SILAR法吸附量子點(diǎn):將TiO2薄膜在Cd2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,此過程稱為1個(gè)循環(huán),重復(fù)12個(gè)循環(huán)過程;
d、吸附硫硒化鋅鈍化層:配制0.01M的Zn(CH3COO)2溶液,將吸附有硫硒化鎘量子點(diǎn)的TiO2薄膜在Zn2+溶液中浸沒1min后用去離子水沖洗,吹干,再浸入步驟c中的Na2SSe溶液中1min后用去離子水沖洗,吹干,重復(fù)4個(gè)循環(huán),得到硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜,鈍化層的吸附量通過循環(huán)次數(shù)來(lái)精確控制(圖2d)。
實(shí)施例5
將實(shí)施例1-4任意一種硫硒化鎘和硫硒化鋅(CdSSe/ZnSSe)修飾的二氧化鈦薄膜量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池測(cè)試:將獲得的硫硒化鎘和硫硒化鋅(CdSSe/ZnSSe)修飾的二氧化鈦薄膜作為光陽(yáng)極,對(duì)電極采用Cu2S電極,以多硫化合物溶液為電解液,組裝成模擬太陽(yáng)能電池,采用AM 1.5(100mW cm-2)模擬太陽(yáng)能光源的電池測(cè)試系統(tǒng)對(duì)組裝的電池進(jìn)行性能測(cè)試,其中電池測(cè)試的有效面積為0.2cm2。