一種薄膜電晶體場效應(yīng)管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種薄膜電晶體場效應(yīng)管及其制造方法。該場效應(yīng)管包括：襯底；柵電極、源電極和漏電極；以及氧化物半導(dǎo)體層；其中，所述氧化物半導(dǎo)體層包括分別與所述源電極和漏電極電接觸的源區(qū)和漏區(qū)，和用以提供源電極和漏電極之間導(dǎo)電溝道的溝道區(qū)，其中，在所述氧化物半導(dǎo)體層與用于電接觸柵電極的柵區(qū)之間設(shè)置柵電極絕緣層，以及在氧化物半導(dǎo)體層上設(shè)置氧化物半導(dǎo)體保護(hù)層。采用本發(fā)明可避免半導(dǎo)體氧化物層在器件制備過程中受到損傷，從而提高了器件的導(dǎo)電特性和結(jié)構(gòu)完整性。
【專利說明】一種薄膜電晶體場效應(yīng)管及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言，涉及一種薄膜電晶體場效應(yīng)管及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)以其優(yōu)良的性能廣泛用于集成電路(Integrated Circuit,簡稱1C)、圖像顯示器件驅(qū)動電路中。作為實(shí)現(xiàn)TFT器件源漏電極之間電荷傳輸?shù)耐ǖ?，場效?yīng)管的溝道層是TFT器件的一個重要結(jié)構(gòu)，溝道層的結(jié)構(gòu)與性能直接影響器件成品的電學(xué)性能。溝道層可選用半導(dǎo)體薄膜材料，已知有基于硅的半導(dǎo)體材料，以及氧化物半導(dǎo)體材料。一種氧化物半導(dǎo)體材料的例子如氧化銦鎵鋅材料(Indium Gallium Zinc Oxide,簡稱 IGZO)。
[0003]此外，根據(jù)源漏電極與有源層的接觸方式，TFT可分為頂柵結(jié)構(gòu)和底柵結(jié)構(gòu)，如圖1a和Ib所示。每種TFT結(jié)構(gòu)的制備過程中，都會經(jīng)過多次高溫過程、接觸到多種化學(xué)試齊U。因此，半導(dǎo)體氧化物層14，也就是前述的溝道層不免受到后續(xù)制備工藝的影響。例如，頂柵底接觸薄膜電晶體場效應(yīng)管的制作方式，通常是在沉積的半導(dǎo)體氧化物層14上，進(jìn)一步米用例如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,簡稱為PECVD)工藝生長柵電極絕緣層(Gate Isolation,簡稱GI) 12或者鈍化層PV(Passivation)II。這種制備方法使半導(dǎo)體氧化物直接暴露在電漿環(huán)境中，很容易導(dǎo)致氧化物半導(dǎo)體表面出現(xiàn)界面損傷，降低器件溝道的電學(xué)性能，從而降低器件的性能。
[0004]因此，為避免半導(dǎo)體氧化物層在器件制備過程中受到損傷，而降低其導(dǎo)電特性和結(jié)構(gòu)完整性，需要一種帶有對半導(dǎo)體氧化物層進(jìn)行保護(hù)的結(jié)構(gòu)的TFT器件或TFT器件制備工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之一是為避免半導(dǎo)體氧化物被后續(xù)等離子體氣相沉積等工藝步驟損傷。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種具有保護(hù)層結(jié)構(gòu)的薄膜電晶體場效應(yīng)管，其包括:
[0007]襯底；
[0008]柵電極、源電極和漏電極；以及
[0009]氧化物半導(dǎo)體層；其中，
[0010]所述氧化物半導(dǎo)體層包括分別與所述源電極和漏電極電接觸的源區(qū)和漏區(qū)，和用以提供源電極和漏電極之間導(dǎo)電溝道的溝道區(qū)，其中，在所述氧化物半導(dǎo)體層與用于電接觸柵電極的柵區(qū)之間設(shè)置柵電極絕緣層，以及在氧化物半導(dǎo)體層上設(shè)置氧化物半導(dǎo)體保護(hù)層。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，相對于所述襯底而言，與所述柵電極電接觸的柵區(qū)設(shè)置在所述柵電極絕緣層上方。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，相對于所述襯底而言，與所述柵電極電接觸的柵區(qū)設(shè)置在所述柵電極絕緣層下方。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述柵極絕緣層和柵電極上表面形成鈍化層。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述半導(dǎo)體氧化物層以及源電極和漏電極的上表面形成鈍化層。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述保護(hù)層的材料為有機(jī)光感應(yīng)交聯(lián)性薄膜。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，以所述半導(dǎo)體氧化物保護(hù)層為掩模將其與所述氧化物半導(dǎo)體層同時圖案化形成。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在所述半導(dǎo)體氧化物層圖案化之后，對整個氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行涂敷形成保護(hù)層。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述氧化物半導(dǎo)體層為氧化銦鎵鋅層。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其包括以下步驟:
[0020]在襯底上形成基底絕緣層；
[0021]在所述基底絕緣層上圖案化形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；
[0022]在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道；
[0023]在所述氧化物半導(dǎo)體層的露出的表面上全面涂敷形成保護(hù)層；
[0024]在所述源電極和漏電極、所述保護(hù)層以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層；
[0025]在所述柵電極絕緣層上形成柵電極。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在所述柵電極絕緣層和所述柵電極上采用CVD工藝形成鈍化層。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，采用PECVD工藝形成所述柵電極絕緣層。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述保護(hù)層采用的材料是有機(jī)光感應(yīng)交聯(lián)性薄膜。
[0029]在本發(fā)明的又一方面中，還提供了一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其包括以下步驟:
[0030]在襯底上形成基底絕緣層；
[0031]以保護(hù)層作為掩膜在所述基底絕緣層上圖案化形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；
[0032]在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道；
[0033]在所述源電極和漏電極、所述保護(hù)層以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層；
[0034]在所述柵電極絕緣層上形成柵電極。
[0035]在本發(fā)明的又一方面中，還提供了一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其包括以下步驟:
[0036]在襯底上形成基底絕緣層；
[0037]在所述基底絕緣層上形成柵電極；[0038]在所述柵電極以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層；
[0039]在所述柵電極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；
[0040]在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道；
[0041]在所述氧化物半導(dǎo)體層的露出的表面上全面涂敷形成保護(hù)層；
[0042]在所述保護(hù)層上形成鈍化層。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在部分所述柵電極絕緣層、保護(hù)層以及源電極和漏電極上采用CVD工藝形成鈍化層。
[0044]在本發(fā)明的又一方面中，還提供了一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其包括以下步驟:
[0045]在襯底上形成基底絕緣層；
[0046]在所述基底絕緣層上形成柵電極；
[0047]在所述柵電極以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層；
[0048]以保護(hù)層為掩膜在所述柵電極絕緣層上圖案化形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；
[0049]在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道；
[0050]在所述保護(hù)層上形成鈍化層。
[0051]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在部分所述柵電極絕緣層、保護(hù)層以及源電極和漏電極上采用CVD工藝形成鈍化層。
[0052]在根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案形成的場效應(yīng)晶體管中，保護(hù)層覆蓋氧化物保護(hù)層的上表面甚至側(cè)壁，使保護(hù)層對半導(dǎo)體氧化物層的保護(hù)更全面，達(dá)到更好的防護(hù)效果。
[0053]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0054]附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0055]圖1a和圖1b顯示了現(xiàn)有技術(shù)中所采用的TGBC結(jié)構(gòu)和共平面結(jié)構(gòu)(co-planar)的薄膜電晶體器件的結(jié)構(gòu)圖；
[0056]圖2a和圖2b分別顯示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例針對TGBC結(jié)構(gòu)和共平面結(jié)構(gòu)(co-planar)的半導(dǎo)體氧化物層上形成保護(hù)層的第一種結(jié)構(gòu)；
[0057]圖3a和圖3b分別顯示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例針對TGBC結(jié)構(gòu)和共平面結(jié)構(gòu)(co-planar)的半導(dǎo)體氧化物層上形成保護(hù)層的第二種結(jié)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】
[0058]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0059]PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
[0060]在PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)。襯底溫度通常保持在350°C左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作為集成電路最后的鈍化保護(hù)層，提高集成電路的可靠性。但是，該工藝的實(shí)施如前所述會對半導(dǎo)體氧化物材料的導(dǎo)電性能產(chǎn)生不好的影響。例如，如圖1a和Ib所示，在后續(xù)的GI CVD或者PVCVD工藝中，會對半導(dǎo)體氧化物IGZO材料層產(chǎn)生不好的影響。
[0061]此外，半導(dǎo)體器件制備過程中需要多步光刻工藝(Photo Engraving Process,簡稱PEP)對結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖案化。每一次PEP光刻工藝都需要昂貴的掩模板，這大大增加了器件的制作成本，并且多次光刻工藝增加了結(jié)構(gòu)間相互對準(zhǔn)難度，導(dǎo)致增加了工藝難度，降低了器件的成品率。因此，減少PEP步驟數(shù)目是半導(dǎo)體器件制備領(lǐng)域中一直追求的目標(biāo)。
[0062]如圖2a所示，其中顯示了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例針對圖1a所示的結(jié)構(gòu)增加保護(hù)層15的半導(dǎo)體器件示意圖。
[0063]在該結(jié)構(gòu)中，其通常包括襯底13 ;柵電極G、源電極S和漏電極D ;以及氧化物半導(dǎo)體層14。
[0064]氧化物半導(dǎo)體層14包括分別與源電極S和漏電極D電接觸的源區(qū)和漏區(qū)，和用以提供源電極S和漏電極D之間導(dǎo)電溝道的溝道區(qū)。如圖2a所示，在氧化物半導(dǎo)體層14與用于電接觸柵電極103的柵區(qū)之間設(shè)置柵電極絕緣層GI12，以及在氧化物半導(dǎo)體層14上設(shè)置氧化物半導(dǎo)體保護(hù)層15。
[0065]設(shè)置氧化物半導(dǎo)體保護(hù)層15是為了防止后續(xù)工藝?yán)鏕I層12的形成工藝對氧化物半導(dǎo)體造成影響，從而影響整個器件的導(dǎo)電性能。
[0066]作為本發(fā)明的一個例子，用于保護(hù)層15的材料可以為有機(jī)光感應(yīng)交聯(lián)性薄膜。但本發(fā)明并不限于此，本發(fā)明的主旨是在半導(dǎo)體氧化物上形成保護(hù)，以不受后續(xù)工藝的影響。
[0067]如圖2a所示,在頂柵底接觸(Top Gate Bottom Contact,簡稱為TGBC)結(jié)構(gòu)中，與柵電極G電接觸的柵區(qū)相對于襯底13而言，設(shè)置在柵電極絕緣層GI12的上方。最后，為了保護(hù)整個器件，通常會在柵極絕緣層12和與柵電極G接觸的柵區(qū)上表面進(jìn)一步形成鈍化層PVllo
[0068]本發(fā)明同樣適用于共平面(co — planar)結(jié)構(gòu)，如圖2b所示。在該結(jié)構(gòu)中，與柵電極G電接觸的柵區(qū)相對于襯底13而言，設(shè)置在柵電極絕緣層12的下方。同樣，最后，為了對器件進(jìn)行保護(hù)，在半導(dǎo)體氧化物層14以及源與電極和漏電極接觸的源區(qū)和漏區(qū)上表面形成鈍化層PVlI。
[0069]為了節(jié)省PEP光刻步驟，最簡單的方式是以半導(dǎo)體氧化物保護(hù)層為掩模將其與氧化物半導(dǎo)體材料同時圖案化形成帶有保護(hù)層15的氧化物半導(dǎo)體層14。[0070]但是這樣做之后，雖然可以對半導(dǎo)體氧化物層14的上表面進(jìn)行有效的保護(hù)，但其側(cè)面仍然可能暴露在后續(xù)的CVD電漿環(huán)境中。因此，為了提供全面可靠的保護(hù)，可以在半導(dǎo)體氧化物層圖案化形成之后，再對整個氧化物半導(dǎo)體層14進(jìn)行涂敷形成保護(hù)層15。如圖3a和3b所示。
[0071]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以知曉任何可以作為氧化物半導(dǎo)體層的材料，例如包括但不限于氧化銦鎵鋅材料(IGZ0)。
[0072]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其包括以下步驟:
[0073]在襯底上形成基底絕緣層；
[0074]在所述基底絕緣層上圖案化形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；
[0075]在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道；
[0076]在所述氧化物半導(dǎo)體層的露出的表面上全面涂敷形成保護(hù)層；
[0077]在所述源電極和漏電極、所述保護(hù)層以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層；
[0078]在所述柵電極絕緣層上形成柵電極。
[0079]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在柵電極絕緣層和所述柵電極上采用CVD工藝形成鈍化層。
[0080]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，采用PECVD工藝形成柵電極絕緣層。
[0081]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述保護(hù)層采用的材料是有機(jī)光感應(yīng)交聯(lián)性薄膜。
[0082]在本發(fā)明的又一方面中，還提供了一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其包括以下步驟:
[0083]在襯底上形成基底絕緣層；
[0084]以保護(hù)層作為掩膜在所述基底絕緣層上圖案化形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；
[0085]在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道；
[0086]在所述源電極和漏電極、所述保護(hù)層以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層；
[0087]在所述柵電極絕緣層上形成柵電極。
[0088]在本發(fā)明的又一方面中，還提供了一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其包括以下步驟:
[0089]在襯底上形成基底絕緣層；
[0090]在所述基底絕緣層上形成柵電極；
[0091]在所述柵電極以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層；
[0092]在所述柵電極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；
[0093]在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道；
[0094]在所述氧化物半導(dǎo)體層的露出的表面上全面涂敷形成保護(hù)層；[0095]在所述保護(hù)層上形成鈍化層。
[0096]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在部分所述柵電極絕緣層、保護(hù)層以及源電極和漏電極上采用CVD工藝形成鈍化層。
[0097]在本發(fā)明的又一方面中，還提供了一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其包括以下步驟:
[0098]在襯底上形成基底絕緣層；
[0099]在所述基底絕緣層上形成柵電極；
[0100]在所述柵電極以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層；
[0101]以保護(hù)層為掩膜在所述柵電極絕緣層上圖案化形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；
[0102]在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道；
[0103]在所述保護(hù)層上形成鈍化層。
[0104]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在部分所述柵電極絕緣層、保護(hù)層以及源電極和漏電極上采用CVD工藝形成鈍化層。
[0105]雖然本發(fā)明所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜電晶體場效應(yīng)管，其特征在于，包括: 襯底； 柵電極、源電極和漏電極；以及 氧化物半導(dǎo)體層；其中， 所述氧化物半導(dǎo)體層包括分別與所述源電極和漏電極電接觸的源區(qū)和漏區(qū)，和用以提供源電極和漏電極之間導(dǎo)電溝道的溝道區(qū)，其中，在所述氧化物半導(dǎo)體層與用于電接觸柵電極的柵區(qū)之間設(shè)置柵電極絕緣層，以及在氧化物半導(dǎo)體層上設(shè)置氧化物半導(dǎo)體保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電晶體場效應(yīng)管，其特征在于，相對于所述襯底而言，與所述柵電極電接觸的柵區(qū)設(shè)置在所述柵電極絕緣層上方。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜電晶體場效應(yīng)管，其特征在于，相對于所述襯底而言，與所述柵電極電接觸的柵區(qū)設(shè)置在所述柵電極絕緣層下方。
4.如權(quán)利要求2所述的薄膜電晶體場效應(yīng)管，其特征在于，所述柵極絕緣層和柵電極上表面形成鈍化層。
5.如權(quán)利要求3所述的薄膜電晶體場效應(yīng)管，其特征在于，所述半導(dǎo)體氧化物層以及源電極和漏電極的上表面形成鈍化層。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的薄膜電晶體場效應(yīng)管，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為有機(jī)光感應(yīng)交聯(lián)性薄膜。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜電晶體場效應(yīng)管，其特征在于，以所述半導(dǎo)體氧化物保護(hù)層為掩模將其與所述氧化物半導(dǎo)體層同時圖案化形成。
8.如權(quán)利要求6所述的薄膜電晶體場效應(yīng)管，其特征在于，在所述半導(dǎo)體氧化物層圖案化之后，對整個氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行涂敷形成保護(hù)層。
9.如權(quán)利要求6所述的薄膜電晶體效應(yīng)管，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層為氧化銦鎵鋅層。
10.一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 在襯底上形成基底絕緣層； 在所述基底絕緣層上圖案化形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)； 在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道； 在所述氧化物半導(dǎo)體層的露出的表面上全面涂敷形成保護(hù)層； 在所述源電極和漏電極、所述保護(hù)層以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層； 在所述柵電極絕緣層上形成柵電極。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，在所述柵電極絕緣層和所述柵電極上采用CVD工藝形成鈍化層。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，采用PECVD工藝形成所述柵電極絕緣層。
13.如權(quán)利要求10所述的 方法，其特征在于，所述保護(hù)層采用的材料是有機(jī)光感應(yīng)交聯(lián)性薄膜。
14.一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 在襯底上形成基底絕緣層；以保護(hù)層作為掩膜在所述基底絕緣層上圖案化形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)； 在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道； 在所述源電極和漏電極、所述保護(hù)層以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層； 在所述柵電極絕緣層上形成柵電極。
15.一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 在襯底上形成基底絕緣層； 在所述基底絕緣層上形成柵電極； 在所述柵電極以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層； 在所述柵電極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)； 在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道； 在所述氧化物半導(dǎo)體 層的露出的表面上全面涂敷形成保護(hù)層； 在所述保護(hù)層上形成鈍化層。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，在部分所述柵電極絕緣層、保護(hù)層以及源電極和漏電極上采用CVD工藝形成鈍化層。
17.一種薄膜電晶體場效應(yīng)管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 在襯底上形成基底絕緣層； 在所述基底絕緣層上形成柵電極； 在所述柵電極以及部分基底絕緣層上形成柵電極絕緣層； 以保護(hù)層為掩膜在所述柵電極絕緣層上圖案化形成氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)； 在所述氧化物半導(dǎo)體層的源區(qū)和漏區(qū)上分別接觸地形成源電極和漏電極，使得所述溝道區(qū)介于所述源電極和漏電極之間以作為其導(dǎo)電溝道； 在所述保護(hù)層上形成鈍化層。
18.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，在部分所述柵電極絕緣層、保護(hù)層以及源電極和漏電極上采用CVD工藝形成鈍化層。
【文檔編號】H01L29/10GK103762246SQ201310726226
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月25日
【發(fā)明者】劉思呈 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司