本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術：

近年來，隨著各種顯示技術，如lcd(liquidcrystaldisplay，液晶顯示器)顯示、oled(organiclight-emittingdiode，有機發(fā)光二極管)顯示、柔性顯示等的不斷發(fā)展，采用大尺寸、高分辨率顯示面板的產品層出不窮。

共平面頂柵自對準型薄膜晶體管的有源層分為與柵極對應的高電阻區(qū)以及與源極和漏極對應的低電阻區(qū)，因柵極和有源層中低電阻區(qū)沒有交疊，使柵極與有源層之間具有較小的寄生電容，可減小有源層的電阻，從而可減小信號延遲，提高顯示效果，而被廣泛的應用于高分辨率、大尺寸的顯示面板中。

現(xiàn)有技術中，制備薄膜晶體管時，一般先形成高電阻的有源層，之后對有源層中與源極和漏極接觸的區(qū)域進行導體化。通常本領域技術人員通過ar(氬)、he(氦)等氣體對有源層上與源極和漏極接觸的區(qū)域進行等離子體處理，來實現(xiàn)有源層導體化的工藝，這樣不但成本高，而且導體化的效果也不理想。如圖1所示，在形成源極和漏極之后，有源層與源極和漏極之間的接觸電阻rc，以及有源層低電流漏端區(qū)(ldd區(qū))的電阻rldd都比較大，即源極和漏極與溝道區(qū)之間存在較大的寄生電阻rp，其中，rp＝2rc+2rldd。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管及制備方法、陣列基板、顯示裝置，可以降低源極和漏極與溝道區(qū)之間的寄生電阻。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案：

第一方面，提供一種薄膜晶體管，包括設置在襯底上的有源層，所述有源層包括源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)；還包括設置在所述有源層上表面且分別與所述源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)對應第一源極、第一漏極、和柵絕緣層；所述柵絕緣層在所述襯底上的正投影與所述溝道區(qū)在所述襯底上的正投影重合；所述第一源極和所述第一漏極到所述柵絕緣層的距離不大于1μm。

可選的，所述第一源極和所述第一漏極分別與所述柵絕緣層接觸。

可選的，所述第一源極和所述第一漏極到所述柵絕緣層的距離等于所述第一源極的厚度。

優(yōu)選的，所述薄膜晶體管還包括設置在所述柵絕緣層上表面的柵極、以及覆蓋所述柵極上表面的導電保護層。

優(yōu)選的，所述導電保護層覆蓋所述柵極的外表面。

優(yōu)選的，所述第一源極、所述第一漏極、以及所述導電保護層的材料相同。

可選的，所述第一源極、所述第一漏極、以及所述導電保護層的材料均為透明導電材料。

可選的，所述第一源極、所述第一漏極、以及所述導電保護層的材料均為金屬，厚度均為20-100nm。

優(yōu)選的，所述第一源極、所述第一漏極、以及所述導電保護層的材料均為金屬時，所述第一源極和所述第一漏極與所述導電保護層之間分別設置有絕緣部，所述第一源極、所述第一漏極、所述導電保護層、以及所述絕緣部同層設置；其中，所述絕緣部的材料由所述金屬的氧化物構成。

基于上述，優(yōu)選的，所述薄膜晶體管還包括設置在所述第一源極和所述第一漏極上方的鈍化層、以及第二源極和第二漏極，所述鈍化層包括第一過孔和第二過孔，所述第二源極通過所述第一過孔與所述第一源極接觸，所述第二漏極通過所述第二過孔與所述第一漏極接觸。

第二方面，提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：在襯底上形成有源層，所述有源層包括源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)；在形成有所述有源層的襯底上形成柵絕緣層，所述柵絕緣層在所述襯底上的正投影與所述溝道區(qū)在所述襯底上的正投影重合；在形成有所述有源層的襯底上形成第一源極和第一漏極，所述第一源極和所述第一漏極分別與所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)對應，所述第一源極和所述第一漏極到所述柵絕緣層的距離小于1μm。

優(yōu)選的，所述方法還包括：在形成有所述有源層的襯底上形成柵絕緣層的同時，通過同一次構圖工藝形成與所述柵絕緣層圖案相同的柵極；在形成有所述有源層的襯底上形成第一源極和第一漏極的同時，通過同一次構圖工藝形成位于所述柵極上表面的導電保護層。

優(yōu)選的，形成所述第一源極、所述第一漏極、所述導電保護層的步驟包括：在形成有所述柵極的襯底上形成導電薄膜，并形成覆蓋所述導電薄膜的光刻膠；對所述光刻膠進行處理，形成露出位于所述柵絕緣層側面的導電薄膜的光刻膠層；對所述導電薄膜進行處理，以使位于所述柵絕緣層側面的所述導電薄膜絕緣；采用剝離工藝去除所述光刻膠層。

優(yōu)選的，形成所述光刻膠層的步驟包括：利用掩模板對光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分；光刻膠完全保留部分至少與待形成第一源極、待形成第一漏極、以及待形成導電保護層上表面對應；對光刻膠完全保留部分進行后烘，使光刻膠完全保留部分軟化后流動，形成露出位于所述柵絕緣層側面的導電薄膜的光刻膠層。

優(yōu)選的，所述導電薄膜為透明導電薄膜；所述對所述導電薄膜進行處理，以使位于所述柵絕緣層側面的所述導電薄膜絕緣，具體包括：對所述透明導電薄膜進行刻蝕，以去除位于所述柵絕緣層側面的所述透明導電薄膜。

優(yōu)選的，所述導電薄膜為金屬導電薄膜，所述金屬導電薄膜的厚度為20-100nm；所述對所述導電薄膜進行處理，以使位于所述柵絕緣層側面的所述導電薄膜絕緣，具體包括：對所述金屬導電薄膜進行氧化處理，以使位于所述柵絕緣層側面的所述金屬導電薄膜被氧化為金屬絕緣薄膜。

基于上述，優(yōu)選的，所述方法還包括：在形成有所述第一源極和所述第一漏極的襯底上形成包括第一過孔和第二過孔的鈍化層；在形成有所述鈍化層的襯底上形成第二源極和第二漏極，所述第二源極通過所述第一過孔與所述第一源極接觸，所述第二漏極通過所述第二過孔與所述第一漏極接觸。

第三方面，提供一種陣列基板，包括第一方面所述的薄膜晶體管。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括與柵極同層設置的柵線、以及覆蓋所述柵線上表面的導電層；第一源極、第一漏極、導電保護層、以及所述導電層的材料相同且同層設置。

第四方面，提供一種顯示裝置，包括第三方面所述的陣列基板。

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管及制備方法、陣列基板、顯示裝置，通過在有源層的上表面直接設置第一源極和第一漏極，柵絕緣層在襯底上的正投影與溝道區(qū)在襯底上的正投影重合，并使第一源極和第一漏極到柵絕緣層的距離不大于1μm，相對現(xiàn)有技術可減小有源層ldd區(qū)的范圍，這樣一來，無需對有源層的源極區(qū)和漏極區(qū)進行導體化處理，也能保證薄膜晶體管的性能。

此外，通過減小ldd區(qū)的范圍，可減小ldd區(qū)的電阻rldd，進而達到減小第一源極和第一漏極與溝道區(qū)之間的寄生電阻rp的效果，其中，rp＝2rc+2rldd。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖一；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖二；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖三；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖四；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖五；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖六；

圖8為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖七；

圖9為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖八；

圖10為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖九；

圖11為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的制備方法的流程圖一；

圖12(a)-圖14(d)為本發(fā)明實施例提供的一種制備薄膜晶體管的過程示意圖一；

圖15為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的制備方法的流程圖二；

圖16為本發(fā)明實施例提供的一種制備薄膜晶體管的過程示意圖二；

圖17為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的制備方法的流程圖三。

附圖標記

10-襯底；20-有源層；21-源極區(qū)；22-漏極區(qū)；23-有源區(qū)；30-導電薄膜；31-第一源極；32-第一漏極；40-柵絕緣層；50-柵極；60-導電保護層；70-絕緣部；80-鈍化層；91-第二源極；92-第二漏極；100-光刻膠層。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提到“上方”是以形成薄膜晶體管過程中的先后順序而言的，對于任意兩層，后形成的一層，則位于在先形成的一層的上方。

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管，如圖2所示，包括在襯底10上的有源層20，有源層20包括源極區(qū)21、漏極區(qū)22和溝道區(qū)23；還包括設置在有源層20上表面且分別與源極區(qū)21、漏極區(qū)22和溝道區(qū)23對應第一源極31、第一漏極32、和柵絕緣層40；柵絕緣層40在襯底10上的正投影與溝道區(qū)23在襯底10上的正投影重合；第一源極31和第一漏極32到柵絕緣層40的距離不大于1μm。

需要說明的是，第一，對于有源層20的材料，可根據薄膜晶體管的類型，進行合理選擇。其中，薄膜晶體管例如可以為非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、金屬氧化物薄膜晶體管、有機薄膜晶體管等。對于有源層20的源極區(qū)21和漏極區(qū)22可以進行導體化處理，也可以不進行導體化處理。

其中，不對有源層20的厚度進行限定。

第二，對于襯底10的材料，可以是柔性襯底、玻璃襯底、或者其他襯底。當為柔性襯底時，該柔性襯底需設置在承載基板上。

第三，不對第一源極31和第一漏極32的材料進行限定，現(xiàn)有的具有高載流子濃度的導電材料均可。

第四，第一源極31、第一漏極32、和柵絕緣層40設置在有源層20的上表面，即如圖2所示，直接設置在有源層20的上方，且與有源層20的表面接觸。

其中，如圖2所示，柵絕緣層40的圖案與溝道區(qū)33的圖案相同。

第五，第一源極31和第一漏極32到柵絕緣層40的距離不大于1μm，即如圖1所示，以第一絕緣層31為例，是指第一源極31靠近柵絕緣層40的邊緣與柵絕緣層40靠近第一源極31的邊緣之間的距離不大于1μm。

當然，本發(fā)明實施例優(yōu)選的第一絕緣層31越靠近柵絕緣層40邊緣越好。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管，通過在有源層20的上表面直接設置第一源極31和第一漏極32，柵絕緣層40在襯底10上的正投影與溝道區(qū)23在襯底10上的正投影重合，并使第一源極31和第一漏極32到柵絕緣層40的距離不大于1μm，相對現(xiàn)有技術可減小有源層20ldd區(qū)的范圍，這樣一來，無需對有源層20的源極區(qū)21和漏極區(qū)22進行導體化處理，也能保證薄膜晶體管的性能。

此外，通過減小ldd區(qū)的范圍，可減小ldd區(qū)的電阻rldd，進而達到減小第一源極31和第一漏極32與溝道區(qū)23之間的寄生電阻rp的效果，其中，rp＝2rc+2rldd。

可選的，如圖3所示，第一源極31和第一漏極32分別與柵絕緣層40接觸。

此處，第一源極31和第一漏極32離溝道區(qū)23越近，ldd區(qū)的范圍越小，ldd區(qū)的電阻rldd越小，本發(fā)明通過使第一源極31和第一漏極32分別與柵絕緣層40接觸，使得ldd區(qū)的范圍為零，即rldd為零，進一步減小第一源極31和第一漏極32與溝道區(qū)23之間的寄生電阻rp。

為了降低制備過程中工藝的難度，本發(fā)明實施例可選的，如圖4所示，第一源極31和第一漏極32到柵絕緣層40的距離等于第一源極31的厚度。

優(yōu)選的，如圖5所示，所述薄膜晶體管還包括設置在柵絕緣層40上表面的柵極50、以及覆蓋柵極50上表面的導電保護層60。

其中，柵絕緣層40的材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等絕緣材料。柵極50的材料可以為鉬(mo)、鋁(al)、ti、金(au)、cu、鉿(hf)、鉭(ta)等常用金屬。

優(yōu)選的，如圖6所示，柵極50由三層金屬構成，上層和下層為monb(鉬釹合金)，中間層為cu，即柵極50的結構為monb/cu/monb。

可選的，柵極50的結構還可以為cu+mo/monb/al/alnb/moti/其他常用金屬。

本發(fā)明實施例通過在柵極50上表面設置導電保護層60，使得覆蓋在柵極50上表面的膜層厚度增加(monb+導電保護層薄膜/其他金屬，或者只增加一層導電保護層薄膜)，在刻蝕過孔時可以防止過刻(over-etch)造成的cu金屬裸露，導致柵極50表面被刻蝕進而被氧化，導致被氧化的區(qū)域接觸不良，有利于提高bp(backpanel，顯示屏)良率。

進一步優(yōu)選的，如圖7所示，導電保護層60覆蓋柵極50的外表面。

即，柵極50的上表面和側面均覆蓋有導電保護層60。

本發(fā)明實施例通過在柵極50的上表面和側面均覆蓋有導電保護層60，可以避免在制備其他膜層的過程中，柵極50的側面被氧化，導致被氧化的區(qū)域接觸不良。

優(yōu)選的，第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60的材料相同。

進一步優(yōu)選的，第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60的厚度也相同。

即，第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60是對同一膜層經一次構圖工藝制備形成。

本發(fā)明實施例通過將第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60的材料和厚度設置為相同，只需對某一膜層進行一次構圖工藝，即可制備得到第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60，可以簡化制備工藝。

可選的，第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60的材料均為透明導電材料。

其中，透明導電材料例如可以為izo(indiumzincoxide，銦鋅氧化物)、ito(indiumtinoxide，銦錫氧化物)、azo(alzincoxide，鋁鋅氧化物)、ifo(indiumfoxide，銦氟氧化物)等。

可選的，第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60的材料均為金屬，厚度均為20-100nm。

其中，導電保護層60的材料例如可以為mo、al、ti、ta、hf、zr(鋯)等常用金屬。

進一步優(yōu)選的，如圖8所示，第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60的材料均為金屬時，第一源極31和第一漏極32與導電保護層60之間分別設置有絕緣部70，第一源極31、第一漏極32、導電保護層60、以及絕緣部70同層設置；其中，絕緣部70的材料由所述金屬的氧化物構成。

即，導電保護層60的材料可以是al、ti、ta、hf、zr等金屬。絕緣部70的材料可以為氧化鋁、氧化鈦、氧化氮、氧化鉿、氧化鋯等高電阻的金屬氧化物。

基于上述，優(yōu)選的，如圖9和圖10所述，所述薄膜晶體管還包括設置在第一源極31和第一漏極32上方的鈍化層80、以及第二源極91和第二漏極92，鈍化層包80括第一過孔和第二過孔(圖中未示出)，第二源極91通過第一過孔與第一源極31接觸，第二漏極92通過第二過孔與第一漏極32接觸。

其中，鈍化層80的材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等絕緣材料。

本發(fā)明實施例通過增加第二源極91和第二漏極92，可以進一步提高薄膜晶體管的導電性能，從而保障薄膜晶體管的性能。

本發(fā)明實施例還提供一種薄膜晶體管的制備方法，如圖11所示，所述方法包括：

s10、如圖12(a)所示，在襯底10上形成有源層20，有源層20包括源極區(qū)21、漏極區(qū)22和溝道區(qū)23。

其中，形成有源層20的薄膜的材料為半導體材料，形成有源層20后，可以對源極區(qū)21、漏極區(qū)22進行導體化處理，也可以不導體化。例如，有源層20的材料可以包含a-igzo，znon，izto，a-si，p-si等各種常用材料。

s20、如圖12(b)所示，在形成有源層20的襯底10上形成柵絕緣層40，柵絕緣層40在襯底10上的正投影與溝道區(qū)23在襯底10上的正投影重合。

具體的，可通過pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等離子體增強化學氣相沉積法)、cvd(chemicalvapordeposition，化學氣相沉積法)等來形成絕緣薄膜，再對絕緣薄膜進行圖案化處理形成柵絕緣層40，其材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等絕緣材料中至少一種。

s30、如圖2所示，在形成有源層20的襯底10上形成第一源極31和第一漏極32，第一源極31和第一漏極32分別與源極區(qū)21和漏極區(qū)22對應，第一源極31和第一漏極32到柵絕緣層40的距離小于1μm。

具體的，在形成第一源極31和第一漏極32時，可以通過磁控濺射、蒸鍍等方法來形成金屬薄膜，其材料可以為mo、al、ti、au(金)、cu、hf、ta等易被氧化的金屬。

也可以通過磁控濺射等方法來形成透明導電薄膜，其材料可以為izo、ito、azo、ifo等。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制備方法，通過在有源層20的上表面直接形成第一源極31和第一漏極32，柵絕緣層40在襯底10上的正投影與溝道區(qū)23在襯底10上的正投影重合，并使第一源極31和第一漏極32到柵絕緣層40的距離不大于1μm，相對現(xiàn)有技術可減小有源層20ldd區(qū)的范圍，這樣一來，無需對有源層20的源極區(qū)21和漏極區(qū)22進行導體化處理，就能保證薄膜晶體管的開關性能。沉積在源極區(qū)21和漏極區(qū)22的高載流子濃度的第一源極31和第一漏極32，能與源極區(qū)21和漏極區(qū)22形成良好的歐姆接觸，減小了第一源極31和第一漏極32與有源層20直接接觸而產生的較大的接觸電阻，且接觸電阻不會因為后續(xù)工藝而變大，有利于提高薄膜晶體管的開態(tài)電流(ion)和可靠性。

此外，通過減小ldd區(qū)的范圍，可減小ldd區(qū)的電阻rldd，進而達到減小第一源極31和第一漏極32與溝道區(qū)23之間的寄生電阻rp的效果，其中，rp＝2rc+2rldd。并且寄生電阻rp不會隨著后續(xù)增加的pecvd或高溫工藝而增大。

優(yōu)選的，所述方法還包括：

s21、如圖13所示，在形成有源層20的襯底10上形成柵絕緣層40的同時，通過同一次構圖工藝形成與柵絕緣層40圖案相同的柵極50。

例如，可以在有源層20上形成露出溝道區(qū)23的光刻膠層，在光刻膠層上依次形成絕緣薄膜和金屬薄膜，將光刻膠層剝離，形成圖案相同的柵絕緣層40和柵極50。

也可以在有源層20上依次形成絕緣薄膜、金屬薄膜、覆蓋金屬薄膜的光刻膠層，通過構圖工藝對絕緣薄膜和金屬薄膜進行處理，，形成圖案相同的柵絕緣層40和柵極50，圖案化的過程中對金屬薄膜采用濕法刻蝕，對絕緣薄膜采用干法刻蝕，刻蝕完成后，利用刻蝕絕緣薄膜時的干刻環(huán)境中的等離子體(plasma)對有源層20的源極區(qū)21和漏極區(qū)22進行導體化處理，再去除剩余的光刻膠。

當然，為了簡化工藝難度，避免對源極區(qū)21和漏極區(qū)22進行導體化的過程中在其他區(qū)域產生界面陷阱缺陷，可以省去導體化的過程，此時，干刻工藝僅專注于對絕緣薄膜圖案化(profile)，改善后續(xù)刻蝕工藝膜層的爬坡狀況。

s31、如圖5-7所示，在形成有源層20的襯底10上形成第一源極31和第一漏極32的同時，通過同一次構圖工藝形成位于柵極50上表面的導電保護層60。

即，第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60通過同一次構圖工藝形成。

其中，導電保護層60的圖案可以如圖5和圖6所示，也可以如圖7所示。

此外，導電保護層60與第一源極31和第一漏極32通過同一次構圖工藝形成，且導電保護層60位于柵極50上表面。也就是說第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60是在形成有柵極50的襯底10上形成。

此處，覆蓋在柵極50圖形上的導電保護層60，在后續(xù)形成層間絕緣層(ild)和氧氣高溫退火工藝中可以有效防止柵極50的cu金屬發(fā)生氧化，解決了cu氧化導致斷線或短路(short)的風險。

優(yōu)選的，形成第一源極31、第一漏極32、導電保護層60的步驟包括：

s311、如圖14(a)所示，在形成有柵極50的襯底10上形成導電薄膜30，并形成覆蓋導電薄膜30的光刻膠。

s312、如圖14(b)所示，對光刻膠進行處理，形成露出位于柵絕緣層40側面的導電薄膜的光刻膠層100。

s313、如圖14(c)和圖14(d)所示，對導電薄膜30進行處理，以使位于柵絕緣層40側面的導電薄膜絕緣。

即，對未被光刻膠層100覆蓋的導電薄膜進行處理。

例如，可以將位于柵絕緣層40側面的導電薄膜刻蝕掉；或者，將位于柵絕緣層40側面的導電薄膜進行氧化處理，氧化為絕緣材料；當然還可以是其他處理方式。

s314、如圖7和圖8所示，采用剝離工藝去除光刻膠層400。

此處，利用光刻膠作為掩膜，對位于柵絕緣層40側面的導電薄膜進行處理，使第一源極31和第一漏極32與導電保護層60之間絕緣，避免對薄膜晶體管的特性造成影響。

基于上述，如圖11所示，所述方法還包括：

s40、如圖9所示，在形成有第一源極31和第一漏極32的襯底10上形成包括第一過孔和第二過孔的鈍化層80。

s50、如圖9所示，在形成有鈍化層80的襯底10上形成第二源極91和第二漏極92，第二源極91通過第一過孔與第一源極31接觸，第二漏極92通過第二過孔與第一漏極32接觸。

此處，通過增加第二源極91和第二漏極92，可以進一步提高薄膜晶體管的導電性能，從而保障薄膜晶體管的性能。

以下，通過具體的實施例對本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法進行說明，以下實施例只是一種具體的實施例，實施例中各步驟之間的組合也屬于本發(fā)明保護的范圍：

實施例一

一種薄膜晶體管的制備方法，如圖15所示，所述方法包括：

s100、如圖12(a)所示，在襯底10上形成有源層20，有源層20包括源極區(qū)21、漏極區(qū)22和溝道區(qū)23。

s110、如圖13所示，在形成有源層20的襯底10上通過一次構圖工藝形成圖案相同的柵絕緣層40和柵極50。

其中，柵極50的結構可以由monb/cu/monb三層組成。

s120、如圖14(a)所示，在形成有柵極50的襯底10上形成透明導電薄膜，并形成覆蓋所述透明導電薄膜的光刻膠。

其中，可以通過磁控濺射、沉積等方法來形成透明導電薄膜，其材料可以為izo、ito、azo、ifo等。

s130、如圖16所示，利用掩模板對光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分；光刻膠完全保留部分至少與待形成第一源極31、待形成第一漏極32、以及待形成導電保護層60上表面對應。

其中，可以通過曝光、顯影步驟形成光刻膠完全保留部分。

s140、如圖14(b)所示，對光刻膠完全保留部分進行后烘，使光刻膠完全保留部分軟化后流動，形成露出位于柵絕緣層40側面的透明導電薄膜的光刻膠層100。

其中，為了使光刻膠流動，可以通過適當提高s130步驟中的后烘溫度，來完成s140步驟中的后烘。

例如，現(xiàn)有技術中對光刻膠進行曝光、顯影時，后烘溫度基本在100-150℃，本發(fā)明在s140步驟中對光刻膠完全保留部分進行后烘時，后烘溫度例如可以控制在150-200℃。后烘時間可以與現(xiàn)有技術中對光刻膠進行曝光、顯影時的后烘時間相同，例如可以是1-2min。

s150、如圖14(d)所示，對透明導電薄膜進行刻蝕，以去除位于柵絕緣層40側面的透明導電薄膜。

例如，可以采用濕法刻蝕對位于柵絕緣層40側面的透明導電薄膜進行刻蝕，以去除位于柵絕緣層40側面的透明導電薄膜，形成第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60，并使第一源極31和第一漏極32分別與導電保護層60斷開。

s160、如圖7所示，采用剝離工藝去除光刻膠層400。

實施例二

一種薄膜晶體管的制備方法，如圖17所示，所述方法包括：

s200、如圖12(a)所示，在襯底10上形成有源層20，有源層20包括源極區(qū)21、漏極區(qū)22和溝道區(qū)23。

s210、如圖13所示，在形成有源層20的襯底10上通過一次構圖工藝形成圖案相同的柵絕緣層40和柵極50。

其中，柵極50的結構可以由monb/cu/monb三層組成。

s220、如圖14(a)所示，在形成有柵極50的襯底10上形成金屬導電薄膜，并形成覆蓋所述金屬導電薄膜的光刻膠。

其中，可以通過磁控濺射、蒸鍍等方法來形成金屬導電薄膜，其材料可以為mo、al、ti、au、cu、hf、ta等易被氧化的金屬。金屬導電薄膜的厚度為20-100nm。

s230、如圖16所示，利用掩模板對光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分；光刻膠完全保留部分至少與待形成第一源極31、待形成第一漏極32、以及待形成導電保護層60上表面對應。

s240、如圖14(b)所示，對光刻膠完全保留部分進行后烘，使光刻膠完全保留部分軟化后流動，形成露出位于柵絕緣層40側面的金屬導電薄膜的光刻膠層100。

s250、如圖14(c)所示，對金屬導電薄膜進行氧化處理，以使位于柵絕緣層40側面的金屬導電薄膜被氧化為金屬絕緣薄膜。

例如，通過高溫氧氣退火，陽極氧化或o2或n2o等離子體處理等方式對未被光刻膠覆蓋的金屬導電薄膜進行處理，使其變成絕緣體。形成第一源極31、第一漏極32、以及導電保護層60，并使第一源極31和第一漏極32分別與導電保護層60斷開。

s260、如圖8所示，采用剝離工藝去除光刻膠層400。

本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板，包括上述薄膜晶體管。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板的有益效果與上述薄膜晶體管的有益效果相同，此處不再贅述。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括與柵極50同層設置的柵線、以及覆蓋柵線上表面的導電層；第一源極31、第一漏極32、導電保護層60、以及導電層的材料相同且同層設置。

即，覆蓋柵線上表面的導電層與第一源極31、第一漏極32、導電保護層60通過同一次構圖工藝制備得到。

此處，通過在柵線上表面設置導電層，可以避免柵線被氧化，從而避免因柵線被氧化導致斷線的情況，提高陣列基板的良率。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。

該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機或平板電腦等任何具有顯示功能的產品或者部件。

本發(fā)明實施例提供的顯示裝置的有益效果與上述陣列基板的有益效果相同，此處不再贅述。

當顯示裝置為液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)時，其包括陣列基板、對盒基板以及設置在二者之間的液晶層。其中，陣列基板包括上述薄膜晶體管，與薄膜晶體管的第一漏電極32電連接的像素電極；進一步的還可以包括公共電極。對盒基板可以包括黑矩陣和彩膜。此處，彩膜可以設置在對盒基板上，也可設置在陣列基板上；公共電極可以設置在陣列基板上，也可設置在對盒基板上。

當顯示裝置為有機電致發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，簡稱oled)顯示器時，其包括陣列基板和封裝基板。其中，陣列基板包括上述薄膜晶體管，與薄膜晶體管的第一漏電極32電連接的陽極、陰極、以及位于陽極和陰極之間的有機材料功能層。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。