一種肖特基芯片專用外延片的生長(zhǎng)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種肖特基芯片專用的外延片生長(zhǎng)方法，包括如下步驟：在高溫環(huán)境下，先采用H2+HCL對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理；然后在硅片表面淀積一定厚度的不摻雜的純硅；接著，按照一定的比例調(diào)整摻雜量，使得外延片的過渡層的電阻率呈線性變化，并且具有一定的斜率。本發(fā)明的肖特基芯片專用的外延片生長(zhǎng)方法制造的外延片來生產(chǎn)肖特基芯片，可以使得芯片的正向（Vf）參數(shù)及抗ESD能力都非常優(yōu)良。
【專利說明】一種肖特基芯片專用外延片的生長(zhǎng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種肖特基芯片專用外延片生長(zhǎng)方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]目前市場(chǎng)對(duì)肖特基芯片的正向壓降(Vf)及抗ESD能力的要求越來越高，已經(jīng)成為衡量芯片性能優(yōu)劣的兩項(xiàng)非常重要的指標(biāo)。但是目前采用常規(guī)外延片生產(chǎn)加工的肖特基芯片難以做到正向(Vf)參數(shù)及抗ESD能力都兼顧。而在高端市場(chǎng)中對(duì)肖特基芯片的正向(Vf)參數(shù)及抗ESD能力都有相當(dāng)嚴(yán)格的要求，因此常規(guī)的肖特基芯片在高端市場(chǎng)中的應(yīng)用將會(huì)受到較大的影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種肖特基芯片專用的外延片生長(zhǎng)方法，包括如下步驟:在高溫環(huán)境下，先采用H2+HCL對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理；然后在硅片表面淀積一定厚度的不摻雜的純硅；接著，按照一定的比例調(diào)整摻雜量，使得外延片的過渡層的電阻率呈線性變化，并且具有一定的斜率。
[0004]進(jìn)一步的，通過調(diào)節(jié)摻雜量及硅沉積速率來控制電阻率曲線的斜率。
[0005]進(jìn)一步的，所述線性變化為線性增大。
[0006]進(jìn)一步的，達(dá)到外延片需要的電阻率值后，再進(jìn)行穩(wěn)定濃度的摻雜。
[0007]進(jìn)一步的，摻雜濃度變化和外延片電阻率變化呈對(duì)應(yīng)關(guān)系。
[0008]進(jìn)一步的，不同斜率的外延片用于不同規(guī)格的肖特基芯片。
[0009]本發(fā)明的肖特基芯片專用的外延片生長(zhǎng)方法制造的外延片來生產(chǎn)肖特基芯片，可以使得芯片的正向(Vf)參數(shù)及抗ESD能力都非常優(yōu)良。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為外延片摻雜濃度曲線圖；
圖2為外延片電阻率變化曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0012]本發(fā)明的肖特基芯片專用外延片生長(zhǎng)方法，采用如下步驟進(jìn)行:
如圖1和2所示，在1150°C左右的高溫環(huán)境下，先采用H2+HCL對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理。然后在拋光片表面淀積一定厚度的(一般為0.2um)不摻雜的純娃,用來抑制拋光片中的雜質(zhì)溢出。接下來按照一定的比例調(diào)整摻雜量，使得外延片的過渡層的電阻率曲線呈線性變化，并且具有一定的斜率。達(dá)到外延片需要的電阻率值后，再進(jìn)行穩(wěn)定濃度的摻雜。通過調(diào)節(jié)摻雜量及硅沉積速率，可以調(diào)節(jié)電阻率曲線的斜率。
[0013]用本方法加工的外延片作為基礎(chǔ)材料來生產(chǎn)肖特基芯片，可以使得芯片具有低的 正向?qū)娮杓案叩目轨o電(ESD)能力。
【權(quán)利要求】
1.一種肖特基芯片專用的外延片生長(zhǎng)方法，包括如下步驟:在高溫環(huán)境下，先采用H2+HCL對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理；然后在硅片表面淀積一定厚度的不摻雜的純硅；接著，按照一定的比例調(diào)整摻雜量，使得外延片的過渡層的電阻率呈線性變化，并且具有一定的斜率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基芯片專用的外延片生長(zhǎng)方法，其特征在于:通過調(diào)節(jié)摻雜量及硅沉積速率來控制電阻率曲線的斜率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基芯片專用的外延片生長(zhǎng)方法，其特征在于:所述線性變化為線性增大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基芯片專用的外延片生長(zhǎng)方法，其特征在于:達(dá)到外延片需要的電阻率值后，再進(jìn)行穩(wěn)定濃度的摻雜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基芯片專用的外延片生長(zhǎng)方法，其特征在于:摻雜濃度變化和外延片電阻率變化呈對(duì)應(yīng)關(guān)系。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的肖特基芯片專用的外延片生長(zhǎng)方法，其特征在于:不同斜率的外延片用于不同規(guī)格的肖特基芯片。
【文檔編號(hào)】H01L21/20GK103489761SQ201310423509
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月17日
【發(fā)明者】徐林海, 黃力平, 朱春生, 張瑞麗, 周詩雨 申請(qǐng)人:杭州立昂微電子股份有限公司