專利名稱：一種新型肖特基倒封裝芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種肖特基倒封裝芯片，尤其涉及一種正負(fù)極位于同一側(cè)面且負(fù)極內(nèi)凹的新型肖特基倒封裝芯片。
背景技術(shù)：
肖特基倒封裝芯片是采用倒封裝技術(shù)生產(chǎn)的肖特基芯片，目前芯片的倒封裝采用 錫球技術(shù)，這種技術(shù)取代了傳統(tǒng)的插腳封裝、導(dǎo)線架封裝的形式，從而在錫球方面起到了電氣互連及機(jī)械支撐的重要作用，是一種比較理想的封裝技術(shù)。目前采用錫球技術(shù)加工的肖特基芯片，其結(jié)構(gòu)為在硅片的表面設(shè)置凸起的錫球作為芯片的正極和負(fù)極。這種結(jié)構(gòu)一方面因?yàn)樵O(shè)置凸起的連接端而使產(chǎn)品的厚度增大，在現(xiàn)代社會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品的體積要去越來越小的情況下其適應(yīng)性越來越差；另一方面正極和負(fù)極之間距離不遠(yuǎn)且未進(jìn)行隔離處理，所以其輸出端的正、負(fù)極之間的隔離效果不是很好，在某些高要求的電路中使用時(shí)，會(huì)因?yàn)槠湔?、?fù)極之間的隔離性不高而無法滿足使用要求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種正負(fù)極位于同一側(cè)面且負(fù)極內(nèi)凹的新型肖特基倒封裝芯片。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案本實(shí)用新型包括封裝體、芯片正極、芯片負(fù)極、硅片、硅片正極和硅片負(fù)極，所述硅片正極和所述芯片正極連接，所述硅片負(fù)極和所述芯片負(fù)極連接；所述硅片正極和所述硅片負(fù)極位于所述硅片的同一側(cè)面；所述硅片正極位于所述硅片的表面上，所述硅片正極的旁邊設(shè)置有凹槽，所述硅片負(fù)極位于所述凹槽內(nèi)。將硅片正極和硅片負(fù)極設(shè)置于硅片的同一側(cè)面，使整個(gè)芯片的厚度大大降低；而凹槽的設(shè)置則保證了硅片正極和硅片負(fù)極之間的隔離性能完全滿足其使用要求。進(jìn)一步，所述硅片正極與所述凹槽之間設(shè)置有隔離溝槽。隔離溝槽使硅片正極和硅片負(fù)極之間的隔離性能更好。具體地，所述凹槽的深度為15 — 20微米。進(jìn)一步，所述硅片正極的表面和所述硅片負(fù)極的表面均設(shè)置有焊錫層，所述硅片正極通過所述焊錫層與所述芯片正極連接，所述硅片負(fù)極表面的焊錫層通過導(dǎo)線與所述芯片負(fù)極連接。芯片正極和芯片負(fù)極均位于封裝體的表面。本實(shí)用新型的有益效果在于由于本發(fā)明將硅片正極和硅片負(fù)極設(shè)置于硅片的同一側(cè)面，使整個(gè)產(chǎn)品的厚度大大降低；由于將硅片負(fù)極設(shè)置于凹槽內(nèi)，不但使整個(gè)產(chǎn)品的厚度進(jìn)一步降低，而且使硅片正極和硅片負(fù)極之間的隔離性能更好，完全滿足各種電路對(duì)正、負(fù)極之間隔離性能的高要求；通過在硅片正極和硅片負(fù)極之間設(shè)置隔離溝槽，使硅片正極和硅片負(fù)極之間的隔離性能進(jìn)
一步提聞。
圖I是本實(shí)用新型的主視結(jié)構(gòu)示意圖圖2是本實(shí)用新型的主視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型中硅片的仰視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型的制造工藝流程圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步具體描述如圖I、圖2和圖3所示，本實(shí)用新型包括封裝體16、芯片正極13、芯片負(fù)極14、硅片12、硅片正極10和硅片負(fù)極11，封裝體16的總厚度為0. 6-0. 7mm ;硅片正極10和芯片正極13連接，硅片負(fù)極11和芯片負(fù)極14連接；硅片正極10和硅片負(fù)極11位于硅片12的同一側(cè)面(圖I和圖2中的下面)；娃片正極10位于娃片12的表面上,娃片正極10的旁邊設(shè)置有凹槽37，硅片負(fù)極11位于凹槽37內(nèi)。凹槽7的深度為15 — 20微米。圖中I為硅片12的外延層，其厚度在5 —10微米之間，2為氧化層，大概I微米左右，8為硅片正極10與外延層I之間的一次金屬層，9為娃片負(fù)極11與娃片12之間的一次金屬層。如圖I、圖2和圖3所示，硅片正極10與凹槽37之間設(shè)置有隔離溝槽34。隔離溝槽34使硅片正極10和硅片負(fù)極11之間的隔離性能更好。如圖I所不,娃片正極10的表面和娃片負(fù)極11的表面均設(shè)置有焊錫層15,娃片正極10通過焊錫層15與芯片正極13連接，硅片負(fù)極11表面的焊錫層15通過導(dǎo)線與芯片負(fù)極14連接。芯片正極13和芯片負(fù)極14均位于封裝體16的表面。如圖I、圖2和圖3所示，將硅片正極10和硅片負(fù)極11設(shè)置于硅片12的同一側(cè)面，使整個(gè)芯片的厚度大大降低；而凹槽37的設(shè)置則保證了硅片正極10和硅片負(fù)極11之間的隔離性能完全滿足其使用要求。如圖4所示，本實(shí)用新型的制造工藝包括以下步驟(I)提供一原始外延硅片12(總厚度400微米，這里表示的硅片12的厚度被壓縮了很多倍，只是示意它的存在)，其外延層I的厚度為5微米；(2)對(duì)原始外延硅片12進(jìn)行氧化，形成氧化層2 (二氧化硅，化學(xué)式SiO2)，氧化層2的厚度為5000埃；(3) 一次光刻，形成一次正極溝槽3和一次隔離溝槽4 ;從這幅圖開始，為了表述結(jié)構(gòu)變化，把氧化層2和外延層I的厚度放大了，硅片12的厚度被壓縮了很多倍，只是示意它的存在；(4) P 環(huán)擴(kuò)散；(5) 二次光刻溝槽，形成一次負(fù)極溝槽5 ；(6) 一次腐蝕，形成正極溝槽雛形23、隔離溝槽雛形24和負(fù)極溝槽雛形25 ；(7)三次光刻，形成帶角正極溝槽6、帶角隔離溝槽24和帶角負(fù)極溝槽7 ；(8) 二次腐蝕，形成光滑正極溝槽36、光滑隔離溝槽34和光滑負(fù)極溝槽37 ；(9)在光滑正極溝槽36和光滑負(fù)極溝槽37分別濺射金屬Pt (化學(xué)元素“鉬”的符號(hào))、Ni (化學(xué)元素“鎳”的符號(hào))，形成正極一次金屬層8和負(fù)極一次金屬層9 ；[0032](10)蒸發(fā)接觸金屬Ti (化學(xué)元素“鈦”的符號(hào))、Ni、Ag (化學(xué)元素“銀”的符號(hào))，形成正極二次金屬層即硅片正極10和負(fù)極二次金屬層即硅片負(fù)極11 ；(11) 焊錫形成焊錫層15，連接硅片正極10和芯片正極13，連接硅片負(fù)極10和芯片負(fù)極14，封裝，得成品。上述步驟(9)中環(huán)境溫度為450°C，氮?dú)馀c氫氣的質(zhì)量百分比分別為90%與10% ；上述步驟(6)和步驟(8)中，所述腐蝕所用的腐蝕液的組份為HF、HAC、HN03 ;所述腐蝕液的各組份的質(zhì)量配比為HF:HAC:HN03=1:1:15-25。上述腐蝕液為慢速低發(fā)熱腐蝕液，利用現(xiàn)有技術(shù)中的高精密溫控儀器，溫度控制在13°C _17°C就可以完成加工。
權(quán)利要求1.一種新型肖特基倒封裝芯片，包括封裝體、芯片正極、芯片負(fù)極、硅片、硅片正極和硅片負(fù)極，所述硅片正極和所述芯片正極連接，所述硅片負(fù)極和所述芯片負(fù)極連接，其特征在于所述硅片正極和所述硅片負(fù)極位于所述硅片的同一側(cè)面，所述硅片正極位于所述硅片的表面上，所述硅片正極的旁邊設(shè)置有凹槽，所述硅片負(fù)極位于所述凹槽內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型肖特基倒封裝芯片，其特征在于所述硅片正極與所述凹槽之間設(shè)置有隔離溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的新型肖特基倒封裝芯片，其特征在于所述凹槽的深度為15 — 20微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型肖特基倒封裝芯片，其特征在于所述硅片正極的表面和所述硅片負(fù)極的表面均設(shè)置有焊錫層，所述硅片正極通過所述焊錫層與所述芯片正極連接，所述硅片負(fù)極表面的焊錫層通過導(dǎo)線與所述芯片負(fù)極連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種新型肖特基倒封裝芯片，包括封裝體、芯片正極、芯片負(fù)極、硅片、硅片正極和硅片負(fù)極，所述硅片正極和所述芯片正極連接，所述硅片負(fù)極和所述芯片負(fù)極連接，所述硅片正極和所述硅片負(fù)極位于所述硅片的同一側(cè)面；所述硅片正極位于所述硅片的表面上，所述硅片正極的旁邊設(shè)置有凹槽，所述硅片負(fù)極位于所述凹槽內(nèi)。由于本實(shí)用新型將硅片正極和硅片負(fù)極設(shè)置于硅片的同一側(cè)面，使整個(gè)產(chǎn)品的厚度大大降低；由于將硅片負(fù)極設(shè)置于凹槽內(nèi)，并在硅片正極和硅片負(fù)極之間設(shè)置隔離溝槽，不但使整個(gè)產(chǎn)品的厚度進(jìn)一步降低，而且使硅片正極和硅片負(fù)極之間的隔離性能更好，完全滿足各種電路對(duì)正、負(fù)極之間隔離性能的高要求。
文檔編號(hào)H01L29/872GK202363463SQ201120491498
公開日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2011年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月1日
發(fā)明者李述州, 王興龍 申請(qǐng)人:重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司