專利名稱：一種高效率肖特基芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種高效率肖特基芯片，屬于半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域。具體涉及一種新型高效率肖特基二極管Schottky。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)N通道溝槽肖特基芯片只有一種溝槽，如圖2所示，肖特基界面為平面狀，肖特基界面下方是多晶硅，多晶硅的外周挖溝槽，該種肖特基界面通過(guò)電流面積小，通電效率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可以提高肖特基芯 片的通電效率，降低正向壓降的一種高效率肖特基芯片。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是該一種高效率肖特基芯片，包括頂部金屬層、頂部金屬層下方的肖特基界面、緊靠肖特基界面下方的多晶硅、多晶硅外周的第一溝槽、下部的N型外延層N-EPI和N型基片N+Substrate，其特征在于在兩相鄰第一溝槽之間增設(shè)第二溝槽，使肖特基界面成為平面和溝槽相間隔的結(jié)構(gòu)。所述的第二溝槽為方形槽，多個(gè)，每?jī)蓚€(gè)第一溝槽之間設(shè)置一個(gè)。所述的第二溝槽的深度低于第一溝槽的深度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的高效率肖特基芯片的有益效果是
在現(xiàn)有肖特基芯片兩個(gè)第一溝槽中間增加一個(gè)第二溝槽，在相等的肖特基芯片面積下肖特基界面得以增加，正向?qū)娏鞯哪芰訌?qiáng)，降低正向通電時(shí)的壓降VF值，從而提升正向通電的效率15-30%。另第二溝槽的深度比第一溝槽淺，反向電壓時(shí)第一溝槽的MOS空乏功能可以保護(hù)第二溝槽的肖特基界面，因而降低反向漏電流的損耗。上述描述的是N通道高效率肖特基芯片，可以把N型與P型互換，則可適用在P通道高效率肖特基芯片的結(jié)構(gòu)并達(dá)到相應(yīng)的效果。


圖1是聞效率肖特基芯片結(jié)構(gòu)不意圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)肖特基芯片結(jié)構(gòu)不意圖。其中1、頂部金屬層2、多晶硅 3、第一溝槽 4、第二溝槽 5、肖特基界面
6、N 型外延層 N-EPI 7、N 型基片 N+Substrate。
具體實(shí)施例方式圖1是本發(fā)明的最佳實(shí)施例，下面結(jié)合附圖1對(duì)本發(fā)明的高效率肖特基芯片做進(jìn)一步描述。該一種高效率肖特基芯片，由頂部金屬層1、多晶硅2、第一溝槽3、第二溝槽4、肖特基界面5、N型外延層N-EPI 6和N型基片N+Substrate7組成。頂部金屬層I下方為肖特基界面5、多晶硅2緊靠在肖特基界面5下方，所述的第二溝槽4為方形溝槽，多個(gè)，每?jī)蓚€(gè)第一溝槽3之間設(shè)置一個(gè)，第一溝槽3環(huán)繞多晶硅兩側(cè)和下部，下部為N型外延層N-EPI6和N型基片N+Substrate7。所述的第二溝槽4的深度低于第一溝槽3的深度。在現(xiàn)有技術(shù)肖特基晶粒制作中，在多晶硅2外周挖的兩個(gè)第一溝槽3中間再挖一個(gè)第二溝槽4，第二溝槽4的表面形成額外的肖特基界面，因此，在相等的肖特基芯片面積中肖特基界面5得以增加，正向?qū)娏鞯哪芰訌?qiáng)，降低正向通電時(shí)的壓降VF值，從而提升正向通電的效率15-30%。另第二溝槽4的深度比第一溝槽3淺，反向電壓時(shí)第一溝槽3的MOS空乏功能可以保護(hù)第二溝槽4的肖特基界面，因而降低反向漏電流的損耗。 以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非是對(duì)本發(fā)明作其它形式的限制，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或改型為等同變化的等效實(shí)施例。但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與改型，仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種高效率肖特基芯片，包括頂部金屬層(I)、頂部金屬層(I)下方的肖特基界面(5)、緊靠肖特基界面(5)下方的多晶硅(2)、多晶硅外周的第一溝槽(3)、下部的N型外延層N-EPI (6)和N型基片N+Substrate (7)，其特征在于在兩相鄰第一溝槽之間增設(shè)第二溝槽(4 )，使肖特基界面成為平面和溝槽相間隔的結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效率肖特基芯片，其特征在于所述的第二溝槽(4)為方形槽，多個(gè)，每?jī)蓚€(gè)第一溝槽(3)之間設(shè)置一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高效率肖特基芯片，其特征在于所述的第二溝槽(4)的深度低于第一溝槽(3)的深度。
全文摘要
一種高效率肖特基芯片，屬于半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域。包括頂部金屬層(1)、頂部金屬層(1)下方的肖特基界面(5)、緊靠肖特基界面(5)下方的多晶硅(2)、多晶硅外周的第一溝槽(3)、下部的N型外延層N-EPI(6)和N型基片N+Substrate(7)，其特征在于在兩相鄰第一溝槽之間增設(shè)第二溝槽(4)，使肖特基界面成為平面和溝槽相間隔的結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有提高肖特基芯片的通電效率，降低正向壓降等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L29/78GK103022137SQ20121057796
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
發(fā)明者關(guān)仕漢, 呂新立 申請(qǐng)人:淄博美林電子有限公司