有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層、陰極及封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于所述第一有機(jī)阻擋層表面的第一無機(jī)阻擋層、形成于所述第一無機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層及形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第二無機(jī)阻擋層，第一無機(jī)阻擋層的材料包括氮化物、硅化物及碳化物，第二無機(jī)阻擋層的材料包括硅化物及氧化物。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層,發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后，會引起有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)部元件的材料發(fā)生老化進(jìn)而失效，從而所述有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較短。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種壽命較長的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層及陰極，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于所述第一有機(jī)阻擋層表面的第一無機(jī)阻擋層、形成于所述第一無機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層及形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第二無機(jī)阻擋層；
[0006]所述第一有機(jī)阻擋層的材料選自1，1-:((4_N，N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉及
I,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種；
[0007]所述第一無機(jī)阻擋層的材料包括氮化物、硅化物及碳化物，所述氮化物選自氮化鋁、氮化鈦、氮化釩、氮化鈮、氮化鋯及氮化鉭中的至少一種，所述硅化物選自硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鑰及硅化鎢中的至少一種，所述碳化物選自碳化鋁、碳化鉻、碳化鑰、碳化鈮、碳化釩及碳化鋯中的至少一種；
[0008]所述第二有機(jī)阻擋層的材料選自1，1-:((4_N，N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉及1,3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種；
[0009]所述第二無機(jī)阻擋層的材料包括硅化物及氧化物，所述硅化物選自硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鑰及硅化鎢中的至少一種，所述氧化物選自氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿及五氧化二鉭中的至少一種。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋的數(shù)量為2?4，2?4個(gè)封裝蓋依次層疊。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一有機(jī)阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第一無機(jī)阻擋層的厚度為10nm?150nm ;所述第二有機(jī)阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第二無機(jī)阻擋層的厚度為10nm?150nm。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一無機(jī)阻擋層中所述硅化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%，所述碳化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二無機(jī)阻擋層中所述硅化物的質(zhì)量百分含量為10% ?30%O
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
[0015]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0016]在陽極表面制備發(fā)光層；
[0017]在所述發(fā)光層表面制備陰極；及
[0018]在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于所述第一有機(jī)阻擋層表面的第一無機(jī)阻擋層、形成于所述第一無機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層及形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第二無機(jī)阻擋層，所述第一有機(jī)阻擋層的材料選自1，1-:((4-Ν，Ν' -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N，- 二苯基-N, N，- 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉及
I,3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種,所述第一無機(jī)阻擋層的材料包括氮化物、硅化物及碳化物，所述氮化物選自氮化鋁、氮化鈦、氮化釩、氮化鈮、氮化鋯及氮化鉭中的至少一種，所述硅化物選自硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鑰及硅化鎢中的至少一種，所述碳化物選自碳化鋁、碳化鉻、碳化鑰、碳化鈮、碳化釩及碳化鋯中的至少一種，所述第二有機(jī)阻擋層的材料選自1，1_ 二((4-N，N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氛基)二苯胺、4, 7 一二苯基一 1,10 一鄰菲羅琳及1，3, 5-二(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種，所述第二無機(jī)阻擋層的材料包括硅化物及氧化物，所述硅化物選自硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鑰及硅化鎢中的至少一種，所述氧化物選自氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿及五氧化二鉭中的至少一種。
[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋的數(shù)量為2?4，2?4個(gè)封裝蓋依次層疊。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一有機(jī)阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第一無機(jī)阻擋層的厚度為10nm?150nm ;所述第二有機(jī)阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第二無機(jī)阻擋層的厚度為10nm?150nm。
[0021]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
[0022]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層、第二無機(jī)阻擋層，四層配合可以有效的阻擋水氧的腐蝕，提高防水氧能力，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0026]請參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的具有陽極圖案的陽極10、功能層20、陰極30及封裝蓋40。
[0027]陽極10為導(dǎo)電玻璃或?qū)щ娪袡C(jī)聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。陽極10上具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm~150nm。
[0028]功能層20形成于基底10表面。功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。可以理解，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時(shí)功能層20僅包括發(fā)光層。
[0029]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基-1，1' -聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm。
[0030]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm。
[0031]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)。客體材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。
[0032]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0
[0033]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3)。CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。
[0034]需要說明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料?？昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的厚度也可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整。
[0035]陰極30形成于功能層20表面。陰極的厚度為lOOnm。陰極30的材料為鋁(Al)。
[0036]封裝蓋40形成于陰極30的表面。本實(shí)施方式中，封裝蓋40罩設(shè)于功能層20及陰極30，且封裝蓋40的邊緣與陽極10固接，從而將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。封裝蓋40形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋40的表面凹陷的凹槽。封裝蓋40將功能層20及陰極30收容于收容腔。
[0037]封裝蓋40包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層41、第一無機(jī)阻擋層42、第二有機(jī)阻擋層43及第二無機(jī)阻擋層44。
[0038]第一有機(jī)阻擋層41形成于陰極30的表面，且覆蓋陰極30及功能層20的端面以及陽極10的部分表面，從而將將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。
[0039]第一有機(jī)阻擋層41的材料選自1，1_ 二((4_N，N' -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、N，N’ - 二苯基-N, N，- 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m_MTDATA)、4，7 — 二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉(BCP)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一種。第一有機(jī)阻擋層41的厚度為200nm~300nm。
[0040]第一無機(jī)阻擋層42形成于第一無機(jī)阻擋層41的表面。第一無機(jī)阻擋層42的材料包括氮化物、硅化物及碳化物。氮化物選自氮化鋁(AlN)、氮化鈦(TiN)、氮化釩(VN)、氮化鈮(NbN)、氮化鋯(ZrN)及氮化鉭(TaN)中的至少一種。硅化物選自硅化鉻(CrSi2)、硅化鉭(TaSi2)、硅化鉿(HfSi2)、硅化鈦(TiSi2)、硅化鑰(MoSi2)及硅化鎢(WSi2)中的至少一種。碳化物選自碳化鋁(Al4C3)、碳化鉻(Cr3C2)、碳化鑰(Mo2C)、碳化鈮(NbC)、碳化釩(VC)及碳化錯(cuò)(ZrC)中的至少一種。第一無機(jī)阻擋層42的厚度為10nm?150nm。
[0041]進(jìn)一步的，第一無機(jī)阻擋層42中硅化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%，碳化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0042]第二有機(jī)阻擋層43形成于第一無機(jī)阻擋層42的表面。第二有機(jī)阻擋層43的材料選自1，1-二((4-N，N, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、8-羥基喹啉鋁(八193)、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉(BCP)及1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一種。第二有機(jī)阻擋層43的厚度為200nm?300nm。
[0043]第二無機(jī)阻擋層44形成于第二有機(jī)阻擋層43的表面。第二無機(jī)阻擋層44的材料包括硅化物及氧化物。硅化物選自硅化鉻(CrSi2)、硅化鉭(TaSi2)、硅化鉿(HfSi2)、硅化鈦(TiSi2)、硅化鑰(MoSi2)及硅化鎢(WSi2)中的至少一種。氧化物選自氧化鎂(MgO)、三氧化二鋁(Al2O3)、二氧化鈦(T12)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鉿(Hf O2)及五氧化二鉭(Ta2O5)中的至少一種。第二無機(jī)阻擋層44的厚度為10nm?150nm。
[0044]進(jìn)一步的，第二無機(jī)阻擋層44中硅化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0045]優(yōu)選的，封裝蓋40的數(shù)量為2?4，2?4個(gè)封裝蓋40依次層疊。即2?4個(gè)封裝蓋40均罩設(shè)于功能層20及陰極30，且位于外側(cè)的封裝蓋40罩設(shè)于位于內(nèi)側(cè)的封裝蓋40上，從而多個(gè)封裝蓋40形成如下的層疊結(jié)構(gòu):第一有機(jī)阻擋層41/第一無機(jī)阻擋層42/第二有機(jī)阻擋層43/第二無機(jī)阻擋層44/./第一有機(jī)阻擋層41/第一無機(jī)阻擋層42/第二有機(jī)阻擋層43/第二無機(jī)阻擋層44。
[0046]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100中，封裝蓋40包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層41、第一無機(jī)阻擋層42、第二有機(jī)阻擋層43及第二無機(jī)阻擋層44，四層配合可以有效的阻擋水氧的腐蝕，封裝蓋40把功能層20及陰極30封裝在陽極10上，可有效的提高防水氧能力，從而有機(jī)電致發(fā)光器件100的壽命較長。
[0047]可以理解，封裝蓋40的收容腔可以省略，此時(shí)直接在陽極10上設(shè)置收容腔即可。
[0048]請同時(shí)參閱圖2，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0049]步驟S110、在陽極10上形成功能層20。
[0050]功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。
[0051]陽極10可以為導(dǎo)電玻璃基底或?qū)щ娪袡C(jī)聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。陽極10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm?150nm。
[0052]陽極10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極10表面的含氧量以提高陽極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0053]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，V -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s。
[0054]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?父10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0055]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0056]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.1//5。
[0057]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10?,蒸發(fā)速度為0.2 A/S。
[0058]需要說明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料?？昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時(shí)功能層20僅包括發(fā)光層。
[0059]步驟S120、在功能層20表面形成陰極30。
[0060]陰極30的材料為鋁(Al)。陰極30的厚度為lOOnm。陰極30由真空蒸鍍形成，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/S。
[0061]步驟S130、在陰極30表面制備封裝蓋40。
[0062]封裝蓋40形成于陰極30的表面。本實(shí)施方式中，封裝蓋40罩設(shè)于功能層20及陰極30，且封裝蓋40的邊緣與陽極10固接，從而將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。封裝蓋40形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋40的表面凹陷的凹槽。封裝蓋40將功能層20及陰極30收容于收容腔。
[0063]封裝蓋40包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層41、第一無機(jī)阻擋層42、第二有機(jī)阻擋層43及第二無機(jī)阻擋層44。
[0064]第一有機(jī)阻擋層41形成于陰極30的表面，且覆蓋陰極30及功能層20的端面以及陽極10的部分表面，從而將將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。
[0065]第一有機(jī)阻擋層41的材料選自1，1_ 二((4_N，N' -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、N，N’ - 二苯基-N, N，- 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m_MTDATA)、4，7 — 二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉(BCP)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一種。第一有機(jī)阻擋層41的厚度為200nm~300nm。
[0066]第一有機(jī)阻擋層41由真空蒸鍍形成，真空度為I X 1-5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度0.5A ~5A/s。
[0067]第一無機(jī)阻擋層42形成于第一無機(jī)阻擋層41的表面。第一無機(jī)阻擋層42的材料包括氮化物、硅化物及碳化物。氮化物選自氮化鋁(AlN)、氮化鈦(TiN)、氮化釩(VN)、氮化鈮(NbN)、氮化鋯(ZrN)及氮化鉭(TaN)中的至少一種。硅化物選自硅化鉻(CrSi2)、硅化鉭(TaSi2)、硅化鉿(HfSi2)、硅化鈦(TiSi2)、硅化鑰(MoSi2)及硅化鎢(WSi2)中的至少一種。碳化物選自碳化鋁(Al4C3)、碳化鉻(Cr3C2)、碳化鑰(Mo2C)、碳化鈮(NbC)、碳化釩(VC)及碳化錯(cuò)(ZrC)中的至少一種。第一無機(jī)阻擋層42的厚度為10nm?150nm。
[0068]第一無機(jī)阻擋層42由磁控濺射制備，本底真空度為I X KT5Pa?I X 10_3Pa。
[0069]進(jìn)一步的，第一無機(jī)阻擋層42中硅化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%，碳化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0070]第二有機(jī)阻擋層43形成于第一無機(jī)阻擋層42的表面。第二有機(jī)阻擋層43的材料選自1，1-二((4-N，N, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、8-羥基喹啉鋁(八193)、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉(BCP)及1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一種。第二有機(jī)阻擋層43的厚度為200nm?300nm。
[0071]第二有機(jī)阻擋層43由真空蒸鍍形成，真空度為I X 10_5Pa?I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度
0.5 A?5 A/s。
[0072]第二無機(jī)阻擋層44形成于第二有機(jī)阻擋層43的表面。第二無機(jī)阻擋層44的材料包括硅化物及氧化物。硅化物選自硅化鉻(CrSi2)、硅化鉭(TaSi2)、硅化鉿(HfSi2)、硅化鈦(TiSi2)、硅化鑰(MoSi2)及硅化鎢(WSi2)中的至少一種。氧化物選自氧化鎂(MgO)、三氧化二鋁(Al2O3)、二氧化鈦(T12)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鉿(Hf O2)及五氧化二鉭(Ta2O5)中的至少一種。第二無機(jī)阻擋層44的厚度為10nm?150nm。
[0073]第二無機(jī)阻擋層44由磁控濺射制備，本底真空度為I X KT5Pa?I X 10_3Pa。
[0074]進(jìn)一步的，第二無機(jī)阻擋層44中硅化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0075]優(yōu)選的，封裝蓋40的數(shù)量為2?4，2?4個(gè)封裝蓋40依次層疊。即2?4個(gè)封裝蓋40均罩設(shè)于功能層20及陰極30，且位于外側(cè)的封裝蓋40罩設(shè)于位于內(nèi)側(cè)的封裝蓋40上，從而多個(gè)封裝蓋40形成如下的層疊結(jié)構(gòu):第一有機(jī)阻擋層41/第一無機(jī)阻擋層42/第二有機(jī)阻擋層43/第二無機(jī)阻擋層44/./第一有機(jī)阻擋層41/第一無機(jī)阻擋層42/第二有機(jī)阻擋層43/第二無機(jī)阻擋層44。
[0076]封裝蓋40形成于陰極30的表面。本實(shí)施方式中，封裝蓋40罩設(shè)于功能層20及陰極30，且封裝蓋40的邊緣與陽極10固接，從而將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。封裝蓋40形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋40的表面凹陷的凹槽。封裝蓋40將功能層20及陰極30收容于收容腔。
[0077]可以理解，封裝蓋40的收容腔可以省略，此時(shí)直接在陽極10上設(shè)置收容腔即可。
[0078]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，制備工藝簡單，容易大批量制備。
[0079]以下結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0080]實(shí)施例1
[0081]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件；其中，斜桿“/”表示層狀結(jié)構(gòu)，冒號“:”表示摻雜，下同。
[0082]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0083]1、在陽極上形成功能層。
[0084]陽極為導(dǎo)電玻璃。陽極具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0085]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0086]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s,
[0087]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為30nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3父10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人化。
[0088]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10 _午&，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0089]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0丄4/5。
[0090]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-^，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0091]2、在功能層表面形成陰極。
[0092]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為5人/8。
[0093]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0094]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0095]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無機(jī)阻擋層。
[0096]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為TAPC，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度5 人/s,厚度 300nm;
[0097]第一無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括WSi2、AlN及Al4C3，本底真空度lX10_5Pa，WSi2的質(zhì)量百分含量為20%，Al4C3的質(zhì)量百分含量為16%，其余為A1N，厚度150nm ；
[0098]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為TAPC，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度5 A/S，厚度 300nm;
[0099]第二無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括CrSi2及MgO，本底真空度I X 10_5Pa，CrSi2的質(zhì)量百分含量為30%，其余為MgO，厚度150nm ；
[0100]封裝蓋的數(shù)量為4，4個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(TAPC/WSi2:AlN = Al4C3/TAPC/CrSi2:MgO)4
[0101]實(shí)施例2
[0102]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0103]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0104]1、在陽極上形成功能層。
[0105]陽極為導(dǎo)電玻璃。陽極具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0106]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈桑鞠浜娓伞?br> [0107]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s。
[0108]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為30nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?父10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0109]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0110]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.1人/8。
[0111]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為 0.2A/S。
[0112]2、在功能層表面形成陰極。
[0113]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為5人/8。
[0114]3、在陰極表面蒸鍍保護(hù)層。
[0115]保護(hù)層的材料為NPB。保護(hù)層40的厚度為300nm。保護(hù)層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為5kh。
[0116]4、在保護(hù)層表面制備封裝蓋。
[0117]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0118]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無機(jī)阻擋層。
[0119]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為NPB，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2 A/S,厚度 250nm;
[0120]第一無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括MoSi2、TiN及Cr3C2，采本底真空度
1X10_5Pa，MoSi2的質(zhì)量百分含量為30%，Cr3C2的質(zhì)量百分含量為10%，其余為TiN，厚度150nm ；
[0121]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為NPB，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度
2A /S，厚度 250nm ；
[0122]第二無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括TaSi2及Al2O3，本底真空度IX 10_4Pa，TaSi2的質(zhì)量百分含量為10%，其余為Al2O3，厚度130nm ；
[0123]封裝蓋的數(shù)量為3，3個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(NPB/MoSi2:TiN =Cr3C2/NPB/TaSi2 =Al2O3) 3
[0124]實(shí)施例3
[0125]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0126]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0127]1、在陽極上形成功能層。
[0128]陽極為導(dǎo)電玻璃。陽極具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0129]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0130]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s。
[0131]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3\10_午&，蒸發(fā)速度為0.1力3。
[0132]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10?,蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0133]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 Λ/s 0
[0134]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為
3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為 0.2A/S。
[0135] 2、在功能層表面形成陰極。
[0136]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為51/8。
[0137]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0138]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0139]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無機(jī)阻擋層。
[0140]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為Alq3，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S，厚度 200nm ；
[0141]第一無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括TiSi2、VN及Mo2C,本底真空度5X 10?, TiSi2的質(zhì)量百分含量為10%，Mo2C的質(zhì)量百分含量為30%，其余為VN，厚度10nm ；
[0142]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為Alq3，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A /S，厚度 200nm ；
[0143]第二無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括HfSi2及T12，本底真空度lX10_4Pa，HfSi2的質(zhì)量百分含量為20%，其余為T12，厚度10nm ；
[0144]封裝蓋的數(shù)量為3，3個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(Alq3/TiSi2:VN =Mo2C/Alq3/HfSi2:Ti02)3
[0145]實(shí)施例4
[0146]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0147]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0148]1、在陽極上形成功能層。
[0149]陽極為導(dǎo)電玻璃。陽極具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為150nm。
[0150]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0151]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s,
[0152]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3父10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/3,
[0153]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0154]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0155]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-^，蒸發(fā)速度為0.2人/5。
[0156]2、在功能層表面形成陰極。
[0157]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為5人/8。
[0158]3、在陰極表面蒸鍍保護(hù)層。
[0159]保護(hù)層的材料為S1。保護(hù)層40的厚度為200nm。保護(hù)層由真空蒸鍍形成，真空度為5 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5 A/S。
[0160]4、在保護(hù)層表面制備封裝蓋。
[0161]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0162]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無機(jī)阻擋層。
[0163]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為m-MTDATA，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度2人/S，厚度250nm;
[0164]第一無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括HfSi2、NbN及NbC，采本底真空度5X 10?, HfSi2的質(zhì)量百分含量為20%，NbC的質(zhì)量百分含量為15%，其余為NbN，厚度120nm ；
[0165]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為m-MTDATA，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度2人s厚度250nm;
[0166]第二無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括TiSi2及ZrO2，本底真空度IX 10_4Pa，TiSi2的質(zhì)量百分含量為15%，其余為ZrO2，厚度IlOnm ；
[0167]封裝蓋的數(shù)量為3，3個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(m_MTDATA/HfSi2 =NbN:NbC/m-MTDATA/TiSi2:Zr02)3
[0168]實(shí)施例5
[0169]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0170]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0171]1、在陽極上形成功能層。
[0172]陽極為導(dǎo)電玻璃。陽極具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為120nm。
[0173]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0174]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s,
[0175]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_中&，蒸發(fā)速度為0.丨入/_5。
[0176]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.21/8。
[0177]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0178]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.2入/5。
[0179]2、在功能層表面形成陰極。
[0180]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發(fā)速度為5人/8。
[0181]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0182]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0183]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無機(jī)阻擋層。
[0184]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為BCP，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度
IA /S，厚度 250nm ；
[0185]第一無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括TaSi2、ZrN及VC，本底真空度5X10_5Pa，TaSi2的質(zhì)量百分含量為15%，VC的質(zhì)量百分含量為10%，其余為ZrN，厚度130nm ；
[0186]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為BCP，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度
IA /s,厚度 250nm ；
[0187]第二無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括MoSi2及HfO2，本底真空度IX 10_4Pa，MoSi2含量為17%，其余為HfO2，厚度IlOnm ；
[0188]封裝蓋的數(shù)量為3，3個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(BCP/TaSi2:ZrN:VC/BCP/MoSi2 =HfO2) 3
[0189]實(shí)施例6
[0190]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0191]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0192]1、在陽極上形成功能層。
[0193]陽極為導(dǎo)電玻璃。陽極具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0194]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0195]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.lA/s。
[0196]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?父10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/8。
[0197]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0198]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.丨A/S。
[0199]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.2七8。
[0200]2、在功能層表面形成陰極。
[0201]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-^，蒸發(fā)速度為51/8。
[0202]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0203]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0204]封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無機(jī)阻擋層。
[0205]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為TPBi，真空度lX10_3Pa，蒸發(fā)速度
2A/S，厚度 250nm;
[0206]第一無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括CrSi2、TaN及ZrC，本底真空度
1X 10?, CrSi2的質(zhì)量百分含量為15%，ZrC的質(zhì)量百分含量為30%，其余為TaN，厚度120nm ；
[0207]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為TPBi，真空度lX10_3Pa，蒸發(fā)速度
2A/S,厚度 250nm;
[0208]第二無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括WSi2及Ta2O5,本底真空度I X 10?,WSi2含量為20%，其余為Ta2O5，厚度10nm ；
[0209]封裝蓋的數(shù)量為2，2個(gè)封裝蓋依次層疊。2個(gè)封裝蓋依次層疊的結(jié)構(gòu)為(TPBi/CrSi2:TaN:ZrC/TPBi/WSi2 =Ta2O5) 2
[0210]對比例
[0211]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0212]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0213]1、在陽極上形成功能層。
[0214]陽極為導(dǎo)電玻璃。陽極具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0215]陽極表面在形成功能層之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加陽極表面的含氧量以提高陽極表面的功函數(shù)。具體為，將陽極依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈桑鞠浜娓伞?br> [0216]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' - 二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s。
[0217]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S。
[0218]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10?,蒸發(fā)速度為0.2人/S。
[0219]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成,真空度為3X l(T5Pa,蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0220]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為 0.2A/S.,
[0221]2、在功能層表面形成陰極。
[0222]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-^，蒸發(fā)速度為5人/8。
[0223]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0224]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0225] 封裝蓋包括依次層疊的第一有機(jī)阻擋層、第一無機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無機(jī)阻擋層。
[0226]第一有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為TAPC，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度5 A /s 厚度 300nm ；
[0227]第一無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料包括WSi2，本底真空度lX10_5Pa，厚度150nm ；
[0228]第二有機(jī)阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為TAPC，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度5 A/s,厚度 300nm;
[0229]第二無機(jī)阻擋層由磁控濺射制備，材料為MgO，本底真空度I X 10_5Pa，厚度150nm ；
[0230]封裝蓋的數(shù)量為4，4個(gè)封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(TAPC/WSi2/TAPC/MgO) 4
[0231]本發(fā)明實(shí)施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強(qiáng)〈IX 10_3Pa)、磁控濺射設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2400)、色彩亮度計(jì)(柯尼卡美能達(dá)，型號:CS-100A)。
[0232]請參閱表1，表1所示為實(shí)施例1~實(shí)施例6及對比例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水氣穿透率(Water Vapor Transmiss1n Rate)的測試結(jié)果。從表1中可以看出實(shí)施例1~實(shí)施例6制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水氣穿透率均小于6.0X 10_4g/m2/day，遠(yuǎn)小于對比例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水氣穿透率(7.1 XlOVmVday)防水效果較好，可以有效減少外部水氣對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0233]表1

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層及陰極，其特征在于:所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于所述第一有機(jī)阻擋層表面的第一無機(jī)阻擋層、形成于所述第一無機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層及形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第二無機(jī)阻擋層； 所述第一有機(jī)阻擋層的材料選自1，1-:((4-Ν，Ν' -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氛基)二苯胺、4, 7 一二苯基一 1,10 一鄰菲羅琳及1，3, 5-二(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種； 所述第一無機(jī)阻擋層的材料包括氮化物、硅化物及碳化物，所述氮化物選自氮化鋁、氮化鈦、氮化釩、氮化鈮、氮化鋯及氮化鉭中的至少一種，所述硅化物選自硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鑰及硅化鎢中的至少一種，所述碳化物選自碳化鋁、碳化鉻、碳化鑰、碳化鈮、碳化釩及碳化鋯中的至少一種； 所述第二有機(jī)阻擋層的材料選自1，1-:((4-Ν，Ν' -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氛基)二苯胺、4, 7 一二苯基一 1,10 一鄰菲羅琳及1，3, 5-二(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種； 所述第二無機(jī) 阻擋層的材料包括硅化物及氧化物，所述硅化物選自硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鑰及硅化鎢中的至少一種，所述氧化物選自氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿及五氧化二鉭中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋的數(shù)量為2~4，2~4個(gè)封裝蓋依次層疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第一無機(jī)阻擋層的厚度為10nm~150nm ;所述第二有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第二無機(jī)阻擋層的厚度為10nm~150nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機(jī)阻擋層中所述硅化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，所述碳化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二無機(jī)阻擋層中所述硅化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽極表面制備發(fā)光層； 在所述發(fā)光層表面制備陰極；及 在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括第一有機(jī)阻擋層、形成于所述第一有機(jī)阻擋層表面的第一無機(jī)阻擋層、形成于所述第一無機(jī)阻擋層表面的第二有機(jī)阻擋層及形成于所述第二有機(jī)阻擋層表面的第二無機(jī)阻擋層，所述第一有機(jī)阻擋層的材料選自1，1_ 二((4-N，N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、.4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉及.1, 3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種,所述第一無機(jī)阻擋層的材料包括氮化物、硅化物及碳化物，所述氮化物選自氮化鋁、氮化鈦、氮化釩、氮化鈮、氮化鋯及氮化鉭中的至少一種，所述硅化物選自硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鑰及硅化鎢中的至少一種，所述碳化物選自碳化鋁、碳化鉻、碳化鑰、碳化鈮、碳化釩及碳化鋯中的至少一種，所述第二有機(jī)阻擋層的材料選自1，1_ 二((4-N，N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氛基)二苯胺、4, 7 一二苯基一 1,10 一鄰菲羅琳及1，3, 5-二(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種，所述第二無機(jī)阻擋層的材料包括硅化物及氧化物，所述硅化物選自硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鑰及硅化鎢中的至少一種，所述氧化物選自氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿及五氧化二鉭中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述封裝蓋的數(shù)量為2~4，2~4個(gè)封裝蓋依次層疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述第一有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第一無機(jī)阻擋層的厚度為10nm~150nm ;所述第二有機(jī)阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第二無機(jī)阻擋層的厚度為10nm~150nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述封裝蓋與所述陽極配合形成 有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
【文檔編號】H01L51/54GK104078607SQ201310109535
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 馮小明 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司