專利名稱：制作電子組件的方法
技術領域：
本發(fā)明總體上涉及制作電子組件的方法。
背景技術：
電子組件可能包括一個或更多個芯片以及每個芯片所附接的封裝載體(諸如襯底、電路板或引線框架)。事實上，電子組件存在于如今構造的每個電子裝置中。每個芯片都包括使用晶片和促進裝置與外部環(huán)境的連接的互連結構制作的一個或更多個集成電路。互連結構包括稱為接合焊盤的導電觸頭陣列，以及使裝置和接合焊盤耦合的居間金屬平面。將從晶片切割而成的裸片安裝在封裝載體上，以形成電子組件。每個裸片均包括與封裝載體上的接合焊盤連接的接合焊盤，以提供外部電連接。在通過倒裝芯片安裝形成的電子組件中，通過焊球或焊塊將裸片上的接合焊盤電連接和物理連接至襯底諸如封裝載體上的相應的接合焊盤陣列。通常，焊塊與裸片和/或襯底上的接合焊盤對準，并且施加回流工藝，以產(chǎn)生焊接頭形式的物理和電連接。倒裝芯片安裝工藝導致裸片和襯底之間的間隙，該間隙反映焊接頭的存在。經(jīng)常地，將底部填料引入到裸片和襯底之間的間隙中，并且使其包圍焊塊。底部填料為電絕緣材料，其加強裸片和襯底之間的機械連接，并且保護焊接頭。通常鄰近一個或更多個裸片邊緣分配底部填料，并且通過毛細管作用將其吸到裸片下。然而，經(jīng)分配的底部填料具有遷移離開鄰近裸片的分配位置的傾向，并且可能污染鄰近的裸片。作為底部填料運輸?shù)慕Y果，其可能導致電子組件的過早失效。隨著鄰近裸片之間的間隔縮小，由于底部填料的遷移而污染鄰近裸片的可能性增大。因此，在確定電子組件中的鄰近裸片之間的最小間隔時，底部填料遷移可以是限制因素。在稱為線焊組件的其它類型電子組件中，將裸片粘接至襯底上的裸片附接焊盤。然后使用線焊工藝使裸片頂部表面上的接合焊盤和在裸片附接焊盤周圍分布的接合焊盤之間的金屬線耦合。圍繞裸片附接焊盤的外周布置接合焊盤。將裸片附接粘合劑分配到裸片接合焊盤上。由于其尺寸小，所以接合焊盤對作為在裸片附接焊盤上物理放置裸片的結果的粘合劑從裸片接合焊盤遷移而導致污染是高度敏感的。因此，需要這樣的制作電子組件的方法，其允許物理上盡可能靠近地定位鄰近電路元件，而鄰近電路元件不受底部填料或粘合劑的污染。

發(fā)明內容
在本發(fā)明的一個實施例中，提供一種用于制作具有襯底和多個電路元件的電子組件的方法。該方法包括:在襯底上形成液體屏障；將第一電路元件放置在液體屏障的一側；以及將第二電路元件放置在液體屏障的相對側。向第一電路元件施加液體。該方法還包括:利用液體屏障防止施加至第一電路元件的液體污染第二電路元件，使得能夠最小化第一電路元件和第二電路元件之間的間隔。


包含在本說明書中并且組成本說明書的一部分的附圖與上文給出的本發(fā)明的大致描述以及以下的詳細描述一起例證了本發(fā)明的各種實施例。圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實施例加工的電子組件的部分的頂視圖，并且其中為了清晰說明，省略了裸片。圖2示出已將裸片附接至接合焊盤并且已將底部填充材料引入裸片下方之后的大致沿圖1中的線2-2截取的橫截面圖。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的原理的用于等離子體加工襯底的等離子體處理系統(tǒng)的示意圖。圖4示出根據(jù)本發(fā)明的一個可替代實施例的類似于圖1的頂視圖。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的一個可替代實施例的類似于圖2的橫截面圖。圖6示出根據(jù)本發(fā)明的一個可替代實施例的類似于圖4的頂視圖。
具體實施例方式參考圖1和2，電子組件12包括襯底10 (例如，電路板或引腳框架)，該襯底10具有兩組14、16接合焊盤21。每個接合焊盤21均包括電子組件的電路元件。在代表性實施例中，每ー個組14、16中的接合焊盤21均布置為行和列的陣列。組14的接合焊盤21被設置在附接部位的外邊界15內側，并且類似地，組14的接合焊盤21被設置在另ー附接部位的外邊界17內側。雖然僅示出由不同接合焊盤21的組14、16組成的兩個附接部位，但是根據(jù)對待被附接以形成特定電子組件12的電子部件的需要，襯底10可以包括任何數(shù)量的附接部位。在代表性實施例中，例如，電子組件12可以是倒裝芯片、芯片尺寸封裝(CSP)、球柵陣列(BGA)或封裝體疊層組件(PoP)。每組14、16接合焊盤21都代表在襯底10上的指定用于附接裸片的名義區(qū)域。夕卜邊界15、17的尺寸可能變化，并且其至少部分地取決于電子組件12的期望尺寸。通常，包圍接合焊盤21的外邊界15、17的長度和寬度均小于25_。每個接合焊盤21或至少接合焊盤21的最上層由材料(諸如銅)層組成，用于形成電連接。層30在外部邊界15、17的外部區(qū)域中施加至襯底10的表面，所述層30包括焊料掩膜材料或在裸片附接エ藝中使用的另ー類型有機基材料。焊料掩膜層30被施加至襯底10的表面并且被改性或被施加使得接合焊盤21不被焊料掩膜材料覆蓋，所述焊料掩膜層30可以包括處于有機聚合物基體中的ニ氧化硅(SiO2)顆粒?？稍谥圃煲r底10期間將焊料掩膜層30施加至襯底10。在施加后，對焊料掩膜層30進行改性以改變焊料掩膜層30對液體或流體材料諸如底部填充材料的施加的響應。在代表性實施例中，將襯底10放置到等離子體處理系統(tǒng)40中，諸如圖3中所示的等離子體處理系統(tǒng)，以對焊料掩膜層30進行表面處理。圖3示出一種等離子體處理系統(tǒng)40，其適用于改變焊料掩膜層30的表面能量的表面改性加工。該等離子體處理系統(tǒng)40包括處理室46，該處理室46由封閉加工空間48的壁體構成。在等離子體加工、諸如下文更詳細描述的表面改性加工期間，將處理室46從周圍外界環(huán)境液密密封、將其抽孔成適當?shù)牟糠终婵?、并且向其提供至少ー種適于期望的等離子體處理的加工氣體。使用真空泵50通過裝有閥的真空端ロ 52抽空處理室的加工空間。真空泵50可以具有ー個或更多個具有可控泵送速度的真空泵送裝置，如真空技術領域的普通技術人員所識別的。在調整流速下通過進氣端ロ 56將ー種或更多種加工氣體從加工氣體源54導入至加工空間。從加工氣體源54到加工空間48的加工氣體的流量通常是由質量流控制器計量的。根據(jù)需要調節(jié)來自加工氣體源54的氣體流速以及真空泵50的泵送速率，以產(chǎn)生適于等離子體58的生成和期望處理工藝的等離子體加工壓カ。這樣，當存在等離子體58時，新鮮加工氣體被持續(xù)地供應至加工空間48，并且清除了任何廢加工氣體和/或從在襯底支撐件60上的已被加工的襯底10移除的揮發(fā)性物質。電源62與在倉室46內側的電極64電f禹合,并且向其輸送電能。從電源62輸送至電極64的能量對于從被禁閉在加工空間48中的加工氣體形成等離子體58是有效的。電源62還可以為與襯底支撐件60相聯(lián)的電極(本這里稱為“偏壓電極”)提供能量。從電源62輸送至偏壓電極的功率對于相對于等離子體58電偏壓襯底10和促進襯底10的等離子加工是有效的。電源62可以是ー個或更多個控制直流(DC)偏壓的電源和/或可以是射頻(RF)電源，所述射頻(RF)電源在約40kHz至約13.56MHz之間的頻率并且在范圍從約50瓦特至約10，000的瓦特級下運行。還可以使用其它適當?shù)念l率和功率范圍。本領域普通技術人員應明白，不同的處理室設計可能允許或需要不同的偏壓功率?？刂破黢詈现恋入x子體處理系統(tǒng)40的各個部件，以促進等離子體加工的控制。應進一歩理解，等離子體處理系統(tǒng)40包括圖3中未示出的部件，并且所述部件可以是運行系統(tǒng)40所必需的，諸如設置在加エ空間48和真空泵50之間的閘閥。現(xiàn)在回到表面改性加工，將加工氣體例如氬氣(Ar)引入到加工空間48中，視浸蝕清洗的需要而包括或不包括另ー種氣體，諸如氫氣(H2)。從電源62向電極64供應范圍從約0.02ff/cm2至約0.65ff/cm2的RF功率，這將在加工空間48內的加工氣體激發(fā)成等離子體58。將加工氣體轉換為四氟化碳(CF4),或可替代地，可將CF4注入到加工空間中，并且在將其激發(fā)的同時注入Ar、H2或其它加工氣體。含氟的其它加工氣體諸如CHF3、C2F6、NF3、SF6可以在加工氣體中作為氟化劑使用。通過在倉室48中形成的等離子體58，電源62向偏壓電極供應直流電能，以吸引來自等離子體58的離子，并且將其引向現(xiàn)在已偏壓的襯底10。因此，焊料掩膜層30的表面被CF4等離子體處理，該CF4等離子體氟化了組成焊料掩膜層30的材料中的有機聚合物，并且因此修改了焊料掩膜層30的特性。等離子體改性降低了組成焊料掩膜層30的有機材料的表面能量。具體地，氟化作用提高了焊料掩膜層30的疏水性，這導致焊料掩膜層30對液體浸濕的耐性在由焊料掩膜層30覆蓋的襯底10的全部表面區(qū)域中得到提高。能夠通過焊料掩膜層30對水的親合力來測量疏水性，并且疏水性也可以被稱為可濕性。能夠通過水滴在焊料掩膜層30的表面上產(chǎn)生的接觸角來測量焊料掩膜層30的疏水表面的疏水性。在一個實施例中，如果接觸角度大于或等于90°，則認為該等離子體改性焊料掩膜層30是疏水的。重新參考圖1和2，通過焊接頭將電路元件電附接并且機械附接至接合焊盤21，所述電路元件的代表性形式是裸片22、24。每個裸片22、24均包括ー個或更多個集成電路，所述集成電路帶有有源裝置諸如CMOS場效應晶體管。還在襯底10上的附接部位處設置作為電子組件12的可選部件的電路元件19。電路元件19可以是無源裝置，諸如電阻器、電容器或電感器。將焊塊18、20施加至裸片22、24上的接合焊盤26、28，施加至襯底10上的接合焊盤21，或施加至這兩者。執(zhí)行裸片附接加工以形成接頭，該接頭限定在裸片22、24的接合焊盤26、28和襯底10上的接合焊盤21的組14、16之間延伸的電和機械連接部。在所示倒裝芯片附接方法中，將承載由焊料組成的焊塊18、20的模盤與接合焊盤21的組14、16和在裸片22、24上的接合焊盤28對齊。當施加足夠的壓力和/或溫度時，焊塊18、20中的焊料可能回流以形成接頭，該接頭將裸片22、24物理和電粘合至接合焊盤21的組14、16?？商娲?，焊塊18、20可由焊料以外的材料諸如銅組成，并且該附接加工能夠是熱超聲而非軟熔。在將裸片22、24分別附接至焊盤21的組14、16之后，執(zhí)行底部填充操作。底部填充操作將底部填充材料44、45引入到在裸片22、24下方并且包圍焊塊18、20的敞開空間中。底部填充材料44、45為液體，諸如可能填充有ニ氧化硅顆粒的可固化非導體環(huán)氧樹脂，當被施加至襯底10時，其為液體，并且通過毛細管作用流入到敞開空間中。通過噴射裝置，將底部填充材料44、45分配為在接觸區(qū)域42、43上的一條或更多條沉積液體點線。該點在緊鄰每個裸片22、24的一個或更多外部邊緣32、34處沉積在焊料掩膜層30上。然而，可使用多個不同類型的分配器以及以多種不同方式將底部填充材料44,45施加至襯底10。通常，底部填充材料44、45的分配量近似等于在每個裸片22、24下方的敞開空間的體積加上填角的體積，該填角在已完成底部填充操作后沿裸片邊緣32、34形成。接觸區(qū)域42、43起到形成在襯底上的液體屏障的作用，并且因此當將底部填充材料44、45最初分配到襯底10上吋，限定底部填充材料44、45接觸焊料掩膜層30的程度。等離子體處理提高了焊料掩膜層30對被底部填充材料44、45浸濕的耐性，并且防止或顯著降低底部填充材料44、45流動離開裸片22、24。具體地，底部填充材料44、45并不遷移超過接觸區(qū)域42、43并且不橫跨鄰近的裸片22、24之間的空間以造成污染。接觸區(qū)域42、43具有數(shù)值為W1的寬度，其反映了等離子體改性提高了:焊料掩膜層30的疏水性；底部填充材料44,45最初在焊料掩膜層30上分配時的尺寸；以及底部填充材料44、45在其分配狀態(tài)中的特性(例如，粘性)。接觸區(qū)域42被限定為在焊料掩膜層30的表面上的某一區(qū)域，并且該區(qū)域代表等離子體改性的焊料掩膜層30被分配的底部填充材料44浸濕的相對于外邊界15測量的最小寬度W。接觸區(qū)域42包圍接合焊盤21的組14的外邊界15。在可替代實施例中，可相對于不同參考測量接觸區(qū)域42，諸如在裸片22已經(jīng)被附接至接合焊盤21的組14之后的裸片22的最近邊緣32。外邊界15和裸片22的邊緣32可垂直對齊，或如果沒有垂直對齊，則可參考外邊界15或邊緣32中的一個或另一個測量接觸區(qū)域42。由于焊料掩膜層30增強的疏水性，所以鄰近裸片22的邊緣32施加的底部填充材料44不遷移到接觸區(qū)域42外側以轉移至裸片24，并且因此不導致裸片24的污染。接觸區(qū)域42可代表在鄰近裸片22、24之間的最小分離間隔，該最小分離間隔用于使底部填充材料44不會流動至達到裸片24。接觸區(qū)域43被限定為在焊料掩膜層30的表面上的某一區(qū)域，并且該區(qū)域代表等離子體改性的焊料掩膜層30被分配的底部填充材料45浸濕的相對于外部邊界17測量的最小寬度W。接觸區(qū)域43包圍接合焊盤21的組16的外邊界17。在可替代實施例中，可相對于不同參考測量接觸區(qū)域43，諸如在裸片24已被附接至接合焊盤21的組16之后的裸片24的最近邊緣34。外部邊界17和裸片22的邊緣34可垂直對齊，或如果沒有垂直對齊，則可參考外部邊界17或邊緣34中的一個或另一個測量接觸區(qū)域43。由于焊料掩膜層30增強的疏水性，所以鄰近裸片24的邊緣34施加的底部填充材料45不遷移到接觸區(qū)域43外側以轉移至裸片22，并且因此不導致裸片22的污染。接觸區(qū)域43可代表在鄰近裸片22、24之間的最小分離間隔，該最小分離間隔用于使底部填充材料45不會流動至達到裸片22。對于不同的接合焊盤21的組14、16，可通過焊料掩膜層30增強的疏水性而減小外邊界15、17之間的最小間隔も。在一個實施例中，最小間隔Cl1可以近似等于接觸區(qū)域42、43各自的寬度W1的和。該最小間隔Cl1和接觸區(qū)域42、43的下限涉及作為鄰近外部邊界15、17分配的底部填充材料的停放區(qū)的所需空間。具體地，除了底部填充材料44、45從分配位置移走的任何傾向外，分配的底部填充材料的尺寸(點尺寸或線寬)還可提供關于接觸區(qū)域42、43各自的寬度W1以及外邊界15、17之間的最小間隔Cl1的確定性因素。類似地，可以將使外邊界17與電子元件19分開的最小間隔d2減小為近似等于接觸區(qū)域43的寬度Wl。焊料掩膜層30增強的疏水性作為關于最小間隔Clpd2的限制因素而消除或至少減小底部填充材料44、45的遷移。在設計用于電子組件12的接合焊盤21的組14、16的布局時，可考慮接觸區(qū)域42、43的尺寸。最小間隔も、d2可為450iim或更小，其顯著小于900 y m或更大的常規(guī)最小間隔。最小間隔的縮小允許彼此更加鄰近地布置不同的接合焊盤21的組14、16的外邊界15、17，這節(jié)約了在襯底10的表面上的空間。在底部填充材料44、45在裸片22、24下方移動之后，就通過定時加熱處理使底部填充材料44、45固化和硬化。可在流體分配器后同軸定位的一些類型的對流式烤爐、輻射爐或微波固化爐中使底部填充材料44、45固化。當被固化和硬化時，底部填充材料形成堅固粘接的粘性團。固化的底部填充材料44、45保護焊接頭抵抗各種不利環(huán)境因素，再分布沖擊造成的機械應力，并且在熱循環(huán)期間防止焊接頭不在應變的作用下移動。在可替代實施例中，可使用助焊(非流動)底部填充加工來供應底部填充材料44、45。在組裝加工期間，在放置裸片之前，向附接部位實施將非流動底部填充。在回流期間，底部填料起焊劑的作用，允許形成金屬互連，并且在回流爐中完成底部填料固化。參考圖4，其中相同標附圖標記指代圖1-3中的相同部件，并且根據(jù)本發(fā)明的可替代實施例，用于形成電子組件的襯底80包括裸片附接焊盤82，該裸片附接焊盤82代表具有外邊界84的附接部位。多個接合焊盤86分布在裸片附接焊盤82的邊界84的外周周圍的各個位置處。至少包圍裸片附接焊盤82的區(qū)域被焊料掩膜層30覆蓋。每個接合焊盤86均包括電子組件的電路元件。裸片附接焊盤82代表襯底80上的名義區(qū)域，其指定用于附接裸片以形成類似于組件12 (圖1、2)的組件。附接過程包括在裸片附接焊盤82的表面區(qū)域上分配作為液體的裸片附接粘合劑，并且使用拾取和布置機器來將裸片定位成與裸片附接焊盤82上的粘合劑成接觸關系。裸片附接粘合劑在裸片和裸片附接焊盤82之間提供熱界面和機械界面。當裸片附接焊盤80被放置成與裸片附接粘合劑成接觸關系并且被擠壓朝向村底10的頂表面時，裸片附接粘合劑朝外邊界84向外移位并且通常移位超過外邊界84。一部分移位的粘合劑可能形成鄰近裸片邊緣并且延伸到裸片邊緣上的邊片。接合焊盤86相對小，并且因此對裸片附接粘合劑的污染高度敏感。為了防止裸片附接粘合劑遷移到接合焊盤86，如上所述對焊料掩膜層30進行等離子體處理。由于等離子體處理的焊料掩膜層30増加的疏水性，所以可顯著減小在接合焊盤86和裸片附接焊盤82的外邊緣84之間的最小間隔d4。與在常規(guī)電子組件中相比，最小間隔d4的縮小允許更鄰近裸片附接焊盤82地放置接合焊盤86，這就保存了襯底10的表面上的空間。然后，使用線焊エ藝來耦合在裸片的頂部表面上的接合焊盤和分布在裸片附接焊盤82周圍的接合焊盤86之間的金屬線。焊料掩膜層30增強的疏水性防止接合焊盤86受裸片附接粘合劑的遷移污染。參考圖5，其中相同附圖標記指代圖1-4中的相同部件，并且根據(jù)本發(fā)明的可替代實施例，在襯底10上形成壩形體66，其中不存在焊料掩膜材料30。將壩形體66沿裸片22、24的最為相鄰的側邊緣32、34定位在接合焊盤21的組14的外邊界15和接合焊盤21的組16的外邊界17之間。壩形體66在裸片22、24的邊緣32、34之間的位置處形成為線性體。在可替代實施例中，壩形體66可包圍裸片22、24中的一個或另ー個。在另ー實施例中，可存在多個類似壩形體66的壩形體。在另ー實施例中，可將類似于壩形體66的壩形體定位在裸片24的側邊緣34和電路元件19之間(圖1)。壩形體66起到在襯底10上形成的液體屏障的作用。為了該目的，可將壩形體66構建成具有足以防止經(jīng)分配的底部填充材料44遷移至裸片24或防止經(jīng)分配的底部填充材料45遷移至裸片22的高度。該壩形體66包括抵抗底部填充材料44、45的浸潤的疏水性材料。在特定實施例中，壩形體66由疏水的、等離子體聚合材料諸如四甲基ニ硅氧烷(“TMDSO”)組成。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，壩形體66是通過將掩模諸如鋁掩模定位在襯底10上或定位成與襯底10處于接觸關系而形成的。然后，將經(jīng)掩膜的襯底10放置在加工室內，諸如上文參考圖3所述的處理室46?？刂破髡{節(jié)真空泵50的運行以及氣體引入，以維持期望的加工壓カ。從電源62向電極64提供范圍從約0.02ff/cm2至約0.65ff/cm2的RF功率，這將加工空間48內的加工氣體激勵成等離子體58。在一個實施例中，加工氣體可以是Ar和單體氣體諸如硅氧烷或在一個實施例中TMDSO的混合物?？赏ㄟ^在與加工空間48流體耦合的單獨蒸發(fā)室(未示出，但是包括在氣體源54內)中供應液體TMDSO而引入TMDS0。由于TMDSO的蒸氣壓在20° C為112.5mTorr，所以一旦在倉室46內側建立適當?shù)募庸毫Γ琓MDSO將容易地蒸發(fā)并且以范圍從約Isccm至約IOOOsccm的流速進入加工空間48。在可替代實施例中，如本領域普通技術人員眾所周知并且將被考慮為符合本發(fā)明的實施例的，可使用載體氣體將單體蒸汽運輸?shù)郊庸た臻g48。在引入TMDSO時，可將倉室46中的加工壓力保持在從約20mTorr至約200mTorr的范圍內。等離子體58中的TMDSO選擇性地在襯底10的未經(jīng)掩膜表面上形成聚合物層。隨著壩形體66的沉積完成，終止加工氣體的引入，等離子體加工結束，并且從等離子體處理系統(tǒng)40移除襯底10。然后可按照上文描述地進行倒裝芯片加工。壩形體66防止底部填充材料44從鄰近裸片22的分配位置遷移至裸片24。壩形體66同樣防止底部填充材料45從鄰近裸片24的分配位置遷移至裸片22。由于壩形體66的存在，所以可顯著縮小外邊界15、17之間的最小間隔d3。與在常規(guī)電子組件中相比，最小間隔d3的縮小允許更接近地封裝裸片22、24，這就保存了襯底10表面上的空間。在ー個實施例中，壩形體66的高度可以是近似200nm，并且壩形體66的寬度可以是近似lOOnm。
參考圖6，其中相同附圖標記指代圖1-5中的相同部件，并且根據(jù)本發(fā)明的可替代實施例，壩形體68被定位在裸片附接焊盤82和接合焊盤86之間。壩形體68包圍裸片附接焊盤82。壩形體68以與壩形體66(圖5)相同的方式形成，并且具有與壩形體66的結構類似或相同的結構。壩形體68防止裸片附接粘合劑從裸片附接焊盤82遷移至接合焊盤86。由于壩形體68的存在，可顯著縮小裸片附接焊盤82和接合焊盤86之間的最小間隔d4。這里使用的術語僅用于描述具體實施例的目的，并且不g在限制本發(fā)明。除非在上下文中另外明確指出，否則本文使用的単數(shù)形式“一…”、“ー個…”以及“該…”也g在包括復數(shù)形式。還應理解，當在本說明中使用吋，術語“由…組成”和/或“包含”指定存在一定的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件，但是不排除出現(xiàn)或增加ー個或更多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其組。此外，就在詳細說明或權利要求中使用的術語“包括…”、“具有…” “包含…” “帶有…” “由…組成”或其變形來說，將這些術語g在類似術語“包括…”的形式的包括范圍。應理解，當元·件被描述為“被連接”或“被耦合”至另一元件或與另一元件“連接”或“耦合”時，其能夠是直接連接或耦合至其它元件，或作為代替，可能存在一個或更多個居間元件。相反，當元件被描述為“被直接連接”或“被直接耦合”至另一元件吋，不存在居間元件。當元件被描述為“被間接連接”或“被間接耦合”至另一元件吋，存在至少ー個居間元件。雖然已通過描述各個實施例而例證了本發(fā)明，并且雖然已相當詳細地描述了這些實施例，但是申請人不g在約束或以任何方式限制所附權利要求的范圍到這樣的細節(jié)。本領域技術人員將容易地看到另外的優(yōu)勢和變型。因而，本發(fā)明的更廣泛方面不限于所示出和所描述的特定細節(jié)、代表性設備和方法以及例證性實施例。
權利要求
1.一種制作電子組件的方法，所述電子組件具有襯底和多個電路元件，所述方法包括: 在所述襯底上形成液體屏障； 在所述液體屏障的一側上放置第一電路元件； 在所述液體屏障的相對側上放置第二電路元件； 將液體施加至所述第一電路元件；以及 使用所述液體屏障來防止施加至所述第一電路元件的液體污染所述第二電路元件，使得能夠最小化所述第一電路元件和第二電路元件之間的間隔。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在所述襯底上形成液體屏障包括: 將焊料掩膜材料層施加至所述襯底；以及 將所述層暴露至等離子體，以增加所述焊料掩膜材料的疏水性。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，將所述層暴露至等離子體包括: 從包含氟的源氣體形成所述等離子體；以及 通過暴露至所述等離子體而氟化所述焊料掩膜材料。
4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述液體為底部填充材料，所述第一電路元件為裸片，并且，將液體施加至所述第一電路元件包括: 在鄰近所述裸片的邊緣的接觸區(qū)域上，將所述底部填充材料分配到所述層上。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，所述第二電路元件為裸片，并且，使用所述液體屏障來防止施加至所述第一電路元件的液體污染所述第二電路元件包括: 防止所述底部填充材料移動離開所述第一裸片以污染所述第二裸片。
6.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述液體為粘合劑，所述第一電路元件為裸片，并且，將液體施加至所述第一電路元件包括: 將所述粘合劑分配到在所述襯底上的裸片附接焊盤上。
7.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中，所述第二電路元件為接合焊盤，并且，使用所述液體屏障來防止施加至所述第一電路元件的液體污染所述第二電路元件包括: 使所述裸片接觸在所述裸片附接焊盤上的所述粘合劑；以及 防止所述粘合劑移動離開所述裸片附接焊盤以污染所述接合焊盤。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述液體為粘合劑，所述第一電路元件為裸片，并且，將液體施加至所述第一電路元件包括: 將所述粘合劑分配至在所述襯底上的裸片附接焊盤上；以及 使所述裸片接觸在所述裸片附接焊盤上的所述粘合劑。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述液體為底部填充材料，所述第一電路元件為裸片，并且，將液體施加至所述第一電路元件還包括: 鄰近所述裸片的邊緣分配所述底部填充材料。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一電路元件為裸片，并且，所述第二電路兀件為弟~■裸片。
11.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一電路元件為第一裸片，并且，所述第二電路元件為在所述襯底上的接合焊盤。
12.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在所述襯底上形成液體屏障包括:緊鄰所述襯底上的用于將所述第一電路元件附接至所述襯底的表面區(qū)域的外邊界形成壩形體。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，形成所述壩形體包括: 對在所述襯底上的區(qū)域進行掩膜；以及 在所述襯底上的未經(jīng)掩膜的區(qū)域上沉積聚合物，以形成所述壩形體。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，在所述襯底上的未經(jīng)掩膜的區(qū)域上沉積聚合物材料還包括: 從源氣體形成等 離子體，所述源氣體包含聚合物形成加工氣體；以及 將所述未經(jīng)掩膜的區(qū)域暴露至所述等離子體，以從所述等離子體沉積所述聚合物。
15.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述壩形體包圍在所述襯底上的表面區(qū)域的外邊界。
全文摘要
本發(fā)明涉及制作電子組件的方法。在本發(fā)明的實施例中，提供一種用于制作具有襯底和多個電路元件的電子組件的方法。所述方法包括在所述襯底上形成液體屏障；在所述液體屏障一側放置第一電路元件；以及在所述液體屏障的相對側放置第二電路元件。向所述第一電路元件施加液體。所述方法還包括使用所述液體屏障防止施加至所述第一電路元件的所述液體污染所述第二電路元件，使得能夠最小化所述第一和第二電路元件之間的間隔。
文檔編號H01L21/60GK103117229SQ20121042782
公開日2013年5月22日 申請日期2012年10月31日 優(yōu)先權日2011年10月31日
發(fā)明者大衛(wèi)·K·富特, 詹姆士·D·格蒂, 趙建鋼 申請人:諾信公司