專利名稱：固化膜形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及固化膜形成方法。
背景技術：
以往，半導體元件的表面保護膜、層間絕緣膜，一直使用耐熱性優(yōu)異并且具有卓越的電特性和機械特性等的聚苯并噁唑樹脂和/或聚酰亞胺樹脂。
在此為了簡化使用聚苯并噁唑樹脂和/或聚酰亞胺樹脂時的工藝，使用將作為感光材料的重氮醌化合物與這些樹脂組合得到的正型感光性樹脂組合物(例如，參照專利文獻I)。
近年來，為了降低由于半導體元件的小型化、由高集成化帶來的多層配線化、向芯片尺寸封裝(CSP)或晶片級封裝(WLP)的轉(zhuǎn)變等，對半導體元件造成的損傷，需要使用低應力性優(yōu)異的聚苯并噁唑樹脂或聚酰亞胺樹脂的正型感光性樹脂組合物。在實際的工藝中使用這些正型感光性樹脂組合物時，伴隨半導體裝置的小型化，需要形成微細圖案。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻I :日本特公平1-46862號公報發(fā)明內(nèi)容
當通過以往的顯影工序、清洗工序?qū)嵤┪⒓殘D案的形成時，存在在顯影時開口的圖案周邊附著有殘渣物，圖案開口部尺寸受該殘渣物的影響而小于期望尺寸的問題。
本發(fā)明人進行了深入研究，結(jié)果明白了以下內(nèi)容。
可以認為，當感光性樹脂組合物溶解在堿性顯影液中時，在堿性顯影液的感光性樹脂組合物側(cè)(晶片側(cè))的區(qū)域，溶解的感光性樹脂組合物以高濃度存在。
可知當在清洗工序中使晶片高速旋轉(zhuǎn)時，在供給清洗液之前，堿性顯影液中，上部側(cè)(與晶片相反的一側(cè))的部分由于離心力而被除去。高濃度地溶解有感光性樹脂組合物的堿性顯影液殘留在晶片上?？梢哉J為，當供給清洗液時，堿性顯影液的堿濃度降低，堿性顯影液中溶解的感光性樹脂組合物析出，該析出物在開口部附近附著而殘留。
本發(fā)明是基于這樣的見解而做出的。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種正型感光性樹脂組合物的固化膜形成方法，其是在支撐體上形成正型感光性樹脂組合物的固化膜的方法，其包括
在上述支撐體上涂敷上述正型感光性樹脂組合物的涂敷工序；
對上述正型感光性樹脂組合物有選擇地照射化學射線進行曝光的曝光工序；
用堿性顯影液對上述正型感光性樹脂組合物的曝光部進行顯影的顯影工序；
用清洗液清洗上述顯影液，并且將上述正型感光性樹脂組合物的曝光部除去的清洗工序；和
對上述正型感光性樹脂組合物進行加熱，形成固化膜的固化工序，
上述清洗工序包括在使上述支撐體以圓周速度O. 53m/s以下旋轉(zhuǎn)的同時，或者在使上述支撐體靜止的狀態(tài)下，供給清洗液的第一清洗工序；和
在使上述支撐體以比上述第一清洗工序快的圓周速度旋轉(zhuǎn)的同時供給清洗液的第二清洗工序。
根據(jù)該構成的發(fā)明，在第一清洗工序中，使支撐體以圓周速度O. 53m/s以下旋轉(zhuǎn)， 或者使支撐體的旋轉(zhuǎn)停止。由此，能夠抑制支撐體上的堿性顯影液飛散。因此，堿性顯影液中的感光性樹脂組合物難以析出。
另外，即使假設感光性樹脂組合物析出，因為旋轉(zhuǎn)速度慢或者支撐體的旋轉(zhuǎn)已停止，所以也會維持液體大量殘留在支撐體上的狀態(tài)，成為析出物在液體中懸浮的狀態(tài)，在第二清洗工序中能夠使其飛散。由此，能夠抑制析出物殘存，能夠得到期望的圖案的固化膜。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供形成正型感光性樹脂組合物的固化膜的方法，該正型感光性樹脂組合物的固化膜能夠形成期望的圖案。


上述的目的和其他的目的、特征和優(yōu)點，通過以下說明的優(yōu)選實施方式和其所附帶的以下附圖將進一步明確。
圖I是表示本發(fā)明的一個實施方式涉及的正型感光性樹脂組合物的固化膜形成工序的不意圖。
圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式涉及的正型感光性樹脂組合物的固化膜形成工序的不意圖。
具體實施方式
以下，對本發(fā)明的在支撐體上成形正型感光性樹脂組合物的固化膜的方法詳細地進行說明。參照圖I和圖2進行說明。
本實施方式的正型感光性樹脂組合物的固化膜形成方法，是在支撐體I上形成正型感光性樹脂組合物2的固化膜的方法，具有
在上述支撐體I上涂敷上述正型感光性樹脂組合物2的涂敷工序；
對上述正型感光性樹脂組合物2有選擇地照射化學射線進行曝光的曝光工序；
用堿性顯影液D對上述正型感光性樹脂組合物2的曝光部20進行顯影的顯影工序;
用清洗液清洗上述堿性顯影液D，并且將上述正型感光性樹脂組合物的曝光部20 除去的清洗工序；和
對上述正型感光性樹脂組合物進行加熱，形成固化膜的固化工序，
上述清洗工序包括在使上述支撐體I以圓周速度O. 53m/s以下旋轉(zhuǎn)的同時，或者在使上述支撐體靜止的狀態(tài)(圓周速度Om/s)下，供給上述清洗液的第一清洗工序；和
在使上述支撐體I以比上述第一清洗工序快的圓周速度旋轉(zhuǎn)的同時供給上述清洗液的第二清洗工序。
若更具體地進行說明，為在支撐體I上涂敷正型感光性樹脂組合物2形成涂敷膜的涂敷工序(以下，也記作涂敷工序。)；對上述涂敷膜有選擇地照射化學射線，將上述涂敷膜曝光的曝光工序(以下，也記作曝光工序。);將對上述涂敷膜供給堿性顯影液D、使上述堿性顯影液D在上述涂敷膜上擴展、靜置上述涂敷膜的工序進行I次或重復2次以上的顯影工序(以下，也記作顯影工序。);對上述顯影工序后的上述涂敷膜的中心部供給清洗液C，使上述涂敷膜旋轉(zhuǎn)，清洗上述涂敷膜的清洗工序(以下，也記作清洗工序。)；和在上述清洗工序后對涂敷膜進行加熱，形成固化膜的固化工序(以下，也記作固化工序。)。
以下，對本發(fā)明的在支撐體I上成形正型感光性樹脂組合物2的固化膜的方法詳細地進行說明。
涂敷工序，如圖I (A)所示，是將正型感光性樹脂組合物2涂敷在支撐體I (基板) 上制作涂敷膜的工序。在此，支撐體I例如是硅晶片、陶瓷基板、鋁基板等。就涂敷量而言， 在半導體元件上涂敷時，涂敷使得固化后的最終膜厚為O. I 30 μ m。通過使膜厚為上述范圍，能夠充分發(fā)揮作為半導體元件的保護表面膜的功能，能夠形成微細的加工圖案，加工時間也能夠縮短。
作為涂敷方法，可以列舉使用旋轉(zhuǎn)器的旋涂、使用噴涂器的噴涂、浸潰、印刷、輥涂坐寸ο
接著，如圖I (B)、(C)所示，進行曝光。曝光工序是對在涂敷工序中制作出的涂敷膜照射化學射線以形成期望的圖案形狀的工序。照射了上述化學射線的部分(曝光部20)， 因為構成涂敷膜的正型感光性樹脂組合物2中的感光性重氮醌化合物(B)(詳細情況將在后面敘述)會通過化學變化產(chǎn)生酸，所以在顯影工序(將在后面敘述)中被溶解除去。
作為化學射線，能夠使用紫外線、可見光線等，但優(yōu)選波長200 500nm的化學射線。
具體而言，制作以可得到期望的圖案形狀的方式將石英玻璃基板等的表面用例如鉻等遮蔽的被稱為光掩模、中間掩模(設為光掩模等3)的東西，通過上述光掩模等3向上述涂敷膜照射化學射線。作為曝光裝置的照射方法，能夠根據(jù)上述光掩模等3與涂敷了正型感光性樹脂組合物2的支撐體I的位置關系、或者上述光掩模等3上所描繪的圖案與期望的圖案的縮小比的關系，適當選擇接觸曝光、接近曝光、等倍投影曝光、縮小投影曝光、掃描曝光等。
顯影工序，如圖I (D)所示，出于如下目的進行利用堿性顯影液D將上述涂敷膜的在上述曝光工序中照射了化學射線的部分(曝光部20)溶解除去，得到由正型感光性樹脂組合物2構成的凸紋圖案。作為顯影方法，可以列舉水坑(puddle)方式等，但并不限定于此。
在上述水坑方式的顯影方法中，具有如下工序?qū)A性顯影液D以均勻地潤濕擴展的方式供給到已被曝光的涂敷膜上，然后，停止堿性顯影液的供給，形成在涂敷膜上盛滿堿性顯影液的狀態(tài)(涂敷膜由堿性顯影液D的膜覆蓋的狀態(tài))將涂敷膜的曝光部20溶解除去，將該工序稱為靜置工序。此時，未曝光部也與堿性顯影液D接觸，因此涂敷膜表層的一部分溶解(以下，也記作膜減少)。例如，在使用包含堿可溶性樹脂和感光性重氮醌化合物的正型感光性樹脂組合物的情況下，該顯影的機理能夠如以下那樣說明。
曝光部，因為通過曝光，正型感光性樹脂組合物2中的感光性重氮醌化合物通過化學變化產(chǎn)生酸，所以相對于堿性顯影液D的溶解性提高。
另一方面，未曝光部，在堿性顯影液D存在下，堿可溶性樹脂和感光性重氮醌化合物發(fā)生偶氮偶合反應，在涂敷膜表層形成難溶于堿性顯影液的層，相對于堿性顯影液D的溶解性降低。這樣，在曝光部和未曝光部，相對于堿性顯影液D的溶解性有差異，因此，能夠通過進行顯影來制作由正型感光性樹脂組合物2構成的凸紋圖案。
作為上述堿性顯影液，能夠優(yōu)選使用堿類的水溶液，以及在其中添加適量的甲醇、 乙醇等醇類等水溶性有機溶劑和/或表面活性劑而得到的水溶液，其中堿類為氫氧化鈉、 氫氧化鉀、碳酸鈉、硅酸鈉、偏硅酸鈉、氨水等無機堿類；乙胺、正丙胺等伯胺類；二乙胺、二正丙胺等仲胺類；三乙胺、甲基二乙胺等叔胺類；二甲基乙醇胺、三乙醇胺等醇胺類；和四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨等季銨鹽等。
在此，堿性顯影液在25°C的粘度為O. 8mPa · s以上3. OmPa · s以下。
上述堿性顯影液的顯影工序，即使進行I次顯影液的供給(進行I次靜置處理)也可以，但也可以出于縮短顯影時間的目的重復進行多次。在此，顯影時間是指在涂敷膜上靜置處理堿性顯影液的合計的時間。
在進行I次上述靜置處理時，構成涂敷膜的正型感光性樹脂組合物2的堿可溶性樹脂與堿性顯影液D中的堿作用，堿性顯影液D的堿濃度逐漸降低，因此顯影速度逐漸降低。
另一方面，在重復進行多次上述靜置處理時，能夠?qū)A性顯影液D的堿濃度保持在高的狀態(tài)，因此能夠縮短顯影時間。
在實施多次靜置處理時，在第I次靜置處理結(jié)束后，例如，通過使支撐體I旋轉(zhuǎn)，將支撐體I上的堿性顯影液D除去。然后，再次向涂敷膜上供給堿性顯影液D，在涂敷膜上形成新的堿性顯影液D的膜即可。
另一方面，雖然通過重復進行多次上述堿性顯影液D的靜置處理，能夠縮短顯影時間，但是有堿性顯影液D的堿濃度變得過高的情況，有涂敷膜開口部21的形狀和/或大小產(chǎn)生偏差的情況。
另外，當重復進行多次上述堿性顯影液D的靜置處理時，堿性顯影液D的消耗量增加，因此還會產(chǎn)生生產(chǎn)成本增高的問題。
上述堿性顯影液D的靜置處理的重復次數(shù)優(yōu)選為I 5次，特別優(yōu)選為I 4次。 通過設在上述范圍，能夠使涂敷膜開口部21的形狀和/或大小偏差少，還能夠降低生產(chǎn)成本。
清洗工序是為了將在顯影工序后附著于涂敷膜的顯影液除去而進行的。清洗工序，如圖2所示，是對顯影工序后的涂敷膜(例如，涂敷膜的中心部)供給清洗液C(例如，水)， 并使涂敷膜旋轉(zhuǎn)以清洗涂敷膜的工序。涂敷膜的中心部是指使其旋轉(zhuǎn)時的旋轉(zhuǎn)中心部。
清洗液C的供給位置，不僅可以設置在涂敷膜的中心部，也可以在涂敷膜中心部與外周部之間的任意位置設置多個。作為上述清洗液C，沒有特別限定，例如能夠使用蒸餾水。
在此，在以往的清洗工序中，需要使涂敷膜上的顯影液、顯影液與清洗液的混合液或者清洗液一邊旋轉(zhuǎn)一邊飛散，因此，在開始供給清洗液時，通常的情況是一邊使涂敷膜以圓周速度lm/s以上旋轉(zhuǎn)一邊供給清洗液，有在開口部21觀察到殘渣物的情況。例如，在日本專利4678772號中，有一邊使基板以IOOOrpm以上旋轉(zhuǎn)一邊進行清洗的記載。雖然沒有記載基板的直徑，但可以認為作為基板的硅晶片直徑最小為4英寸，最大為12英寸，因此，可以認為圓周速度在4英寸時為5. 2m/s以上，在12英寸時為15. 7m/s以上。
此外，圓周速度是指旋轉(zhuǎn)的物體(在此是涂敷膜)的最大半徑位置的速度，將轉(zhuǎn)速設為η,將最大半徑設為R時，圓周速度為2 nR。
在上述開口部21觀察到殘渣物的機理可以認為如下。
如上所述，例如，在使用包含堿可溶性樹脂和感光性重氮醌化合物的正型感光性樹脂組合物的情況下，未曝光部的涂敷膜，因為在堿性顯影液D存在下，堿可溶性樹脂和感光性重氮醌化合物發(fā)生偶氮偶合反應，所以在涂敷膜表層形成相對于堿性顯影液D難溶的層，而另一方面，未曝光部的涂敷膜通過堿性顯影液雖然緩慢但逐漸溶解。
當涂敷膜溶解于堿性顯影液D時，不是均勻地溶解在堿性顯影液D中，而是大部分滯留在涂敷膜界面及其周邊。當在該狀態(tài)下進行清洗工序時，通過使涂敷膜以圓周速度Im/ s以上旋轉(zhuǎn)，大部分的堿性顯影液D從涂敷膜上急劇地被排除。但是，可以認為涂敷膜界面及其周邊的堿性顯影液D難以被排除而殘留在涂敷膜上。
如上所述，可以認為在該堿性顯影液D中溶存有溶解的涂敷膜的大部分，當在該狀態(tài)下向涂敷膜上供給清洗液C時，堿性顯影液D的堿濃度會大幅降低，溶解于堿性顯影液 D的正型感光性樹脂組合物會析出，特別是在溶解量多的開口部21會觀察到殘渣物。
另外，即使在與涂敷膜的旋轉(zhuǎn)同時供給清洗液時，也可以認為由于離心力的關系， 位于涂敷膜的大致外周部的堿性顯影液D，在供給清洗液前被排除，因此，可以認為在該狀態(tài)下，如上所述，正型感光性樹脂組合物會析出，特別是在溶解量多的開口部21會觀察到殘渣物。此外，據(jù)推測殘渣物是未曝光部的涂敷膜溶解產(chǎn)生的。
本發(fā)明，基于上述的殘渣物產(chǎn)生的機理反復進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過清洗工序包括在使將正型感光性樹脂組合物2涂敷、曝光、顯影后的支撐體I以圓周速度O.53m/s以下旋轉(zhuǎn)的同時，或者在停止旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下供給上述清洗液C的第一清洗工序；和在以比上述第一清洗工序快的圓周速度使上述支撐體旋轉(zhuǎn)的同時供給上述清洗液C的第二清洗工序，能夠抑制殘渣物的產(chǎn)生。
在第一清洗工序中，通過使支撐體以圓周速度O. 53m/s以下旋轉(zhuǎn)，或者設為停止旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)，防止涂敷膜上的堿性顯影液從涂敷膜上急劇地被排除。
通過在以該圓周速度使支撐體旋轉(zhuǎn)的同時或者在停止旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下供給清洗液， 能夠使支撐體上的堿性顯影液D的堿濃度緩慢地降低，能夠抑制正型感光性樹脂組合物的析出而進行清洗。另外，即使假設清洗液的供給速度快，堿性顯影液D中的堿濃度急劇降低導致感光性樹脂組合物析出，由于旋轉(zhuǎn)速度慢或者已旋轉(zhuǎn)停止，所以也會維持液體大量殘留在支撐體I上的狀態(tài)，成為析出物在液體中懸浮的狀態(tài)，在后段的第二清洗工序能夠使其飛散。由此，能夠抑制析出物(殘渣物)殘存，能夠得到期望的圖案的固化膜。
另一方面，當圓周速度超過O. 53m/s時，在供給清洗液C之前，堿性顯影液D中，上部側(cè)(與支撐體I相反的一側(cè))的部分由于離心力而被除去。在該狀態(tài)下，即使供給清洗液 C，析出物也容易附著于涂敷膜的開口部21，會在開口部21殘存析出物。
第一清洗工序的支撐體I的旋轉(zhuǎn)速度(圓周速度)為O. 53m/s以下，通過設為O.53m/s以下，能夠抑制殘渣物在開口部21析出。更優(yōu)選為O. 42m/s以下O. 00lm/s以上。 另外，即使在Om/s，也觀察不到開口部的殘渣物，但是為了使開口部21高精度地開口，優(yōu)選使支撐體I旋轉(zhuǎn)，更優(yōu)選為O. 2lm/s以上。
只要在上述圓周速度的范圍，則不論是一定的圓周速度，還是變化的圓周速度都沒有問題。
另外，上述第一清洗工序的時間優(yōu)選為I秒以上15秒以下，其中，特別優(yōu)選為5秒以上10秒以下。通過設為I秒以上，能夠確保使支撐體上的堿性顯影液D的堿濃度緩慢下降的時間。另一方面，通過設為15秒以下，能夠防止在支撐體上產(chǎn)生堿性顯影液的濃度分布的狀態(tài)長時間持續(xù)，能夠維持位于涂敷膜面內(nèi)的開口部21的尺寸精度。
向涂敷膜上供給清洗液C時的流量優(yōu)選為O. 5 I. 5L/min,特別優(yōu)選為O. 7 I.3L/min。通過設為上述范圍的流量，能夠迅速除去附著于涂敷膜的顯影液，不會使堿性顯影液D的濃度大幅降低，因此能夠抑制殘渣物的產(chǎn)生。
另外，清洗工序的清洗液C的流量，不論是一定的流量還是變化的流量都沒有問題。
此外，在第一清洗工序中，雖然在支撐體I上存在大量清洗液C和堿性顯影液D，但在供給清洗液C的期間，只有很少的清洗液C和堿性顯影液D從支撐體I上被除去。
在第一清洗工序后實施第二清洗工序。第二清洗工序只要旋轉(zhuǎn)速度比第一清洗工序的旋轉(zhuǎn)速度(圓周速度)快即可，在第二清洗工序中，尤其優(yōu)選以圓周速度3 40m/s旋轉(zhuǎn)。通過設為3m/s以上，能夠?qū)⑼糠竽ず椭误wI上的堿性顯影液D可靠地從涂敷膜和支撐體上排除。另一方面，可以認為通過設為40m/s以下，具有降低在旋轉(zhuǎn)的支撐體周邊產(chǎn)生的湍流的效果。
在第二清洗工序中，將在第一清洗工序中已使堿濃度緩慢降低的顯影液排除。
第二清洗工序的支撐體I的圓周速度，不論是一定的圓周速度還是變化的圓周速度都沒有問題。
另外，此時的清洗液的流量與第一清洗工序同樣。
在從第一清洗工序向第二清洗工序轉(zhuǎn)移時，當在第一清洗工序中使支撐體I旋轉(zhuǎn)的情況下，不停止支撐體I的旋轉(zhuǎn)，使支撐體I的旋轉(zhuǎn)速度加快即可。
第二清洗工序，優(yōu)選在達到規(guī)定的圓周速度后供給清洗液，例如，實施5秒以上30 秒以下。通過這樣設定，能夠除去顯影液。
此外，通過第一清洗工序結(jié)束后、向第二清洗工序轉(zhuǎn)移的期間的支撐體I的旋轉(zhuǎn)， 支撐體I上的清洗液C和堿性顯影液D被緩慢除去。然而，因為實施了第一清洗工序，所以不會像以往那樣在涂敷膜界面殘留以高濃度含有涂敷膜的堿性顯影液D。
本發(fā)明涉及的固化工序，對經(jīng)過上述清洗工序的涂敷膜進行加熱，得到最終圖案。 加熱溫度例如優(yōu)選為160°C 380°C，更優(yōu)選為180°C 350°C。在進行加熱時，也可以向加熱裝置內(nèi)流動氮氣等不活潑氣體，以降低涂敷膜的氧化。
也能夠在將上述正型感光性樹脂組合物2涂敷在支撐體I上的過程中或在涂敷后，利用溶劑使附著于支撐體I的背面、側(cè)面或外周部附近的正型感光性樹脂組合物2溶解，抑制裝置的污染。
作為上述溶劑，可以列舉N-甲基-2-吡咯烷酮、Y-丁內(nèi)酯、N，N_ 二甲基乙酰胺、 二甲基亞砜、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丁醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、甲基-1，3- 丁二醇乙酸酯、 1，3-丁二醇-3-單甲醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯等，但并不限于這
另外，也可以在上述涂敷工序后，將上述涂敷膜預烘培使溶劑揮發(fā)，使涂膜干燥。
作為上述預烘培的方法，使用加熱板、烘箱等加熱裝置，作為加熱溫度，優(yōu)選為 60 140°C，更優(yōu)選為100 130°C。在進行加熱時，也可以向加熱裝置內(nèi)流通氮氣等不活潑氣體，以降低涂敷膜的氧化。
在此，對正型感光性樹脂組合物2詳細地進行說明。
此外，下述內(nèi)容為例示，正型感光性樹脂組合物2并不限定于下述內(nèi)容。
本發(fā)明涉及的正型感光性樹脂組合物2，作為例示能夠列舉包含堿可溶樹脂(A) 和感光性重氮醌化合物(B)的組合物。
作為上述堿可溶性樹脂(A)，例如可以列舉甲酚型酚醛樹脂；羥基苯乙烯樹脂; 甲基丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸酯樹脂等丙烯酸類樹脂；包含羥基、羧基等的環(huán)狀烯烴類樹脂；聚酰胺類樹脂等。
其中從耐熱性優(yōu)異、機械特性良好的觀點出發(fā)優(yōu)選聚酰胺類樹脂，具體而言，可以列舉以下樹脂中的至少任一種具有聚苯并噁唑結(jié)構和聚酰亞胺結(jié)構中的至少一個并且在主鏈或側(cè)鏈具有羥基、羧基、醚基或酯基的樹脂；具有聚苯并噁唑前體結(jié)構的樹脂；具有聚酰亞胺前體結(jié)構的樹脂；和具有聚酰胺酸酯結(jié)構的樹脂。
作為這樣的聚酰胺類樹脂，能夠列舉例如包含由下述式(I)表示的結(jié)構的聚酰胺類樹脂。另外，由下述式(I)表示的結(jié)構的重復單元優(yōu)選為2 1000。
權利要求
1.一種正型感光性樹脂組合物的固化膜形成方法，其是在支撐體上形成正型感光性樹脂組合物的固化膜的方法，其特征在于，包括 在所述支撐體上涂敷所述正型感光性樹脂組合物的涂敷工序； 對所述正型感光性樹脂組合物有選擇地照射化學射線進行曝光的曝光工序； 用堿性顯影液對所述正型感光性樹脂組合物的曝光部進行顯影的顯影工序； 用清洗液清洗所述顯影液，并且將所述正型感光性樹脂組合物的曝光部除去的清洗工序；和 對所述正型感光性樹脂組合物進行加熱，形成固化膜的固化工序， 所述清洗工序包括在使所述支撐體以圓周速度0. 53m/s以下旋轉(zhuǎn)的同時，或者在使所述支撐體靜止的狀態(tài)下，供給清洗液的第一清洗工序；和 在使所述支撐體以比所述第一清洗工序快的圓周速度旋轉(zhuǎn)的同時供給清洗液的第二清洗工序。
2.如權利要求I所述的正型感光性樹脂組合物的固化膜形成方法，其特征在于 第二清洗工序的所述支撐體的圓周速度為3 40m/s。
3.如權利要求I或2所述的正型感光性樹脂組合物的固化膜形成方法，其特征在于 實施I秒以上所述第一清洗工序。
4.如權利要求I 3中任一項所述的正型感光性樹脂組合物的固化膜形成方法，其特征在于 在所述顯影工序中，實施在所述正型感光性樹脂組合物上形成所述堿性顯影液的膜的水坑式顯影。
5.如權利要求I 4中任一項所述的正型感光性樹脂組合物的固化膜形成方法，其特征在于 所述正型感光性樹脂組合物包含樹脂(A)和感光性重氮醌化合物(B)，其中所述樹脂(A)為以下樹脂中的至少任一種具有聚苯并噁唑結(jié)構和聚酰亞胺結(jié)構中的至少一個并且在主鏈或側(cè)鏈具有羥基、羧基、醚基或酯基的樹脂；具有聚苯并噁唑前體結(jié)構的樹脂；具有聚酰亞胺前體結(jié)構的樹脂；和具有聚酰胺酸酯結(jié)構的樹脂。
6.如權利要求I 5中任一項所述的正型感光性樹脂組合物的固化膜形成方法，其特征在于 所述堿性顯影液在25°C的粘度為0. 8mPa s以上3. OmPa s以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種正型感光性樹脂組合物的固化膜形成方法，其是在支撐體上形成正型感光性樹脂組合物的固化膜的方法，包括在上述支撐體上涂敷上述正型感光性樹脂組合物的涂敷工序；對上述正型感光性樹脂組合物有選擇地照射化學射線進行曝光的曝光工序；用堿性顯影液對上述正型感光性樹脂組合物的曝光部進行顯影的顯影工序；用清洗液清洗上述顯影液，并且將上述正型感光性樹脂組合物的曝光部除去的清洗工序；和對上述正型感光性樹脂組合物進行加熱，形成固化膜的固化工序，上述清洗工序包括在使上述支撐體以圓周速度0.53m/s以下旋轉(zhuǎn)的同時供給上述清洗液的第一清洗工序；和在使上述支撐體以比上述第一清洗工序快的圓周速度旋轉(zhuǎn)的同時供給上述清洗液的第二清洗工序。
文檔編號H01L21/027GK102985880SQ20118003409
公開日2013年3月20日 申請日期2011年7月5日 優(yōu)先權日2010年7月9日
發(fā)明者堀井誠, 田中裕馬 申請人:住友電木株式會社