硅氧化膜的形成方法及其形成裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種硅氧化膜的形成方法及其形成裝置。該硅氧化膜的形成方法具備：成膜工序，向收納有多個(gè)被處理體的反應(yīng)室內(nèi)供給含氯原子的硅源，并在所述多個(gè)被處理體上形成硅氧化膜，其中，在所述成膜工序中，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給氫氣氣體并使該反應(yīng)室內(nèi)處于氫氣氣氛下。
【專利說明】硅氧化膜的形成方法及其形成裝置
[0001]相關(guān)申請的交叉參考
[0002]本申請基于并要求于2012年7月4日提交的日本專利申請第2012-150758號(hào)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，并將該日本申請的全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及硅氧化膜的形成方法及其形成裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，通過CVD(Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積)等處理，對被處理體例如半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行形成硅氧化膜等薄膜的薄膜形成處理。對于這樣的薄膜形成處理，認(rèn)為通過在高溫下成膜，使膜中的雜質(zhì)濃度減低，膜質(zhì)良好，例如，在現(xiàn)有技術(shù)中記載有利用CVD法在80011C附近的高溫下形成娃氧化膜(ΗΤ0 (High TemperatureOxide，高溫氧化膜)膜)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]發(fā)明要解決的問題
[0006]對于通過CVD法形成的硅氧化膜，為了使耐DHF (稀氟酸)性大幅提高，可以在硅氧化膜中摻雜例如C2H4、NH3等雜質(zhì)。
[0007]但是，如果在硅氧化膜中摻雜C2H4、NH3等雜質(zhì)，則恐怕會(huì)損害對其它化學(xué)品的耐性例如對H3PO4的蝕刻耐性，或者對裝置性能帶來不良影響。
[0008]本發(fā)明提供一種使耐蝕刻性提高且不對裝置性能帶來不良影響的硅氧化膜的形成方法及其形成裝置。
[0009] 用于解決問題的方案
[0010]本發(fā)明的第一方面涉及的硅氧化膜的形成方法具備:成膜工序，向收納有多個(gè)被處理體的反應(yīng)室內(nèi)供給含氯原子的硅源，并在前述多個(gè)被處理體上形成硅氧化膜，其中，在前述成膜工序中，向前述反應(yīng)室內(nèi)供給氫氣氣體并使該反應(yīng)室內(nèi)處于氫氣氣氛下。
[0011]本發(fā)明的第二方面涉及的硅氧化膜的形成裝置具備:成膜用氣體供給單元，向收納有多個(gè)被處理體的反應(yīng)室內(nèi)供給具有含氯原子的硅源的成膜用氣體；氫氣供給單元，向前述反應(yīng)室內(nèi)供給氫氣氣體；以及控制單元，控制前述成膜用氣體供給單元以及前述氫氣供給單元，其中，前述控制單元控制前述氫氣供給單元，使其向前述反應(yīng)室內(nèi)供給氫氣氣體，使該反應(yīng)室內(nèi)處于氫氣氣氛下，并且控制前述成膜用氣體供給單元，向前述反應(yīng)室內(nèi)供給成膜用氣體，從 而在前述多個(gè)被處理體上形成硅氧化膜。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]包括在本說明書中并構(gòu)成本說明書一部分的【專利附圖】

【附圖說明】了本發(fā)明的實(shí)施方案，并與以上所給出的一般性描述以及以下所給出的實(shí)施方案的詳細(xì)描述一起，用于解釋本發(fā)明的原理。
[0013]圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的熱處理裝置的圖。
[0014]圖2是示出圖1的控制部的結(jié)構(gòu)的圖。
[0015]圖3是示出用于說明本實(shí)施方式的硅氧化膜的形成方法的制程的圖。
[0016]圖4是示出相對于DHF的濕式蝕刻速率的圖表。
[0017]圖5是示出硅氧化膜中含有的氫濃度以及氯濃度的圖表。
【具體實(shí)施方式】
[0018]現(xiàn)將詳細(xì)參考各實(shí)施方案，且附圖中說明了其實(shí)例。在以下詳細(xì)描述中，闡述了許多具體細(xì)節(jié)，以便提供對本發(fā)明的深入理解。然而，本發(fā)明可在沒有這些具體細(xì)節(jié)下實(shí)施，這對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是顯而易見的。在其他情況下，未詳細(xì)描述公知的方法、步驟、體系和組分，以免不必要地使各實(shí)施方案的方面難以理解。
[0019]以下，對本發(fā)明的硅氧化膜的形成方法及其形成裝置進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，以使用圖1所示的批量式立式熱處理裝置作為硅氧化膜的形成裝置的情況為例進(jìn)行說明。
[0020]如圖1所示，熱處理裝置I具備長度方向朝向垂直方向的大致圓筒狀的反應(yīng)管2(反應(yīng)室的一例)。反應(yīng)管2具有由內(nèi)管3和以覆蓋內(nèi)管3且與內(nèi)管3存在一定間隔的方式形成的有頂部的外管4構(gòu) 成的雙重管結(jié)構(gòu)。內(nèi)管3及外管4由耐熱及耐腐蝕性優(yōu)異的材料例如石英形成。
[0021]外管4的下方配置有形成為筒狀的由不銹鋼(SUS)形成的歧管5。歧管5與外管4的下端氣密地連接。而且，內(nèi)管3被從歧管5的內(nèi)壁突出且與歧管5 —體地形成的支撐環(huán)6支撐。
[0022]歧管5的下方配置有蓋體7，蓋體7構(gòu)成為能夠通過晶舟升降機(jī)8上下移動(dòng)。而且，當(dāng)晶舟升降機(jī)8使蓋體7上升，則歧管5的下方側(cè)(爐口部分)關(guān)閉，當(dāng)晶舟升降機(jī)8使蓋體7下降，則歧管5的下方側(cè)(爐口部分)開口。
[0023]蓋體7上放置有例如由石英形成的晶圓舟9。晶圓舟9被構(gòu)成為能夠在垂直方向上以規(guī)定間隔收納多個(gè)被處理體例如半導(dǎo)體晶圓IO。
[0024]在反應(yīng)管2的周圍，以環(huán)繞反應(yīng)管2的方式設(shè)有絕熱體11。絕熱體11的內(nèi)壁面設(shè)有例如包含電阻發(fā)熱元件的升溫用加熱器12。通過該升溫用加熱器12將反應(yīng)管2的內(nèi)部加熱到規(guī)定的溫度，其結(jié)果，半導(dǎo)體晶圓10被加熱到規(guī)定的溫度。
[0025]歧管5的側(cè)壁上貫通(連接)有多個(gè)處理氣體導(dǎo)入管13。需要說明的是，在圖1中只畫出一個(gè)處理氣體導(dǎo)入管13。處理氣體導(dǎo)入管13被配置為面對內(nèi)管3的內(nèi)側(cè)。例如，如圖1所示，處理氣體導(dǎo)入管13貫通支撐環(huán)6下方(內(nèi)管3的下方)的歧管5的側(cè)壁。
[0026]處理氣體導(dǎo)入管13經(jīng)由未圖示的質(zhì)量流量控制器等與未圖示的處理氣體供給源連接。因此，所需量的處理氣體從處理氣體供給源經(jīng)由處理氣體導(dǎo)入管13被供給到反應(yīng)管2內(nèi)。作為由處理氣體導(dǎo)入管13供給的處理氣體，例如，可以列舉用于形成硅氧化膜的成膜用氣體、使成膜時(shí)的反應(yīng)管2內(nèi)處于氫氣(H2)氣氛的氫氣氣體等。成膜用氣體含有含氯原子的硅源和氧化劑。作為含氯原子的硅源，可以列舉:四氯硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷(DCS)、一氯硅烷、六氯二硅烷(HCD)等。作為氧化劑，可以列舉:氧化二氮(N20)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(N02)、臭氧(O3)等。[0027]歧管5的側(cè)壁上設(shè)有用于排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體的排氣口 14。排氣口 14被設(shè)置在支撐環(huán)6的上方，并與反應(yīng)管2內(nèi)的內(nèi)管3和外管4之間所形成的空間連通。而且，內(nèi)管3產(chǎn)生的廢氣等通過內(nèi)管3與外管4之間的空間被排到排氣口 14。
[0028]歧管5的側(cè)壁的排氣口 14的下方貫通有吹掃氣體供給管15。吹掃氣體供給管15連接有未圖示的吹掃氣體供給源，所需量的吹掃氣體例如氮?dú)鈴拇祾邭怏w供給源經(jīng)由吹掃氣體供給管15被供給到反應(yīng)管2內(nèi)。
[0029]排氣管16被氣密地連接到排氣口 14。在排氣管16中，從其上游側(cè)起設(shè)有閥17和真空泵18。閥17調(diào)整排氣管16的開口度，將反應(yīng)管2內(nèi)的壓力控制成規(guī)定的壓力。真空泵18經(jīng)由排氣管16排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，并調(diào)整反應(yīng)管2內(nèi)的壓力。
[0030]另外，在排氣管16中設(shè)有未圖示的存水彎、洗滌器等，并被構(gòu)成為在將從反應(yīng)管2排出的廢氣無害化后將其排出到熱處理裝置I外。
[0031]而且，熱處理裝置I具備用于控制裝置各部的控制部100。圖2示出控制部100的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，控制部100連接有操作面板121、溫度傳感器(組)122、壓力計(jì)(組)123、加熱器控制器124、MFC控制部125、閥控制部126等。
[0032]操作面板121具備顯示畫面和操作按鈕，并將操作者的操作指示傳遞到控制部100，并在顯示畫面上顯示來自控制部100的各種信息。
[0033]溫度傳感器(組)122測定反應(yīng)管2、處理氣體導(dǎo)入管13、排氣管16等各部內(nèi)的溫度，并將其測定值通知控制部100。
[0034]壓力計(jì)(組)123測定反應(yīng)管2、處理氣體導(dǎo)入管13、排氣管16等各部內(nèi)的壓力，并將其測定值通知控制部100。
[0035]加熱器控制器124用于獨(dú)立地控制升溫用加熱器12，并響應(yīng)于來自控制部100的指示，使其通電對它們進(jìn)行加熱，而且，獨(dú)立地測定它們的電力消耗，并通知控制部100。
[0036]MFC控制部125控制設(shè)于處理氣體導(dǎo)入管13及吹掃氣體供給管15的未圖示的質(zhì)量流量控制器(MFC)，將要流向它們的氣體流量設(shè)為控制部100指示的流量，并且測定實(shí)際流過的氣體流量，通知控制部100。
[0037]閥控制部126將配置于各管的閥的開口度控制為控制部100指示的值。
[0038]控制部100由制程存儲(chǔ)部111、ROM (Read Only Memory，只讀存儲(chǔ)器)112、RAM(Random Access Memory,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)113、I/O 端口 114、CPU (Central ProcessingUnit,中央處理器)115以及使它們彼此連接的總線116構(gòu)成。
[0039]制程存儲(chǔ)部111存儲(chǔ)有安裝用制程和多個(gè)工藝用制程。在熱處理裝置I的制造最初只存儲(chǔ)有安裝用制程。安裝用制程在生成與各熱處理裝置對應(yīng)的熱模型等時(shí)被執(zhí)行。工藝用制程是對用戶實(shí)際進(jìn)行的每個(gè)熱處理(工藝)準(zhǔn)備的制程，例如，規(guī)定從向反應(yīng)管2裝載半導(dǎo)體晶圓10至卸載處理完畢的半導(dǎo)體晶圓10為止的、各部的溫度變化、反應(yīng)管2內(nèi)的壓力變化、處理氣體的供給開始及停止的時(shí)間點(diǎn)和供給量等。
[0040]ROMl12 由 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器)、閃速存儲(chǔ)器、硬盤等構(gòu)成，是存儲(chǔ)CPU115的動(dòng)作程序等的存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0041]RAMl 13作為CPUl 15的工作區(qū)等發(fā)揮作用。
[0042]1/0端口 114被連接到操作面板121、溫度傳感器(組)122、壓力計(jì)(組)123、加熱器控制器124、MFC控制部125、閥控制部126等，控制數(shù)據(jù)、信號(hào)的輸入輸出。
[0043]CPUl 15構(gòu)成控制部100的中樞，執(zhí)行存儲(chǔ)在ROMl 12中的控制程序，并根據(jù)來自操作面板121的指示，按照存儲(chǔ)在制程存儲(chǔ)部111中的制程(工藝用制程)控制熱處理裝置I的動(dòng)作。也就是說，CPUl 15使溫度傳感器(組)122、壓力計(jì)(組)123、MFC控制部125等測定反應(yīng)管2、處理氣體導(dǎo)入管13以及排氣管16的各部內(nèi)的溫度、壓力、流量等，并根據(jù)該測定數(shù)據(jù)向加熱器控制器124、MFC控制部125、閥控制部126等輸出控制信號(hào)等，上述各部按照工藝用制程進(jìn)行控制。
[0044]總線116在各部之間傳遞信息。
[0045]接下來，對使用了由上述方式構(gòu)成的熱處理裝置I的硅氧化膜的形成方法進(jìn)行說明。需要說明的是，在以下的說明中，構(gòu)成熱處理裝置I的各部的動(dòng)作由控制部100(CPU115)進(jìn)行控制。而且，如前所述，通過控制部100 (CPU115)控制加熱器控制器124 (升溫用加熱器12)、MFC控制部125、閥控制部126等，從而將各處理中的反應(yīng)管2內(nèi)的溫度、壓力、氣體流量等設(shè)定成例如符合圖3所示的制程的條件。[0046]首先，如圖3的(a)所示，將反應(yīng)管2 (內(nèi)管3)內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度。而且，如圖3的(C)所示，從吹掃氣體供給管15向內(nèi)管3 (反應(yīng)管2)內(nèi)供給規(guī)定量的氮?dú)?。接著，將收納有半導(dǎo)體晶圓10的晶圓舟9安裝在蓋體7上。然后，通過晶舟升降機(jī)8使蓋體7上升，將半導(dǎo)體晶圓10 (晶圓舟9)裝載在反應(yīng)管2內(nèi)(裝載工序)。
[0047]然后，如圖3的(C)所示，從吹掃氣體供給管15向內(nèi)管3內(nèi)供給規(guī)定量的氮?dú)?，并且，將反?yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定溫度例如圖3的(a)所示的780°C。而且，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，將反應(yīng)管2減壓到規(guī)定的壓力例如圖3的(b)所示的250Pa (1.88Torr)。然后，使反應(yīng)管2內(nèi)穩(wěn)定在上述規(guī)定的溫度和壓力下(穩(wěn)定化工序)。
[0048]成膜工序中反應(yīng)管2內(nèi)的溫度優(yōu)選600°C~1000°C，更加優(yōu)選700°C~900°C。而且，在成膜工序中，反應(yīng)管2內(nèi)的壓力優(yōu)選1.33Pa~1330Pa(0.01Torr~lOTorr)，更加優(yōu)選13.3Pa~665Pa (0.1Torr~5Torr)。這是因?yàn)?，通過將反應(yīng)管2內(nèi)的溫度及壓力設(shè)定在這樣的范圍內(nèi)，能夠更均勻地形成硅氧化膜。
[0049]當(dāng)反應(yīng)管2內(nèi)穩(wěn)定在規(guī)定的壓力及溫度下，則停止從吹掃氣體供給管15供給氮?dú)狻Ｈ缓?，從處理氣體導(dǎo)入管13向反應(yīng)管2內(nèi)供給規(guī)定量的成膜用氣體例如圖3的(d)所示的0.175slm的作為硅源的DCS，并且，如圖3的(e)所示，供給0.175slm的作為氧化劑的N2O0而且，如圖3的(f)所示，供給0.35slm的氫氣(H2)氣體(成膜工序)。由此，在半導(dǎo)體晶圓10的表面形成硅氧化膜(ΗΤ0膜)。
[0050]其中，在成膜工序中，供給氫氣氣體，使反應(yīng)管2內(nèi)處于氫氣氣氛下(H2氣氛下)，因此，形成于半導(dǎo)體晶圓10的表面的硅氧化膜中不易含有氫原子、氯原子。因此，硅氧化膜的耐蝕刻性提高，并且不會(huì)對裝置性能帶來不良影響。
[0051]氫氣氣體的供給量優(yōu)選是DCS (硅源)的供給量的0.5倍~10倍，更加優(yōu)選0.8倍~5倍。這是因?yàn)?，通過將氫氣氣體的供給量設(shè)定在這樣的范圍，在形成的硅氧化膜中不易含有氫原子、氯原子，硅氧化膜的耐蝕刻性進(jìn)一步提高，并且不會(huì)對裝置性能帶來不良影響。氫氣氣體的供給量最優(yōu)選是DCS的供給量的I倍~2.5倍。這是因?yàn)椋绻麣錃鈿怏w的供給量增加，則硅氧化膜中的氯原子的量可能降低，但可能引起HTO膜的成膜速率降低。
[0052]當(dāng)在半導(dǎo)體晶圓10上形成規(guī)定量的硅氧化膜，則停止從處理氣體導(dǎo)入管13供給成膜用氣體以及氫氣氣體。然后，如圖3的(C)所示，從吹掃氣體供給管15向內(nèi)管3內(nèi)供給規(guī)定量的氮?dú)?，并如圖3的(a)所示，將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為規(guī)定的溫度。而且，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，使反應(yīng)管2內(nèi)的壓力回到常壓(吹掃工序)。需要說明的是，為了確實(shí)地排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，優(yōu)選反復(fù)進(jìn)行幾次反應(yīng)管2內(nèi)的氣體的排出以及氮?dú)獾墓┙o。然后，通過晶舟升降機(jī)8使蓋體7下降，從而從反應(yīng)管2內(nèi)卸載半導(dǎo)體晶圓10 (晶圓舟9)(卸載工序)。由此，完成了硅氧化膜的形成。
[0053]接下來，為了確認(rèn)本發(fā)明的硅氧化膜的形成方法的效果，在按照圖3所示的制程在半導(dǎo)體晶圓10上形成硅氧化膜(ΗΤ0膜)后，測定了以50%DHF (稀氟酸):DIW (純水)=I: 200的比例混合的DHF中的HTO膜的濕式蝕刻速率(實(shí)施例1 )。而且，在成膜工序中的氫氣(H2)氣體的供給量為0.175slm的情況下，同樣地測定了 DHF中的HTO膜的濕式蝕刻速率(實(shí)施例2)。另外，為了比較，對于在成膜工序中未供給氫氣(H2)氣體的情況也同樣地測定了 DHF中的HTO膜的濕式蝕刻速率(比較例)。結(jié)果示于圖4。
[0054]如圖4所示，能夠確認(rèn)，通過在成膜工序中供給氫氣氣體，DHF中的HTO膜的濕式蝕刻速率降低10%以上，對DHF的耐性提高。
[0055]而且，針對實(shí)施例1、比較例，測定了硅氧化膜中含有的氫濃度(氫原子數(shù))以及氯濃度(氯原子數(shù))。結(jié)果示于圖5。如圖5所示，能夠確認(rèn)，與比較例相比，實(shí)施例1中氫濃度以及氯濃度都減少。因此，能夠確認(rèn)，通過在成膜工序中供給氫氣氣體，所形成的硅氧化膜中的氫濃度以及氯濃度減少。
[0056]因此，能夠確認(rèn)，通過在成膜工序中供給氫氣氣體，耐蝕刻性提高，而且，不會(huì)對裝置性能帶來不良影響。
[0057]綜上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，由于在形成硅氧化膜的成膜工序中供給氫氣氣體，所以耐蝕刻性提高，而且不會(huì)對裝置性能帶來不良影響。
[0058]需要說明的是，本`發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，可以是各種變形、應(yīng)用。以下，針對可應(yīng)用本發(fā)明的其它實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0059]在上述實(shí)施方式中，以使用DCS作為成膜用氣體的情況為例對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但只要是含氯原子的硅源，也可以是四氯硅烷、三氯硅烷、六氯二硅烷(HCD)。而且，作為氧化劑，也可以使用一氧化氮(NO )、二氧化氮(NO2)、臭氧(O3)。
[0060]在上述實(shí)施方式中，以使用雙重管結(jié)構(gòu)的批量式立式熱處理裝置作為熱處理裝置的情況為例對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明也可以應(yīng)用于例如單管結(jié)構(gòu)的批量式熱處理裝置。
[0061]本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的控制部100不基于專用系統(tǒng)，使用通常的電腦系統(tǒng)也能夠?qū)崿F(xiàn)。例如，能夠通過將該程序從存儲(chǔ)有用于執(zhí)行上述處理的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)(軟盤、⑶-ROM等)安裝到通用電腦中，從而構(gòu)成執(zhí)行上述處理的控制部100。
[0062]而且，用于供給這些程序的單元是任意的。除了能夠如上所述地經(jīng)由規(guī)定的存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行供給之外，也可以例如經(jīng)由通信線路、通信網(wǎng)絡(luò)、通信系統(tǒng)等進(jìn)行供給。此時(shí)，例如，可以將該程序公告在通信網(wǎng)絡(luò)的公告牌(BBS)上，經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)疊加載波，以提供該程序。然后，啟動(dòng)以上述方式提供的程序，并在操作系統(tǒng)(OS)的控制下與其它應(yīng)用程序同樣地執(zhí)行，從而能夠執(zhí)行上述處理。
[0063]根據(jù)本發(fā)明能夠提供一種使耐蝕刻性提高并且不會(huì)對裝置性能帶來不良影響的硅氧化膜的形成方法及其形成裝置。
[0064]在描述某些實(shí)施方案時(shí)，僅借助實(shí)施例來提出這些實(shí)施方案，并不意欲限制本發(fā)明的范圍。的確，本文所述的新方法和設(shè)備可以以各種其他形式具體化。此外，可在不偏離本發(fā)明的精神下對本文所述實(shí)施方案的形式進(jìn)行各種省略、替代和更改。所附權(quán)利要求及其同等表達(dá)意欲覆蓋此類形式或修改，同樣將其落入本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種娃氧化膜的形成方法，其具備: 成膜工序，向收納有多個(gè)被處理體的反應(yīng)室內(nèi)供給含氯原子的硅源，并在所述多個(gè)被處理體上形成硅氧化膜， 在所述成膜工序中，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給氫氣氣體并使該反應(yīng)室內(nèi)處于氫氣氣氛下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中，所述含氯原子的硅源含有四氯硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、一氯硅烷以及六氯二硅烷中的任意種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中，所述成膜工序中的反應(yīng)室內(nèi)的溫度維持在600°C~1000°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中，供給到所述反應(yīng)室內(nèi)的氫氣氣體的供給量是所述含氯原子的硅源的供給量的0.5倍~5倍。
5.一種硅氧化膜的形成裝置，其具備: 成膜用氣體供給單元，向收納有多個(gè)被處理體的反應(yīng)室內(nèi)供給具有含氯原子的硅源的成膜用氣體； 氫氣供給單元，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給氫氣氣體；以及 控制單元，控制所述成膜用氣體供給單元以及所述氫氣供給單元， 所述控制單元控制所述氫氣供給單元，使其向所述反應(yīng)室內(nèi)供給氫氣氣體，使該反應(yīng)室內(nèi)處于氫氣氣氛下，并且控制所述成膜用氣體供給單元，向所述反應(yīng)室內(nèi)供給成膜用氣體，從而在所述多個(gè)被處理體上形成硅氧化膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅氧化膜的形成裝置，其中，所述含氯原子的硅源含有四氯硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、一氯硅烷以及六氯二硅烷中的任意種。
【文檔編號(hào)】H01L21/316GK103526178SQ201310279436
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月4日
【發(fā)明者】大部智行, 黑川昌毅 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社