專利名稱：有源元件、像素結(jié)構(gòu)、驅(qū)動電路以及顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有源元件以及具有該有源元件的像素結(jié)構(gòu)、驅(qū)動電路以及顯示面板。
背景技術(shù)：
一般而言，液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)包括有源元件與像素電極。有源元件用來作為液晶顯示單元的開關(guān)元件。而為了控制個別的像素結(jié)構(gòu)，通常會經(jīng)由對應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)線來選取特定的像素，并通過提供適當(dāng)?shù)牟僮麟妷海燥@示對應(yīng)該像素的顯示數(shù)據(jù)。另外， 像素結(jié)構(gòu)中還包括儲存電容器(storage capacitor)，使得像素結(jié)構(gòu)具有電壓保持的功能。 也就是，儲存電容器能夠儲存上述所施加的操作電壓，以維持像素結(jié)構(gòu)顯示畫面的穩(wěn)定性。為了在像素結(jié)構(gòu)中設(shè)置儲存電容器，一般會需要在像素結(jié)構(gòu)中形成電容電極。然而，若是為了增加儲存電容器的電容值而增加電容電極的面積，將會降低像素結(jié)構(gòu)的開口率。目前已經(jīng)有一種像素結(jié)構(gòu)是將電容電極設(shè)計在數(shù)據(jù)線的下方，以增加像素結(jié)構(gòu)的開口率。然而，因電容電極與數(shù)據(jù)線重疊會增加像素結(jié)構(gòu)的負(fù)載(loading)，因此，此種像素結(jié)構(gòu)會增加顯示面板驅(qū)動所需的電源而較為耗電。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有源元件以及具有該有源元件的像素結(jié)構(gòu)、驅(qū)動電路以及顯示面板，其電容電極的設(shè)計可以使像素結(jié)構(gòu)具有高開口率，且不會增加像素結(jié)構(gòu)的負(fù)載。本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，包括掃描線、數(shù)據(jù)線、第一有源元件、第一絕緣層、像素電極、電容電極及第二絕緣層。第一有源元件包括第一柵極、第一溝道、第一源極以及第一漏極，其中掃描線與柵極電性連接，源極與數(shù)據(jù)線電性連接。第一絕緣層位于第一柵極與第一溝道之間。像素電極與第一漏極電性連接。電容電極位于第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋第一絕緣層以及電容電極，且第二絕緣層位于電容電極與第一漏極之間。本發(fā)明提出一種顯示面板，其具有顯示區(qū)以及非顯示區(qū)，顯示區(qū)以及非顯示區(qū)并不彼此重疊，所述顯示面板包括多個如上所述的像素結(jié)構(gòu)以及至少一驅(qū)動電路。像素結(jié)構(gòu)位于顯示區(qū)中。驅(qū)動電路位于非顯示區(qū)中，其中驅(qū)動電路包括至少一第二有源元件，其包括第二柵極、第二溝道、第二源極以及第二漏極。第二柵極位于第一絕緣層上，且第二絕緣層覆蓋第二柵極。第二溝道位于第二柵極上方的第一絕緣層上。第二源極以及第二漏極位于第二溝道上。本發(fā)明提出一種驅(qū)動電路，包括第一柵極；第一絕緣層，覆蓋第一柵極；第二柵極，位于第二絕緣層上；第二絕緣層，覆蓋第一絕緣層以及第二柵極；第一溝道，設(shè)置在第一柵極上方的第二絕緣層上；第二溝道，設(shè)置在第二柵極上方的第二絕緣層上；第一源極以及第二漏極，位于第一溝道上；以及第二源極以及第二漏極，位于第二溝道上。本發(fā)明提出一種有源元件，其包括柵極、溝道、第一絕緣層、源極、漏極、電容電極以及第二絕緣層。第一絕緣層位于柵極以及溝道之間。源極以及漏極位于溝道上方。電容電極位于第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋第一絕緣層以及電容電極，且位于電容電極與漏極之間?；谏鲜?，由于本發(fā)明的電容電極位于第一絕緣層上，且第二絕緣層位于電容電極與漏極之間，因而電容電極與漏極形成電容。由于電容電極與漏極之間可以使用較薄的絕緣層，因此設(shè)置電容電極可減少占用像素結(jié)構(gòu)的透光區(qū)的面積，因而能使像素結(jié)構(gòu)具有高開口率。另外，因本發(fā)明的電容電極的電容耦合部沒有與數(shù)據(jù)線重疊設(shè)置，因此此種電容電極的設(shè)計不會增加像素結(jié)構(gòu)的負(fù)載。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖IA是根據(jù)本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖IB是圖IA沿著剖面線A-A，的剖面示意圖。圖2A是根據(jù)本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2B是圖2A沿著剖面線A-A，的剖面示意圖。圖3A是根據(jù)本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖:3B是圖3A沿著剖面線A-A，的剖面示意圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示面板的剖面示意圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖8是圖7的顯示面板中的像素結(jié)構(gòu)與驅(qū)動電路的剖面示意圖。圖9是根據(jù)另一實施例的顯示面板中的像素結(jié)構(gòu)與驅(qū)動電路的剖面示意圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例的驅(qū)動電路的示意圖。圖11是圖10的驅(qū)動電路中的部分有源元件以及電容器的剖面示意圖。圖12是根據(jù)另一實施例的驅(qū)動電路中的部分有源元件以及電容器的剖面示意圖。附圖標(biāo)記說明100、200 基板106、170、212 鈍化層IlObUlOb'電容耦合部160a:下層電極202:多晶硅層202s 源極區(qū)204 第一絕緣層208:輔助介電層400 顯示面板404 非顯示區(qū)
102、104 絕緣層 IlOaUlOa'連接部 150,160 墊層 160b 上層墊層 202c 溝道區(qū) 202d 漏極區(qū) 206 柵極 210 第二絕緣層 402 顯示區(qū) SL, SL'掃描線
DL, DL'；數(shù)據(jù)線U、U，像素區(qū)域G、G，、G1、G2 柵極CH、CH，、CHI、CH2 溝道0M、OMl、0M2 歐姆接觸層S、S，、SM、S1、S2 源極D、D，、DM、D1、D2 漏極PE、PE，、214 像素電極V、V’、Vl V3 接觸窗開口DR:驅(qū)動電路C1、C2:電容器Et:上電極E2:第二電極Gn、Gn-I、Gn+1 掃描線CK:時間信號線Ml M7 有源元件
CL, CL'電容電極 A 配向圖案
T、T，、T1、T2 有源元件 Eb 下電極 El 第一電極 Ε3 第三電極 Vss 數(shù)據(jù)線 H、L、XCK 信號線
具體實施例方式第一實施例圖IA是根據(jù)本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖IB是圖IA沿著剖面線 A-A’的剖面示意圖。請同時參照圖IA以及圖1B，本實施例的像素結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在基板100 上的掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL、有源元件T、第一絕緣層102、像素電極PE、電容電極CL以及第二絕緣層104。基板100上具有像素區(qū)域U，且一個像素區(qū)域U內(nèi)設(shè)置一個像素結(jié)構(gòu)。基板100的材料可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如導(dǎo)電材料、晶片、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL是設(shè)置在基板100上。掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL彼此交越(cross over)設(shè)置。換言之，數(shù)據(jù)線DL的延伸方向與掃描線SL的延伸方向不平行，優(yōu)選的是，數(shù)據(jù)線DL的延伸方向與掃描線SL的延伸方向垂直。另外，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL屬于不同的膜層，且數(shù)據(jù)線DL與掃描線SL之間夾有第一絕緣層102以及第二絕緣層104。基于導(dǎo)電性的考慮，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL—般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實施例，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL也可以使用其他導(dǎo)電材料。例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆疊層。有源元件T包括柵極G、溝道CH、源極S以及漏極D。柵極G與掃描線SL電性連接，源極S與數(shù)據(jù)線DL電性連接。根據(jù)本實施例，柵極G是設(shè)置在基板100上，且柵極G是與掃描線SL屬于同一膜層，且柵極G的材料與掃描線SL的材料相同或相似。溝道CH位于柵極G上方的第二絕緣層104上。溝道CH的材料例如是非晶硅、多晶硅、金屬氧化物半導(dǎo)體或是其他半導(dǎo)體材料。源極S以及漏極D設(shè)置在溝道CH的兩側(cè)。在本實施例中，源極S以及漏極D是與數(shù)據(jù)線DL屬于同一膜層，換句話說，是以同一膜層圖案化而形成，且源極S 以及漏極D的材料與數(shù)據(jù)線DL的材料相同或相似。在實施例中，倘若溝道CH是采用非晶硅材料，則溝道CH與源極S以及漏極D之間可還包括歐姆接觸層0M，其材料可為經(jīng)摻雜的
非晶娃。電容電極CL大體上位于柵極G上方且位于漏極D下方。換言之，電容電極CL的膜層位于柵極G的膜層與漏極D的膜層之間。根據(jù)本實施例，電容電極CL包括連接部IlOa 以及電容耦合部110b。電容耦合部IlOb與漏極D重疊之處是構(gòu)成此像素結(jié)構(gòu)的儲存電容器。換言之，電容耦合部IlOb是作為儲存電容器的下電極，漏極D是作為儲存電容器的上電極。此外，連接部IlOa與電容耦合部IlOb連接，且連接部IlOa延伸至基板110的周邊處是電性連接至共用電壓(Vcom)。類似地，基于導(dǎo)電性的考慮，電容電極CL 一般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實施例，電容電極CL也可以使用其他導(dǎo)電材料。 例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆疊層。根據(jù)本實施例，電容電極CL的連接部IlOa的延伸方向與掃描線SL的延伸方向平行。電容電極CL的電容耦合部IlOb的延伸方向與連接部IlOa垂直。在本實施例中，對于每一像素結(jié)構(gòu)而言，電容耦合部IlOb是從連接部IlOa往掃描線SL所在的位置延伸。此外，根據(jù)本實施例，電容電極CL與部分柵極G重疊。更詳細(xì)來說，電容電極CL的電容耦合部IlOb與柵極G部分地重疊設(shè)置。另外，電容電極CL的連接部IlOa與數(shù)據(jù)線DL亦有部分重疊。在本實施例中，在數(shù)據(jù)線DL與電容電極CL的重疊之處可進一步設(shè)置墊層150。所述墊層150例如是由溝道材料層(未標(biāo)示)以及歐姆接觸材料層(未標(biāo)示)所構(gòu)成(例如圖2B中的墊層160的溝道材料層160a以及歐姆接觸材料層160b所構(gòu)成的方式)。溝道材料層是在形成溝道CH時所同時定義出，歐姆接觸材料層是在形成歐姆接觸層OM時所同時定義出。在數(shù)據(jù)線DL與電容電極CL之間設(shè)置墊層150可以減少兩者重疊之處產(chǎn)生漏電。 然而，本發(fā)明不限制墊層150的材料。根據(jù)其他實施例，墊層150亦可以采用其他材料。在本實施例中，如圖IB所示，在柵極G與溝道CH之間夾有第一絕緣層102以及第二絕緣層104，而位于柵極G與溝道CH之間的第一絕緣層102以及第二絕緣層104作為有源元件T的柵極絕緣層。另外，在電容電極CL(電容耦合部IlOb)與漏極D之間夾有第二絕緣層104，位于電容電極CL(電容耦合部IlOb)與漏極D之間的第二絕緣層104作為電容介電層。第一、第二絕緣層102、104的材料分別包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是其它合適的介電材料。特別是，第二絕緣層104的厚度小于第一絕緣層102的厚度。在此，第二絕緣層104(電容介電層)的厚度例如是約700 1500埃，且第一絕緣層102和第二絕緣層 104的加總(柵極絕緣層)厚度例如是約3300 5100埃。像素電極PE與有源元件T的漏極D電性連接。像素電極PE可為透明像素電極、 反射像素電極或是透明像素電極與反射像素電極的組合。所述透明像素電極的材料可包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。反射像素電極的材料例如是具有高反射性的金屬材料。根據(jù)本實施例，上述的電容電極CL的連接部IlOa與像素電極PE有部分重疊。此外，本實施例所繪示的像素電極PE還包括多個配向圖案A，其例如是配向狹縫。然而，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實施例，像素電極PE亦可以不設(shè)置有配向圖案A。此外，在本實施例中，如圖IB所示，在像素電極PE與有源元件T (源極S與漏極D) 之間還包括設(shè)置有鈍化層106、170。鈍化層106、170具有接觸窗開口 V，以使像素電極PE 而漏極D電性連接。鈍化層106 —般又可稱為保護層，其材料可為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是其它合適的介電材料。鈍化層170可稱為平坦層，其材料例如是無機絕緣材料、有機絕緣材料或是有機感光材料等等。值得一提的是，在圖IA所示的像素結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)線DL是設(shè)置在像素區(qū)域U的邊緣，掃描線SL、有源元件T以及電容電極CL是設(shè)置于像素區(qū)域U的中間。然而，本發(fā)明不限制數(shù)據(jù)線DL、掃描線SL、有源元件T以及電容電極CL在像素區(qū)域U的位置。根據(jù)本發(fā)明的實施例，在數(shù)據(jù)線DL與電容電極CL重疊之處可還包括設(shè)置墊層 150。墊層150可以是于形成溝道CH及歐姆接觸層OM同時定義出。設(shè)置墊層150的目的是可以避免數(shù)據(jù)線DL與電容電極CL在此處發(fā)生短路或漏電的情形。另外，在圖IA以及圖IB的像素結(jié)構(gòu)中，電容電極CL的電容耦合部IlOb舉例與溝道CH重疊設(shè)置或/且柵極G亦有部分重疊。由于電容電極CL的電容耦合部IlOb與溝道 CH重疊設(shè)置，因而溝道CH可以減少電容電極CL的電容耦合部1 IOb與漏極D之間產(chǎn)生短路或漏電的情形。根據(jù)其他實施例，電容電極也可以不與柵極重疊，如圖2A與圖2B所示。圖2A是根據(jù)本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，圖2B是圖2A沿著剖面線A-A’的剖面示意圖。請參照圖2A以及圖2B，2A及圖2B的實施例與圖IA及圖IB的實施例相似，因此在該實施例中與圖IA及圖IB相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。圖2A及圖 2B的實施例與圖IA及圖IB的實施例不同之處在于電容電極CL不與柵極G/溝道CH重疊設(shè)置。更詳細(xì)來說，電容電極CL的電容耦合部IlOb不與柵極G/溝道CH重疊設(shè)置。另外，由于電容電極CL的電容耦合部IlOb不與柵極G/溝道CH重疊設(shè)置，因而在漏極D與電容電極CL的重疊之處可進一步設(shè)置墊層160。墊層160包括下層墊層160a與上層墊層160b。下層墊層160a的材料例如是與溝道CH材料相同，且上層墊層160b的材料例如是與歐姆接觸層OM的材料相同。在漏極D與電容電極CL的重疊之處設(shè)置墊層160可以防止漏極D與電容電極CL在該處產(chǎn)生漏電或短路的情形。在上述實施例中，電容電極CL是位于柵極G與漏極D之間，且電容電極CL的電容耦合部1 IOb與漏極D重疊之處是構(gòu)成該像素結(jié)構(gòu)的儲存電容器。由于有源元件T的柵極G 與漏極D所在之處原本就是非透光區(qū)。因此，相較于傳統(tǒng)儲存電容器的電容電極的設(shè)計方式，利用本發(fā)明的電容電極CL的設(shè)計方式可使像素結(jié)構(gòu)具有較高的開口率。另外，本發(fā)明將電容電極CL設(shè)置于柵極G與漏極D之間還可進一步減少柵極與漏極D之間的寄生電容 (Cgd)，因而減少柵極對漏極的耦合(coupling)，改善畫面品質(zhì)，例如降低閃爍(flicker) 現(xiàn)象。另外，在本實施例中，第二絕緣層104(電容介電層)的厚度僅為700 1500埃， 其遠(yuǎn)低于第一絕緣層102和第二絕緣層104(柵極絕緣層)相加的厚度。由于第二絕緣層 104(電容介電層)的厚度足夠薄，因此即使為了增加像素結(jié)構(gòu)的開口率而減少電容電極面積，該儲存電容器仍可具有足夠的儲存電容值。6/12 頁此外，由于電容電極CL是位于柵極G與漏極D之間，且遮蔽了部分的柵極G。因此，電容電極CL還可阻擋來自基板100背面的光線(例如是背光模塊的光線)，以減少所述背光對于溝道CH所造成的光漏電流效應(yīng)。在上述兩個實施例中，電容電極CL的電容耦合部IlOb是設(shè)置在靠近有源元件T 的位置。然，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實施例，電容電極CL的電容耦合部IlOb也可以是設(shè)置在遠(yuǎn)離有源元件T之處，如圖3A以及圖;3B所示。圖3A是根據(jù)本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，圖:3B是圖3A沿著剖面線 A-A’的剖面示意圖。請參照圖3A以及圖3B，3A及圖的實施例與圖3A及圖的實施例相似，因此在此實施例中與圖3A及圖;3B相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。 圖3A及圖;3B的實施例與圖2A及圖2B的實施例不同之處在于有源元件T是設(shè)置在像素區(qū)域U的邊緣，且電容電極CL是設(shè)置在像素區(qū)域U的中間。因此，電容電極CL并未設(shè)置在靠近有源元件T之處。另外，在本實施例中，由于電容電極CL的電容耦合部IlOb不會與柵極G/溝道CH 重疊設(shè)置，因而在漏極D與電容電極CL的重疊之處可進一步設(shè)置墊層160。墊層160包括下層墊層160a與上層墊層160b。下層墊層160a的材料例如是與溝道CH材料相同，且上層墊層160b的材料例如是與歐姆接觸層OM的材料相同。在漏極D與電容電極CL的重疊之處設(shè)置墊層160可以防止漏極D與電容電極CL在該處產(chǎn)生漏電或短路的情形。除了上述幾種形式的像素結(jié)構(gòu)之外，本發(fā)明將電容電極CL設(shè)置柵極G與漏極D之間還可應(yīng)用于其他種形式的像素結(jié)構(gòu)，如圖4所示。圖4的像素結(jié)構(gòu)與圖1的像素結(jié)構(gòu)相似，不同之處主要是在于圖4的像素結(jié)構(gòu)為橫向設(shè)置的像素結(jié)構(gòu)，且掃描線是橫跨在像素區(qū)域的中間。因此，在圖4的像素結(jié)構(gòu)中與圖1相同的元件是以相似的符號來表示。請參照圖4，此實施例的像素結(jié)構(gòu)是設(shè)置在像素區(qū)域U’中，且像素結(jié)構(gòu)包括掃描線SL’、數(shù)據(jù)線DL’、有源元件T’、像素電極PE’及電容電極CL’。掃描線SL’以及數(shù)據(jù)線DL’彼此交越(cross over)設(shè)置。換言之，數(shù)據(jù)線DL’的延伸方向與掃描線SL’的延伸方向不平行，優(yōu)選的是，數(shù)據(jù)線DL’的延伸方向與掃描線SL’ 的延伸方向垂直。掃描線SL’與數(shù)據(jù)線DL’的材料可與上述圖1的掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL 的材料相同或相似。有源元件T’包括柵極G’、溝道CH’、源極S’以及漏極D’。柵極G’與掃描線SL’ 電性連接，源極S’與數(shù)據(jù)線DL’電性連接。類似地，柵極G’、溝道CH’、源極S’以及漏極D’ 的材料可與圖1所述的柵極G、溝道CH、源極S以及漏極D相同或相似。電容電極CL’位于柵極G’與漏極D’之間。根據(jù)本實施例，電容電極CL’包括連接部110a’以及電容耦合部110b’。電容耦合部110b’與漏極D’重疊之處是構(gòu)成此像素結(jié)構(gòu)的儲存電容器。換言之，電容耦合部110b’是作為儲存電容器的下電極，漏極D’是作為儲存電容器的上電極。連接部110a’是與電容耦合部110b’連接，且連接部110a’與共用電壓(Vcom)電性連接。電容電極CL’的材料可與上述圖1的電容電極CL的材料相同或相似。類似地，電容電極CL’的連接部110a’的延伸方向與掃描線SL’的延伸方向平行。 電容電極CL’的電容耦合部110b’的延伸方向與連接部110a’垂直。在本實施例中，對于每一像素結(jié)構(gòu)而言，電容耦合部110b’是從連接部110a’往掃描線SL’所在的位置延伸。此外，根據(jù)本實施例，電容電極CL’與柵極G’部份重疊。更詳細(xì)來說，電容電極CL’的電容耦合部110b’與柵極G’部分重疊設(shè)置。另外，電容電極CL’的連接部110a’與數(shù)據(jù)線DL’有
部分重疊。在本實施例中，在數(shù)據(jù)線DL’與電容電極CL’的重疊之處可進一步設(shè)置墊層150’。 所述墊層150’例如是由溝道材料層(未標(biāo)示)以及歐姆接觸材料層(未標(biāo)示)所構(gòu)成。在數(shù)據(jù)線DL’與電容電極CL’之間設(shè)置墊層150’可以減少兩者重疊之處產(chǎn)生漏電。像素電極PE’與有源元件T’的漏極D’電性連接。像素電極PE’可為透明像素電極、反射像素電極或是透明像素電極與反射像素電極的組合。類似地，在圖4的像素結(jié)構(gòu)中，在柵極G’與溝道CH’之間還包括設(shè)置有第一絕緣層與第二絕緣層。在電容電極CL’ (電容耦合部110b’ )與漏極D’之間還包括第二絕緣層。 第二絕緣層的厚度例如是約700 1500埃，第一絕緣層與第二絕緣層的加總厚度例如是約 3300 5100埃。在像素電極PE’與有源元件T’(源極S’與漏極D’ )之間還包括設(shè)置有鈍化層。鈍化層具有接觸窗開口 V’，以使像素電極PE’而漏極D’電性連接。在圖4的實施例中，電容電極CL’是位于柵極G’與漏極D’之間，且電容電極CL’ 的電容耦合部110b’與漏極D’重疊之處是構(gòu)成該像素結(jié)構(gòu)的儲存電容器。由于有源元件 T’的柵極G’與漏極D’所在之處原本就是非透光區(qū)。因此，相較于傳統(tǒng)儲存電容器的電容電極的設(shè)計方式，利用本實施例的電容電極CL’的設(shè)計方式可使像素結(jié)構(gòu)具有較高的開口率。另外，本發(fā)明將電容電極CL’設(shè)置于柵極G’與漏極D’之間還可進一步減少柵極G’與漏極D’之間的寄生電容(Cgd)，因而減少柵極對漏極的耦合(coupling)，改善畫面品質(zhì)，例如降低閃爍(flicker)現(xiàn)象。另外，在本實施例中，由于第二絕緣層的厚度足夠薄，即使為了增加像素結(jié)構(gòu)的開口率而減少電容電極CL’面積，該儲存電容器仍可具有足夠的儲存電容值。此外，由于電容電極CL’是位于柵極G’與漏極D’之間，且遮蔽了部分的柵極G’。因此，電容電極CL’還可阻擋來自背光模塊的光線，以減少所述背光對于溝道CH’所造成的光漏電流效應(yīng)。在上述數(shù)個實施例的像素結(jié)構(gòu)中，其有源元件都是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明。然，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實施例，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)亦可采用頂部柵極型薄膜晶體管，如下所述。圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參照圖5，該像素結(jié)構(gòu)的有源元件包括設(shè)置在基板200上的多晶硅層202、柵極206、第一絕緣層204、輔助介電層208、 第二絕緣層210、源極SM以及漏極DM、電容電極220以及像素電極214，其中多晶硅層202、 柵極206、源極SM以及漏極DM構(gòu)成有源元件。多晶硅層202具有源極區(qū)202s、漏極區(qū)202d以及溝道區(qū)202c。源極區(qū)202s與漏極區(qū)202d例如是摻雜N型離子的摻雜區(qū)或是摻雜P型離子的摻雜區(qū)。第一絕緣層204覆蓋多晶硅層202以及基板200。第一絕緣層204的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是其它合適的介電材料。柵極206設(shè)置在溝道區(qū)202c上方的第一絕緣層204上。柵極206與掃描線(未繪示)電性連接，且柵極206的材料例如是金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆疊層。輔助介電層208覆蓋柵極206以及第一絕緣層204。輔助介電層208的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是其它合適的介電材料。電容電極220設(shè)置在輔助介電層208上。電容電極220的材料例如是金屬、合金、 金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆疊層。第二絕緣層210覆蓋電容電極220。第二絕緣層210的材料包括氧化硅、氮化硅、 氮氧化硅或是其它合適的介電材料。源極SM以及漏極DM設(shè)置在第二絕緣層210上。源極SM與數(shù)據(jù)線(未繪示)電性連接。源極SM以及漏極DM的材料例如是金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆疊層。此外，源極SM以及漏極DM分別透過接觸窗開口 VI、V2而與源極區(qū)20 與漏極區(qū)202d電性連接。換言之，接觸窗開口 V1、V2是貫穿了第二絕緣層210、輔助介電層208以及第一絕緣層204，以使源極SM以及漏極DM可分別透過接觸窗開口 V1、V2而與源極區(qū)20 與漏極區(qū) 202d電性連接。特別是，電容電極220位于柵極206與漏極DM之間。且電容電極220與漏極DM 重疊之處是構(gòu)成該像素結(jié)構(gòu)的儲存電容器。換言之，電容電極220是作為儲存電容器的下電極，漏極DM是作為儲存電容器的上電極。由于本實施例將電容電極220位于柵極206與漏極DM之間，而柵極206與漏極DM原本就是非透光。因此在此處設(shè)置電容電極可減少占用像素結(jié)構(gòu)的透光區(qū)的面積。換言之，相較于傳統(tǒng)儲存電容器的電容電極的設(shè)計方式，利用本實施例的電容電極220的設(shè)計方式可使像素結(jié)構(gòu)具有較高的開口率。另外，本發(fā)明將電容電極220設(shè)置于柵極206與漏極DM之間還可進一步減少柵極206與漏極DM之間的寄生電容(Cgd)，因而可提高畫面品質(zhì)。另外，鈍化層212覆蓋源極SM以及漏極DM。鈍化層212的材料可為無機絕緣材料 (例如是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅)、有機絕緣材料、有機感光材料或是其他材料。像素電極214設(shè)置在鈍化層212上，且透過接觸窗開口 V3與漏極DM電性連接。換言之，接觸窗開口 V3貫穿鈍化層212，以使像素電極214透過接觸窗開口 V3與漏極DM電性連接。圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示面板的剖面示意圖。請參照圖6，顯示面板包括第一基板310、像素陣列312、第二基板320以及顯示介質(zhì)330。像素陣列312是設(shè)置在第一基板310上，且像素陣列312是由多個像素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，且該像素結(jié)構(gòu)可為上述圖1至圖5任一實施例所示的像素結(jié)構(gòu)。第二基板320可為單純的空白基板、彩色濾光基板或是設(shè)置有電極層的基板。顯示介質(zhì)330可為液晶分子、電泳顯示介質(zhì)、或是其它可適用的介質(zhì)。綜合以上所述，本實施例將電容電極設(shè)置于柵極與漏極之間，因此在此處設(shè)置電容電極可減少占用像素結(jié)構(gòu)的透光區(qū)的面積。因此，相較于傳統(tǒng)儲存電容器的電容電極的設(shè)計方式，利用實施例的電容電極的設(shè)計方式可使像素結(jié)構(gòu)具有較高的開口率。另外，本實施例將電容電極設(shè)置于柵極與漏極之間還可進一步減少柵極與漏極之間的寄生電容(Cgd)，因而可提高畫面品質(zhì)。此外，由于第二絕緣層的厚度足夠薄，因此即使為了增加像素結(jié)構(gòu)的開口率而減少電容電極面積，該儲存電容器仍可具有足夠的儲存電容值。再者，由于電容電極是位于柵極與漏極之間，且遮蔽了部分的溝道。因此，電容電極還可阻擋來自基板背面的光線(例如是背光模塊的光線)，以減少所述背光對于溝道所造成的光漏電流效應(yīng)。另外，因本實施例的電容電極的電容耦合部沒有與數(shù)據(jù)線重疊設(shè)置， 因此此種電容電極的設(shè)計不會增加像素結(jié)構(gòu)的負(fù)載。第二實施例圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖8是圖7的顯示面板中的位于像素區(qū)域中的像素結(jié)構(gòu)與驅(qū)動電路的剖面示意圖。請參照圖7以及圖8，本實施例的顯示面板400具有顯示區(qū)402以及非顯示區(qū)404，且在顯示面板400的顯示區(qū)402中具有多個像素區(qū)域U，在顯示面板400的非顯示區(qū)404中具有至少一驅(qū)動電路DR。非顯示區(qū) 404大致圍繞顯示區(qū)402。驅(qū)動電路DR可以位于顯示區(qū)402的一側(cè)、兩側(cè)、三側(cè)或是周圍。 本實施例是以驅(qū)動電路DR位于顯示區(qū)402的兩側(cè)為例來說明，但本發(fā)明不限于此。承上所述，顯示區(qū)402的多個像素區(qū)域U是呈陣列排列，且每一個像素區(qū)域U中對應(yīng)設(shè)置有一個像素結(jié)構(gòu)。因此，在顯示區(qū)402中具有多個陣列排列的像素結(jié)構(gòu)。位于每一像素區(qū)域U中的像素結(jié)構(gòu)可以是如先前第一實施例所述的任一種像素結(jié)構(gòu)。換言之，每一像素區(qū)域U中的像素結(jié)構(gòu)可以是圖IA以及圖IB的像素結(jié)構(gòu)、圖2A以及圖2B的像素結(jié)構(gòu)、圖3A以及圖;3B的像素結(jié)構(gòu)、圖4的像素結(jié)構(gòu)或是圖5的像素結(jié)構(gòu)。在此，為了詳細(xì)說明本實施例的顯示面板，每一像素區(qū)域U中的像素結(jié)構(gòu)是以圖2A以及圖2B 的像素結(jié)構(gòu)為例來說明，但不以此為限。在本實施例中，每一像素區(qū)域U中的像素結(jié)構(gòu)包括第一有源元件Tl以及像素電極 PE。第一有源元件Tl包括第一柵極G1、第一溝道CH1、第一源極Sl以及第一漏極D1。第一柵極Gl與掃描線(未繪示于圖8)電性連接，且第一源極Sl與數(shù)據(jù)線(未繪示于圖8)電性連接。上述的第一柵極G1、第一溝道CH1、第一源極Sl以及第一漏極Dl的材料分別與先前第一實施例所述的柵極G、溝道CH、源極S以及漏極D相同或是相似，因此在此不再重復(fù)說明。另外，在第一溝道CHl與第一源極Si/第一漏極Dl之間亦可進一步設(shè)置歐姆接觸層 OMl0另外，像素電極PE與第一有源元件Tl的第一漏極Dl電性連接。值得一提的是，如圖8所示，在第一柵極Gl與第一溝道CHl之間夾有第一絕緣層 102以及第二絕緣層104，因此第一柵極Gl與第一溝道CHl之間的第一絕緣層102以及第二絕緣層104是作為第一有源元件Tl的柵極絕緣層。第一、第二絕緣層102、104的材料分別包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是其它合適的介電材料。第一絕緣層102和第二絕緣層 104的加總(柵極絕緣層)厚度例如是約3300 5100埃。另外，每一像素區(qū)域U中可進一步包括電容電極(電容耦合部)110b。電容電極 (電容耦合部)IlOb的膜層位于第一柵極Gl的膜層與第一漏極Dl的膜層之間。電容電極 (電容耦合部)IlOb與第一漏極Dl重疊之處是構(gòu)成該像素結(jié)構(gòu)的儲存電容器。換言之，電容電極(電容耦合部)110b是作為儲存電容器的下電極，第一漏極Dl是作為儲存電容器的上電極。而位于電容電極(電容耦合部)110b與第一漏極Dl之間的第二絕緣層104是作為儲存電容器的電容介電層。在此，第二絕緣層104(電容介電層)的厚度例如是約700 1500 埃。設(shè)置在非顯示區(qū)404中的驅(qū)動電路DR例如是柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路或是包括柵極驅(qū)動電路與源極驅(qū)動電路兩者。特別是，驅(qū)動電路DR包括至少一第二有源元件T2， 該第二有源元件T2包括第二柵極G2、第二溝道CH2、第二源極S2以及第二漏極D2。上述的第二溝道CH2、第二源極S2以及第二漏極D2的材料分別與先前第一實施例所述的溝道CH、 源極S以及漏極D相同或是相似，上述的第二柵極G2的材料例如是與先前第一實施例所述的電容電極的材料相同或相似，因此在此不再重復(fù)說明。另外，在第二溝道CH2與第二源極 S2/第二漏極D2之間亦可進一步設(shè)置歐姆接觸層0M2。值得一提的是，如圖8所示，第二柵極G2是位于第一絕緣層102上，且第二絕緣層 104覆蓋第二柵極G2。因此，在第二柵極G2與第二溝道CH2之間是夾有第二絕緣層104，因而第二絕緣層104是作為第二有源元件T2的柵極絕緣層。在此，第二絕緣層104的厚度例如是約700 1500埃。根據(jù)本實施例，所述驅(qū)動電路DR還進一步包括至少一電容器。所述電容器包括下電極肪以及上電極肚。下電極肪是位于第一絕緣層102上，且第二絕緣層104覆蓋下電極肪。在此，下電極El例如是與像素結(jié)構(gòu)中的電容電極(電容耦合部)110b屬于同一膜層。另外，上電極肚位于下電極肪上方的第二絕緣層104上。在此，上電極肚例如是與第一有源元件Tl的第一源極Si/第一漏極Dl以及第二有源元件T2的第二源極S2/第二漏極D2屬于同一膜層。因此，在本實施例中，驅(qū)動電路DR的電容器是由上電極肚、下電極 Eb以及第二絕緣層104(電容介電層)構(gòu)成。承上所述，在本實施例的驅(qū)動電路DR中，第二有源元件T2是以第二絕緣層104作為柵極絕緣層，因第二絕緣層104的厚度足夠薄，因此可以提高第二有源元件T2的漏極電流?；?，本實施例可以在維持既有的有源元件的整體效能的提前下而縮小第二有源元件 T2的面積，進而使得此驅(qū)動電路DR可以應(yīng)用于窄邊框顯示面板中。另外，在本實施例的驅(qū)動電路中，所設(shè)計的電容器是以第二絕緣層104作為電容介電層。由于第二絕緣層104的厚度足夠薄，因此可以提高電容器的儲存電容值。類似地， 本實施例可以在維持既有的電容器的儲存電容值的前提下而縮小電容器(下電極肪以及上電極肚)的面積，進而使得此驅(qū)動電路DR可以應(yīng)用于窄邊框顯示面板中。圖9是根據(jù)另一實施例的顯示面板中的像素結(jié)構(gòu)與驅(qū)動電路的剖面示意圖。圖9 的實施例與上述圖8的實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)說明。 圖9的實施例與圖8的實施例不相同之處在于，驅(qū)動電路DR的電容器包括第一電極E1、第二電極E2以及第三電極E3。在此，第二電極E2即等同于圖8的下電極肪，且第三電極E3 即等同于圖8的上電極肚。而本實施例在第二電極E2的下方還設(shè)置第一電極E1。因此， 第一電極El是位于基板100上，且第一絕緣層102覆蓋第一電極E1。第二電極E2位于第一絕緣層102上，且第二絕緣層104覆蓋第二電極E2。第三電極E3位于第二電極E2上方的第二絕緣層104上。換言之，本實施例的電容器是由兩個并聯(lián)的電容器所構(gòu)成，因此可以提高電容器的儲存電容值。類似地，本實施例可以在維持既有的電容器的儲存電容值的前提下而縮小電容器(第一電極E1、第二電極E2以及第三電極E3)的面積，進而使得此驅(qū)動電路DR可以應(yīng)用于窄邊框顯示面板中。第三實施例圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例的驅(qū)動電路的示意圖。圖11是圖10的驅(qū)動電路中的其中一有源元件以及其中一電容器的剖面示意圖。請參照圖10，本實施例的驅(qū)動電路例如是可以應(yīng)用于圖7所示的顯示面板的驅(qū)動電路DR，且本實施例的驅(qū)動電路DR是以柵極驅(qū)動電路為例，但本發(fā)明不限于此。在本實施例中，驅(qū)動電路包括多個有源元件Ml M7以及多個電容器Cl C2。另外，掃描線電性連接有源元件M7、M6以及電容器C2，掃描線&ι+1、 Gn-I分別電性連接有源元件Ml、M4，數(shù)據(jù)線Vss電性連接有源元件M2，時間信號線CK電性連接有源元件M7與電容器Cl，信號線H、L分別電性連接有源元件M4、Ml，且信號線XCK電性連接有源元件M5。承上所述，在圖10的驅(qū)動電路中，有源元件Ml M7可以是由圖11所述的第一有源元件Tl以及第二有源元件T2所構(gòu)成。換言之，有源元件Ml M7中的一部分是由圖11 所述的第一有源元件Tl所構(gòu)成，且有源元件Ml M7中的另一部分的是由圖11所述的第二有源元件T2所構(gòu)成。請參照圖11，第一有源元件Tl包括第一柵極G1、第一溝道CH1、第一源極Sl以及第一漏極Dl。另外，在第一溝道CHl與第一源極Si/第一漏極Dl之間亦可進一步設(shè)置歐姆接觸層0M1。此外，在第一柵極Gl與第一溝道CHl之間夾有第一絕緣層102以及第二絕緣層104，因此第一柵極Gl與第一溝道CHl之間的第一絕緣層102以及第二絕緣層104是作為第一有源元件Tl的柵極絕緣層。第一、第二絕緣層102、104的材料分別包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或是其它合適的介電材料。第一絕緣層102和第二絕緣層104的加總(柵極絕緣層)厚度例如是約3300 5100埃。第二有源元件T2包括第二柵極G2、第二溝道CH2、第二源極S2以及第二漏極D2。 另外，在第二溝道CH2與第二源極S2/第二漏極D2之間亦可進一步設(shè)置歐姆接觸層0M2。 在此，第二柵極G2是位于第一絕緣層102上，且第二絕緣層104覆蓋第二柵極G2。因此，在第二柵極G2與第二溝道CH2之間是夾有第二絕緣層104，因而第二絕緣層104是作為第二有源元件T2的柵極絕緣層。第二絕緣層104的厚度例如是約700 1500埃。另外，電容器C1、C2分別包括下電極肪以及上電極肚。下電極肪是位于第一絕緣層102上，且第二絕緣層104覆蓋下電極肪。上電極肚位于下電極肪上方的第二絕緣層104上。因此，電容器Cl、C2是由上電極肚、下電極肪以及第二絕緣層104(電容介電層)構(gòu)成。承上所述，在本實施例的驅(qū)動電路中，第一有源元件Tl是以第一絕緣層102以及第二絕緣層104作為柵極絕緣層，因此第一有源元件Tl可以應(yīng)用在驅(qū)動電路中需要較厚的柵極絕緣層的有源元件中。另外，第二有源元件T2是以第二絕緣層104作為柵極絕緣層， 因第二絕緣層104的厚度足夠薄，因此可以提高第二有源元件T2的漏極電流?；耍緦嵤├梢栽诰S持既有的有源元件的整體效能的提前下而縮小第二有源元件T2的面積，進而縮小此驅(qū)動電路整體面積。另外，因電容器Cl、C2是以第二絕緣層104作為電容介電層。由于第二絕緣層104 的厚度足夠薄，因此可以提高電容器的儲存電容值。類似地，本實施例可以在維持既有的電容器的儲存電容值的前提下而縮小電容器(下電極肪以及上電極Et)的面積，進而縮小此驅(qū)動電路可的整體面積。圖12是根據(jù)另一實施例的驅(qū)動電路中的部分有源元件以及電容器的剖面示意圖。圖12的實施例與上述圖11的實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)說明。圖12的實施例與圖11的實施例不相同之處在于，驅(qū)動電路的電容器Cl、C2包括第一電極E1、第二電極E2以及第三電極E3。在此，第二電極E2即等同于圖11的下電極肪，且第三電極E3即等同于圖11的上電極肚。而本實施例在第二電極E2的下方還設(shè)置第一電極E1。因此，第一電極El是位于基板100上，且第一絕緣層102覆蓋第一電極E1。第二電極E2位于第一絕緣層102上，且第二絕緣層104覆蓋第二電極E2。第三電極E3位于第二電極E2上方的第二絕緣層104上。換言之，本實施例的電容器是由兩個并聯(lián)的電容器所構(gòu)成，因此可以提高電容器的儲存電容值。類似地，本實施例可以在維持既有的電容器的儲存電容值的前提下而縮小電容器(第一電極E1、第二電極E2以及第三電極E3)的面積，進而縮小此驅(qū)動電路的整體面積。雖然本發(fā)明已以實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，位于基板上，包括 掃描線以及數(shù)據(jù)線；第一有源元件，包括第一柵極、第一溝道、第一源極以及第一漏極，其中該掃描線與該第一柵極電性連接，該第一源極與該數(shù)據(jù)線電性連接； 像素電極，與該第一漏極電性連接； 第一絕緣層，位于該第一柵極與該第一溝道之間； 電容電極，位于該第一絕緣層上；以及第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層以及該電容電極，且該第二絕緣層位于該電容電極與該第一漏極之間。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該電容電極包括 電容耦合部，與該第一漏極重疊處構(gòu)成儲存電容器；以及連接部，與該電容耦合部連接。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該連接部的延伸方向與該掃描線的延伸方向平行。
4.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該連接部與該像素電極至少部分重疊。
5.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該連接部與該數(shù)據(jù)線至少部分重疊。
6.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該電容耦合部大體與該連接部垂直。
7.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二絕緣層的厚度小于該第一絕緣層的厚度，且該第二絕緣層的厚度約為700 1500埃，該第一絕緣層與該第二絕緣層的厚度加總約為3300 5100埃。
8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該基板具有像素區(qū)域，該數(shù)據(jù)線設(shè)置在該像素區(qū)域的邊緣，該掃描線、該第一有源元件以及該電容電極設(shè)置于該像素區(qū)域的中間，其中該像素電極具有多個配向圖案。
9.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括鈍化層，位于該像素電極與該第一有源元件之間，其中該鈍化層具有接觸窗開口，且該像素電極通過該接觸窗開口而與該第一漏極電性連接。
10.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該電容電極不與該第一柵極重疊。
11.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該電容電極與該第一柵極或該第一溝道重疊。
12.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括鈍化層，位于該像素電極與該第一有源元件之間。
13.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括輔助介電層，位于該第一柵極與該第二絕緣層之間，其中該電容電極夾設(shè)于該輔助介電層及該第二絕緣層之間。
14.一種顯示面板，其具有顯示區(qū)以及非顯示區(qū)，該顯示面板包括 多個如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，位于該顯示區(qū)中；以及至少一驅(qū)動電路，位于該非顯示區(qū)中，其中該驅(qū)動電路包括至少一第二有源元件，該第二有源元件包括第二柵極，位于該第一絕緣層上，且該第二絕緣層覆蓋該第二柵極； 第二溝道，位于該第二柵極上方的該第一絕緣層上；以及第二源極以及第二漏極，位于該第二溝道上。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示面板，還包括至少一電容器，位于該非顯示區(qū)中，其中該電容器包括下電極，位于該第一絕緣層上，且該第二絕緣層覆蓋該下電極；以及上電極，位于該下電極上方的該第二絕緣層上。
16.如權(quán)利要求14所述的顯示面板，還包括至少一電容器，位于該非顯示區(qū)中，其中該電容器包括第一電極，且該第一絕緣層覆蓋該第一電極；第二電極，位于該第一絕緣層上，且該第二絕緣層覆蓋該第二電極；以及第三電極，位于該第二電極上方的該第二絕緣層上。
17.一種驅(qū)動電路，包括 第一柵極；第一絕緣層，覆蓋該第一柵極；第二柵極，位于該第一絕緣層上；第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層以及該第二柵極；第一溝道，設(shè)置在該第一柵極上方的該第二絕緣層上；第二溝道，設(shè)置在該第二柵極上方的該第二絕緣層上；第一源極以及第二漏極，位于該第一溝道上；以及第二源極以及第二漏極，位于該第二溝道上。
18.如權(quán)利要求17所述的驅(qū)動電路，其中該第二絕緣層的厚度小于該第一絕緣層的厚度，且該第二絕緣層的厚度約為700 1500埃，該第一絕緣層與該第二絕緣層的厚度加總約為3300 5100埃。
19.如權(quán)利要求17所述的驅(qū)動電路，還包括至少一電容器，該電容器包括 下電極，位于該第一絕緣層上，且該第二絕緣層覆蓋該下電極；以及上電極，位于該下電極上方的該第二絕緣層上。
20.如權(quán)利要求17所述的驅(qū)動電路，還包括至少一電容器，該電容器包括 第一電極，且該第一絕緣層覆蓋該第一電極；第二電極，位于該第一絕緣層上，且該第二絕緣層覆蓋該第二電極；以及第三電極，位于該第二電極上方的該第二絕緣層上。
21.一種有源元件，包括 柵極；溝道；第一絕緣層，位于該柵極與該溝道之間； 源極以及漏極，位于該溝道上方； 電容電極，位于該第一絕緣層上；以及第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層以及該電容電極，且該第二絕緣層位于該電容電極與該漏極之間。
22.如權(quán)利要求21所述的有源元件，其中該電容電極包括電容耦合部，該電容耦合部與該漏極重疊處構(gòu)成儲存電容器。
23.如權(quán)利要求21所述的有源元件，其中該電容電極不與該柵極重疊。
24.如權(quán)利要求21所述的有源元件，其中該電容電極與該柵極或該溝道重疊。
25.如權(quán)利要求21所述的有源元件，其中該溝道位于該柵極上方。
26.如權(quán)利要求21所述的有源元件，還包括輔助介電層，位于該柵極與該第二絕緣層之間，其中該電容電極夾設(shè)于該輔助介電層及該第二絕緣層之間，且該溝道位于該柵極下方。
全文摘要
本發(fā)明提出一種有源元件、像素結(jié)構(gòu)、驅(qū)動電路以及顯示面板。該像素結(jié)構(gòu)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、有源元件、第一絕緣層、像素電極、電容電極以及第二絕緣層。有源元件包括柵極、溝道、源極以及漏極，其中掃描線與柵極電性連接，源極與數(shù)據(jù)線電性連接。第一絕緣層設(shè)置在柵極與溝道之間。像素電極與漏極電性連接。電容電極位于第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋第一絕緣層以及電容電極，且位于電容電極與漏極之間。
文檔編號H01L27/02GK102314034SQ201110263639
公開日2012年1月11日 申請日期2011年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月26日
發(fā)明者劉圣超, 張哲嘉, 李怡慧, 林志宏, 蔡五柳, 陳昱丞, 陳茂松, 魏全生 申請人:友達光電股份有限公司