專利名稱：：搭載半導(dǎo)體元件的基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種搭載半導(dǎo)體元件的基板。
背景技術(shù)：
：電子設(shè)備中搭載有連接了IC芯片、電容器等半導(dǎo)體元件的基板。近年來，伴隨著電子設(shè)備的小型化、高功能化，搭載在一個(gè)基板上的半導(dǎo)體元件數(shù)愈發(fā)增多，由此產(chǎn)生了半導(dǎo)體元件的安裝面積不足的問題。為了解決上述問題，人們進(jìn)行了如下嘗試，S卩，通過將半導(dǎo)體元件包埋于多層布線基板內(nèi)，確保半導(dǎo)體元件的安裝面積，實(shí)現(xiàn)高密度封裝化(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。但是，在這樣內(nèi)藏有半導(dǎo)體元件的搭載半導(dǎo)體元件的基板中，其結(jié)構(gòu)上下不對(duì)稱，而且，物理性質(zhì)也變得不對(duì)稱，因此，存在有在基板上產(chǎn)生翹曲等的問題、搭載半導(dǎo)體元件的基板的可靠性降低的問題。專利文獻(xiàn)1日本特開2005-236039號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的課題本發(fā)明的目的在于提供一種搭載半導(dǎo)體元件的基板，其能夠防止因外部環(huán)境的變化而產(chǎn)生的翹曲，并且，能夠防止內(nèi)藏的半導(dǎo)體元件從基板上剝離。解決課題的方法上述目的通過下述(1)(17)的本發(fā)明的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。(1)一種搭載半導(dǎo)體元件的基板，其特征在于，具有基板；在前述基板的一個(gè)面上搭載的半導(dǎo)體元件；包埋前述半導(dǎo)體元件的第一層；在前述基板的與前述第一層相反的側(cè)上設(shè)置的第二層，第二層的材料及組成比例與所述第一層的材料及組成比例相同；在前述第一層上和前述第二層上設(shè)置的至少一層的表層，前述表層比前述第一層和前述第二層硬。(2)根據(jù)上述(1)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，將前述表層在25°C時(shí)的楊氏模量設(shè)為X[GPa]，將前述第一層在25°C時(shí)的楊氏模量設(shè)為Y[GPa]時(shí)，滿足0.5彡X-Y彡13的關(guān)系。(3)根據(jù)上述(2)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述表層在25°C時(shí)的楊氏模量為415GPa。(4)根據(jù)上述(2)或(3)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述第一層在25°C時(shí)的楊氏模量為2lOGPa。(5)根據(jù)上述(1)(4)中的任一項(xiàng)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，將前述表層的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的前述表層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tga[°C]以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)設(shè)為A[ppm/°C]，將前述第一層的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的前述第一層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tgb[°C]以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)設(shè)為B[ppm/°C]時(shí)，滿足0.5^B-A^50的關(guān)系。(6)根據(jù)上述(5)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述表層的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的前述表層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tga[°C]以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)為40ppm/°C以下。(7)根據(jù)上述(5)或(6)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述第一層的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的前述第一層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tgb[°C]以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)為2550ppm/°C。(8)根據(jù)上述⑴(7)中的任一項(xiàng)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，根據(jù)JISC6481測(cè)定的前述表層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tga處于100300°C的范圍內(nèi)。(9)根據(jù)上述⑴⑶中的任一項(xiàng)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，根據(jù)JISC6481測(cè)定的前述第一層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tgb處于100250°C的范圍內(nèi)。(10)根據(jù)上述⑴(9)中的任一項(xiàng)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述基板在25°C時(shí)的楊氏模量為2050GPa。(11)根據(jù)上述(1)(10)中的任一項(xiàng)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述基板的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的前述基板的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。[°C]以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)為13ppm/°C以下。(12)根據(jù)上述(1)(11)中的任一項(xiàng)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述半導(dǎo)體元件通過膜搭載在前述基板上。(13)根據(jù)上述(1)(12)中的任一項(xiàng)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述表層主要由含有氰酸酯樹脂的樹脂材料和無機(jī)填充材料構(gòu)成。(14)根據(jù)上述(13)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述表層中的前述樹脂材料的含量為3070重量％。(15)根據(jù)上述(13)或者(14)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述表層中的前述無機(jī)填充材料的含量為540重量％。(16)根據(jù)上述(13)(15)中的任一項(xiàng)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述樹脂材料進(jìn)一步含有環(huán)氧樹脂，將前述樹脂材料中的前述氰酸酯樹脂的含有率設(shè)為C[重量％]，將前述樹脂材料中的環(huán)氧樹脂的含有率設(shè)為D[重量％]時(shí)，0.5<D/C(4。(17)根據(jù)上述(13)(16)中的任一項(xiàng)所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，前述樹脂材料進(jìn)一步含有苯氧樹脂，將前述樹脂材料中的前述氰酸酯樹脂的含有率設(shè)為C[重量％]，將前述樹脂材料中的苯氧樹脂的含有率設(shè)為E[重量％]時(shí)，0.2<E/C^2。圖1是表示本發(fā)明的搭載半導(dǎo)體元件的基板的合適的實(shí)施方式的縱剖面圖；圖2是表示本發(fā)明的搭載半導(dǎo)體元件的基板的制造方法的一個(gè)實(shí)例的圖形。具體實(shí)施例方式下面，對(duì)本發(fā)明的搭載半導(dǎo)體元件的基板，基于適宜的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1是表示本發(fā)明的搭載半導(dǎo)體元件的基板的適宜的實(shí)施方式的縱剖面圖。在以下的說明中，將圖1中的上側(cè)稱作“上”或者“上方”。如圖1所示，搭載半導(dǎo)體元件的基板10具有芯基板(基板)1；搭載于芯基板1的上側(cè)的半導(dǎo)體元件2；用于包埋半導(dǎo)體元件2而形成的第一層3；形成于芯基板1的下側(cè)的第二層4;形成于第一層3和第二層4的表面上的表層5。另外，其構(gòu)成方式為在芯基板1、第一層3以及第二層4、表層5上，分別形成有未圖示的布線圖案，分別進(jìn)行電連接。另夕卜，半導(dǎo)體元件2與表層5上的布線圖案電連接。芯基板1具有支撐搭載的半導(dǎo)體元件2的功能。另外，芯基板1由絕緣性高且剛性(楊氏模量)高的材料構(gòu)成。芯基板1可以由具有上述特性的任何材料構(gòu)成，優(yōu)選主要由纖維基材、樹脂材料和無機(jī)填充材料構(gòu)成。作為纖維基材，例如，可舉出玻璃織布、玻璃無紡布等玻璃纖維基材；以聚酰胺系樹脂纖維(聚酰胺樹脂纖維、芳香族聚酰胺樹脂纖維、全芳香族聚酰胺樹脂纖維等)、聚酯系樹脂纖維(聚酯樹脂纖維、芳香族聚酯樹脂纖維、全芳香族聚酯樹脂纖維等)、聚酰亞胺樹脂纖維、氟樹脂纖維等為主成分的織布或者無紡布所構(gòu)成的合成纖維基材；以牛皮紙、棉短絨紙、棉短絨和牛皮紙漿的混抄紙等為主成分的紙基材等。其中，優(yōu)選為玻璃纖維基材。由此，能夠使芯基板1的剛性更高，還能使芯基板1變薄。進(jìn)而，也能夠減小芯基板1的熱膨脹系數(shù)，由此，能夠更有效地減少在搭載半導(dǎo)體元件的基板10上產(chǎn)生翹曲，減少對(duì)所搭載的半導(dǎo)體元件的應(yīng)力，能夠防止搭載后的半導(dǎo)體元件中產(chǎn)生不良。作為構(gòu)成這種玻璃纖維基材的玻璃，例如，可舉出E玻璃、C玻璃、A玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、T玻璃、H玻璃等。其中，優(yōu)選為T玻璃。由此，能夠減小玻璃纖維基材的熱膨脹系數(shù)，由此，能夠進(jìn)一步減小芯基板1的熱膨脹系數(shù)。另外，優(yōu)選芯基板1的纖維基材的含有率為3070重量％，更優(yōu)選為4060重量％。由此，能夠更有效地減小芯基板1的熱膨脹系數(shù)。另外，作為構(gòu)成芯基板1的樹脂材料，只要具有絕緣性即可，沒有特別限制，例如，優(yōu)選采用與構(gòu)成后述的表層5等的樹脂材料同等的材料。由此，能夠更有效地減小芯基板1的熱膨脹系數(shù)。芯基板1中的樹脂材料的含量，優(yōu)選為1540重量％，更優(yōu)選為2035重量％。由此，能夠更有效地提高芯基板1的剛性。另外，作為無機(jī)填充材料，例如，可舉出滑石、氧化鋁、玻璃、二氧化硅、云母、氫氧化鋁、氫氧化鎂等。芯基板1中的無機(jī)填充材料的含量，優(yōu)選為1235重量％，更優(yōu)選為1830重量％。由此，能夠更有效地提高芯基板1的剛性。芯基板1在25°C時(shí)的楊氏模量，優(yōu)選為2050GPa，更優(yōu)選為2540GPa。由此，能夠更有效地減少在搭載半導(dǎo)體元件的基板10上產(chǎn)生翹曲。另外，芯基板1的250°C下的楊氏模量，優(yōu)選為1045GPa，更優(yōu)選為1335GPa。由此，加熱時(shí)的剛性優(yōu)良，因此，能夠更確實(shí)地減少在搭載半導(dǎo)體元件的基板10上產(chǎn)生翹曲，能夠提高搭載半導(dǎo)體元件的基板10的可靠性。另外，芯基板1的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的芯基板1的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。[°c]以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)，優(yōu)選為13ppm/°C以下，更優(yōu)選為3llppm/°C。由此，能夠進(jìn)一步有效地減少在搭載半導(dǎo)體元件的基板10上產(chǎn)生翹曲，能夠減少對(duì)所搭載的半導(dǎo)體元件的應(yīng)力。芯基板1的平均厚度優(yōu)選為25800μm,更優(yōu)選為40200μm。半導(dǎo)體元件2如圖1所示，通過粘接膜6接合于基板1上。作為這種半導(dǎo)體元件2，例如，可舉出IC芯片、電容器、二極管、三極管、晶體閘流管等。粘接膜6是具有撓性的部件，主要由粘接劑構(gòu)成。由此，通過粘接膜6將半導(dǎo)體元件2接合于基板1上，由此，在后述的第一層3中，即使因使用環(huán)境下的外部環(huán)境溫度濕度等的變化而產(chǎn)生尺寸變化等，并因該變化而導(dǎo)致對(duì)半導(dǎo)體元件2作用外力的情況下，也能夠通過該粘接膜6緩和這種外力。其結(jié)果是，能夠更有效地防止半導(dǎo)體元件2從芯基板1上剝離或者半導(dǎo)體元件2破裂等不良情況的產(chǎn)生。作為構(gòu)成粘接膜6的粘接劑，例如，可舉出使用有環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂等的膜狀的粘接膜。關(guān)于該粘接膜，也可以采用在膜中添加導(dǎo)電粒子而賦予其導(dǎo)電功能的膜。另外，也可以以使用有同樣樹脂的液態(tài)粘接劑的形態(tài)來使用。關(guān)于上述的粘接膜6，其20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的粘接膜6的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tga[°c]以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)，優(yōu)選為30300ppm/°C，更優(yōu)選為500160ppm/°C。由此，粘接膜6能夠更確實(shí)地迎合半導(dǎo)體元件2的尺寸變動(dòng)。其結(jié)果是，能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體元件2從芯基板1上非本意地剝離。另外，粘接膜6在25°C時(shí)的楊氏模量?jī)?yōu)選為5900MPa左右，更優(yōu)選為10400MPa左右。由此，粘接膜6能夠更確實(shí)地迎合半導(dǎo)體元件2的尺寸變動(dòng)。其結(jié)果是，能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體元件2從芯基板1上非本意地剝離。如圖1所示，在芯基板1的兩面上，形成有用于包埋前述半導(dǎo)體元件2所形成的第一層3和第二層4。第一層3和第二層4的構(gòu)成材料及其組成比率相同，具有同等的物理性質(zhì)(熱膨脹系數(shù)，楊氏模量等)。另外，第一層3和第二層4由絕緣性高的材料構(gòu)成。關(guān)于第一層3和第二層4的構(gòu)成材料在后面有詳細(xì)說明。另外，在第一層3上和第二層4上，分別形成表層5。在本發(fā)明中，表層具有比第一層和第二層硬的特點(diǎn)。通過設(shè)置這種比較硬的表層，即使因外部溫度或外部濕度等外部環(huán)境的變化而在其他層(第一層，第二層等)中產(chǎn)生尺寸變化的情況下，也能夠抑制其變化。其結(jié)果是，能夠防止在搭載半導(dǎo)體元件的基板上產(chǎn)生翹曲。另外，包埋了半導(dǎo)體元件的第一層比較柔軟，因此，即使第一層因外部環(huán)境變化而產(chǎn)生尺寸變化的情況下，也能夠進(jìn)一步減小對(duì)半導(dǎo)體元件的影響。其結(jié)果是，能夠防止半導(dǎo)體元件非本意的剝離。另外，在作為搭載半導(dǎo)體元件的基板整體產(chǎn)生了翹曲的情況下，能夠通過第一層和第二層緩和、吸收想要翹曲的力，由此，也能夠減少在搭載半導(dǎo)體元件的基板上產(chǎn)生翹曲。另外，第一層和第二層是體現(xiàn)出同等物理性質(zhì)的層，因此，能夠使因外部環(huán)境的變化而產(chǎn)生的搭載半導(dǎo)體元件的基板的翹曲變得特別小。如上所述，表層5比第一層3(第二層4)硬，具體來講，將表層5在25°C時(shí)的楊氏模量設(shè)為X[GPa]，將第一層3在25°C時(shí)的楊氏模量設(shè)為Y[GPa]時(shí)，優(yōu)選滿足0.5<X-Y<13的關(guān)系，更優(yōu)選滿足3<X-Y<8的關(guān)系。由此，能夠使前述的本發(fā)明的效果更顯著。表層5在25°C時(shí)的楊氏模量具體優(yōu)選為420GPa，更優(yōu)選為515GPa。由此，能夠更有效地減少在搭載半導(dǎo)體元件的基板10上產(chǎn)生翹曲。另外，第一層3(第二層4)在25°C時(shí)的楊氏模量具體來講優(yōu)選為2lOGPa，更優(yōu)選為37GPa。由此，能夠更有效地防止半導(dǎo)體元件2的非本意的剝離。另外，將表層5的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的表層5的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tga[°c]以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)設(shè)為A[ppm/°C]，將第一層3(第二層4)的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的第一層3的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tgb[°C]以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)設(shè)為B[ppm/°C]時(shí)，優(yōu)選滿足0.5^B-A^50的關(guān)系，更優(yōu)選滿足5<B-A<40的關(guān)系。通過滿足上述關(guān)系，能夠更確實(shí)地防止半導(dǎo)體元件2從芯基板1上剝離，并且，能夠更確實(shí)地防止搭載半導(dǎo)體元件的基板10的翹曲。表層5的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的前述表層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tga[°c]以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)，具體來講，優(yōu)選為40ppm/°C以下，更優(yōu)選為330ppm/°C。由此，能夠更有效地防止半導(dǎo)體元件2的剝離，并且，能夠更有效地防止搭載半導(dǎo)體元件的基板10的翹曲。第一層3(第二層4)的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的第一層3(第二層4)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tgb[°C]以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)，具體來講，優(yōu)選為2550ppm/°C，更優(yōu)選為3046ppm/°C。由此，能夠更有效地防止半導(dǎo)體元件2的剝離，并且，更有效地防止搭載半導(dǎo)體元件的基板10的翹曲。另外，根據(jù)JISC6481測(cè)定的表層5的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tga，優(yōu)選處于190300°C的范圍內(nèi)，更優(yōu)選處于230280°C的范圍內(nèi)。由此，能夠減少在搭載半導(dǎo)體元件的基板10上產(chǎn)生翹曲，并且，能夠進(jìn)一步提高搭載半導(dǎo)體元件的基板10的耐熱性。另外，根據(jù)JISC6481測(cè)定的第一層3(第二層4)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tgb，優(yōu)選處于190300°C的范圍內(nèi)，更優(yōu)選處于230280°C的范圍內(nèi)。由此，能夠減少在搭載半導(dǎo)體元件的基板10上產(chǎn)生翹曲，并且，能進(jìn)一步提高搭載半導(dǎo)體元件的基板10的耐熱性。第一層3(第二層4)的平均厚度優(yōu)選為30800μm,更優(yōu)選為50200μm。作為構(gòu)成表層5的樹脂材料，并無特別限制，例如，優(yōu)選含有熱固性樹脂。由此，能夠提高耐熱性。作為熱固性樹脂，例如，可舉出苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂；未改性的甲階酚醛樹脂；用桐油、亞麻籽油、胡桃油等改性的油改性甲階酚醛樹脂等甲階型酚醛樹脂等酚醛樹脂；雙酚A環(huán)氧樹脂、雙酚F環(huán)氧樹脂等雙酚型環(huán)氧樹脂；酚醛清漆環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆環(huán)氧樹脂等酚醛清漆型環(huán)氧樹脂；聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂等環(huán)氧樹脂；氰酸酯樹脂、脲(尿素)樹脂、三聚氰胺樹脂等具有三嗪環(huán)的樹脂；不飽和聚酯樹脂；雙馬來酰亞胺樹脂；聚氨酯樹脂；二烯丙基鄰苯二甲酸樹脂；娃酮樹脂；具有苯并噁嗪環(huán)的樹脂；氰酸酯樹脂等。其中，特別優(yōu)選為氰酸酯樹脂。由此，能夠減小表層5的熱膨脹系數(shù)。此外，能夠使表層5的耐熱性變得優(yōu)異。氰酸酯樹脂，例如，可通過使鹵化氰化合物和酚類反應(yīng)，根據(jù)需要采用加熱等方法使得到的預(yù)聚物固化來得到。作為氰酸酯樹脂，具體來講，可舉出酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂等。其中，優(yōu)選為酚醛清漆型氰酸酯樹脂。由此，能夠通過增加交聯(lián)密度提高耐熱性，提高樹脂組合物等的阻燃性。這是因?yàn)?，氰酸酯樹脂具有三嗪環(huán)。此外，酚醛清漆型氰酸酯樹月旨，其結(jié)構(gòu)上的苯環(huán)的比例高，容易炭化。此外，即使將表層5制成薄膜(厚度35μm以下)的情況下，也能夠?qū)Ρ韺?賦予優(yōu)異的剛性。特別是加熱時(shí)的剛性優(yōu)異，因此，能夠更確實(shí)地減少在搭載半導(dǎo)體元件的基板10上產(chǎn)生翹曲，能夠提高搭載半導(dǎo)體元件的基板10的可靠性。作為酚醛清漆型氰酸酯樹脂的預(yù)聚物，例如，可使用式(I)表示的物質(zhì)。[化學(xué)式1]剛式⑴η為任意的整數(shù)式(I)表示的酚醛清漆型氰酸酯樹脂的預(yù)聚物的平均重復(fù)單元η并無特別限制，優(yōu)選為110，特別優(yōu)選為27。當(dāng)平均重復(fù)單元η小于前述下限值時(shí)，酚醛清漆型氰酸酯樹脂容易結(jié)晶化，對(duì)于通用溶劑的溶解性較低，因此，有時(shí)難以處理。另外，當(dāng)平均重復(fù)單元η超過前述上限值時(shí)，有時(shí)熔融粘度過高，表層5的成型性降低。氰酸酯樹脂的預(yù)聚物的重均分子量并無特別限制，重均分子量?jī)?yōu)選為5004500，特別優(yōu)選為6003000。氰酸酯樹脂等的樹脂材料、預(yù)聚物等的重均分子量，例如可以通過GPC進(jìn)行測(cè)定。GPC測(cè)定，例如，作為裝置采用東曹制作的HLC-8200GPC，作為色譜柱采用TSK=GEL聚苯乙烯，作為溶劑采用THF(四氫呋喃)進(jìn)行測(cè)定。表層5中的氰酸酯樹脂的含量并無特別限制，優(yōu)選為120重量％，特別優(yōu)選為315重量％。當(dāng)含量小于前述下限值時(shí)，有時(shí)難以形成表層5，當(dāng)超過前述上限值時(shí)，有時(shí)表層5的強(qiáng)度降低。另外，作為熱固性樹脂采用氰酸酯樹脂(特別是酚醛清漆型氰酸酯樹脂)的情況下，優(yōu)選進(jìn)一步含有環(huán)氧樹脂(實(shí)質(zhì)上不含有鹵原子)。作為環(huán)氧樹脂，例如，可舉出苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、雙酚型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、芳基亞烷基型環(huán)氧樹脂等。其中，優(yōu)選為芳基亞烷基型環(huán)氧樹脂。由此，能夠提高表層5的吸濕焊錫的耐熱性和阻燃性。所說的芳基亞烷基型環(huán)氧樹脂是指，在重復(fù)單元中具有一個(gè)以上芳基亞烷基的環(huán)氧樹脂。例如，可舉出亞二甲苯基型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯基二亞甲基型環(huán)氧樹脂等。其中，優(yōu)選為聯(lián)苯基二亞甲基型環(huán)氧樹脂。聯(lián)苯基二亞甲基型環(huán)氧樹脂的預(yù)聚物例如可由式(II)所7J\ο[化學(xué)式2][οο83]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>式(II)η是任意整數(shù)由上述式(II)表示的聯(lián)苯基二亞甲基型環(huán)氧樹脂的預(yù)聚物的平均重復(fù)單元η并無特別限制，優(yōu)選為110，特別優(yōu)選為25。當(dāng)平均重復(fù)單元η小于前述下限值時(shí)，聯(lián)苯基二亞甲基型環(huán)氧樹脂容易結(jié)晶化，對(duì)通用溶劑的溶解性比較低，因此，有時(shí)難以處理。另外，當(dāng)平均重復(fù)單元η超過前述上限值時(shí)，樹脂的流動(dòng)性降低，有時(shí)成為成型不良等的原因。將樹脂材料中的氰酸酯樹脂的含有率設(shè)為C[重量％]，將前述樹脂材料中的環(huán)氧樹脂的含有率設(shè)為D[重量％]時(shí)，優(yōu)選為0.5^D/C^4，更優(yōu)選為1<D/C彡3。由此，能夠提高耐熱性，并且使熱膨脹系數(shù)變得特別小。表層5中的環(huán)氧樹脂的含量并無特別限制，優(yōu)選為325重量％，特別優(yōu)選為520重量％。當(dāng)含量小于前述下限值時(shí)，有時(shí)氰酸酯樹脂的預(yù)聚物的反應(yīng)性降低，或者得到的制品的耐濕性降低，當(dāng)超過前述上限值時(shí)，有時(shí)耐熱性降低。環(huán)氧樹脂的預(yù)聚物的重均分子量并無特別限制，重均分子量?jī)?yōu)選為50020000，特別優(yōu)選為80015000。另外，作為熱固性樹脂采用氰酸酯樹脂(特別是酚醛清漆型氰酸酯樹脂)的情況下，優(yōu)選含有實(shí)質(zhì)上不含鹵原子的苯氧樹脂。由此，能夠提高制造帶有樹脂的金屬箔、帶有基材的絕緣片時(shí)的制膜性。此處，所說的實(shí)質(zhì)上不含鹵原子是指，例如苯氧樹脂中的鹵原子的含量為1重量％以下。作為上述苯氧樹脂，并無特別限制，例如，可舉出具有雙酚骨架的苯氧樹脂、具有酚醛清漆骨架的苯氧樹脂、具有萘骨架的苯氧樹脂、具有聯(lián)苯骨架的苯氧樹脂等。另外，也可以使用具有有多種這些骨架的結(jié)構(gòu)的苯氧樹脂。其中，可以采用具有聯(lián)苯骨架和雙酚S骨架的樹脂。由此，通過聯(lián)苯骨架所具有的剛直性，能夠提高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，并且，通過雙酚S骨架，能夠提高制造多層印刷布線板時(shí)的鍍覆金屬的附著性。另外，能夠采用具有雙酚A骨架和雙酚F骨架的樹脂。由此，在制造多層印刷布線板時(shí)，能夠提高對(duì)內(nèi)層電路基板的密合性。另外，能夠?qū)⒕哂猩鲜雎?lián)苯骨架和雙酚S骨架的樹脂、與具有雙酚A骨架和雙酚F骨架的樹脂并用。由此，能夠使這些特性以良好的平衡性表現(xiàn)出來。將上述具有雙酚A骨架和雙酚F骨架的樹脂(1)與上述具有聯(lián)苯骨架和雙酚S骨架的樹脂(2)并用的情況下，作為其并用比率并無特別限制，例如，可以為(1)(2)=2891。作為苯氧樹脂的分子量并無特別限制，優(yōu)選重均分子量為500050000。進(jìn)一步優(yōu)選為1000040000。當(dāng)重均分子量小于上述下限值時(shí)，有時(shí)提高制膜性的效果降低。另外，當(dāng)超過上述上限值時(shí)，有時(shí)苯氧樹脂的溶解性降低。表層5中的苯氧樹脂的含量并無特別限制，優(yōu)選為130重量％。進(jìn)一步優(yōu)選為320重量％。當(dāng)含量小于上述下限值時(shí)，有時(shí)提高制膜性的效果降低。另外，當(dāng)超過上述上限值時(shí)，有時(shí)賦予低熱膨脹性的效果降低。將樹脂材料中的氰酸酯樹脂的含有率設(shè)為C[重量％]，將前述樹脂材料中的苯氧樹脂的含有率設(shè)為E[重量％]時(shí)，優(yōu)選為0.2彡E/C彡2，更優(yōu)選為0.3≤E/C≤1.5。由此，能夠提高成膜性，并且，能夠使熱膨脹系數(shù)特別小。此外，在采用氰酸酯樹脂(特別是酚醛清漆型氰酸酯樹脂)和苯氧樹脂(具有聯(lián)苯骨架、雙酚S骨架的苯氧樹脂)和環(huán)氧樹脂(芳基亞烷基型環(huán)氧樹脂，特別是聯(lián)苯基二亞甲基型環(huán)氧樹脂)的組合的情況下，能夠更顯著地發(fā)揮本發(fā)明的效果。作為構(gòu)成表層5的樹脂材料，除了上述樹脂材料以外，可以并用酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚苯醚樹脂、聚醚砜樹脂等熱塑性樹脂。上述樹脂材料在表層5中的含量?jī)?yōu)選為3070重量％，更優(yōu)選為4060重量％。由此，能夠提高表層5的耐熱性，并且能夠進(jìn)一步減小表層5的熱膨脹系數(shù)。另外，優(yōu)選表層5含有無機(jī)填充材料。由此，即使將表層5制成薄膜(厚度35μm以下)，強(qiáng)度也優(yōu)異。此外，也能夠進(jìn)一步提高表層5的低熱膨脹化。作為無機(jī)填充材料，可以使用在芯基板1的說明中所記載的材料。在上述的無機(jī)填充材料中，優(yōu)選為二氧化硅，進(jìn)一步從低熱膨脹性優(yōu)良方面考慮，優(yōu)選熔融二氧化硅(特別是球狀熔融二氧化硅)。無機(jī)填充材料為近似球形時(shí)，無機(jī)填充材料的平均粒徑并無特別限制，優(yōu)選為0.015.0μm，特別優(yōu)選為0.22.0μm。表層5中的無機(jī)填充材料的含量?jī)?yōu)選為540重量％，更優(yōu)選為1030重量％。當(dāng)含量處于前述范圍內(nèi)時(shí)，能夠更有效地減小表層5的熱膨脹系數(shù)。其結(jié)果是，能夠更有效地減少在搭載半導(dǎo)體元件的基板10上產(chǎn)生翹曲。另外，在表層5中，除了上述成分以外，優(yōu)選含有在前述芯基板1中說明的纖維基材。由此，能夠使表層5的熱膨脹系數(shù)變得特別小。其結(jié)果是，能夠更有效地減少在搭載半導(dǎo)體元件的基板10上產(chǎn)生翹曲。第一層3(第二層4)主要由樹脂材料構(gòu)成。作為構(gòu)成第一層3(第二層4)的樹脂材料，只要是絕緣性高的物質(zhì)即可，并無特別限制，例如，可舉出構(gòu)成前述表層5的樹脂材料。采用構(gòu)成前述表層5的樹脂材料的情況下，與表層5的密合性變得特別高，能夠防止界面的剝離。另外，由于得到與存在于界面的導(dǎo)體電路材料即銅的熱膨脹率相近的熱膨脹率，因此，也能得到降低在與由銅構(gòu)成的導(dǎo)體電路材料的界面處的應(yīng)力，確保電路的導(dǎo)通性的優(yōu)良的效果。<搭載半導(dǎo)體元件的基板的制造方法>接著，對(duì)上述搭載半導(dǎo)體元件的基板的制造方法的一個(gè)例子加以說明。圖2是表示搭載半導(dǎo)體元件的基板的制造方法的一個(gè)例子。首先，如圖2(a)所示，準(zhǔn)備芯基板1。接著，如圖2(b)所示，通過粘接膜6在芯基板1的中央部搭載半導(dǎo)體元件2。另一方面，準(zhǔn)備絕緣片3’和絕緣片4’，其是將構(gòu)成前述的第一層3和第二層4的材料制成片狀而成。接著，使該絕緣片3’和絕緣片4’分別疊合在芯基板1的半導(dǎo)體元件2側(cè)及其相反側(cè)的面上。然后，使絕緣片3’以及絕緣片4’固化，制成第一層3和第二層4，得到包埋半導(dǎo)體元件的形狀的基板(參照?qǐng)D2(c))。另一方面，準(zhǔn)備絕緣片5’，其是將構(gòu)成前述表層5的材料制成片狀而成。接著，使該絕緣片5’疊合于第一層3以及第二層4。然后，使絕緣片5’固化，制成表層5，得到搭載半導(dǎo)體元件的基板10(本發(fā)明的搭載半導(dǎo)體元件的基板)(參照?qǐng)D2(d))。以上，對(duì)本發(fā)明的搭載半導(dǎo)體元件的基板進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于此。例如，在前述的實(shí)施方式中，對(duì)搭載有1個(gè)半導(dǎo)體元件2的基板進(jìn)行了說明，但并不限于此，也可以搭載2個(gè)以上的半導(dǎo)體元件。另外，在前述實(shí)施方式中，以在兩表面分別各形成1層表層的基板的形式進(jìn)行了說明，但并不限于此，也可以在兩表面形成2層以上的表層。另外，在前述的實(shí)施方式中，對(duì)將構(gòu)成材料制成片狀的物質(zhì)然后形成第一層、第二層以及表層的基板的形式進(jìn)行了說明，但并不限于此，例如，各層也可以通過涂布含有構(gòu)成各層的材料的液體來形成。實(shí)施例下面，基于實(shí)施例和比較例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但本發(fā)明并不限于此。<1>在實(shí)施例和比較例中使用的原材料在實(shí)施例和比較例中使用的原材料如下所示。(1)氰酸酯樹脂A酚醛清漆型氰酸酯樹脂(商品名“^J七^卜PT-30”，重均分子量700，口社制造)(2)氰酸酯樹脂B酚醛清漆型氰酸酯樹脂(商品名“^J七^卜PT-60”，重均分子量2600，口社制造)(3)環(huán)氧樹脂聯(lián)苯基二亞甲基型環(huán)氧樹脂(商品名“NC-3000”，環(huán)氧當(dāng)量275，重均分子量2000，日本化藥社制造)(4)苯氧樹脂A聯(lián)苯環(huán)氧樹脂和雙酚S環(huán)氧樹脂的共聚物，末端部具有環(huán)氧基的樹脂(商品名“YX-8100H30，，，重均分子量30000，”~">工求#*>”>社制造)(5)苯氧樹脂B雙酚A型環(huán)氧樹脂和雙酚F型環(huán)氧樹脂的共聚物，末端部具有環(huán)氧基的樹脂(商品名“工-一卜4275”，重均分子量60000，夕~">工水。#*>”>社制造)(6)固化催化劑咪唑化合物(商品名“2-苯基-4，5-二羥甲基咪唑”，四國(guó)化成工業(yè)社制造)(7)無機(jī)填充材料球狀熔融二氧化硅(商品名“S0-25H”，平均粒徑0.5μm，7Fm“社制造)(8)偶聯(lián)劑環(huán)氧硅烷偶聯(lián)劑(商品名“A-187”，日本-二力一社制造)<2>搭載半導(dǎo)體元件的基板的制造實(shí)施例1[1]樹脂清漆的制備使15重量份的氰酸酯樹脂A、10重量份的氰酸酯樹脂B、25重量份的環(huán)氧樹脂、5重量份的苯氧樹脂A、5重量份的苯氧樹脂B、0.4重量份的固化催化劑溶解、分散于甲基乙基酮中。進(jìn)一步，添加40重量份的無機(jī)填充材料和0.2重量份的偶聯(lián)劑，采用高速攪拌裝置，攪拌10分鐘，制備出固體成分50重量％的樹脂清漆。[2]帶有基材的絕緣片A的制備采用逗點(diǎn)涂布裝置，將如上所得的樹脂清漆涂布在厚度38μm的PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)膜的單面上，使得干燥后的絕緣膜的厚度為80μm，用160°C的干燥裝置對(duì)其干燥10分鐘，制造出帶有基材的絕緣片A。[3]帶有基材的絕緣片B的制備將如上所得的樹脂清漆浸漬玻璃織布(WEA-1035，厚度28μm，日東紡織制造)，在120°C的加熱爐中干燥2分鐘得到清漆固體成分(半固化片中樹脂和二氧化硅所占的成分)約50wt%的半固化片。采用該半固化片，用層壓裝置貼付在厚度38μπι的PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)膜的單面上，使得干燥后的絕緣膜的厚度為80μπι，用160°C的干燥裝置對(duì)其干燥10分鐘，制造出帶有基材的絕緣片B。[4]帶有基材的絕緣片D的制備將如上所得的樹脂清漆浸漬玻璃織布(WTA-1035，厚度28μm，日東紡織制造)，在120°C的加熱爐中干燥2分鐘得到清漆固體成分(半固化片中樹脂和二氧化硅所占的成分)約50wt%的半固化片。采用該半固化片，用層壓裝置貼付在厚度38μπι的PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)膜的單面上，使得干燥后的絕緣膜的厚度為80μπι，用160°C的干燥裝置對(duì)其干燥10分鐘，制造出帶有基材的絕緣片D。[5]搭載半導(dǎo)體元件的基板的制作對(duì)雙面覆銅層疊板(ELC-4785GS，住友電木株式會(huì)社制造)的銅箔進(jìn)行蝕刻去除處理，得到厚度100μπκ40mm四方形的芯基板。接下來，采用25μm厚的膜狀的粘接劑(IBF-8540，住友電木株式會(huì)社制造)，在130°C下將厚度75μm、8mm四方形的半導(dǎo)體元件(芯片)熱壓合于芯基板的中央部上。接下來，以如上所得的帶有基材的絕緣片A的絕緣片層面為內(nèi)側(cè)，疊合于前述芯基板的芯片搭載側(cè)以及芯片未搭載側(cè)兩側(cè)上，采用真空加壓式層壓裝置，在壓力0.SMPaJ^度100°C下對(duì)其真空加熱加壓成型30秒鐘后，采用熱風(fēng)干燥機(jī)使其在溫度170°C下加熱固化45分鐘，然后，剝離除去基材，得到包埋半導(dǎo)體元件的形狀的基板。即，形成第一層和第一層。然后，以如上所得的帶有基材的絕緣片B的絕緣片層面為內(nèi)側(cè)，疊合于第一層和第二層上，采用真空加壓式層壓裝置，在壓力0.8MPa、溫度80°C下對(duì)其真空加熱加壓成型30秒鐘后，采用熱風(fēng)干燥機(jī)使其在溫度180°C下加熱固化45分鐘，然后，剝離除去基材，在溫度200°C下加熱固化60分鐘，得到評(píng)價(jià)用的搭載半導(dǎo)體元件的基板。實(shí)施例2以市售的帶有基材的絕緣片C(商品名“ABF-GX13”，味素774>>$力義株式會(huì)社制造)的絕緣片層面為內(nèi)側(cè)，疊合于與實(shí)施例1同樣地制作的搭載有芯片的芯基板的芯片搭載側(cè)以及芯片未搭載側(cè)兩側(cè)上，采用真空加壓式層壓裝置，在壓力1.OMPa、溫度105°C下，對(duì)其真空加熱加壓成型30秒鐘，然后，剝離除去基材，用熱風(fēng)干燥機(jī)使其在溫度180°C下加熱固化90分鐘，得到包埋半導(dǎo)體元件的形狀的基板。即，形成第一層和第二層。然后，以與實(shí)施例1同樣地操作所得到的帶有基材的絕緣片B的絕緣片層面為內(nèi)側(cè)，疊合于第一層和第二層上，采用真空加壓式層壓裝置，在壓力0.8MPa、溫度80°C下對(duì)其真空加熱加壓成型30秒鐘，然后，用熱風(fēng)干燥機(jī)使其在溫度180°C下加熱固化45分鐘，然后，剝離除去基材，在溫度200°C下加熱固化60分鐘，得到評(píng)價(jià)用的搭載半導(dǎo)體元件的基板。實(shí)施例3以帶有基材的絕緣片B的絕緣片層面為內(nèi)側(cè)，疊合于與實(shí)施例1同樣地制作的搭載有芯片的芯基板的芯片搭載側(cè)以及芯片未搭載側(cè)兩側(cè)上，采用真空加壓式層壓裝置，在壓力0.8MPa、溫度100°C下，對(duì)其真空加熱加壓成型30秒鐘，然后，用熱風(fēng)干燥機(jī)使其在溫度170°C下加熱固化45分鐘，然后，剝離除去基材，得到包埋半導(dǎo)體元件的形狀的基板。即，形成第一層和第二層。然后，以與實(shí)施例1同樣地操作所得到的帶有基材的絕緣片D的絕緣片層面為內(nèi)側(cè)，疊合于第一層和第二層上，采用真空加壓式層壓裝置，在壓力0.8MPa、溫度80°C下對(duì)其真空加熱加壓成型30秒鐘，然后，用熱風(fēng)干燥機(jī)使其在溫度180°C下加熱固化45分鐘，然后，剝離除去基材，在溫度200°C下加熱固化60分鐘，得到評(píng)價(jià)用的搭載半導(dǎo)體元件的基板。實(shí)施例4以市售的帶有基材的絕緣片C(商品名“ABF-GX13”，味素774>>$力義株式會(huì)社制造)的絕緣片層面為內(nèi)側(cè)，疊合于與實(shí)施例1同樣地制作的搭載有芯片的芯基板的芯片搭載側(cè)以及芯片未搭載側(cè)兩側(cè)上，采用真空加壓式層壓裝置，在壓力l.OMPa、溫度105°C下，對(duì)其真空加熱加壓成型30秒鐘，然后，剝離除去基材，用熱風(fēng)干燥機(jī)使其在溫度180°C下加熱固化90分鐘，然后，剝離除去基材，得到包埋半導(dǎo)體元件的形狀的基板。S卩，形成第一層禾口第二層。然后，以與實(shí)施例1同樣地操作所得到的帶有基材的絕緣片D的絕緣片層面為內(nèi)側(cè)，疊合于第一層和第二層上，采用真空加壓式層壓裝置，在壓力0.8MPa、溫度80°C下對(duì)其真空加熱加壓成型30秒鐘，然后，用熱風(fēng)干燥機(jī)使其在溫度180°C下加熱固化45分鐘，然后，剝離除去基材，在溫度200°C下加熱固化60分鐘，得到評(píng)價(jià)用的搭載半導(dǎo)體元件的基板。比較例1與實(shí)施例1同樣地操作，制成包埋半導(dǎo)體元件的形狀的基板。然后，以如上所得的帶有基材的絕緣片A的絕緣片層面為內(nèi)側(cè)，疊合于第一層和第二層上，采用真空加壓式層壓裝置，在壓力0.8MPa、溫度100°C下對(duì)其真空加熱加壓成型30秒鐘，然后，用熱風(fēng)干燥機(jī)使其在溫度170°C下加熱固化45分鐘，然后，剝離除去基材，在溫度200°C下加熱固化60分鐘，得到評(píng)價(jià)用的搭載半導(dǎo)體元件的基板。比較例2與實(shí)施例2同樣地操作，制成包埋半導(dǎo)體元件的形狀的基板。然后，以市售的帶有基材的絕緣片C(ABF_GX13，味O素7了PH力>株式會(huì)社制作)的絕緣片層面為內(nèi)側(cè)，疊合于第一層和第二層上，采用真空加壓式層壓裝置，在壓力1.OMPa、溫度105°C下對(duì)其真空加熱加壓成型30秒鐘，然后，剝離除去基材，用熱風(fēng)干燥機(jī)使其在溫度180°C下加熱固化90分鐘，得到評(píng)價(jià)用的搭載半導(dǎo)體元件的基板。對(duì)于上述各實(shí)施例和各比較例中得到的搭載半導(dǎo)體元件的基板的表層、第一層(第二層)的楊氏模量、線膨脹系數(shù)(熱膨脹系數(shù))以及玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，按以下所示方法進(jìn)行測(cè)定，它們的結(jié)果示于表1中。另外，表1也示出了芯基材的楊氏模量、線膨脹系數(shù)(熱膨脹系數(shù))以及玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。楊氏模量將上述各實(shí)施例和各比較例中的用于形成搭載半導(dǎo)體元件的基板的表層以及第一層(第二層)的2片帶有基材的絕緣片，以絕緣片側(cè)都為內(nèi)側(cè)的方式疊合，采用真空加壓裝置在壓力2MPa、溫度20(TC下對(duì)其加熱加壓成型2小時(shí)，然后，剝離除去基材，得到絕緣片固化物。從得到的絕緣片固化物上采取8mmX35mm的評(píng)價(jià)用試樣，采用DMA裝置(DMA2980，測(cè)定模式拉伸，測(cè)定長(zhǎng)度20mm，升溫速度5°C/min，測(cè)定溫度范圍0350°C，頻率1Hz，TA^>7？>乂>卜社制造)，測(cè)定25°C下的楊氏模量。·線膨脹系數(shù)(熱膨脹系數(shù))將上述各實(shí)施例和各比較例中的用于形成搭載半導(dǎo)體元件的基板的表層以及第一層(第二層)的2片帶有基材的絕緣片，以絕緣片側(cè)都為內(nèi)側(cè)的方式疊合，采用真空加壓裝置在壓力2MPa、溫度20(TC下對(duì)其加熱加壓成型2小時(shí)，然后，剝離除去基材，得到絕緣片固化物。從得到的絕緣片固化物上采取4mmX20mm的評(píng)價(jià)用試樣，采用TMA裝置(TMA2940，測(cè)定模式拉伸，測(cè)定長(zhǎng)度20mm，升溫速度10°C/min，測(cè)定溫度范圍0300°C，測(cè)定載荷5gf，TA4>77>^>卜社制造)，測(cè)定面方向上的熱膨脹系數(shù)。另外，將測(cè)定模式變更為壓縮，測(cè)定厚度方向上的熱膨脹系數(shù)?！げＡЩD(zhuǎn)變溫度將上述各實(shí)施例和各比較例中的用于形成搭載半導(dǎo)體元件的基板的表層以及第一層(第二層)的2片帶有基材的絕緣片，以絕緣片側(cè)都為內(nèi)側(cè)的方式疊合，采用真空加壓裝置在壓力2MPa、溫度20(TC下對(duì)其加熱加壓成型2小時(shí)，然后，剝離除去基材，得到絕緣片固化物。從得到的絕緣片固化物上切下IOmmX30mm的評(píng)價(jià)用試樣，采用DMA裝置(DMA2980，測(cè)定模式拉伸，測(cè)定長(zhǎng)度20mm，升溫速度5°C/min，測(cè)定溫度范圍0350°C，頻率1Hz,TA4>Aj>卜社制造)，以5°C/分鐘的升溫速度進(jìn)行升溫，以tanδ的峰位置作為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。<3>搭載半導(dǎo)體元件的基板的評(píng)價(jià)采用在上述各實(shí)施例和各比較例中得到的搭載半導(dǎo)體元件的基板各10片，進(jìn)行冷熱循環(huán)試驗(yàn)(以冷卻狀態(tài)_65°C、加熱狀態(tài)150°C，進(jìn)行1000次循環(huán)以及3000次循環(huán))，比較評(píng)價(jià)對(duì)半導(dǎo)體元件的保護(hù)性能。冷熱循環(huán)處理后，觀察搭載有評(píng)價(jià)用器件的基板的剖面，將所搭載的半導(dǎo)體元件沒產(chǎn)生裂紋、且在所搭載的半導(dǎo)體元件和芯基板或者第一層的界面上沒產(chǎn)生剝離的制品作為合格品，數(shù)出合格品的數(shù)量。它們的結(jié)果示于表2中。另外，對(duì)冷熱循環(huán)(冷卻狀態(tài)_65°C，加熱狀態(tài)150°C)的冷卻狀態(tài)時(shí)和加熱狀態(tài)時(shí)的半導(dǎo)體元件表面部分的翹曲、以及IR回流焊處理(峰值溫度260°C)的常溫時(shí)(25°C)和加熱狀態(tài)時(shí)的半導(dǎo)體元件表面部分的翹曲進(jìn)行測(cè)定，求出其變動(dòng)值，一起示于表2中。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種搭載半導(dǎo)體元件的基板，其能夠防止因外部環(huán)境的變化而產(chǎn)生翹曲，并且，能夠防止內(nèi)藏的半導(dǎo)體元件從基板上剝離。因此，具有工業(yè)上的實(shí)用性。權(quán)利要求一種搭載半導(dǎo)體元件的基板，其特征在于，具有基板；在所述基板的一個(gè)面上搭載的半導(dǎo)體元件；包埋所述半導(dǎo)體元件的第一層；在所述基板的與所述第一層相反的側(cè)上設(shè)置的第二層，第二層的材料及組成比例與所述第一層的材料及組成比例相同；在所述第一層上以及所述第二層上設(shè)置的至少一層的表層，所述表層比所述第一層以及所述第二層硬。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，將所述表層在25°C時(shí)的楊氏模量設(shè)為XGPa，將所述第一層在25°C時(shí)的楊氏模量設(shè)為YGPa時(shí)，滿足0.5≤X-Y≤13的關(guān)系。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述表層在25°C時(shí)的楊氏模量為415GPa。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述第一層在25°C時(shí)的楊氏模量為2lOGPa。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，將所述表層的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的所述表層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tga°C以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)設(shè)為Appm/°C，將所述第一層的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的所述第一層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tgb°C以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)設(shè)為Bppm/°C時(shí)，滿足0.5≤B-A≤50的關(guān)系。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述表層的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的所述表層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tga°C以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)為40ppm/°C以下。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述第一層的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的所述第一層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tgb°C以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)為2550ppm/°C。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，根據(jù)JISC6481測(cè)定的所述表層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tga處于100300°C的范圍內(nèi)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，根據(jù)JISC6481測(cè)定的所述第一層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tgb處于100250°C的范圍內(nèi)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述基板在25°C時(shí)的楊氏模量為2050GPa。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述基板的在20°C以上且根據(jù)JISC6481測(cè)定的所述基板的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg?！鉉以下的、根據(jù)JISC6481測(cè)定的面方向上的熱膨脹系數(shù)為13ppm/°C以下。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述半導(dǎo)體元件通過膜搭載在所述基板上。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述表層主要由含有氰酸酯樹脂的樹脂材料和無機(jī)填充材料構(gòu)成。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述表層中的所述樹脂材料的含量為3070重量％。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述表層中的所述無機(jī)填充材料的含量為540重量％。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述樹脂材料進(jìn)一步含有環(huán)氧樹脂，將所述樹脂材料中的所述氰酸酯樹脂的含有率設(shè)為C重量％，將所述樹脂材料中的環(huán)氧樹脂的含有率設(shè)為D重量％時(shí)，0.5彡D/C彡4。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的搭載半導(dǎo)體元件的基板，其中，所述樹脂材料進(jìn)一步含有苯氧樹脂，將所述樹脂材料中的所述氰酸酯樹脂的含有率設(shè)為C重量％，將所述樹脂材料中的苯氧樹脂的含有率設(shè)為E重量％時(shí)，0.2彡E/C彡2。全文摘要本發(fā)明提供一種搭載半導(dǎo)體元件的基板(10)，其特征在于，具有芯基板(1)；在芯基板(1)的一個(gè)面上搭載的半導(dǎo)體元件(2)；包埋半導(dǎo)體元件(2)的第一層(3)；在芯基板(1)的與第一層(3)相反的側(cè)上設(shè)置的第二層(4)，第二層(4)的材料及組成比例與第一層(3)的材料及組成比例相同；在第一層(3)上以及第二層(4)上設(shè)置的至少一層的表層(5)，表層(5)比第一層(3)以及第二層(4)硬。將表層(5)在25℃時(shí)的楊氏模量設(shè)為X[GPa]，將第一層(3)在25℃時(shí)的楊氏模量設(shè)為Y[GPa]時(shí)，優(yōu)選滿足0.5≤X-Y≤13的關(guān)系。文檔編號(hào)H01L23/14GK101822132SQ20088011148公開日2010年9月1日申請(qǐng)日期2008年10月15日優(yōu)先權(quán)日2007年10月16日發(fā)明者原英貴,和布浦徹,杉野光生申請(qǐng)人:住友電木株式會(huì)社