專利名稱：用于形成系統(tǒng)級(jí)封裝體的金屬電極的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于形成系統(tǒng)級(jí)封裝體(system in package)的 金屬電極的方法，更具體地，涉及一種用于形成包括具有堆疊在多 個(gè)層中的半導(dǎo)體器件的多層半導(dǎo)體器件(multilayer semiconductor device)的系統(tǒng)級(jí)封裝體的金屬電極的方法，其中金屬電極作為置于背景技術(shù)隨著各種電子器件的多功能以及小型化趨勢(shì)，可以在電子器件 中提供諸如具有多層結(jié)構(gòu)的集成電路器件的半導(dǎo)體器件。這種多層 半導(dǎo)體器件可以具有多個(gè)電路器件，而且尺寸小集成化程度高的半 導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)在逐漸增加。例如，提出了一種高集成半導(dǎo)體器件， 其具有在多個(gè)層上方具有穿透電極(through electrode)的堆疊和固定 的LSI芯片結(jié)構(gòu)，以及^:出了一種三維(3D)半導(dǎo)體器件，其具有 帶有集成電路的堆疊的多個(gè)半導(dǎo)體襯底結(jié)構(gòu)。作為實(shí)現(xiàn)緊湊，輕便和薄的電子設(shè)備的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)，各種封 裝技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用到半導(dǎo)體器件中以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的高密度安裝。 作為一種涉及半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)用來(lái)減少半導(dǎo)體器件安裝到母板上所需面積的技術(shù)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了 一種諸如雙列直插式封裝(DIP)的引腳插入型封裝體、 一種由外圍設(shè)備引導(dǎo)的諸如小型化 封裝(small outline package SOP )的表面安裝封裝體、 一種諸如球 柵陣列封裝體(BGA)的下表面的格狀中的具有外部輸出端的封裝 體。此外，作為一種通過(guò)降低封裝體與半導(dǎo)體芯片的面積比來(lái)實(shí)現(xiàn) 高密度安裝的技術(shù)，隨著襯底線路的小型化，外部輸出端的間距變 d 、并且促4吏封裝體型號(hào)的減小。開(kāi)發(fā)了一種用于在單芯封裝體(single package )上安裝多個(gè)半 導(dǎo)體芯片的技術(shù)。在多芯封裝體(multichip package)中，開(kāi)發(fā)了 一種 用于堆疊多個(gè)半導(dǎo)體芯片的芯片堆疊封裝技術(shù)，以便實(shí)現(xiàn)更高密度 的安裝。此外，通過(guò)密封多個(gè)在單芯封裝體中具有不同功能的半導(dǎo) 體芯片而被系統(tǒng)化的多芯封裝體被稱為系統(tǒng)級(jí)封裝體(SIP)，并且 已經(jīng)進(jìn)4亍了 SIP的開(kāi)發(fā)。同時(shí)，從高密度封裝和安裝的半導(dǎo)體芯片中進(jìn)行隔離的方法作 為一種實(shí)現(xiàn)緊湊、輕便和薄的電子設(shè)備的方法受到關(guān)注。該隔離方 法采用了系統(tǒng)級(jí)芯片(SOC),以使得存儲(chǔ)器、邏輯和模擬電路等 不同的半導(dǎo)體芯片^皮混合裝載到單芯片中的集成系統(tǒng)功能中。然而，在單芯片上集成存儲(chǔ)器、邏輯和模擬電路等的情況中， 很難獲得低壓存儲(chǔ)器電路，因此，有必要控制在邏輯電路中產(chǎn)生的 噪音。此外，在混合地裝載雙極模擬電路的情況中，很難在CMOS 電路上制造等同于存儲(chǔ)器和邏輯電路的模擬電路。因此，取代于 SOC,可以在短時(shí)間內(nèi)開(kāi)發(fā)出來(lái)的具有低成本和與系統(tǒng)級(jí)芯片相同 功能的SIP受到關(guān)注。作為一種要求制造3D多層LSI和SIP的技術(shù)，存在一種用于 在半導(dǎo)體襯底上形成穿透電極的技術(shù)。用于在硅(Si)晶片上形成 穿透電才及的現(xiàn)有工藝中仍然具有多個(gè)工藝步驟。此外，在形成具有深的深度的穿透電才及中存在困難。應(yīng)該形成可以連4妄器件的穿透電 以封裝多種i殳備于一體。為了形成穿透電才及，金屬^皮填入通過(guò)在前步驟蝕刻形成的通孔中，以形成電子流過(guò)的導(dǎo)體。SIP包括具有堆疊在多個(gè)層中的半導(dǎo)體器件的多層半導(dǎo)體器件。由于具有多個(gè)層的 多層半導(dǎo)體器件的總厚度，通孔相比于開(kāi)口區(qū)具有更深的深度。因此，存在一個(gè)問(wèn)題，即，^艮難通過(guò)傳統(tǒng)的訐匕學(xué)氣相沉積(CVD)工藝 通過(guò)在通孔中填入鴒來(lái)緊密地形成穿透電極。發(fā)明內(nèi)容多種實(shí)施方式涉及一種用于形成SIP的金屬電才及的方法，更具體地，涉及一種用于形成包括具有堆疊在多個(gè)層中的半導(dǎo)體器件的多層半導(dǎo)體器件的SIP的金屬電極的方法，以使得金屬電極作為置 多種實(shí)施方式涉及一種用于形成SIP的金屬電才及的方法，其穩(wěn)固;l也形成穿透電才及，該SIP包4舌具有為了穿過(guò)多個(gè)層的長(zhǎng)穿透電招^ 的半導(dǎo)體器件。多種實(shí)施方式涉及一種用于形成包括具有堆疊在多個(gè)層中的 半導(dǎo)體器件的多層半導(dǎo)體器件的SIP的金屬電極的方法，并可以包 括下列步驟中的至少一個(gè)形成穿過(guò)多層的通孔；然后在該通孔的 下部涂敷并封上具有高粘性的易燃材料；然后通過(guò)將銅填充在通孔 中以形成穿透電才及。多種實(shí)施方式涉及一種方法，其可包4舌下列步艱《中的至少一 個(gè)提供一種系統(tǒng)級(jí)封裝體，包括具有堆疊于多個(gè)層中的半導(dǎo)體器 件的多層半導(dǎo)體器件；然后形成延伸穿過(guò)多個(gè)層的通孔；然后在通 孔最下部形成具有高粘性的易燃材料；然后通過(guò)將銅填充在通孔中 以形成穿透電才及。多種實(shí)施方式涉及一種方法，其包4舌下列步驟中的至少一個(gè) 提供包括具有堆疊于多個(gè)層中的半導(dǎo)體器件的多層半導(dǎo)體器件的 系統(tǒng)級(jí)封裝體；然后形成延伸穿過(guò)多個(gè)層的通孔；然后封住通孔的 最下端；然后在通孔中形成由銅構(gòu)成的穿透電^^。多種實(shí)施方式涉及一種方法，其包括下列步驟中的至少一個(gè) 提供包括具有堆疊于多個(gè)層中的半導(dǎo)體器件的多層半導(dǎo)體器件的 系統(tǒng)級(jí)封裝體；然后形成延伸穿過(guò)多個(gè)層的通孔；然后在多層半導(dǎo) 體器件的最下表面和通孔的最下端上形成由有機(jī)物質(zhì)構(gòu)成的層以 封住該通孔的最下端；然后在由有才幾物質(zhì)組成的層的最下表面、通 孔的內(nèi)壁和多層半導(dǎo)體器件的最上表面上形成銅子晶層(copper seed layer);然后在銅子晶層上形成銅層；然后去除形成在多層半 導(dǎo)體器件最上部的銅層的一部分；然后去除由有^幾物質(zhì)構(gòu)成的層和 形成在易燃才才沖+層的最下部的銅層，乂人而形成穿透電才及。


才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，示例性圖1A至1F示出了用于形成包 括多層半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級(jí)封裝體的穿透電極的方法。
具體實(shí)施方式
對(duì)在附圖中示出的實(shí)施方式、實(shí)施例作詳細(xì)的說(shuō)明。在所有可 能的地方，在整個(gè)附圖中4吏用相同的標(biāo)號(hào)以表示相同或相似的部 件。參照附圖描述實(shí)施方式的構(gòu)造和效果。在附圖中示出并在本文 中描述的實(shí)施方式的構(gòu)造和效果作為至少一個(gè)例子而被說(shuō)明，并且 實(shí)施方式的4支術(shù)構(gòu)思和必要構(gòu)造和效果不限于此。示例性圖1A至IF示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的一種用于形成 包括多層半導(dǎo)體器件的SIP的穿透電極的方法的連續(xù)步驟。這種方 法可以包括形成具有兩層結(jié)構(gòu)(two-story)的多層半導(dǎo)體器件的穿 透電極。但是，實(shí)施方式可以不限于此，應(yīng)用于形成具有三或更多 層的多層半導(dǎo)體器件的穿透電極的方法。如在示例性圖1A中示出的，通孔102可以形成在并延伸穿過(guò) 多層半導(dǎo)體器件。通孔102可以隨后用導(dǎo)電材沖+填充以形成穿透電 極。在具有多層半導(dǎo)體器件層的SIP中，穿透電極可以延伸穿過(guò)多 個(gè)層來(lái)形成，以便各個(gè)層的半導(dǎo)體器件的電源線或各種輸入和輸出 信號(hào) 一般性地相互連接。如示例性圖IF中示出的，才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的多層半導(dǎo)體 器件可以包括具有第一層晶體管器件的第一晶體管部分104 (其是 多層結(jié)構(gòu)的最下層)、具有第一層中的金屬線的第一金屬部分106、 將第一層的金屬線與上面的金屬層連纟妄的第一經(jīng)過(guò)部分(via portion) 108、具有第二層晶體管器件的第二晶體管部分110、具有 第二層中的金屬線的第二金屬部分112、將第二層的金屬線與上面 的金屬層連4妄的第二通過(guò)部分114、以及穿透電才及122 (其是用于 第一和第二層電源或各種|#入和|敘出信號(hào)的/>共線(commonline ))。^口在示例性圖1A中示出的，為了形成穿透電才及122，其可以 是第一和第二層半導(dǎo)體器件的公共線，通孔102可以通過(guò)延伸穿過(guò) 第一和第二層而形成。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，通孔102可以通過(guò) 反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)來(lái)形成。如在示例性圖IB中示出的，然后通孔102的最下端通過(guò)涂lt 具有高粘性的易燃材料116而被封住。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，具 有高粘性的易燃材料116可以是有機(jī)可焊性保護(hù)劑(OSP)。 OSP可以通過(guò)在印刷電if各^反的^t墊的表面涂敷有才幾物質(zhì)來(lái)防止銅(Cii) 表面與空氣4妄觸，乂人而防止銅氧化。涂^t在^H"墊表面的有才幾物質(zhì)是 類似熔劑(flux)的物質(zhì)，其是用在正如預(yù)涂熔處理(preflux treatment)的方法中的具有高粘性的表面處理材料。如在示例性圖IB中進(jìn)一步示出的，由有4幾可焊性保護(hù)劑構(gòu)成 的易燃材沖牛層116可以涂在通孔102的最下端以形成封條。通過(guò)形 成有機(jī)可焊性保護(hù)劑來(lái)密封孔102的底端的原因如下。第一，當(dāng)隨 后形成Cu子晶層(Cu seed layer )時(shí)，因?yàn)榭?02的反向開(kāi)口被打 幵并且通孔102具有非常深的深度，所以銅無(wú)法沉積到通孔102中。 因此，銅子晶層無(wú)法利用物理氣相沉積(PVD)而形成。所以，通 孔102的最下端可以通過(guò)由有才幾可焊性4呆護(hù)劑構(gòu)成的易燃材沖牛116 的形成而^皮去:H主，以能夠通過(guò)電解4同電鍍(electrolysis Cu plating ) 來(lái)形成子晶層。第二，在銅電鍍法(ECP)后，隨后形成于通孔102 的最下端并作為多層半導(dǎo)體器件的最下端的銅層121可以被容易地 去除。具體地，因?yàn)殂~層121可以通過(guò)利用ECP電鍍而不是利用鎢 CVD來(lái)形成，所以銅層121也可以鍍到通孔102的最下端。然而， 如果易燃材料層116的有才幾可焊性保護(hù)劑形成在通孔102的最下端 與銅層121之間，那么當(dāng)易燃材料層116在隨后的加熱處理中熔化 時(shí)，銅層121可以容易地-陂分離。第三，因?yàn)橛捎胁艓卓珊感?呆護(hù)劑 組成的易燃材料層116具有高粘性，所以在其形成期間易燃材料層 116不能流入通孔102中，并且Cu子晶層118可以在通孔102的內(nèi) 壁上和/或上方緊密地形成。如在示例性圖1C中示出的，然后，銅子晶層118可以通過(guò)電 解銅電鍍法(ECP)形成。銅子晶層118可以通過(guò)ECP形成，并且 銅開(kāi)始電鍍?cè)谂c電解液4妄觸的所有部分上和/或上方。電解電鍍是一 種化學(xué)電鍍法，其中金屬離子通過(guò)化學(xué)還原劑的作用被還原，而不 利用外部的電流。根據(jù)電解電鍍，有可能無(wú)論材料的形狀如何都可獲得均勻的和致密的電鍍層。電解電鍍也可以電鍍非金屬材料以及電鍍含有還原劑的合金。電解Cu電鍍是指利用銅(Cu)電解電鍍。如在示例性圖1C中進(jìn)一步示出的，銅可以鍍到通孑L 102的側(cè) 壁和易燃材并+層116的最下部以形成銅子晶層118。
銅子晶層118 可具有范圍在50A到1500A之間的厚度。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式， 銅子晶層118的厚度可以是800A。因?yàn)殂~層以低速率在電解銅電 鍍中形成，所以只形成銅子晶層118,并且通過(guò)稍后實(shí)施ECP將銅 填充入通孔102。通過(guò)ECP形成銅子晶層118的原因如下。第一， 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，為了將銅填充在與通孔102的開(kāi)口區(qū)域相比 具有較深的深度通孔102中，使用ECP方法代替常用的鎢CVD。 因?yàn)镋CP是電4反電鍍(或電片反電鍍，electro plating),所以需要事 先形成子晶層。第二，在利用常用的PVD用于形成子晶層的方法 中，很難在其反面具有開(kāi)口并相對(duì)于開(kāi)口區(qū)具有較深深度的通孔 102中緊密:t也形成子晶層。因此，J吏用了ECP方法。如在示例性圖1D中示出的，然后銅可以通過(guò)實(shí)施電板銅電鍍 工藝填充到通孔102中，以在通孔102中和導(dǎo)體器件上和/或上方形 成第一銅層120以及在易燃材料層116上形成第二銅層121上。才艮 據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式，可以通過(guò)能夠自底向上填充(bottom-up filling ) 的電板銅電鍍法取代常用的鵠CVD法將銅填充進(jìn)通孔102中。電 板銅電鍍工藝是指使用銅(Cu)的電板電鍍工藝。自底向上填充是 一種用于提高薄膜從通孔102底部形成的速度的技術(shù)，通過(guò)注入添 力口劑到電鍍?nèi)芤翰⒅芷谛院头聪蚴┘拥诫妶?chǎng)中而實(shí)施。銅乂人通孑L 102的底部生長(zhǎng)的速率可以高于從通孔102的側(cè)壁生長(zhǎng)的速率。因 此，有效地將銅填充到相比于開(kāi)口區(qū)具有4交深深度的通孔102中是 可能的。由電板銅電鍍工藝產(chǎn)生的銅層120和121可以形成于多層 半導(dǎo)體器件的整個(gè)表面上和/或上方。因此，銅層120和121可以形 成于通孔102的里面、形成在對(duì)應(yīng)于多層半導(dǎo)體器件的最上部的通孔102的最上端、以及形成在對(duì)應(yīng)于多層半導(dǎo)體器件的最下部的易 燃材津+層116的下端。如在示例性圖1E中示出的，形成于多層半導(dǎo)體器件的最上部 的銅層120的一部分，例如，覆蓋對(duì)應(yīng)于多層半導(dǎo)體器件的最上端 的通孑L 102的最上部，然后可以通過(guò)化學(xué)才幾才戒拋光(CMP)法而尋皮 平面化(或平坦化，planarized)。如在示例性圖1F中示出的，然后易燃材料層116和形成于易 燃材料層的最下端的銅層121可以經(jīng)過(guò)熱處理被去除。例如可以在 100°C到300°C的溫度范圍內(nèi)實(shí)施熱處理?？梢栽?50°C時(shí)實(shí)施熱 處理。熱處理可以實(shí)施30分鐘至IOO分鐘。熱處理可以實(shí)施60分 鐘的時(shí)間。因此，易燃材料層116的有機(jī)可焊性保護(hù)劑，其是具有 高粘性的有機(jī)可焊性保護(hù)劑，通過(guò)利用加熱而被熔化并被除去。同 時(shí)，形成于易燃材沖牛層116的最下端的銅層121可以容易i也分離并 被去除，從而形成了穿透電極122。如上所述，#4居本發(fā)明實(shí)施方式的用于在系統(tǒng)級(jí)封裝體中形成 金屬電極的方法，對(duì)于有效地形成相比于堆疊的半導(dǎo)體器件的高度或厚度具有較深深度的穿透電極是效果的。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的 穿透電極可以作為各個(gè)半導(dǎo)體器件的公共電極。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方 式的通孔可以延伸穿過(guò)用于堆疊和封裝多個(gè)半導(dǎo)體器件的封裝系 統(tǒng)的多個(gè)層。進(jìn)一步，通過(guò)OSP涂敷、電解銅電鍍和電板銅電鍍工 藝，將銅緊密地填充在相比于開(kāi)口區(qū)具有較深深度的通孔中是有效 的。盡管參考多種其示例性的實(shí)施方式描述實(shí)施方式例，但是應(yīng)該 理解，本領(lǐng)域4支術(shù)人員可以想到多種其他修改和實(shí)施例，它們都將 落入本發(fā)明公開(kāi)的原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地是，在本發(fā)明7> 開(kāi)、附圖、以及所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以在發(fā)明主題結(jié)合排列的排列方式和/或組成部分方面進(jìn)行各種+務(wù)改和改變。除了組成部分 和/或排列方面的^f奮改和改變以外，可選擇的應(yīng)用對(duì)本領(lǐng)i或4支術(shù)人員 來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的選擇。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括提供系統(tǒng)級(jí)封裝體，包括具有堆疊在多個(gè)層中的半導(dǎo)體器件的多層半導(dǎo)體器件；以及形成延伸穿過(guò)所述多個(gè)層的通孔；以及在所述通孔的最下部形成具有高粘性的易燃材料；以及通過(guò)將銅填充在所述通孔中形成穿透電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成穿透電極包括在所述多層半導(dǎo)體器件的全部表面上以及所述通孔的內(nèi) 壁上形成銅子晶層；以及在所述通孔內(nèi)和所述多層半導(dǎo)體器件的整個(gè)表面上和所 述通孔的內(nèi)壁上形成銅層；以及去除形成在所述多層半導(dǎo)體器件最上部的所述銅層；以及去除易燃材料層以及形成在所述易燃材料層最下部的所 述銅層的一部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述去除形成在所述多層半 導(dǎo)體器件的最上部的所述銅層的所述部分是利用平面化工藝實(shí)施的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述去除形成于所述多層半 導(dǎo)體器件的最上部的所述銅層的所述部分是通過(guò)化學(xué)枳4成拋 光實(shí)施的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述銅子晶.層以具有范圍在 50A到1500A之間的厚度而形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中利用電解電鍍法形成所述銅 子晶層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中利用電板電鍍?cè)谒鐾字?形成所述銅層。
8. 才艮據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述去除所述易燃材料層和 形成在所述易燃材沖+層的最下部的所述銅層的所述部分是通 過(guò)熱處^里來(lái)實(shí)施的。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述熱處理在溫度范圍在 IO(TC至300。C之間和30至100分鐘的時(shí)間范圍內(nèi)進(jìn)^f亍。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述易燃材料層包括有機(jī)可 焊性保護(hù)劑。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所迷通孔是通過(guò)反應(yīng)型離子 蝕刻來(lái)形成的。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述通孔具有大的深寬比。
13. —種方法，包4舌提供系統(tǒng)級(jí)封裝體，包括具有堆疊在多個(gè)層中的半導(dǎo)體 器件的多層半導(dǎo)體器件；以及形成延伸穿過(guò)所述多個(gè)層的通孔；以及封住所述通孔的最下端；以及
14. 才艮據(jù)^又利要求13所述的方法，其中所述封住通孔的所述最下 端包括在所述通孔的所述最下端形成由易燃材沖牛構(gòu)成的層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述易燃材料具有高粘度。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述易燃材料包括有機(jī)物 質(zhì)。
17. 4艮據(jù)4又利要求14所述的方法，其中形成所述穿透電才及包4舌在所述多層半導(dǎo)體器件的最下表面和最上表面以及所述 通孔的內(nèi)壁上形成銅子晶層；以及在所述銅子晶層上形成所述銅層；以及去除形成在所述多層半導(dǎo)體器件的所述最上表面的所述 銅層的一部分；以及去除所述易燃材料層和形成在所述易燃材料層的最下表 面上的所述銅層的一部分。
18. —種方法，包4舌提供系統(tǒng)級(jí)封裝體，包括具有堆疊在多個(gè)層中的半導(dǎo)體 器件的多層半導(dǎo)體器件；以及形成延伸穿過(guò)所述多個(gè)層的通孔；以及在所述多層半導(dǎo)體器件的最下表面和所述通孔的最下端 形成由有才幾物質(zhì)構(gòu)成的層，以去H主所述通孔的所述最下端；以 及在所述由有^L物質(zhì)構(gòu)成的層的最下表面、所述通孔的內(nèi) 壁以及所述多層半導(dǎo)體器件的最上表面上形成銅子晶層；以及在所述銅子晶層上形成銅層；以及去除形成在所述多層半導(dǎo)體器件的最上部的所述銅層的 一部分；以及去除由有機(jī)物質(zhì)構(gòu)成的層以及形成在所述易燃材料的最 下部的所述銅層，/人而形成穿透電^L。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述由有機(jī)物質(zhì)構(gòu)成的層 是易燃的并具有高粘度。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述由有機(jī)材料構(gòu)成的層 包含有機(jī)可焊性保護(hù)劑材料。
全文摘要
一種用于形成具有堆疊在多個(gè)層中的半導(dǎo)體器件的多層半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級(jí)封裝體的金屬電極的方法。所述方法可以包括形成延伸穿過(guò)多個(gè)層的通孔、在該通孔的下部形成具有高粘度的易燃材料層從而封住其下部、并通過(guò)將銅填充在該通孔中來(lái)形成穿透電極。存在一種在系統(tǒng)級(jí)封裝體中有效地形成相對(duì)于堆疊的半導(dǎo)體器件的高度具有較深深度的穿透電極的效果。通過(guò)涂敷OSP、電解銅電鍍和銅電鍍工藝可以有效地在具有大的深寬比的通孔中填充銅。
文檔編號(hào)H01L21/28GK101330011SQ20081010049
公開(kāi)日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2008年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月22日
發(fā)明者黃宗擇 申請(qǐng)人:東部高科股份有限公司