專利名稱：具有薄膜電路元件的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。 現(xiàn)有技術(shù)日本的特許3540729號(hào)專利公報(bào)中公開(kāi)了一種稱為CSP (chip size package:芯片尺寸封裝)的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置具有螺旋形的薄膜 電感元件。該半導(dǎo)體裝置在半導(dǎo)體基板上設(shè)置多根布線和與該布線連接的 螺旋形狀的薄膜電感元件，在布線的連接焊盤上設(shè)有柱狀電極，在柱狀電 極的周圍設(shè)置密封膜，在柱狀電極上設(shè)置焊球。但是，日本的特許3540729號(hào)專利公報(bào)中公開(kāi)的半導(dǎo)體裝置，由于在 半導(dǎo)體基板上設(shè)置多根布線和與該布線連接的螺旋形狀的薄膜電感元件， 在布線的連接焊盤上設(shè)有柱狀電極，因此在半導(dǎo)體基板的同一層上除包含 柱狀電極的布線形成區(qū)域之外，還必須確保螺旋形狀的薄膜電感元件形成 區(qū)域，存在布線布設(shè)受限制的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體裝置，即使具有螺旋形狀的薄 膜電感元件等薄膜電路元件，也能夠減少對(duì)布線的布設(shè)的限制，布線的布 設(shè)良好。在硅基板的上表面設(shè)置的第三上層絕緣膜上，設(shè)有多根布線、柱狀電 極、密封膜和焊球。在硅基板的下表面設(shè)置的襯底絕緣膜的下表面，設(shè)有 螺旋形狀的薄膜電感元件。薄膜電感元件的內(nèi)端和外端通過(guò)在硅基板等上 表面設(shè)置的上下導(dǎo)通部與布線連接。這種情況下，不必在形成布線的第三 上層絕緣膜的上表面確保薄膜電感元件形成區(qū)域，因此即使具有薄膜電感 元件，也能夠使第三上層絕緣膜上表面形成的布線的布設(shè)不容易受到限制。 根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體基板，在一面上具有多個(gè)連接焊盤；多根第一布線，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的一 面?zhèn)?，與上述連接焊盤連接；薄膜電路元件，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的另 一面?zhèn)?；以及上下?dǎo)通部，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上，把上述薄膜電路元 件和上述布線連接。根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體裝置， 具有半導(dǎo)體基板，在一面上具有多個(gè)連接焊盤；多根第一布線，設(shè)置在 上述半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)龋c上述連接焊盤連接；薄膜電路元件，設(shè)置在 上述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)?，是具有螺旋形狀的薄膜電感元件；以及上?導(dǎo)通部，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上，連接上述薄膜電路元件和上述第一布 線。根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體基 板，在一面上具有多個(gè)連接焊盤；多根第一布線，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板 的一面?zhèn)?，與上述連接焊盤連接；薄膜電路元件，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板 的一面?zhèn)?，與上述布線連接；多根第二布線，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的另 一個(gè)面?zhèn)?；以及上下?dǎo)通部，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上，連接上述第一布 線和上述第二布線。根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體裝置，具有半導(dǎo)體基 板，在一面上具有多個(gè)連接焊盤；多根第一布線，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板 的一面?zhèn)?，與上述連接焊盤連接；薄膜電路元件，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板 的一面?zhèn)?，與上述布線連接，是具有螺旋形的薄膜電感元件；多根第二布 線，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的另一個(gè)面?zhèn)?；以及上下?dǎo)通部，設(shè)置在上述 半導(dǎo)體基板上，連接上述第一布線和上述第二布線。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置得主要部分的剖視圖； 圖2是圖1所示半導(dǎo)體裝置的底視圖；圖3是圖1所示半導(dǎo)體裝置的制造方法的一例中，最初準(zhǔn)備的剖視圖；圖4是接著圖3工序的剖視圖；圖5是接著圖4工序的剖視圖；圖6是接著圖5工序的剖視圖；圖7是接著圖6工序的剖視圖；圖8是接著圖7工序的剖視圖； 圖9是接著圖8工序的剖視圖； 圖l 0是接著圖9工序的剖視圖；圖1 1是接著圖1 0工序的剖視圖；圖l 2是接著圖1 l工序的剖視圖；圖1 3是接著圖1 2工序的剖視圖；圖l 4是接著圖1 3工序的剖視圖；圖l 5是接著圖1 4工序的剖視圖；圖l 6是接著圖1 5工序的剖視圖；圖l 7是接著圖1 6工序的剖視圖；圖l 8是接著圖1 7工序的剖視圖；圖1 9是本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的剖視圖；圖2 0是圖1 9所示半導(dǎo)體裝置的底視圖；圖2 1是本發(fā)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置主要部分的剖視圖； 圖2 2是本發(fā)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置主要部分的剖視圖；圖2 3是本發(fā)明第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置主要部分的剖視圖。
具體實(shí)施方式
(第一實(shí)施方式)圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置主要部分的剖視圖，圖2是 圖1所示的半導(dǎo)體裝置的底視圖。這種情況下，圖1是沿著圖2中的I一 I線剖開(kāi)的剖視圖。該半導(dǎo)體裝置是一般被稱為C S P的裝置，具有平面 形狀為方形的硅基板(半導(dǎo)體基板)1。在硅基板1的上表面設(shè)有規(guī)定功 能的集成電路(未圖示)，在上表面周邊部分設(shè)有鋁系金屬等構(gòu)成的多個(gè)連 接焊盤2，與集成電路連接。在硅基板1的上表面除去連接焊盤2的中央部分之外，設(shè)置由氧化硅 等構(gòu)成的第一上層絕緣膜3 ，連接焊盤2的中央部分通過(guò)在第一上層絕緣 膜3上設(shè)置的開(kāi)口部4露出。在硅基板1和第一上層絕緣膜3的中央部分 和其他規(guī)定的一個(gè)位置(共計(jì)兩個(gè)位置)，設(shè)有貫通孔5。在包含貫通孔5的內(nèi)壁面的第一上層絕緣膜3的上表面，設(shè)有由氮化硅等構(gòu)成的第二上層絕緣膜6 。這種情況下，在貫通孔5的內(nèi)壁面設(shè)置的 第二上層絕緣膜6構(gòu)成具有貫通孔7的筒狀部分。而且，在與第一上層絕 緣膜3的開(kāi)口部4對(duì)應(yīng)的部分的第二上層絕緣膜6上，設(shè)有開(kāi)口部8 。在第二上層絕緣膜6的上表面，設(shè)有由聚酰亞胺類樹(shù)脂等構(gòu)成的第三 上層絕緣膜(保護(hù)膜)9。這種情況下，在與第二上層絕緣膜6的貫通孔 7對(duì)應(yīng)的部分的第三上層絕緣膜9上，設(shè)有開(kāi)口部l 0。而且，在與第二 上層絕緣膜6的開(kāi)口部8對(duì)應(yīng)的部分的第三上層絕緣膜9上，設(shè)有開(kāi)口部11 o在第三上層絕緣膜9的上表面，設(shè)有由銅等構(gòu)成的襯底金屬層1 2 。 在襯底金屬層l 2的整個(gè)上表面上，設(shè)有由銅構(gòu)成的布線l 3。包含襯底 金屬層1 2的布線1 3的一端通過(guò)第一 第三上層絕緣膜3 、 6 、 9的開(kāi)口 部4、 8、 1 l與連接焊盤2連接。其中，包含襯底金屬層l 2的規(guī)定兩根布線1 3的規(guī)定部分與上下導(dǎo) 通部14的上部連接成一體，所述上下導(dǎo)通部14由第二上層絕緣膜6的貫 通孔7、在第三上層絕緣膜9的開(kāi)口部1 0的內(nèi)壁面設(shè)成筒狀的襯底金屬 層12a、和設(shè)在襯底金屬層12a的內(nèi)部的銅部13a構(gòu)成。這種情況下，由筒 狀的襯底金屬層12 a和設(shè)在襯底金屬層12a的內(nèi)部的銅部13a構(gòu)成的上下 導(dǎo)通部14的下表面，與硅基板1的下表面成為一個(gè)面。在布線13的連接焊盤上表面，設(shè)有由銅構(gòu)成的柱狀電極15。在包含 布線13的第三上層絕緣膜9的上表面，由環(huán)氧系樹(shù)脂等構(gòu)成的密封膜16 設(shè)置成該密封膜16的上表面與柱狀電極15的上表面成為同一面。在柱狀 電極15的上表面設(shè)有焊球17。在硅基板1的下表面，設(shè)有由聚酰亞胺類樹(shù)脂等構(gòu)成的襯底絕緣膜21 。 在與上下導(dǎo)通部14的下表面對(duì)應(yīng)的部分的襯底絕緣膜21上，設(shè)有開(kāi)口部 22。在襯底絕緣膜21的下表面，由銅等構(gòu)成的薄膜電感元件用襯底金屬層 23設(shè)置成如圖2所示的螺旋形狀。在薄膜電感元件用襯底金屬層23的整個(gè) 下表面，設(shè)有由銅構(gòu)成的薄膜電感元件(薄膜電路元件)24，薄膜電感元 件24形成為平面形狀為如圖2所示的螺旋狀。包含薄膜電感元件用襯底金屬層23的薄膜電感元件24的內(nèi)端部24a 在硅基板1的中央部分，通過(guò)襯底絕緣膜21的開(kāi)口部22與上下導(dǎo)通部14的下表面連接。包含薄膜電感元件用襯底金屬層23的薄膜電感元件24的 外端部24b在硅基板1的其他規(guī)定的一個(gè)位置，通過(guò)襯底絕緣膜21的開(kāi)口 部22與上下導(dǎo)通部14的下表面連接。在包含薄膜電感元件24的襯底絕緣 膜21的下表面，設(shè)有由焊錫抗蝕劑等構(gòu)成的襯底外敷膜25。如上所述，在該半導(dǎo)體裝置上，在硅基板1的上表面?zhèn)仍O(shè)置有與柱狀 電極15連接的多根布線13，在硅基板1的下表面?zhèn)仍O(shè)有薄膜電感元件24， 因此沒(méi)必要在硅基板1的上表面?zhèn)燃葱纬捎胁季€13的第三上層絕緣膜9的 上表面確保薄膜電感元件24的形成區(qū)域。因此，即使具有薄膜電感元件24， 也能夠減少對(duì)第三上層絕緣膜9的上表面形成的布線13的布設(shè)的限制。因 此，能夠提供具有布設(shè)良好的布線13的半導(dǎo)體裝置。下面，說(shuō)明所述半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)例子。首先，如圖3所 示，準(zhǔn)備硅基板，在晶片狀態(tài)的硅基板(下表面稱為半導(dǎo)體晶片31)的上 表面形成由鋁系金屬等構(gòu)成的連接焊盤2和由氧化硅等構(gòu)成的第一上層絕 緣膜3，連接焊盤2的中央部分通過(guò)形成在第一上層絕緣膜3上的開(kāi)口部4 而露出。這種情況下，在半導(dǎo)體晶片31的上表面，形成各個(gè)半導(dǎo)體裝置的區(qū)域 內(nèi)形成規(guī)定功能的集成電路(未圖示)，連接焊盤2與在分別對(duì)應(yīng)的領(lǐng)域內(nèi) 形成的集成電路電連接。而且，半導(dǎo)體晶片31的厚度比圖1所示的硅基板 1的厚度厚一些。然后，如圖4所示，第一上層絕緣膜3和半導(dǎo)體晶片31上表面的貫通 孔5形成區(qū)域，通過(guò)照射激光束的激光加工方法或者光刻法形成凹部5a。 作為例子，凹部5a的深度比圖1所示的第一上層絕緣膜3和硅基板1的合 計(jì)厚度深20inm左右。然后，如圖5所示，在包含凹部5a內(nèi)部等的硅基板1的上表面通過(guò)等 離子CVD方法等形成由氮化硅等構(gòu)成的第二上層絕緣膜6。這種狀態(tài)下， 在凹部5a的內(nèi)壁面形成的第二上層絕緣膜6成為具有凹部7a的有底的筒 狀部。然后，在與第一上層絕緣膜3的開(kāi)口部4對(duì)應(yīng)的部分的第二上層絕 緣膜6上，通過(guò)光刻法形成開(kāi)口部8。然后，如圖6所示，在第二上層絕緣膜6的上表面通過(guò)網(wǎng)版印刷方法 或者旋噴等方法，形成由聚酰亞胺類樹(shù)脂等構(gòu)成的第三上層絕緣膜9。然后，在與第二上層絕緣膜6的凹部7a和開(kāi)口部8對(duì)應(yīng)的部分的第三絕緣膜9上， 通過(guò)光刻法，形成開(kāi)口部IO、 11。然后，如圖7所示，在包含連接焊盤2的上表面的第三上層絕緣膜9 的整個(gè)上表面形成襯底金屬層12，所述連接焊盤2的上表面通過(guò)第一 第 三上層絕緣膜3、 6、 9的開(kāi)口部4、 8、 ll露出。這種情況下，襯底金屬層 12可以是通過(guò)無(wú)電解電鍍只形成銅層，也可以僅僅是通過(guò)濺射方法形成的 銅層，也可以是在通過(guò)濺射方法形成的鈦等薄膜上通過(guò)濺射方法形成銅層 的金屬層。這些與后面將描述的薄膜電感元件用襯底金屬層23的情形相同。然后，在襯底金屬層12的上表面構(gòu)圖形成電鍍抗蝕劑膜32。這種情 況下，在與布線13形成區(qū)域?qū)?yīng)的部分的電鍍抗蝕劑膜32上，形成有開(kāi) 口部33。然后，通過(guò)以襯底金屬層12作為電鍍電流通路進(jìn)行銅電解電鍍， 在電鍍抗蝕劑膜32的開(kāi)口部33內(nèi)的襯底金屬層12的上表面形成布線13。 在該狀態(tài)下，由襯底金屬層12a和銅部13a形成上下導(dǎo)通部14，襯底金屬 層12a在第二上層絕緣膜6的凹部7a和第三上層絕緣膜9的開(kāi)口部10的 內(nèi)壁面形成為有底的筒狀，銅部13a形成在襯底金屬層12a的內(nèi)部。然后，若剝離電鍍抗蝕劑膜32，就成為如圖8所示。然后，將包含半 導(dǎo)體晶片31的凹部5a內(nèi)所形成的第二上層絕緣膜6和襯底金屬層12a的、 半導(dǎo)體晶片31的下表面進(jìn)行磨削，若磨削到至少露出形成在凹部5a內(nèi)形 成的銅部13的底面，則成為如圖9所示。在這種狀態(tài)下，在半導(dǎo)體晶片31上形成由凹部5a的殘留部分構(gòu)成的 貫通孔5，在該貫通孔5內(nèi)形成的筒狀的第二上層絕緣膜6上形成有由凹部 7a殘留部分構(gòu)成的貫通孔7。而且，在半導(dǎo)體晶片31的貫通孔5內(nèi)形成的 筒狀的第二上層絕緣膜6、筒狀的襯底金屬層12a和銅部13a的下表面與半 導(dǎo)體晶片31的下表面成為一面。而且，筒狀的襯底金屬層12a和銅部13a 的下表面也可以與半導(dǎo)體晶片31 —起研磨一定程度。然后，如圖10所示，在半導(dǎo)體晶片31的下表面，通過(guò)網(wǎng)版印刷方法 或者旋轉(zhuǎn)涂敷方法等，形成由聚酰亞胺類樹(shù)脂等構(gòu)成的襯底絕緣膜21。然 后，在與上下導(dǎo)通部14的下表面對(duì)應(yīng)的部分的襯底絕緣膜21上，通過(guò)光 刻法形成開(kāi)口部22。然后，如圖ll所示，在包含通過(guò)襯底絕緣膜21的開(kāi)口部22露出的上下導(dǎo)通部14的下表面的襯底絕緣膜21的整個(gè)下表面，通過(guò)濺射方法等， 形成由銅等構(gòu)成的薄膜電感元件用襯底金屬層23。然后，在薄膜電感元件 用襯底金屬膜23的下表面構(gòu)圖形成電鍍抗蝕劑膜34。這種情況下，在與薄 膜電感元件24形成區(qū)域?qū)?yīng)的部分的電鍍抗蝕劑膜34上，形成有開(kāi)口部 35。然后，以薄膜電感元件用襯底金屬層23作為電鍍電流通路進(jìn)行銅電解 電鍍，在電鍍抗蝕劑膜34的開(kāi)口部35內(nèi)的薄膜電感元件用襯底金屬層23 的下表面形成螺旋形狀的薄膜電感元件24。然后，剝離電鍍抗蝕劑膜34， 然后，以薄膜電感元件24作為掩膜，通過(guò)蝕刻方法把薄膜電感元件用襯底 金屬層23的不必要部分除去，如圖12所示，只在薄膜電感元件24上殘留 薄膜電感元件用襯底金屬層23。這種狀態(tài)下，包含薄膜電感元件用襯底金屬層23的薄膜電感元件24 的內(nèi)端和外端，通過(guò)襯底絕緣膜21的開(kāi)口部22連接到上下導(dǎo)通部14的下 表面。然后，如圖13所示，在包含薄膜電感元件24的襯底絕緣膜21的下 表面，通過(guò)網(wǎng)版印刷方法或者旋轉(zhuǎn)涂敷方法等，形成由焊錫抗蝕劑等構(gòu)成 的下層外敷膜25。然后，如圖14所示，在包含布線13的襯底金屬層12的上表面，通過(guò) 構(gòu)圖形成(patterning)電鍍抗蝕劑膜36。這種情況下，在與布線13的連 接焊盤即柱狀電極15形成區(qū)域?qū)?yīng)的部分的電鍍抗蝕劑膜36上，形成有 開(kāi)口部37。然后，以襯底金屬層12作為電鍍電流通路進(jìn)行銅電解電鍍，在 電鍍抗蝕劑膜36的開(kāi)口部37內(nèi)的布線13的連接焊盤上表面形成柱狀電極 15。然后，剝離電鍍抗蝕劑膜36，接著以布線13作為掩膜，通過(guò)蝕刻方 法把襯底金屬層12的不必要部分除去，如圖15所示，只在布線13的下表 面殘留襯底金屬層12。然后，如圖16所示，在包含布線13和柱狀電極15 的第三上層絕緣膜9的上表面，通過(guò)網(wǎng)版印刷方法或者旋轉(zhuǎn)涂敷方法等， 形成由環(huán)氧類樹(shù)脂等構(gòu)成的密封膜16，它的厚度比柱狀電極15的高度高。 因此，在這種狀態(tài)下，柱狀電極15的上表面被密封膜16覆蓋。然后，適當(dāng)磨削密封膜16的上表面，如圖17所示，露出柱狀電極15 的上表面，而且，使包含所述露出的柱狀電極15的上表面的密封膜16的上表面變平坦。然后，如圖18所示，在柱狀電極15的上表面形成焊球17。 然后，經(jīng)過(guò)切割工序，獲得多個(gè)如圖1所示的半導(dǎo)體裝置。(第二實(shí)施方式)圖19是本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的剖視圖，圖2 0是它的底視圖。這種情況下，圖19是沿著圖2 0中的XIX—XIX線剖開(kāi) 的剖視圖。在該半導(dǎo)體裝置中，與圖1和圖2所示的半導(dǎo)體裝置最大的區(qū) 別在于，在硅基板1的中央部分沒(méi)有設(shè)置上下導(dǎo)通部14，在硅基板1的周 邊的規(guī)定的兩個(gè)位置設(shè)置上下導(dǎo)通部14，而且，具有薄膜電感元件用布線 45。艮口，在硅基板1的周邊的規(guī)定的兩個(gè)位置設(shè)有貫通孔5。在貫通孔5 內(nèi)設(shè)置的第二上層絕緣膜6的貫通孔7內(nèi)，設(shè)有上下導(dǎo)通部14。在包含薄 膜電感元件24的襯底絕緣膜21的下表面，設(shè)置由聚酰亞胺類樹(shù)脂等構(gòu)成 的下層絕緣膜41。在與襯底絕緣膜21的一個(gè)開(kāi)口部22對(duì)應(yīng)的部分的下層 絕緣膜41上，形成有開(kāi)口部42。在與薄膜電感元件24的內(nèi)端中央部分對(duì) 應(yīng)的部分的下層絕緣膜41上，設(shè)有開(kāi)口部43。在下層絕緣膜41的下表面設(shè)有包含襯底金屬層44的薄膜電感元件用 布線45。包含襯底金屬層44的薄膜電感元件用布線45的一端通過(guò)襯底絕 緣膜21和下層絕緣膜41的開(kāi)口部22、 42，連接到一個(gè)上下導(dǎo)通部14的下'表面。包含襯底金屬層44的薄膜電感元件用布線45的另一端通過(guò)下層絕 緣膜41的開(kāi)口部43，與薄膜電感元件24的內(nèi)端部24a連接。薄膜電感元 件24的外端部24b通過(guò)襯底絕緣膜21的開(kāi)口部22，與另一個(gè)上下導(dǎo)通部 14的下表面連接。在包含薄膜電感元件用布線45的下層絕緣膜41的下表 面，設(shè)有下層外敷膜25。; 在該半導(dǎo)體裝置中，由于在硅基板1的周邊的規(guī)定的兩個(gè)位置上設(shè)有上下導(dǎo)通部14，即在硅基板1的中央部分沒(méi)有設(shè)置上下導(dǎo)通部14，因此能 夠有效利用硅基板1的上表面整個(gè)中央部分，例如，能夠在硅基板1的上 表面整個(gè)中央部分形成集成電路。而且，由于通過(guò)上述制造方法容易理解該半導(dǎo)體裝置的制造方法，因>此省略說(shuō)明。(第三實(shí)施方式)圖21是本發(fā)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的剖視圖。在該 半導(dǎo)體裝置中，與圖19所示的半導(dǎo)體裝置最大的區(qū)別是在襯底絕緣膜21 的下表面設(shè)置薄膜電感元件用布線45，在下層絕緣膜41的下表面設(shè)置薄膜 電感元件24。這種情況下，薄膜電感元件用布線45的一端通過(guò)襯底絕緣膜21的開(kāi) 口部22連接到一個(gè)上下導(dǎo)通部14的下表面。薄膜電感元件24的內(nèi)端部24a 通過(guò)下層絕緣膜41的開(kāi)口部43連接到薄膜電感元件用布線45的另一端。 薄膜電感元件24的外端部24b通過(guò)襯底絕緣膜21和下層絕緣膜41的開(kāi)口 部22、 42，連接到另一個(gè)上下導(dǎo)通部14的下表面。而且，在下層絕緣膜 41的下表面設(shè)有下層外敷膜25，以覆蓋薄膜電感元件24。而且，由于根據(jù)上述制造方法容易理解該半導(dǎo)體裝置的制造方法，因 此省略說(shuō)明。(第四實(shí)施方式)圖22是本發(fā)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的剖視圖。在該 半導(dǎo)體裝置中，與圖1所示的半導(dǎo)體裝置最大的區(qū)別是在第三上層絕緣膜9 的上表面設(shè)有布線13、薄膜電感元件24和上層外敷膜51，在襯底絕緣膜 21的下表面設(shè)有下層布線52、柱狀電極15、密封膜16和焊球17。這種情況下，薄膜電感元件24的外端部與規(guī)定的一根布線13連接。 薄膜電感元件24的內(nèi)端部24a通過(guò)設(shè)置在硅基板l中央部分的上下導(dǎo)通部 14，連接到規(guī)定的一根下層布線52。布線13通過(guò)硅基板1的其他規(guī)定位置 上設(shè)置的上下導(dǎo)通部14，連接到下層布線52。在該半導(dǎo)體裝置中，由于在硅基板1的上表面設(shè)置薄膜電感元件24， 在硅基板1的下表面設(shè)置多根與柱狀電極15連接的下層布線52，因此不必 在硅基板1的下表面即形成有下層布線52的襯底絕緣膜21的下表面，確 保形成薄膜電感元件24的區(qū)域，因此即使具有薄膜電感元件24，也能夠使 在襯底絕緣膜21的下表面形成的下層布線52的布設(shè)不容易受限制。而且， 由于根據(jù)上述制造方法容易理解該半導(dǎo)體裝置的制造方法，因此省略詳細(xì)說(shuō)明。(第五實(shí)施方式)圖23是本發(fā)明第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的剖視圖。在該 半導(dǎo)體裝置中，與圖22所示的半導(dǎo)體裝置最大的區(qū)別是在硅基板1的中央 部分沒(méi)有設(shè)置上下導(dǎo)通部14,代替該上下導(dǎo)通部而具有薄膜電感元件用布 線65，而且，省略柱狀電極15和密封膜16，在下層布線51的連接焊盤下 表面直接設(shè)置焊球17。艮口，在包含布線13和薄膜電感元件24的第三上層絕緣膜9的上表面， 設(shè)置由聚酰亞胺類樹(shù)脂等構(gòu)成的第四上層絕緣膜61。在與布線13的另一端 和薄膜電感元件24的內(nèi)端對(duì)應(yīng)的部分的第四上層絕緣膜61上形成開(kāi)口部 62、 63。在第四上層絕緣膜61上表面設(shè)置的包含襯底金屬層64的薄膜電感元 件用布線65的一端，通過(guò)第四上層絕緣膜61的開(kāi)口部62而與布線13連 接。包含襯底金屬層64的薄膜電感元件用布線65的另一端，通過(guò)第四上 層絕緣膜61的開(kāi)口部63而與薄膜電感元件24的內(nèi)端部24a連接。薄膜電 感元件24的外端部與布線13連接。在包含薄膜電感元件用布線65的第四 上層絕緣膜61的上表面，設(shè)有上層外敷膜51。在包含下層布線52的襯底絕緣膜21的下表面，設(shè)有下層外敷膜25。 在與下層布線52的連接焊盤對(duì)應(yīng)的部分的下層外敷膜25上，設(shè)有開(kāi)口部 66。在下層外敷膜25的開(kāi)口部66內(nèi)和它的下方，焊球17與下層布線52 的連接焊盤連接而設(shè)置。而且，由于根據(jù)上述制造方法容易理解該半導(dǎo)體 裝置的制造方法，因此省略說(shuō)明。(其他實(shí)施例)例如在圖1和圖2所示的半導(dǎo)體裝置中，在硅基板1的中央部設(shè)置有 貫通孔5，在硅基板l的下表面設(shè)置的薄膜電感元件24的內(nèi)端部分連接到 該貫通孔5的內(nèi)部設(shè)置的上下導(dǎo)通部14的下表面，但是并不限于此。例如， 在硅基板1的上表面整個(gè)中央部分設(shè)有集成電路的情況下，也可以在集成 電路的周圍的硅基板1中設(shè)置貫通孔5，使在硅基板1的下表面設(shè)置的薄膜電感元件24的內(nèi)端連接到在該貫通孔5的內(nèi)部所設(shè)置的上下導(dǎo)通部14的 下表面。這種情況下，也可以在硅基板1的下表面設(shè)置多個(gè)薄膜電感元件 24。根據(jù)本發(fā)明，在半導(dǎo)體基板的一面上設(shè)置多根布線，在半導(dǎo)體基板的 另一面上設(shè)置薄膜電路元件(或者在半導(dǎo)體基板的一面上設(shè)置薄膜電路元 件，在半導(dǎo)體基板的另一面上設(shè)置多根其他布線)，因此不必在半導(dǎo)體基板的一面(或者另一面)上確保薄膜電路元件形成區(qū)域。因此，即使具有薄 膜電路元件，也能夠減少對(duì)半導(dǎo)體基板的一面(或者另一面)上形成的布 線(或者其他布線)的布設(shè)的限制，因此能夠提供布線的布設(shè)良好的半導(dǎo) 體裝置。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有半導(dǎo)體基板，在一面上具有多個(gè)連接焊盤；多根第一布線，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)龋c上述連接焊盤連接；薄膜電路元件，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)?；以及上下?dǎo)通部，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上，把上述薄膜電路元件和上述布線連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述薄膜電路元 件是螺旋形狀的薄膜電感元件。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述薄膜電感元 件的內(nèi)端和外端與設(shè)在上述半導(dǎo)體基板的兩個(gè)位置上的上述上下導(dǎo)通部連 接。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在上述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)?，在與設(shè)有上述薄膜電感元件的層不同的層上，設(shè)有薄膜電感元件用的第二布線；上述薄膜電感元件用布線的一端與上述薄膜電感元件的上述內(nèi)端連接 而設(shè)置，上述薄膜電感元件的上述外端和上述薄膜電感元件用的第二布線的另 一端，連接到設(shè)在上述半導(dǎo)體基板的兩個(gè)位置上的上述上下導(dǎo)通部。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述布線的連 接焊盤上設(shè)有柱狀電極。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述柱狀電極 的周圍設(shè)有密封膜。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述柱狀電極上設(shè)有焊球。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有將所述第一 布線的連接焊盤以外進(jìn)行覆蓋的外敷膜。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述第一布線的連接焊盤上設(shè)有焊球。
10、一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有 半導(dǎo)體基板，在一面上具有多個(gè)連接焊盤；多根第一布線，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)?，與上述連接焊盤連接；薄膜電路元件，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)?，是具有螺旋形?的薄膜電感元件；以及上下導(dǎo)通部，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上，連接上述薄膜電路元件和上 述第一布線。
11、 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有 半導(dǎo)體基板，在一面上具有多個(gè)連接焊盤；多根第一布線，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)?，與上述連接焊盤連接；薄膜電路元件，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)?，與上述布線連接； 多根第二布線，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的另一個(gè)面?zhèn)?；以?上下導(dǎo)通部，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上，連接上述第一布線和上述第 二布線。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述薄膜電 路元件是螺旋形狀的薄膜電感元件。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述薄膜電 感元件的外端與上述第一布線連接，所述薄膜電感元件的內(nèi)端通過(guò)上述半 導(dǎo)體基板上設(shè)置的第二上下導(dǎo)通部，連接到上述第二布線。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述半導(dǎo) 體基板的一面?zhèn)?，在與設(shè)有上述薄膜電感元件的層不同的層上設(shè)有薄膜電 感元件用第二布線；上述薄膜電感元件用的第二布線的一端與上述薄膜電感元件的內(nèi)端連接，上述薄膜電感元件的外端和上述薄膜電感元件用布線的另一端分別與 不同的上述第一布線連接。
15、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述第二布線的連接焊盤上設(shè)有柱狀電極。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述柱狀 電極的周圍設(shè)有密封膜。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述柱狀 電極上設(shè)有焊球。
18、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有將上述 第二布線的連接焊盤以外進(jìn)行覆蓋的外敷膜。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在上述第二 布線的連接焊盤上設(shè)有焊球。
20、 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有 半導(dǎo)體基板，在一面上具有多個(gè)連接焊盤；多根第一布線，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)?，與上述連接焊盤連接；薄膜電路元件，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)?，與上述布線連接，是具有螺旋形的薄膜電感元件；多根第二布線，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的另一個(gè)面?zhèn)?；以?上下導(dǎo)通部，設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上，連接上述第一布線和上述第二布線。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，在硅基板的上表面設(shè)置的第三上層絕緣膜上，設(shè)置多根布線、柱狀電極、密封膜和焊球。在硅基板的下表面設(shè)置的襯底絕緣膜的下表面，設(shè)置螺旋形狀的薄膜電感元件。薄膜電感元件的內(nèi)端和外端通過(guò)在硅基板等上表面設(shè)置的上下導(dǎo)通部連接到布線。這種情況下，不必在形成有布線的第三上層絕緣膜的上表面確保薄膜電感元件形成區(qū)域，因此即使具有薄膜電感元件，也能夠使第三上層絕緣膜的上表面形成的布線的布線不容易受到限制。
文檔編號(hào)H01L23/482GK101281908SQ20081010038
公開(kāi)日2008年10月8日 申請(qǐng)日期2008年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月26日
發(fā)明者三原一郎 申請(qǐng)人:卡西歐計(jì)算機(jī)株式會(huì)社