專利名稱：金屬引線電極的加工方法
金屬引線電極的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及觸摸屏，尤其是涉及一種觸摸屏中的金屬引線電極的加工方法。背景技術(shù)：
電容式觸摸屏、電阻式觸摸屏、有機發(fā)光顯示屏、液晶顯示屏廣泛應(yīng)用于各種信息顯示產(chǎn)品中。這些觸摸屏和顯示屏全部是由透明基板為主要承載體，透明基板通常是玻璃基板(通常叫g(shù)lass)或者是塑料薄膜基板(通常叫film)，該基板上都要布設(shè)ITOandium Tin Oxide，氧化銦錫)透明電極和引線電極，這些電極是觸摸屏和顯示屏器件的重要組成部分。引線電極可以是透明的ITO電極，也可以是不透明的金屬電極。金屬引線電極的導(dǎo)電性很強，所以可以設(shè)計成很細的線條，由于這個優(yōu)點，目前在觸摸屏和顯示屏上廣泛采用金屬引線電極。ITO透明電極和金屬引線電極的如圖1所示。屏幕包括基板1、設(shè)于基板 1上的ITO透明電極2以及與ITO透明電極2電連接的金屬引線3。金屬引線電極由細線狀金屬構(gòu)成，最常見的是ΜοΑΙΜο，另一些是Cr、Cu、Ag以及它們的合金。常見的金屬引線電極的加工方法包括真空濺射鍍膜和光刻，既在完成ITO透明電極之后采用真空濺射鍍金屬以及光刻該金屬線條的方法。然而要使用價格昂貴的真空濺射鍍膜設(shè)備和高精度光刻設(shè)備，過程很復(fù)雜，設(shè)備成本和時間成本都較高。

發(fā)明內(nèi)容基于此，有必要提供一種成本較低的金屬引線電極的加工方法。—種金屬引線電極的加工方法，包括以下步驟在基板上用真空濺鍍法形成透明導(dǎo)電膜層，然后用光刻法將透明導(dǎo)電膜層同時形成透明電極的圖案和引線電極的走線；在透明電極形成的區(qū)域之上形成掩蔽膜；將形成有透明電極的圖案和引線電極的走線、且形成了掩蔽膜的基板清洗后浸泡在還原性溶液中；將充分反應(yīng)后的基板浸泡到化學(xué)鍍液中進行化學(xué)鍍鎳；將所述基板清洗后進行退火處理。優(yōu)選地，在透明電極形成的區(qū)域之上形成掩蔽膜的步驟中，所述掩蔽膜為采用光刻加工的正性光阻膜。優(yōu)選地，在透明電極形成的區(qū)域之上形成掩蔽膜的步驟中，所述掩蔽膜為采用印刷方式形成的油墨膜。優(yōu)選地，所述還原性溶液為堿性還原性溶液。 優(yōu)選地，所述堿性還原溶液為含量為30 40g · Γ1的次磷酸鈉溶液，且所述次磷酸鈉溶液的PH值為8 10。優(yōu)選地，采用所述次磷酸鈉溶液進行還原的反應(yīng)時間為1小時，反應(yīng)溫度為70 90攝氏度。優(yōu)選地，所述化學(xué)鍍液為堿性化學(xué)鍍鎳液。
優(yōu)選地，所述化學(xué)鍍鎳液包含35g · Γ1的硫酸鎳、30g · Γ1的次磷酸鈉、35g · Γ1 的檸檬酸鈉以及IOg · L—1的無水醋酸鈉；且所述化學(xué)鍍鎳液的PH值為9 10。優(yōu)選地，采用所述化學(xué)鍍鎳液進行鍍鎳的反應(yīng)時間為5小時，反應(yīng)溫度為90攝氏度。優(yōu)選地，所述退火處理的條件為140攝氏度下進行4 5小時。上述加工方法，采用簡單的化學(xué)還原反應(yīng)，即可在基板上形成金屬引線電極，操作及設(shè)備均非常簡單，因此大大降低了生產(chǎn)成本。

圖1為觸摸屏結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為一實施例的金屬引線電極的加工方法流程圖；圖3為觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖2的步驟SlOO后形成的觸摸屏結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖2的步驟S200后形成的觸摸屏結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式如圖2所示，為一實施例的金屬引線電極的加工方法流程圖。該方法包括SlOO 在基板上用真空濺鍍法形成透明導(dǎo)電膜層，然后用光刻法將透明導(dǎo)電膜層同時形成透明電極的圖案和引線電極的走線。如圖3所示，為本實施例觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖。該觸摸屏包括基板10、布設(shè)有透明電極21的圖案區(qū)域20以及布設(shè)引線電極31的引線區(qū)域30。本步驟中，采用透明導(dǎo)電材料在圖案區(qū)域20形成透明電極21，并且同時在引線區(qū)域30形成透明導(dǎo)電引線32，如圖4所示。透明電極21和透明導(dǎo)電引線32采用同一種工藝在基板10上同時形成。形成透明電極21和透明導(dǎo)電引線32的工藝為傳統(tǒng)的真空鍍膜和光刻工藝，此處不再贅述。透明導(dǎo)電材料優(yōu)選為氧化銦錫(ITO)。S200 在透明電極形成的區(qū)域之上形成掩蔽膜。即在圖案區(qū)域20之上形成掩蔽膜 40，使透明電極21位于基板10和掩蔽膜40之間，如圖5所示。掩蔽膜40是為了在接下來的步驟中保護透明電極21不被破壞。具體地，掩蔽膜40可采用采用光刻加工，得到正性光阻膜。掩蔽膜40也可采用印刷方式形成油墨膜。S300:將形成有透明電極的圖案和引線電極的走線、且形成了掩蔽膜的基板充分清洗后浸泡在還原性溶液中。經(jīng)過上述步驟之后，基板10之上覆蓋有透明電極21、透明導(dǎo)電引線32以及覆蓋于透明電極21形成的圖案區(qū)域20的掩蔽膜40。將基板10浸泡于還原性溶液中，還原均勻分布的金屬薄層，為后續(xù)的化學(xué)鍍鎳提供物質(zhì)條件，實施例優(yōu)選堿性還原性溶液。本實施例優(yōu)選的一例堿性還原性溶液的主溶質(zhì)為強還原劑次磷酸鈉 (NaH2PO2 -H2O)，含量為30 40g化―1，用氫氧化鈉或氫氧化銨將溶液PH值調(diào)到8 10。在 70 90攝氏度的條件下反應(yīng)1小時。在還原性溶液中，未被掩蔽膜40覆蓋的透明導(dǎo)電引線32與還原性溶液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，還原出金屬。還原出的金屬則沿著原來透明導(dǎo)電引線32 的延伸路徑附著。S400:將充分反應(yīng)后的基板浸泡到化學(xué)鍍液中。實施例優(yōu)選堿性化學(xué)鍍鎳液。本實施例優(yōu)選的一例溶液配方為硫酸鎳(附304*7!120)，含量358*171;次磷酸鈉 (NaH2PO2 · H2O)，含量30g · L—1 ；檸檬酸鈉(Na3C6H5O7)，含量35g · L—1 ；無水醋酸鈉，含量 IOg · L—1 ；加適量氫氧化鈉或氫氧化銨將溶液PH值調(diào)到9 10。在90攝氏度的條件下反應(yīng)5小時，形成厚度約為40 50微米的低磷鎳磷合金層，鎳磷合金層覆蓋在原來透明導(dǎo)電引線32的上面，從而最終形成金屬引線31 (參考圖3)。S500 將所述基板清洗后進行退火處理，本實施例優(yōu)選退火條件為140攝氏度下處理4 5小時。本實施例的方法相比真空濺射鍍膜和光刻的方法，采用的是在大氣狀態(tài)下，經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)直接沉積形成金屬引線電極精細圖案以取代真空濺射的加工方法。由于脫離了苛刻的真空狀態(tài)，設(shè)備就相對簡單得多，沉積工藝的控制也較為簡單，且化學(xué)沉積金屬的速度比真空濺射沉積快很多，可大大提高效率。另外真空濺射方法沉積膜于基板時沒有選擇性， 基板的表面全部被沉積的金屬膜覆蓋，所以必須通過復(fù)雜的光刻工藝把金屬膜刻成精細的引線電極圖案。以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種金屬引線電極的加工方法，其特征在于，包括以下步驟在基板上用真空濺鍍法形成透明導(dǎo)電膜層，然后用光刻法將透明導(dǎo)電膜層同時形成透明電極的圖案和引線電極的走線；在透明電極形成的區(qū)域之上形成掩蔽膜；將形成有透明電極的圖案和引線電極的走線、且形成了掩蔽膜的基板清洗后浸泡在還原性溶液中；將充分反應(yīng)后的基板浸泡到化學(xué)鍍液中進行化學(xué)鍍鎳；將所述基板清洗后進行退火處理。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬引線電極的加工方法，其特征在于，在透明電極形成的區(qū)域之上形成掩蔽膜的步驟中，所述掩蔽膜為采用光刻加工的正性光阻膜。
3.如權(quán)利要求1所述的金屬引線電極的加工方法，其特征在于，在透明電極形成的區(qū)域之上形成掩蔽膜的步驟中，所述掩蔽膜為采用印刷方式形成的油墨膜。
4.如權(quán)利要求1所述的金屬引線電極的加工方法，其特征在于，所述還原性溶液為堿性還原性溶液。
5.如權(quán)利要求4所述的金屬引線電極的加工方法，其特征在于，所述堿性還原溶液為含量為30 40g · L—1的次磷酸鈉溶液，且所述次磷酸鈉溶液的PH值為8 10。
6 如權(quán)利要求5所述的金屬引線電極的加工方法，其特征在于，采用所述次磷酸鈉溶液進行還原的反應(yīng)時間為1小時，反應(yīng)溫度為70 90攝氏度。
7.如權(quán)利要求1所述的金屬引線電極的加工方法，其特征在于，所述化學(xué)鍍液為堿性化學(xué)鍍鎳液。
8.如權(quán)利要求7所述的金屬引線電極的加工方法，其特征在于，所述化學(xué)鍍鎳液包含 35g · L-1的硫酸鎳、30g · L-1的次磷酸鈉、35g · L-1的檸檬酸鈉以及IOg · L-1的無水醋酸鈉； 且所述化學(xué)鍍鎳液的PH值為9 10。
9.如權(quán)利要求8所述的金屬引線電極的加工方法，其特征在于，采用所述化學(xué)鍍鎳液進行鍍鎳的反應(yīng)時間為5小時，反應(yīng)溫度為90攝氏度。
10.如權(quán)利要求1所述的金屬引線電極的加工方法，其特征在于，所述退火處理的條件為140攝氏度下進行4 5小時。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種金屬引線電極的加工方法，包括以下步驟在基板上用真空濺鍍法形成透明導(dǎo)電膜層，然后用光刻法將透明導(dǎo)電膜層同時形成透明電極的圖案和引線電極的走線；在透明電極形成的區(qū)域之上形成掩蔽膜；將形成有透明電極的圖案和引線電極的走線、且形成了掩蔽膜的基板清洗后浸泡在還原性溶液中；將充分反應(yīng)后的基板浸泡到化學(xué)鍍液中進行化學(xué)鍍鎳；將所述基板清洗后進行退火處理。采用簡單的化學(xué)反應(yīng)，在基板上形成金屬引線電極，相比傳統(tǒng)的真空鍍膜和光刻的加工方法，操作及設(shè)備均非常簡單，大大降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號G06F3/041GK102176194SQ20111006687
公開日2011年9月7日 申請日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月18日
發(fā)明者張曉輝, 王戰(zhàn)娥, 金弼 申請人:深圳南玻顯示器件科技有限公司