專利名稱：發(fā)光模塊和驅動所述發(fā)光模塊的方法以及光檢測器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種模塊(下文稱為發(fā)光模塊)，其包括一種器件(下文稱為發(fā)光器件)，所述器件包括在電極之間夾著發(fā)光材料的元件(下文稱為發(fā)光元件)。具體地說，本發(fā)明涉及一種包括發(fā)光元件(下文稱為EL元件)的發(fā)光模塊，其中使用產生EL(場致發(fā)光)作為發(fā)光材料。其中，在按照本發(fā)明的發(fā)光器件中，包括有機EL顯示器和有機發(fā)光二極管(下文稱為OLED)。
此外，在本發(fā)明中使用的發(fā)光材料包括通過單態(tài)激勵(singletexcitation)、三態(tài)激勵(triplet excitation)或者通過單態(tài)和三態(tài)兩種激勵發(fā)光的所有的發(fā)光材料(磷光與/或熒光)。
近些年來，使用產生EL(場致發(fā)光)的有機化合物作為發(fā)光層的EL元件有了很大的發(fā)展，提出了使用多種有機EL膜的EL元件。已經研制了使用這種EL元件作為發(fā)光元件的平屏顯示器。
作為使用EL元件的發(fā)光器件，已知有無源陣列型發(fā)光器件和有源陣列型發(fā)光器件。無源陣列型發(fā)光器件是一種這樣的發(fā)光器件，其中使用一種具有這樣的結構的EL元件，在所述結構中EL膜被夾在以直角相交被設置的帶狀陽極和陰極之間。此外有源陣列型發(fā)光器件是這樣一種發(fā)光器件，其中每個像素具有薄膜晶體管(下文稱為TFT)，所述TFT和EL元件的陽極和陰極中的一個相連，用于控制通過EL元件的電流。
無源型發(fā)光器件的優(yōu)點在于，其具有能夠降低成本的簡單的結構，但是其缺點是，當像素具有較高的分辨率時(像素數量增加)，EL元件的發(fā)光強度需要增加，即需要較大的電流，因而使得增加功率消耗和較少壽命。
在另一方面，在有源陣列型發(fā)光器件中，因為像素被TFT控制，所以像素能夠保持數據，并且可以使EL元件的亮度保持恒定，而和像素的數量無關，即，EL元件的亮度可以被減到最小，只要用戶可以看到即可，從而防止增加功率消耗和減少壽命。
由上述可見，可以認為，有源陣列型發(fā)光器件具有較小的功率消耗。不過，因為有源陣列型發(fā)光器件由電流驅動，所以需要減少功率消耗。
本發(fā)明的一個目的在于提供一種具有小的功率消耗和極好的能見度的發(fā)光器件。此外，本發(fā)明的另一個目的在于，提供一種電氣設備，其具有使用這種發(fā)光器件的顯示部分，并且具有小的功率消耗和極好的能見度。
按照本發(fā)明的發(fā)光模塊的特征在于，其包括檢測器部分，用于檢測使用所述發(fā)光模塊的環(huán)境的亮度(下文稱為環(huán)境亮度)，以及這樣的裝置，所述裝置用于按照環(huán)境亮度調節(jié)發(fā)光元件的亮度，并用于保持發(fā)光元件的亮度和環(huán)境亮度的比(發(fā)光元件的亮度和環(huán)境亮度之間的對比度)為一個恒定值。
換句話說，按照本發(fā)明的發(fā)光模塊的特征在于，EL元件的亮度在亮的環(huán)境中可以被增加，以便改善能見度，并且在暗的使用環(huán)境中，EL元件的亮度可以被減少，以便減少功率消耗而不降低能見度。
最好環(huán)境亮度由光檢測器檢測。本發(fā)明的特征還在于，在同一個絕緣基體上形成有包括一個或幾個光檢測器(一般為光二極管)的檢測器部分和用于顯示圖像的像素部分。即，本發(fā)明的特征還在于，包括光二極管的檢測器部分利用和晶體管(包括薄膜晶體管和使用塊硅制成的MOS晶體管)以及像素部分上的EL元件相同的處理被形成。
在按照本發(fā)明的發(fā)光模塊中，環(huán)境亮度利用被形成在發(fā)光器件中的檢測器部分檢測，并通過校正電路根據檢測器部分的輸出信號計算用于獲得EL元件的正確的亮度所需的校正信號。然后，根據校正信號校正流過EL元件的電流的數量，從而保持EL元件的亮度對環(huán)境亮度的比(對比度)為恒值。
按照本發(fā)明的發(fā)光模塊在亮的環(huán)境中的能見度是極好的，這是因為此時其能夠進行足夠亮的顯示，并且在暗的環(huán)境中，能夠減少功率消耗，這是因為此時其能夠把亮度減到最小，同時保持好的能見度。因此，在顯示部分中使用按照本發(fā)明的發(fā)光模塊的電氣設備具有極好的能見度，并且能夠減少功率消耗。
下面根據附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其中

圖1A-1C表示發(fā)光模塊的結構；圖2表示校正電路的結構；
圖3表示校正電路的結構；圖4表示發(fā)光模塊的截面圖；圖5A-5E表示發(fā)光模塊的制造過程；圖6表示發(fā)光模塊的截面結構；圖7表示發(fā)光模塊的截面結構；圖8表示發(fā)光模塊的結構；圖9A、9B表示光檢測器的結構；圖10表示光檢測器的結構；圖11A、11B表示發(fā)光模塊的像素部分的結構；圖12A、12B表示發(fā)光模塊的頂部結構和截面結構；圖13A、13B表示其中含有驅動電路的發(fā)光模塊的結構；圖14A、14B表示具有外部控制器的發(fā)光模塊的結構；圖15A-15F表示電氣設備的具體例子；圖16A-16B表示電氣設備的具體例子；以及圖17表示發(fā)光模塊的截面結構。
下面說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。圖1A是按照本發(fā)明的發(fā)光模塊的電路方塊圖。發(fā)光器件100包括像素部分101，數據信號(視頻信號)側驅動電路102，控制(gate)信號側驅動電路103，和檢測器部分104，校正電路105和發(fā)光器件100相連。校正電路105具有運算電路，用于根據來自檢測器部分104的信號計算像素部分101的發(fā)光元件的亮度。
單片IC，混合IC，或MCM(多片模塊)可以用作校正電路105。當使用單片IC時，其可以直接被封裝于發(fā)光器件100中，并且可以被封裝在TAB(自動連接帶(Tape Automated Bonding))帶上，并作為TCP(Tape Carrier Package)和發(fā)光器件100相連。此外當使用混合IC或MCM時，最好利用TAB帶的發(fā)光器件100相連。
圖1B表示檢測器部分104的電路結構的一個例子。其中，檢測器部分104包括光二極管106，復位TFT 107，緩沖TFT 108，和恒流TFT 109。
復位TFT 107是用于向光二極管106提供反向偏壓從而使其回到(復位)初始狀態(tài)的TFT，返回初始狀態(tài)的定時由向作為柵極的復位信號線110傳遞的信號控制。此外，緩沖TFT 108是用于放大由光二極管106檢測的信號的TFT，恒流TFT 109是作為恒流源的TFT。其中，緩沖TFT 108和恒流TFT 109起源極跟隨器的作用，并且輸出信號被傳送到輸出線111。
其中，恒定電壓V1-V3是被施加到光二極管106、復位TFT 107、緩沖TFT 108和恒流TFT 109的固定的電壓。一般地說，使用電源電壓或地電壓作為固定電壓。
其中，圖1B所示的電路結構是一個例子，可以使用任何公知的電路結構，只要其能夠作為光檢測器即可。此外，雖然在這個例子中使用IFT作為有源器件，在像素部分由MOS晶體管(具有被形成在半導體襯底上的具有MOS結構的晶體管)構成的情況下，則使用MOS晶體管。
圖1C表示像素部分101的電路結構的一個例子。其中，像素部分101包括EL元件112，開關TFT113，電流控制TFT114和電容器115。
開關TFT113是用于控制電流控制TFT114的柵極并使用控制線116作為門把傳遞給數據線(視頻線)117的信號發(fā)送給電流控制TFT114的柵極的TFT。此外，電流控制TFT114是用于控制流經EL元件12的電流并把傳送給電源線118的信號傳遞給EL元件12的TFT。
其中圖1C所示的電路結構是一個例子，可以使用任何公知的電路結構，只要所述電路結構可以控制EL元件的發(fā)光即可。此外，雖然在這個例子中使用TFT作為有源器件，但是也有像素部分由MOS晶體管形成的情況。
圖2和圖3所示是校正電路105的結構的例子。其中，圖2是發(fā)光器件100由模擬信號驅動的情況(模擬驅動系統(tǒng))，圖3是發(fā)光器件100由數字信號驅動的情況(數字驅動系統(tǒng))。
在圖2中，校正電路105包括A/D轉換電路(A/D轉換器)201，運算電路202，校正存儲器203，和D/A轉換電路(D/A轉換器)204。其中，最好是，運算電路202和校正存儲器203由MCM制成，因為MCM可以提高數據的傳送速度。
其中，校正存儲器203是用于存儲校正數據的存儲器，所述校正數據用于校正EL元件的亮度，使得所述亮度對環(huán)境亮度的比是常數，即，校正存儲器203是用于存儲(記憶)相應于環(huán)境亮度的亮度校正值數據的存儲器，使得確保對于環(huán)境亮度的恒定的對比度。當然，需要事先得到和存儲相應于環(huán)境亮度的亮度的校正值數據。
下面說明在圖2所示的模擬驅動系統(tǒng)情況下的信號流。在模擬驅動系統(tǒng)的情況下，決定EL元件的電流數量的信號是圖1C中傳遞給數據線117的信號。
由檢測器部分104傳遞的環(huán)境亮度數據(檢測器輸出信號)由A/D轉換電路201轉換成數字信號，并被輸入給運算電路202。運算電路202根據輸入的檢測器輸出信號和存儲在校正存儲器203中的數據計算用于獲得對于環(huán)境亮度的正確亮度所需的數據信號(視頻信號)的正確值。
用這種方式，來自信號發(fā)生器205的數據信號(視頻信號)根據檢測器輸出信號和存儲在校正存儲器203中的數據被校正為正確的值，并且被校正過的數據信號再由D/A轉換電路204被轉換成模擬信號，并被輸入給數據信號側驅動電路102。
下面說明在圖3所示的數字驅動系統(tǒng)的情況下的信號流。在數字驅動系統(tǒng)的情況下，決定EL元件的電流數量的信號是在圖1c中被傳遞給電流源線118的信號。
由檢測器部分104傳遞的環(huán)境亮度的數據(檢測器輸出信號)被A/D轉換器301轉換成數字信號，并被輸入給運算電路302。運算電路302根據輸入的檢測器輸出信號和存儲在校正存儲器303中的數據計算用于獲得對于環(huán)境亮度的正確亮度所需的電流數量的正確值，并輸出具有這個信息的校正信號。
用這種方式，根據檢測器輸出信號和在校正存儲器303中存儲的數據計算的校正信號由D/A轉換電路304被轉換成模擬信號，并被輸入給EL驅動電源305。EL驅動電源305是被發(fā)送給像素部分101的電流源線的信號(下文稱為電源數據信號)的電源，以及用于最后確定流入EL元件的電流的電源。一個電壓改變器件306和EL驅動電源305相連，并且電源數據信號根據由校正電路105傳遞的校正信號被校正，并把被校正過的電源數據信號輸入到像素部分101。
用這種方式，首先，由被提供在發(fā)光器件中的檢測器部分104檢測環(huán)境亮度，并且校正電路105根據輸出信號(檢測器輸出信號)計算用于獲得EL元件的正確亮度所需的數據信號或校正信號。然后，流經EL元件的電流的數量根據數據信號或校正信號被校正，從而產生具有正確的對比度的亮度。
在按照本發(fā)明的優(yōu)選實施例中所述的發(fā)光模塊在亮的環(huán)境中具有極好的能見度，這是因為此時能夠進行足夠亮的顯示，并且在暗的環(huán)境中能夠減少功率消耗，這是因為此時其能夠把亮度減到最小，同時確保好的能見度。因而，在使用本發(fā)明的發(fā)光模塊的電氣設備中，能夠實現(xiàn)能見度極好的顯示和減少功率消耗。
實施例1在本實施例中說明按照本發(fā)明的發(fā)光模塊中包括的截面結構(在密封前的狀態(tài)下)。在本實施例中，說明發(fā)光器件的一個例子(在密封前的狀態(tài)下)，其中具有檢測器部分，像素部分，和在同一絕緣基體上的用于驅動像素部分的驅動電路。其中，檢測器部分表示復位TFT和與復位TFT相連的光二極管，驅動電路表示作為基本單元的CMOS電路，像素部分表示一個像素。
在圖4中，標號400是絕緣基體(由絕緣襯底、絕緣膜或在表面上具有絕緣膜的襯底構成)，在所述基體上形成有檢測器部分、驅動電路和像素部分。檢測器部分具有復位TFT451和光二極管452。此外，驅動電路具有N溝道型TFT453和P溝道型TFT454，它們構成CMOS電路。此外，像素部分具有開關TFT455，電流控制TFT456和EL元件457。在這方面，各個TFT可以是具有任何公知結構的TFT。在本實施例中，各個FT是底柵型(bottom gate type)TFT(特別是，反交錯型(inverse stagger type)TFT)，但是也可以使用頂柵型(top gate type)TFT(一般地說，平面型TFT)。
此外，在本發(fā)明中的檢測器部分的電路結構具有圖1B所示的結構，像素部分的電路結構具有圖1C所示的結構。不過，不僅這種電路結構，而且具有3個或多個TFT的電路結構也可以產生本發(fā)明的效果。
下面說明在絕緣基體400上形成的各個TFT的結構。在N溝道型TFT453中，標號401表示柵極，402表示柵極絕緣膜，403表示由n型半導體區(qū)(下文稱為n型區(qū))構成的源極區(qū)，404表示由n型區(qū)構成的漏極區(qū)，405a，405b表示LDD(輕摻雜漏極)區(qū)，406表示溝道形成區(qū)，407表示溝道保護膜，408表示第一中間層絕緣膜，409表示源極引線，410表示漏極引線。
此外，在P溝道型TFT454中，標號411表示柵極，402表示柵極絕緣膜，412表示表示由p型半導體區(qū)(下文稱為p型區(qū))構成的源極區(qū)，413表示由p型區(qū)構成的漏極區(qū)，414表示溝道形成區(qū)，415表示溝道保護膜，408表示第一中間層絕緣膜，416表示源極引線，410表示作為和N溝道型TFT453共用的引線的漏極引線。
此外，基本上，復位TFT451具有和N溝道型TFT453相同的結構(它們只有源極引線或漏極引線互不相同)，因而省略其說明。此外，復位TFT451也可以和P溝道型TFT454具有相同的結構。在復位TFT451的情況下，無定形半導體膜(一般是無定形硅膜)419被形成在由n型區(qū)構成的漏極區(qū)417和p型區(qū)418之間，從而形成具有PIN結的光二極管452。其中，標號420表示用于對p型區(qū)418提供電壓的引線。
此外，一般地說，開關TFT455和N溝道型TFT453具有相同的結構，因而省略其詳細說明。也可以利用和P溝道型TFT454相同的結構形成開關TFT455。此外，也可以利用這樣的結構形成開關TFT455，在所述的結構中在源極區(qū)和漏極區(qū)之間形成有兩個或多個溝道形成區(qū)(多柵極結構)。
此外，基本上，電流控制TFT456具有和P溝道型TFT454相同的結構(它們之間的相互差別是漏極引線是像素電極423)，因而省略其詳細說明。此外，也可以利用和N溝道型TFT453相同的結構形成電流控制TFT456。
然后，形成第二中間層絕緣膜(拉平膜)421，其蓋住復位TFT451，光二極管452，N溝道型TFT453，P溝道型TFT454，開關TFT455和電流控制TFT456。
此外，第二中間層絕緣膜421具有延伸到電流控制TFT456的漏極區(qū)422的連接孔，并且像素電極423和漏極區(qū)422相連。像素電極423作為EL元件的陽極，并由具有大的逸出功的導電膜(一般是氧化物導電膜)制成。最好是氧化物導電膜由氧化銦、氧化錫、氧化鋅或其化合物制造。此外，在氧化物導電膜中可以添加鍺的氧化物。
接著，標號424表示用于蓋住像素電極423的端部在本說明中被稱為岸(bank)的絕緣膜。最好是岸424由含有硅或樹脂膜的絕緣膜構成。在使用樹脂膜的情況下，如果在樹脂膜中加入碳顆粒或金屬顆粒，使得樹脂膜的電阻率為1×106歐姆到1×1012歐姆(最好是從1×108歐姆到1×1O10歐姆)，則可以防止在膜形成時發(fā)生介電擊穿。
標號425表示EL層。在這方面，在本說明中，從空穴注入層、空穴輸送層、空穴阻止層、電子輸送層、電子注入層和電子阻止層選擇的層組合中的層疊體相對于發(fā)光層被定義為EL層。發(fā)光層可以由任何公知的材料制成，并且可以對發(fā)光層添加任何公知的摻雜劑(一般為熒光染料)。此外，最好使用通過三態(tài)激勵發(fā)光的有機材料作為摻雜劑，因為這樣可以產生高的發(fā)光效率。
標號426表示EL元件的陰極，其由具有小的逸出功的導電膜制成。最好是使用含有屬于周期表中第一組或第二組的元素的導電膜作為具有小的逸出功的導電膜。在本實施例中，使用由鋰和鋁的化合物制成的導電膜。
在這方面，像素電極(陽極)423，EL層425和陰極426的層疊體457是一個EL元件。由EL元件457發(fā)出的光向著絕緣體400(圖4中箭頭所示的方向)發(fā)射。此外，在使用P溝道型TFT作為電流控制TFT的情況下，如本實施例所述，最好EL元件的陽極和電流控制TFT的漏極相連。
在這方面，有效的是，完全覆蓋EL元件457的保護膜(鈍化膜)427在形成陰極426之后被形成?？梢允褂靡粚犹寄?、氮化硅膜、或氮氧化硅膜(silicon nitride oxide film)的絕緣膜，或者使用上述絕緣膜的組合疊層作為保護膜427。
最好使用具有好的覆蓋率的膜作為保護膜427，尤其是碳膜，DLC(鉆石狀碳)碳膜可以被有效地使用。DLC膜可以在從室溫到100度的溫度范圍內被形成，因而也可以以低的熱組容易地形成在EL層425上。此外，DLC膜具有高的隔離氧的效果，因而可以有效地阻止EL層425的氧化。因而，DLC膜可以阻止EL層425在密封處理之后的期間內被氧化。
圖5表示用于生產圖4所示的結構的制造過程。首先，在玻璃襯底501上形成由鉻膜制成的柵極電極502-506，并在其上形成氮氧化硅膜(由SiOxNy表示的絕緣膜)制成的絕緣膜507。在柵極絕緣膜507上形成無定形硅膜，并通過構圖利用激光退化進行晶體化，從而形成由晶體硅膜制成的半導體膜508-513。這些處理可以利用公知的材料和技術進行(圖5A)。
其中，半導體膜508和半導體膜509之間的距離不大于1微米，最好是0.3-0.5微米。
接著在半導體膜508-513上形成由氧化硅膜構成的絕緣膜514-519，并利用公知的方法對其添加磷或砷。用這種方式，形成n型區(qū)520-525。n型區(qū)520-525含有濃度為1×1020原子/cm3-1×1021原子/cm3的磷或砷(圖5B)。
接著，使用柵極電極502-506作為掩模利用背面光刻形成絕緣膜514-519的圖形，從而形成絕緣膜(溝道保護膜)526-530。然后，在這種狀態(tài)下，利用公知的方法再次對其加入磷或砷。用這種方式，形成n型區(qū)531-541。n型區(qū)531-541含有濃度為1×1017原子/cm3-1×1019原子/cm3的磷或砷(圖5C)。
接著形成抗蝕膜542-544，利用公知的方法對其加入硼。用這種方式，形成p型區(qū)545-549。p型區(qū)545-549含有濃度為3×1020原子/cm3-5×1021原子/cm3的硼。其中，雖然對p型區(qū)545-549已經添加有磷或砷，但是加入的硼的濃度是磷或砷的3倍或更多倍，因而p型區(qū)545-549被完全從n型區(qū)變?yōu)閜型區(qū)(圖5D)。
接著除去抗蝕膜542-544，并形成具有氧化硅膜和氮化氧化硅膜的層疊結構的第一中間層絕緣膜550。在第一中間層絕緣膜550上形成連接孔，并形成具有鉬和鎢的層疊結構的引線551-558。然后，形成由半導體膜構成的轉換層559。轉換層559是用于吸收光并在光二極管中產生載流子的層，其相應于太陽能電池中的i層(光電轉換層)(圖5E)。
在這方面，可以使用具有PIN結的公知的層結構作為轉換層559。此外，從光的入射側看來，轉換層559可以具有PIN結或NIP結。此外，可以使用無定形半導體膜、晶體半導體膜、或微晶半導體膜作為轉換層559的材料。
然后，如圖4所示，形成第二中間層絕緣膜421、像素電極423、岸424、EL層425、陰極426、和保護膜427，從而制成具有圖4所示的截面結構的發(fā)光器件。
如果使用具有本實施例的截面結構的發(fā)光器件，則可以提供在亮的環(huán)境中能見度極好在暗的環(huán)境中能夠提供好的能見度同時又能減少功率消耗的發(fā)光模塊。其中，在本實施例中，圖1和圖2或者圖1和圖3所示的結構可以組合。
實施例2在本實施例中，說明一種具有和實施例1不同結構的發(fā)光器件(不過，是在密封前的狀態(tài)下的)的例子。其中，在本實施例中，將說明和實施例1不同的部分?？梢詤⒖淳哂泻蛨D4中相同標號的實施例1的說明部分。
在圖6中，檢測器部分，驅動電路，和像素部分被形成在絕緣基體400上。檢測器部分包括有復位TFT451和光二極管(光檢測器)601。驅動電路包括由N溝道型TFT453和P溝道型TFT454構成的CMOS電路。像素部分具有開關TFT455，電流控制TFT456和EL元件457。
本實施例和實施例1的區(qū)別在于光二極管601的結構。該光二極管由要作為復位TFT451的源極或漏極的引線603、轉換層604和反射側電極(在光的反射側的電極)605構成。此外，在本實施例中，由含有硅的絕緣膜構成的緩沖層606被形成在第二中間層絕緣膜421上。緩沖層606使引線603和第二中間層絕緣膜421實現(xiàn)緊密接觸，并使得第二中間層絕緣膜421能夠在形成轉換層604時防止被刻蝕。
其中，引線603相對于可見光是透明的，因為其借助于和像素電極423相同的處理被形成。此外，要作為反射側電極的導電膜最好是具有高的反射率的導電膜，推薦使用含有鋁或銀為主要成分的導電膜。其中，如果形成氧化物導電膜作為轉換層604和反射側電極605之間的緩沖層，則可以防止轉換層604和反射側電極605發(fā)生反應。
如果使用具有本實施例的截面結構的發(fā)光器件，則可以提供在亮的環(huán)境中能見度極好在暗的環(huán)境中能夠提供好的能見度同時又能減少功率消耗的發(fā)光模塊。其中，在本實施例中，圖1和圖2或者圖1和圖3所示的結構可以組合。
實施例3在本實施例中，將說明一個和實施例1的結構不同的發(fā)光器件的例子(不過是在密封前的狀態(tài)下)。其中，在本實施例中，將說明和實施例1不同的部分?？梢詤⒖淳哂泻蛨D4中相同標號的實施例1的說明部分。
在圖7中，檢測器部分，驅動電路，和像素部分被形成在絕緣基體400上。檢測器部分包括有復位TFT701和光二極管(光檢測器)702。驅動電路包括由N溝道型TFT703和P溝道型TFT704構成的CMOS電路。像素部分具有開關TFT705，電流控制TFT706和EL元件457。
首先，本實施例的特征在于，每個TFT的源極線或漏極線被這樣形成，使得蓋住溝道區(qū)域。本實施例的結構具有如圖7所示的形狀，這是為了遮擋直接進入TFT的溝道形成區(qū)的光，從而防止增加漏電流。
此外，在本實施例中，N溝道型TFT被用作電流控制TFT706。其中電流控制TFT706具有基本上和圖4所示的N溝道型TFT453相同的結構(它們的區(qū)別僅在于源極電極的形狀不同)，因而省略其詳細說明。其中，電流控制TFT706可以具有和圖4所示的P溝道型TFT454相同的結構。
此外，本實施例和實施例1的不同在于光二極管702的結構，并且光二極管由要作為復位TFT701的源極或漏極的引線711、轉換層712和發(fā)射側電極(在發(fā)光側的電極)713構成。轉換層712可以具有和實施例2的轉換層604相同的結構。此外推薦發(fā)射側電極713由氧化物導電膜制成。
在像素部分中，以和引線714相同的處理形成像素電極715。像素電極715是作為EL元件707的陰極的電極，并由含有屬于周期表中的第一組或第二組的元素的導電膜構成。在本實施例中，使用由鋰和鋁的化合物制成的導電膜。其中，在陰極和電流控制TFT相連的情況下，如本實施例所述，最好使用N溝道型TFT作為電流控制TFT。
在形成像素電極715之后，形成絕緣膜(岸)424、EL層716、由氧化物導電膜制成的陽極717和保護膜718，從而制成具有圖7所示的結構的發(fā)光器件(不過是在密封前的狀態(tài)下)。推薦EL層716、陽極717和保護膜718的材料和結構參考實施例的材料和結構。
如果使用具有本實施例的截面結構的發(fā)光器件，則可以提供在亮的環(huán)境中能見度極好在暗的環(huán)境中能夠提供好的能見度同時又能減少功率消耗的發(fā)光模塊。其中，在本實施例中，圖1和圖2或者圖1和圖3所示的結構可以組合。
實施例4在本實施例中，將說明一個和實施例1的結構不同的發(fā)光器件的例子(不過是在密封前的狀態(tài)下)。其中，在本實施例中，將說明和實施例1不同的部分。可以參看具有和圖4中相同標號的實施例1的說明部分。
在圖17中，檢測器部分和像素部分被形成在絕緣基體400上。其中，驅動電路可以被形成在和實施例2或實施例3相同的絕緣基體上。
檢測器部分包括有復位TFT1701和光二極管(光檢測器)1702。像素部分具有開關TFT1703，電流控制TFT1704和EL元件1705。
在本實施例中，P溝道型TFT被用作電流控制TFT1704。其中電流控制TFT1704具有基本上和圖4所示的電流控制TFT456相同的結構，因而省略其詳細說明。其中，電流控制TFT1704可以具有和圖4所示的N溝道型TFT455相同的結構。
此外，本實施例和實施例1的不同在于光二極管1702的結構，并且光二極管1702由要作為復位TFT1701的源極或漏極的引線1711、n型半導體層1712、轉換層(i型半導體層)1713、p型半導體層1714和光接收側電極(在接收光的一側的電極)1715構成。
此外，引線1711以和像素電極(EL元件1705的陽極)1716相同的處理被形成。此外，光接收側電極1715可以由氧化物導電膜制成。其中，在像素部分，以和引線1711相同的處理形成的像素電極1716和電流控制TFT1704的漏極電氣相連。
在形成像素電極1716之后，形成絕緣膜(岸)424、EL層425、陰極426和保護膜427，從而制成具有圖17所示的結構的發(fā)光器件(不過是在密封前的狀態(tài)下)。推薦EL層425、陰極426和保護膜427的材料和結構參考實施例的材料和結構。
如果使用具有本實施例的截面結構的發(fā)光器件，則可以提供在亮的環(huán)境中能見度極好在暗的環(huán)境中能夠提供好的能見度同時又能減少功率消耗的發(fā)光模塊。其中，在本實施例中，圖1和圖2或者圖1和圖3所示的結構可以組合。
實施例5在本實施例中，說明一種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件的檢測器部分、校正電路、驅動電路和像素部分被形成在同一個絕緣基體上。
在圖8中，標號800表示本實施例的發(fā)光器件，801表示像素部分，802表示數據信號側驅動電路，803表示控制信號側驅動電路，804表示檢測器部分，805表示校正電路。其中，推薦像素部分801的結構參看圖1C，檢測器部分804的結構參看圖1B。
本發(fā)明的特征在于，具有圖2或圖3所示的結構的校正電路805被形成在和檢測器部分、驅動電路、像素部分同一個絕緣基體上。即，在本實施例的發(fā)光器件800中，根據由檢測器部分804檢測的環(huán)境亮度由校正電路805輸出校正數據信號，用于把像素部分801的亮度調整到正確的強度。
當然，在本實施例的結構中，校正電路805只由晶體管(TFT或MOS晶體管)形成。其中，推薦通過使用包括圖4所示的N溝道型TFT453和P溝道型TFT454的CMOS電路設計校正電路。
在這方面，本實施例的結構可以利用實施例1到實施例4的任何一個結構來實現(xiàn)。因為包括本實施例的發(fā)光器件的發(fā)光模塊具有內置的校正電路，和圖1所示的結構相比，其重量可以減少，并且可以減少用于連接校正電路和驅動電路所需的管腳數。
實施例6作為光檢測器的一個電路可以用作被包括在本發(fā)明的發(fā)光模塊中的檢測器部分。在本實施例中，將說明如圖9A，9B所示的有源型光檢測器的電路結構的例子。
圖9A所示的光檢測器包括光二極管901，第一復位TFT902，緩沖TFT 903，負載電容904，第二復位TFT905。此外，第一復位信號線906和第一復位TFT902的柵極相連，第二復位信號線907和第二復位TFT905的柵極相連。此外，標號908表示輸出線。
此外，圖9B中所示的光檢測器包括光二極管911，復位TFT912，緩沖TFT 913，負載電阻(或負載電容)914。此外，復位信號線915和復位TFT912的柵極相連。此外，標號916表示輸出線。
其中在圖9A，9B中，恒定電壓V1、V2是被提供給光二極管、復位TFT和緩沖TFT的固定電壓。一般地說，電源電壓或地電壓被用作固定電壓。
在按照本實施例的發(fā)光模塊的檢測器部分中可以提供一個或幾個具有如圖9A，9B所示的電路結構的光檢測器。此外，圖9A，9B所示的電路結構是簡單的例子。雖然此處使用TFT作為有源元件，但在像素部分由MOS晶體管構成的情況下，自然使用MOS晶體管。此外，在使用TFT的情況下，可以使用頂柵極型TFT或底柵極型TFT。
在這方面，本實施例的結構可以由實施例1到實施例5的任何一種結構來實現(xiàn)。
實施例7一種作為光檢測器的電路可以用作在本發(fā)明的發(fā)光模塊中包括的檢測器部分。在本實施例中，說明圖10所示的無源型光檢測器電路結構的例子。
圖10所示的光檢測器包括光二極管1001和復位TFT1002。此外，復位信號線1003和復位TFT1002的柵極相連。此外，標號1004表示輸出線。
其中，在圖10中，恒定電壓V1是提供給光二極管的固定電壓。一般使用電源電壓或地電壓作為固定電壓。
在按照本實施例的發(fā)光模塊的檢測器部分中可以提供一個或幾個具有如圖10所示的電路結構的光檢測器。此外，圖10所示的電路結構是簡單的例子。雖然此處使用TFT作為有源元件，但在像素部分由MOS晶體管構成的情況下，自然使用MOS晶體管。此外，在使用TFT的情況下，可以使用頂柵極型TFT或底柵極型TFT。
在這方面，本實施例的結構可以由實施例1到實施例5的任何一種結構來實現(xiàn)。
實施例8在本實施例中，將說明像素部分的像素結構和圖1B不同的情況。其中，和圖1B標號相同的部分可以參看圖1B。
圖11A所示的結構的特征在于，清除TFT1101被設置在開關TFT113和電流控制TFT114的柵極之間。清除TFT 1101是用于強制被提供給電流控制TFT114的柵極電壓轉變?yōu)镺V。清除TFT1101的源極或漏極和電流控制TFT114的柵極相連，并且另一個電極和電流源線118相連，其柵極和要作為清除TFT 1101的柵極的引線(清除控制線)1102相連。
此外，圖11B所示的結構是一種公知的結構，其中提供有第一TFT 1103、第二TFT1104、第三TFT 1105、第四TFT 1106、第一電容器1107和第二電容器1108。此外，還提供有數據線1109、第一控制線1110、第二控制線1111，第三控制線1112、和電流源線1113，如圖11B所示，用于向各個TFT傳遞信號。
在按照本實施例的發(fā)光模塊的像素部分中可以形成多個具有如圖11A或11B所示的電路結構的像素。此外，圖11A，11B所示的電路結構是簡單的例子。雖然此處使用TFT作為有源元件，但像素部分可以由MOS晶體管構成。此外，可以使用頂柵極型TFT或底柵極型TFT。
在這方面，本實施例的結構可以由實施例1到實施例7的任何一種結構來實現(xiàn)。
實施例9在按照本發(fā)明的發(fā)光模塊中，可以通過公知的分裂驅動方法利用減少的操作頻率驅動數據信號側驅動電路。分裂驅動方法是一種用于減少操作頻率的驅動方法，其中通過在利用點順序型驅動方法進行驅動的同時把數據信號寫在多個像素中。
在這種情況下，需要n個數據信號(視頻信號)進行n個分裂的分裂驅動。數據信號和移位寄存器的輸出定時同步地被寫入n個像素的塊中。用這種方式，數據信號側驅動電路的操作頻率可以被減少到1/n。
此外，可以和移位寄存器的輸出定時同步地把數據信號寫在每個n個像素中。在這種情況下，數據信號側驅動電路的操作頻率也可以被減少到1/n。
在這方面，本實施例的結構可以由實施例1到實施例7的任何一種結構來實現(xiàn)。
實施例10在本實施例中，將參照圖12A，12B說明在進行密封處理之后以便保護EL元件的按照本發(fā)明的發(fā)光模塊。其中，本實施例的密封結構可以用于實施例1到實施例4所示的任何結構。如果需要，參看圖4的標號。
圖12A是表示處理已經進行到對EL元件進行密封的步驟的狀態(tài)的平面圖。圖12B是沿圖12A的線A-A’取的截面圖。由虛線表示的部分1200是像素部分，部分1201是源極信號側驅動電路，部分1202是柵極信號側驅動電路，部分1203是檢測器部分。此外，標號1204表示覆蓋元件，1205表示第一密封元件，1206表示第二密封元件。
此外，標號1207表示作為外部輸入端的TAB帶，其接收來自外部驅動電路和校正電路的視頻信號或時鐘信號。其中，雖然只示出了TAB帶，但TAB帶可以配備有印刷線路板(PWB)或者是TCP。
下面參照圖12B說明截面結構。在絕緣基體400上形成有像素部分1200，源極信號側驅動電路1201和檢測器部分1203。像素部分1200包括多個像素，其中每個像素包括電流控制TFT456和與電流控制TFT456的漏極電氣連接的像素電極423。此外，源極信號側驅動電路1201包括由N溝道型TFT453和P溝道型TFT454構成的CMOS電路。另外，檢測器部分1203包括和復位TFT451相連的光二極管452。其中，起偏振片(一般是圓形的起偏振片)可以置于絕緣基體400上。
像素電極423作為EL元件的陽極。此外，在像素電極423的兩側形成岸424，并在像素電極423上形成EL層425和EL元件的陰極426。陰極426也作為所有像素的公共線，并最后和IAB帶1207電氣相連。此外，在像素部分1200、源極信號側驅動電路1201和檢測器部分1203中包括的所有元件都被保護膜427覆蓋住。
此外，覆蓋元件1204被置于具有密封元件1205的絕緣基體400上。其中，可以這樣提供一個墊片，使得在覆蓋元件1204和EL元件之間有一間隙。墊片1208被形成在第一密封元件12-5的內部。其中，最好是第一密封元件1205由不允許濕氣或氧氣通過的材料制成。此外，有效的是，在空間1208淀積具有吸收濕氣和防止氧化的效果的物質。
在這方面，推薦形成厚度為2nm-30nm的碳膜(特別是鉆石狀碳膜)1209a，1209b作為覆蓋元件1204的正面和反面上的保護膜。這種碳膜能夠阻止氧氣和水進入，并在機械上保護覆蓋元件1204的表面。
此外，在覆蓋元件1204被粘結之后，這樣形成第二密封元件，使得其蓋住第一密封元件1205的暴露的表面。第二密封元件1206可以用和第一密封元件1205相同的材料制成。
通過利用上述的結構對EL元件進行密封，可以使EL元件和外界完全隔離，從而阻止能夠通過氧化使EL層變劣的物質流入濕氣和氧氣進入。因而，可以提供具有高的可靠性的發(fā)光器件。
如圖12A，12B所示，具有在同一個絕緣基體上形成的像素部分、驅動電路、和檢測器部分以及TAB帶的發(fā)光模塊在本說明中被稱為內置驅動電路型的發(fā)光模塊。
實施例11在實施例10中，圖12A，12B所示的內置驅動電路型的發(fā)光模塊是像素部分和驅動電路被集成在同一個絕緣基體上的例子，但是驅動電路可以作為外部IC(集成電路)來提供。在這種情況下，其結構如圖13A所示。
在圖13A所示的模塊中，TAB帶14被連接到有源陣列襯底10上(包括像素部分11，引線12a，12b和檢測器部分13)，在所述襯底上形成有包括TFT和EL元件的像素部分，并且印刷線路板15通過TAB帶14和所述襯底相連。其中，印刷線路板15的電路方塊圖如圖13B所示。
如圖13B所示，至少I/O端口(也叫做輸入/輸出部分)16，19，源極信號側驅動電路17，數據信號側驅動電路18和作為校正電路20的IC被安裝在印刷線路板15上。
如上所述，具有這樣的結構的模塊在本說明中叫做外部驅動電路型的發(fā)光模塊，在所述結構中具有被形成在同一個絕緣基體上的像素部分和檢測器部分的襯底配備有TAB帶和作為驅動電路的印刷線路板。
此外，在圖14A所示的模塊中，內置驅動電路型的發(fā)光模塊30(包括像素部分31、源極信號側驅動電路32，數據信號側驅動電路33，寫部分33a，33b，檢測器部分34和TAB帶35)通過TAB帶35配備有印刷線路板36。圖14B示出了印刷線路板36的電路方塊圖。
如圖14B所示，在印刷線路板36中，提供有至少I/O端口37，40，控制部分38和作為存儲部分39的IC。其中，存儲部分39作為圖2或圖3所示的校正存儲器，并且通過被包括在控制部分38中的校正電路調節(jié)亮度。此外，控制部分38可以控制各種信號，例如被傳遞給驅動電路的信號或定時信號。
如上所述，具有這樣的結構的模塊被叫做外部控制型發(fā)光模塊，其中具有被形成在同一個絕緣基體上的像素部分、驅動電路就檢測器部分的內置驅動電路型的發(fā)光模塊配備有作為控制器的印刷線路板。
實施例12利用本發(fā)明形成的發(fā)光模塊適用于各種電氣設備，其中的像素部分用作圖像顯示部分。按照本發(fā)明的電氣設備包括視頻攝像機；數字照相機；護目鏡型顯示器(頭戴顯示器)；導航系統(tǒng)；音頻裝置；筆記本個人計算機；游戲機；便攜裝置(例如易動計算機，便攜電話，便攜游戲機或電子書)；以及裝有記錄介質的圖像播放裝置，這些電氣設備的具體例子如圖15A-16B所示。
圖15A是一種EL顯示裝置，包括殼體2001，支撐部分2002，和顯示部分2003。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分2003。通過應用按照本發(fā)明的發(fā)光模塊，可以改善EL顯示裝置的能見度和減少功率消耗。
圖15B是一種視頻攝像機，其具有主體2101，顯示部分2102，聲音輸入部分2103，操作開關2104，電池2105，和圖像接收部分2106。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用于顯示部分2102中。
圖15C是一種數字照相機，其包括主體2201，顯示部分2202，和操作開關2204。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分2202。
圖15D是裝有記錄介質的圖像播放裝置(特別是DVD播放裝置)，其具有主體2301，記錄介質(例如CD，LD，DVD)2302，操作開關2303，顯示部分(a)2304和顯示部分(b)2305。顯示部分(a)主要顯示圖像信息，顯示部分(b)主要顯示字符信息，按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分(a)和顯示部分(b)其中，本發(fā)明可以用于裝有記錄介質的圖像播放裝置例如CD播放裝置和游戲機。
圖15E是一種便攜(移動)式計算機，其具有主體2401，顯示部分2402，圖像接收部分2403，操作開關2404和存儲器槽2405。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分2402。這種便攜計算機可以在記錄介質上記錄信息，其中裝有快速存儲器和非易失存儲器，因而可以重現(xiàn)信息。
圖15F是一種個人計算機，其具有主體2501，殼體2502，顯示部分2503和鍵盤2504。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分2503。
此外，利用上述的電氣設備顯示通過電子通信線路例如互聯(lián)網，CATV(有線電視)等分配的信息的情況不斷增加，特別是，利用這些設備顯示運動圖形的情況不斷增加。在使用利用EL元件的發(fā)光模塊作為顯示部分的情況下，能夠顯示運動圖像而沒有延遲，這是因為EL元件具有非常高的響應速度。
此外，因為在發(fā)光模塊中發(fā)光部分消耗電功率，所以最好是在所述發(fā)光部分上要被顯示的信息被作得盡量小。因而，在發(fā)光模塊用作主要顯示字符信息的情況下，例如便攜信息終端，特別是便攜電話，音頻裝置等，最好利用這樣的方式驅動發(fā)光模塊，使得由發(fā)光部分形成的字符信息相對于非發(fā)光部分的背景被形成。
圖16A表示一種便攜電話，其具有鍵操作部分(操作部分)2601，和通過連接部分2603和操作部分2601相連的信息顯示部分2602。此外，操作部分2601具有話音輸入部分2604和操作鍵2605，信息顯示部分2602具有話音輸出部分2606和顯示部分2607。
按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分2607。在這方面，在發(fā)光模塊被用作顯示部分2607的情況下，相對于黑色背景顯示白色字符可以減少便攜電話的功率消耗。
在圖16A所示的便攜電話的情況下，也可以使用便攜電話作為認證系統(tǒng)終端，借助于在被用作顯示部分2604的發(fā)光模塊中設置一個由CMOS電路構成的檢測器(CMOS檢測器)，通過讀取用戶的指紋或手掌，對用戶進行檢驗。此外，可以讀取外面的亮度，并以這樣的方式發(fā)光，使得以設置的對比度顯示信息。
此外，通過在操作開關2605被使用時減少顯示部分2604的亮度，在操作開關的使用完成之后，增加亮度，可以減少便攜電話的功率消耗。此外，通過在接收信號時增加顯示部分2604的亮度，在電話會話期間減少亮度，可以減少便攜電話的功率消耗。另外，通過借助于時間控制，使便攜電話具有關斷功能，在繼續(xù)使用時再進行復位，可以減少便攜電話的功率消耗。其中，這些功能可以手動地被控制。
圖16B表示被安裝在機動車輛上的音頻裝置，其包括殼體2701，顯示部分2702，操作開關2703、2704。按照本發(fā)明的發(fā)光模塊可以用作顯示部分2702。雖然作為本實施例中的音頻裝置的一個例子示出了安裝在機動車輛上的音頻裝置(汽車音頻裝置)，按照本發(fā)明的發(fā)光模塊也可以用于家庭中的音頻裝置(音頻部分)。其中，在發(fā)光模塊被用作顯示部分2704的情況下，通過相對于黑色背景顯示白色字符可以減少功率消耗。
如上所述，本發(fā)明具有廣闊的應用范圍，其可以用于各種電氣設備。因此，通過使用在亮的和暗的環(huán)境中具有極好的能見度的發(fā)光模塊，可以改善電氣設備的顯示部分的能見度并減少功率消耗，并且可以在暗的環(huán)境中把功率消耗減到最小。此外，具有從實施例1到實施例11的任何結構的發(fā)光模塊都可以用于本實施例的電氣設備中。
按照本發(fā)明，利用被提供在發(fā)光器件中的檢測器部分檢測環(huán)境亮度，并根據檢測器部分的輸出信號，由校正電路計算EL元件的正確亮度和為獲得正確亮度所需的校正信號。然后，根據校正信號校正通過EL元件的電流，從而保持EL元件的亮度對環(huán)境亮度的比為恒值。
因此，按照本發(fā)明，能夠獲得這樣一種發(fā)光模塊，其在亮的和暗的環(huán)境中具有極好的能見度，在暗的環(huán)境中能夠把功率消耗減到最小。因此，使用按照本發(fā)明的發(fā)光模塊的電氣設備在顯示部分具有極好的能見度，同時能夠減少功率消耗。
權利要求
1.一種發(fā)光模塊，包括用于按照由檢測器部分檢測的環(huán)境亮度調節(jié)發(fā)光元件的亮度，從而保持發(fā)光元件的亮度對環(huán)境亮度的亮度比是恒值的裝置。
2.一種發(fā)光模塊包括發(fā)光器件，其包括像素部分和檢測器部分，它們被形成在同一個絕緣基體上；和發(fā)光器件相連的校正電路；以及用于通過校正電路按照由檢測器部分檢測的環(huán)境亮度調節(jié)調節(jié)發(fā)光元件的亮度，從而保持該亮度對環(huán)境亮度的比為恒值的裝置。
3.如權利要求1所述的發(fā)光模塊，其中檢測器部分包括薄膜光二極管。
4.如權利要求2所述的發(fā)光模塊，其中檢測器部分包括薄膜光二極管。
5.一種發(fā)光模塊包括發(fā)光器件，其包括像素部分和檢測器部分，它們被形成在同一個絕緣基體上；以及和發(fā)光器件相連的校正電路，其中像素部分包括薄膜發(fā)光元件，以及其中檢測器部分包括薄膜光二極管。
6.一種發(fā)光模塊包括發(fā)光器件，其包括像素部分，驅動電路和檢測器部分，它們被形成在同一個絕緣基體上；以及和發(fā)光器件相連的校正電路，其中像素部分包括薄膜發(fā)光元件，以及其中檢測器部分包括薄膜光二極管。
7.如權利要求2所述的發(fā)光模塊，其中校正電路包括運算電路，用于根據來自檢測器部分的信號計算發(fā)光元件的亮度。
8.如權利要求5所述的發(fā)光模塊，其中校正電路包括運算電路，用于根據來自檢測器部分的信號計算發(fā)光元件的亮度。
9.如權利要求6所述的發(fā)光模塊，其中校正電路包括運算電路，用于根據來自檢測器部分的信號計算發(fā)光元件的亮度。
10.如權利要求3所述的發(fā)光模塊，其中發(fā)光元件和薄膜二極管與一個晶體管電氣相連。
11.如權利要求4所述的發(fā)光模塊，其中發(fā)光元件和薄膜二極管和一個晶體管電氣相連。
12.如權利要求5所述的發(fā)光模塊，其中發(fā)光元件和薄膜光二極管和一個晶體管電氣相連。
13.如權利要求6所述的發(fā)光模塊，其中發(fā)光元件和薄膜光二極管和一個晶體管電氣相連。
14.如權利要求10所述的發(fā)光模塊，其中晶體管是底柵極型薄膜晶體管。
15.如權利要求11所述的發(fā)光模塊，其中晶體管是底柵極型薄膜晶體管。
16.如權利要求12所述的發(fā)光模塊，其中晶體管是底柵極型薄膜晶體管。
17.如權利要求13所述的發(fā)光模塊，其中晶體管是底柵極型薄膜晶體管。
18.如權利要求1所述的發(fā)光模塊，其中發(fā)光元件是EL元件。
19.如權利要求2所述的發(fā)光模塊，其中發(fā)光元件是EL元件。
20.如權利要求5所述的發(fā)光模塊，其中發(fā)光元件是EL元件。
21.如權利要求6所述的發(fā)光模塊，其中發(fā)光元件是EL元件。
22.如權利要求1所述的發(fā)光模塊，其中所述發(fā)光模塊被包括在便攜電話、視頻攝像機、數字照相機、計算機之一內。
23.如權利要求2所述的發(fā)光模塊，其中所述發(fā)光模塊被包括在便攜電話、視頻攝像機、數字照相機、計算機之一內。
24.如權利要求5所述的發(fā)光模塊，其中所述發(fā)光模塊被包括在便攜電話、視頻攝像機、數字照相機、計算機之一內。
25.如權利要求6所述的發(fā)光模塊，其中所述發(fā)光模塊被包括在便攜電話、視頻攝像機、數字照相機、計算機之一內。
26.如權利要求1所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，復位TFT，緩沖TFT，和恒流TFT。
27.如權利要求2所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，復位TFT，緩沖TFT，和恒流TFT。
28.如權利要求5所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，復位TFT，緩沖TFT，和恒流TFT。
29.如權利要求6所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，復位TFT，緩沖TFT，和恒流TFT。
30.如權利要求1所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，第一復位TFT，緩沖IFT，負載TFT以及第二復位TFT。
31.如權利要求2所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，第一復位TFT，緩沖TFT，負載TFT以及第二復位TFT。
32.如權利要求5所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，第一復位TFT，緩沖TFT，負載TFT以及第二復位TFT。
33.如權利要求6所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，第一復位TFT，緩沖TFT，負載TFT以及第二復位TFT。
34.如權利要求1所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，復位TFT，緩沖TFT，和負載電阻或負載電容。
35.如權利要求2所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，復位TFT，緩沖TFT，和負載電阻或負載電容。
36.如權利要求5所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，復位TFT，緩沖TFT，和負載電阻或負載電容。
37.如權利要求6所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，復位TFT，緩沖TFT，和負載電阻或負載電容。
38.如權利要求1所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，和復位TFT。
39.如權利要求2所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，和復位TFT。
40.如權利要求5所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，和復位TFT。
41.如權利要求6所述的發(fā)光模塊，其中所述檢測器部分包括至少一個光檢測器，其包括光二極管，和復位TFT。
42.一種用于驅動發(fā)光模塊的方法，所述方法包括以下步驟按照由檢測器部分檢測的環(huán)境亮度調節(jié)發(fā)光元件的亮度；以及保持所說亮度對環(huán)境亮度的比是恒值。
43.一種用于驅動發(fā)光模塊的方法，所述發(fā)光模塊包括發(fā)光器件，其包括像素部分和檢測器部分，它們被形成在同一個絕緣基體上，還包括和發(fā)光器件相連的校正電路，所述方法包括以下步驟按照由檢測器部分檢測的環(huán)境亮度調節(jié)發(fā)光元件的亮度；以及利用校正電路保持所說亮度對環(huán)境亮度的比是恒值。
44.一種包括至少一個電致發(fā)光顯示器件的電子裝置，所述顯示器件包括襯底；包括電致發(fā)光元件的至少一個像素；被設置在所述像素內的用于選擇所述像素的至少一個第一薄膜晶體管；被設置在所述像素內的用于提供通過所述電致發(fā)光元件的電流的至少一個第二薄膜晶體管；用于對所述像素提供數據信號的數據信號側驅動電路；和所述第一薄膜晶體管的柵極電極電氣相連的控制信號側驅動電路，其中所述數據信號側驅動電路和所述控制信號側驅動電路的每一個包括被形成在所述襯底上的第三薄膜晶體管；以及在所述襯底上形成的檢測器部分，用于檢測環(huán)境亮度，其中所述檢測器包括光二極管和至少一個第四薄膜晶體管；校正電路，用于接收來自所述檢測器部分的輸出信號，并按照所述輸出信號校正所述電致發(fā)光元件的亮度。
45.如權利要求44所述的電子裝置，其中所述校正電路被提供在所述襯底上。
46.如權利要求44所述的電子裝置，其中所述電氣設備是便攜電話、視頻攝像機、數字照相機、計算機以及便攜電話之一。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種具有極好的能見度又能減少功率消耗的發(fā)光模塊。所述發(fā)光模塊包括發(fā)光器件,其包括至少像素部分101和檢測器部分104,它們被形成在同一個絕緣基體上,此外還包括用于利用檢測器部分104檢測所使用的環(huán)境的亮度并按照所述亮度調節(jié)發(fā)光器件的亮度,使得保持對于環(huán)境亮度的亮度比為恒值的裝置。
文檔編號H01L25/16GK1329369SQ0112147
公開日2002年1月2日 申請日期2001年6月11日 優(yōu)先權日2000年6月12日
發(fā)明者山崎舜平, 小山潤 申請人:株式會社半導體能源研究所