專利名稱：覆晶構(gòu)裝的晶片接合方法
半導(dǎo)體晶片的應(yīng)用方式十分多樣化，而近年來(lái)則有模組化的趨勢(shì)，有些晶片的設(shè)計(jì)需和另一晶片作密切合作來(lái)運(yùn)作，其彼此之間的腳線距離若是過(guò)長(zhǎng)過(guò)遠(yuǎn)則會(huì)影響到其運(yùn)作效能，則此時(shí)會(huì)選擇以兩晶片堆疊(stack)的方式來(lái)封裝，使其腳位間的距離能靠近；而目前傳統(tǒng)同尺寸晶片堆疊作法乃是將一母晶片先貼在基底(Substrate)上并以金屬線打線方式與基底導(dǎo)通，再于母晶片頂面上堆黏一子晶片，并亦以金屬線打線方式連接基底，最后以合成膠整體封裝。
依此傳統(tǒng)作法，由于該二晶片皆采用黏貼晶片并打線方式接合基底，其母晶片所占用的金屬線腳位己占有一段不小的面積范圍，再加上第二層的晶片與基底連接時(shí)所占的面積需更寬廣(需避開母晶片的金屬線)，造成整體封裝起來(lái)的面積大為膨脹。
另由于二打線的晶片彼此堆疊，子晶片貼在母晶片上時(shí)，需以銀膠墊高其母晶片上的金屬線高度后方能貼在母晶片上，使得整體的封裝厚度亦大為增加，故此傳統(tǒng)封裝方式無(wú)法用在注重其厚度大小的設(shè)備上。
本發(fā)明的目的在于提出一種覆晶構(gòu)裝之晶片接合，可以在基底上以本母案的覆晶技術(shù)先貼合一母承載晶片，再以打線方式接合貼在母晶片上的子晶片使與基底電氣相連，此構(gòu)裝方式因母承載晶片不需打線，可與子晶片作緊密貼合，且可使得子晶片的金屬線所布面積得以縮小，有助縮小整體封裝的體積。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種覆晶構(gòu)裝的晶片接合方法，其主要是在堆疊兩相同尺寸的晶片于同一基底時(shí)，先將母承載晶片上的凸塊與預(yù)先在相對(duì)位置處制作有金屬焊料凸塊的基底予以加熱壓合，然后在母承載晶片上方膠貼一子晶片，該子晶片采用打線方式以金屬線導(dǎo)通子晶片與基底，并封裝整組由基底、母承載晶片與子晶片所構(gòu)成的模組。
應(yīng)用本發(fā)明提供的覆晶構(gòu)裝的晶片接合方法，其封裝方式可有效縮小整體封裝厚度，并可節(jié)省掉習(xí)知技藝中母承載晶片所用的打線制程，提升制造效能。
下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明

圖1為習(xí)用技藝的堆疊結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖2a至圖2e為本發(fā)明的堆疊結(jié)構(gòu)制程剖視示意圖。
請(qǐng)參閱圖1所示，目前傳統(tǒng)同尺寸晶片堆疊作法乃是將一母晶片11先貼在基底(Substrate)12上并以金屬線14打線方式與基底12導(dǎo)通，再于母晶片11頂面上堆黏一子晶片13，并亦以金屬線15打線方式連接基底12，最后以合成膠16整體封裝。
請(qǐng)參閱圖2a至2e圖所示，為本發(fā)明的堆疊結(jié)構(gòu)制程流程剖視圖。
本發(fā)明是一種覆晶構(gòu)裝的晶片接合，主要是由基底22、填膠27、表面設(shè)有接合凸塊的母晶片21、黏晶膠28、與母晶片21同尺寸的子晶片23、金屬線24及合成膠26所組成A、首先將母承載晶片21與基底22以母案的覆晶技術(shù)接合；a1先在基底22(可以是金屬焊料凸塊221)上填膠(underfill)27，如圖2a所示。
a2再將母承載晶片21翻轉(zhuǎn)，使該接合凸塊(bump)211與基底22相加熱壓合，完成電氣連接，如圖2b所示。
B、再采用表面黏著方式黏貼子晶片23b在母承載晶片22上方涂布黏晶膠28，以膠合一子晶片23，如圖2c所示。
C、將子晶片23打線c子晶片23以金屬線24導(dǎo)通子晶片23的鋁墊與基底22預(yù)留的釘腳，使其電氣連接，如圖2d所示。
D、將整組構(gòu)件封裝d以合成膠26封裝整組由基底22、母承載晶片21與子晶片23所構(gòu)成的模組，如圖2e所示。
依上述本發(fā)明方式實(shí)施，可較習(xí)用封裝方法省卻一道母晶片的打線制程，且可以大幅地縮減封裝所需的面積與體積，又可降低信號(hào)延遲。
雖然本發(fā)明以一較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種變換和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)同時(shí)參照權(quán)利要求書中的內(nèi)容進(jìn)行界定。
權(quán)利要求
1.一種覆晶構(gòu)裝的晶片接合方法，其主要是在堆疊兩相同尺寸的晶片于同一基底時(shí)，先將母承載晶片上的凸塊與預(yù)先在相對(duì)位置處制作有金屬焊料凸塊的基底予以加熱壓合，然后在母承載晶片上方膠貼一子晶片，該子晶片采用打線方式以金屬線導(dǎo)通子晶片與基底，并封裝整組由基底、母承載晶片與子晶片所構(gòu)成的模組。
全文摘要
一種覆晶構(gòu)裝的晶片接合方法,其主要是在堆疊兩相同尺寸的晶片于同一基底時(shí),先將母承載晶片上的凸塊與預(yù)先在相對(duì)位置處制作有金屬焊料凸塊的基底予以加熱壓合,然后在母承載晶片上方膠貼一子晶片,該子晶片采用打線方式以金屬線導(dǎo)通子晶片與基底,并封裝整組由基底、母承載晶片與子晶片所構(gòu)成的模組。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1335642SQ0012146
公開日2002年2月13日 申請(qǐng)日期2000年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月24日
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