測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具及其篩選閃存的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具，包括測(cè)試板，測(cè)試板上設(shè)有主控組，閃存模塊組，電源芯片組和連接器接口，主控組包括插座和主控芯片；本發(fā)明還公開了測(cè)試球柵陣列封裝閃存測(cè)試治具的篩選閃存的方法，篩選閃存的方法包括通過Dashboard與MST程式來篩選閃存；設(shè)置開卡的過程；通過設(shè)置，讀取MST的logo文檔；本發(fā)明能兼容不同型號(hào)的主控芯片，能兼容BGA100封裝的不同廠商的閃存顆粒，同時(shí)測(cè)試治具，大大較少的人工成本與材料成本，能篩選出不同等級(jí)的閃存顆粒，用于不同的用途，節(jié)省了成本。
【專利說明】
測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具及其篩選閃存的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明公開了測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具及其篩選閃存的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，市場(chǎng)上的不同廠商的球柵陣列封裝的資料儲(chǔ)存型閃存(NandFlash)的測(cè)試方式單一，必須要焊接到印刷電路板(PCB)上，浪費(fèi)大量測(cè)人工與材料，現(xiàn)有的市場(chǎng)上的SandForce的主控2241與2281兼容性不強(qiáng)，無法共用需各組設(shè)計(jì)，浪費(fèi)材料，針對(duì)不同主SandForce主控的Sorting的程式目前市面上沒有，不同廠商的球柵陣列(BGAlOO)封裝的資料儲(chǔ)存型閃存(Nand Flash)無法在SandForce主控的不同型號(hào)的同一印刷電路板(PCB)上循壞測(cè)試球柵陣列封裝(BGAlOO)的閃存(Flash)與SandForce主控的Sorting治具壞是無法更換，只能更換整個(gè)PCB與治具；當(dāng)前面臨著三大難題，第一，將不同廠商的球柵陣列(BGAlOO)封裝的閃存(flash)與SandForce主控的不同型號(hào)共用在同一印刷電路板(PCB);第二，在治具損壞時(shí)不用報(bào)廢整個(gè)印刷電路板(PCB)，而且針對(duì)損壞的部分單獨(dú)更還，避免材料的浪費(fèi);第三，測(cè)試球柵陣列封裝(BGAlOO)的閃存(flash)，其篩選的測(cè)試方式。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，公開了能兼容不同型號(hào)的主控芯片，能兼容BGAlOO封裝的不同廠商的閃存顆粒，同時(shí)測(cè)試治具，大大減少的人工成本與材料成本，能篩選出不同等級(jí)的閃存顆粒，用于不同的用途的測(cè)試芯片封裝資料儲(chǔ)存型閃存的測(cè)試治具及其篩選閃存的方法。
[0004]本發(fā)明的具體技術(shù)方案如下:測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具，包括測(cè)試板，所述測(cè)試板上設(shè)有主控組，閃存模塊組，電源芯片組和連接器接口，所述主控組包括插座和主控芯片，所述插座上安裝在主控芯片，所述閃存模塊組包括第一閃存模塊，第二閃存模塊，第三閃存模塊和第四閃存模塊，所述電源芯片組包括第一電源芯片和第二電源芯片，所述主控芯片分別連接第一閃存模塊，第二閃存模塊，第三閃存模塊，第四閃存模塊和連接器接口，所述第一電源芯片分出兩條線連接主控芯片，所述第一電源芯片還分別連接閃存模塊組和連接器接口，所述第二電源芯片分別連接主控芯片，閃存模塊組和連接器接口 ；所述測(cè)試板上設(shè)有二十個(gè)螺絲孔，其通過二十個(gè)螺絲固定連接主控組和閃存模塊組。
[0005]作為本發(fā)明進(jìn)一步限制地，所述插座上安裝了翻蓋，所述插座上設(shè)有按壓件。
[0006]作為本發(fā)明進(jìn)一步限制地，所述主控芯片的型號(hào)為2241或者2281。
[0007]作為本發(fā)明進(jìn)一步限制地，所述連接器接口為2.5英寸SATA連接器接口。
[0008]作為本發(fā)明進(jìn)一步限制地，所述第一電源芯片分出兩條線連接主控芯片的電壓分別為1.0V和2.85V，所述第一電源芯片與連接器接口連接的電壓為5V。
[0009]作為本發(fā)明進(jìn)一步限制地，所述第二電源芯片連接主控芯片的電壓為1.8V，其連接第一閃存模塊，第二閃存模塊，第三閃存模塊和第四閃存模塊的電壓均為1.8V，所述第二電源芯片與連接器接口連接的電壓為5V。
[0010]本發(fā)明的測(cè)試芯片封裝資料儲(chǔ)存型閃存測(cè)試治具的篩選閃存的方法，所述篩選閃存的方法包括四個(gè)步驟:
[0011 ] 第一步，通過Dashboard與MST程式來篩選閃存；
[0012]第二步，設(shè)置開卡的過程；
[0013]第三步，通過設(shè)置，讀取MST的logo文檔；
[0014]第四步，判斷閃存的等級(jí)
[0015]本發(fā)明的技術(shù)效果:本發(fā)明的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具及其篩選閃存的方法，能兼容不同型號(hào)的主控芯片，能兼容BGA100封裝的不同廠商的閃存顆粒，同時(shí)測(cè)試治具，大大減少的人工成本與材料成本，能篩選出不同等級(jí)的閃存顆粒，用于不同的用途，節(jié)省了成本。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具的分解結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具的使用狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具內(nèi)部系統(tǒng)示意圖。
[0020]圖5是本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具的篩選閃存的方法的示意圖。
[0021 ] 圖中:測(cè)試板I，主控組2，插座21，翻蓋210，按壓件211，主控芯片22，閃存模塊組4，第一閃存模塊41，第二閃存模塊42，第三閃存模塊43，第四閃存模塊44，電源芯片組5，第一電源芯片51，第二電源芯片52，連接器接口 61，螺絲孔7，螺絲8。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明
[0023]如圖1至圖4所示:本發(fā)明的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具，包括測(cè)試板I，所述測(cè)試板I上設(shè)有主控組2，閃存模塊組4，電源芯片組5和連接器接口61，所述主控組2包括插座21和主控芯片22，所述插座21上安裝在主控芯片22，所述主控芯片22的型號(hào)為2241或者2281，這樣設(shè)置，主控組是翻蓋式的可更換主控的插座，針對(duì)不同需求，更換不同的主控芯片。所述插座21上安裝了翻蓋210，所述插座21上設(shè)有按壓件211。這樣設(shè)置，通過按插座的設(shè)有的按壓件可方便翻蓋，從而方便更換主控芯片與閃存模塊組。所述閃存模塊組4包括第一閃存模塊41，第二閃存模塊42，第三閃存模塊43和第四閃存模塊44，這樣設(shè)置，插座是翻蓋式的，其可更換不同廠商的BGA100封裝的閃存，并根據(jù)不同廠商的需求，更換可選的第二電源芯片。所述電源芯片組5包括第一電源芯片51和第二電源芯片52，這樣設(shè)置，第一電源芯片給主控芯片提供與閃存模塊的部分功能供電，第二電源芯片根據(jù)所選擇的閃存模塊的型號(hào)不同，廠商不同靈活的搭配，從而實(shí)現(xiàn)不同閃存模塊可以正常使用。所述主控芯片22分別連接第一，第二，第三，第四閃存模塊和連接器接口 61，所述連接器接口 61為2.5英寸SATA連接器接口。所述第一電源芯片51分出兩條線連接主控芯片22，所述第一電源芯片51分別連接閃存模塊組4和連接器接口 61，所述第一電源芯片51分出兩條線連接主控芯片22的電壓分別為1.0V和2.85V，所述第一電源芯片51與連接器接口 61連接的電壓為5V。所述第二電源芯片52分別連接主控芯片22，閃存模塊組4和連接器接口 61;所述第二電源芯片52連接主控芯片22的電壓為1.8V，其連接第一，第二，第三和第四閃存模塊的電壓均為1.8V，，所述第二電源芯片52與連接器接口 61連接的電壓為5V。這樣設(shè)置，能保持測(cè)試板的電壓穩(wěn)定，使其能穩(wěn)定工作。所述測(cè)試板I上設(shè)有二十個(gè)螺絲孔7，其通過二十個(gè)螺絲8固定連接主控組2和閃存模塊組4。這樣設(shè)置，組裝方便。
[0024]本發(fā)明的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具，其組裝方式為測(cè)試板通過設(shè)計(jì)完成后，通過SMT置件機(jī)安放上2.5英寸連接器以及電源芯片等SMT的零件，通過高溫回焊爐將零器件焊接在測(cè)試板上，然后，通過二十個(gè)螺絲孔將主控組與閃存模塊組的連接器牢牢固定在測(cè)試板上，通過按連接器的邊緣的按壓件使連接器翻蓋，從而方便更換主控芯片與閃存模塊;測(cè)試板上的零件，2.5連接器接口，電源芯片等元件由于不用更換，而且性能穩(wěn)定，固采取SMT置件的方式固定在測(cè)試板上，需要更換時(shí)，通過熱的風(fēng)槍可以直接替換，主控芯片以及閃存模塊，由于經(jīng)常需更換，每次都用風(fēng)槍吹會(huì)造成人工成本的增加與電路板的損壞，采用連接器的方式可以根據(jù)需求靈活測(cè)試不同的芯片，由于連接器的成本比較高，固將連接器設(shè)計(jì)成頂針式，而不是DIP式的焊接在測(cè)試板上，其區(qū)別于DIP式的更換與連同測(cè)試板一起報(bào)廢，不可重復(fù)利用，浪費(fèi)較大，通過螺絲固定在測(cè)試板上，連接器又拆分成四個(gè)部分，在使用過程中，某一部分損壞，可針對(duì)性的跟換損壞的零件，節(jié)約成本。
[0025]本發(fā)明的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具，工作模式是通過2.5英寸連接器接口從筆記本或者臺(tái)式機(jī)上連接5V的直流電給測(cè)試板供電，5V的直流電分別通過第一電源芯片提供電壓為1.0V，直流電給主控芯片的核心部分工作，提供2.85V的直流電給主控芯片和閃存的芯片核心部分供電，根據(jù)閃存的型號(hào)不同，第二電源芯片提供1.8V的直流電給主控和閃存的外部1接口供電；通過2.5英寸接口的連接器信號(hào)使主控芯片與電腦連接正常工作，并通過電腦上的軟件程序來挑選出不同等級(jí)的閃存，通過串口信息分析出閃存的具體狀況。
[0026]如圖5所示，本發(fā)明還公開了測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具的篩選閃存的方法，所述篩選閃存的方法包括四個(gè)步驟:
[0027]第一步，通過Dashboard與MST程式來篩選閃存；
[0028]第二步，設(shè)置開卡的過程；
[0029]第三步，通過設(shè)置，讀取MST的logo文檔；
[0030]第四步，判斷閃存的等級(jí)。
[0031]根據(jù)logo文檔來判斷Flash的等級(jí)，等級(jí)分類如下:
[0032]A:0 < ECC Bad Block <11 ,Program Bad Block = O,Erase Bad Block = O
[0033]B: 12 < ECC Bad Block < 25 ,Program Bad Block = O ,Erase Bad Block = O
[0034]C: 26 < ECC Bad Block < 50 ,Program Bad Block = O ,Erase Bad Block = O
[0035]D:0 < ECC Bad Block < 25,0 < Program Bad Block < 2 ,Erase Bad Block = O
[0036]E:ECC Bad Block > 26 ,Program Bad Block>0 ,Erase Bad Block>0，或ProgramBad Block>3
[0037]F:電性不良
[0038]本發(fā)明的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具及其方法，能兼容不同型號(hào)的主控芯片，能兼容BGAlOO封裝的不同廠商的閃存顆粒，同時(shí)測(cè)試治具，大大減少的人工成本與材料成本，能篩選出不同等級(jí)的閃存顆粒，用作不同的用途，節(jié)省了成本。需要指出的是，上述較佳實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具，包括測(cè)試板，其特征在于:所述測(cè)試板上設(shè)有主控組，閃存模塊組，電源芯片組和連接器接口，所述主控組包括插座和主控芯片，所述插座上安裝在主控芯片，所述閃存模塊組包括第一閃存模塊，第二閃存模塊，第三閃存模塊和第四閃存模塊，所述電源芯片組包括第一電源芯片和第二電源芯片，所述主控芯片分別連接第一閃存模塊，第二閃存模塊，第三閃存模塊，第四閃存模塊和連接器接口，所述第一電源芯片分出兩條線連接主控芯片，所述第一電源芯片還分別連接閃存模塊組和連接器接口，所述第二電源芯片分別連接主控芯片，閃存模塊組和連接器接口；所述測(cè)試板上設(shè)有二十個(gè)螺絲孔，其通過二十個(gè)螺絲固定連接主控組和閃存模塊組。2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具，其特征在于:所述插座上安裝了翻蓋，所述插座上設(shè)有按壓件。3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具，其特征在于:所述主控芯片的型號(hào)為2241或者2281。4.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具，其特征在于:所述連接器接口為2.5英寸SATA連接器接口。5.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試球柵陣列封裝閃存的測(cè)試治具，其特征在于:所述第一電源芯片分出兩條線連接主控芯片的電壓分別為1.0V和2.85V，所述第一電源芯片與連接器接口連接的電壓為5V。6.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試芯片封裝資料儲(chǔ)存型閃存的測(cè)試治具，其特征在于:所述第二電源芯片連接主控芯片的電壓為1.8V，其連接第一閃存模塊，第二閃存模塊，第三閃存模塊和第四閃存模塊的電壓均為1.8V，所述第二電源芯片與連接器接口連接的電壓為5V。7.測(cè)試球柵陣列封裝閃存測(cè)試治具的篩選閃存的方法，其特征在于:所述篩選閃存的方法包括四個(gè)步驟: 第一步，通過Dashboard與MST程式來篩選閃存； 第二步，設(shè)置開卡的過程； 第三步，通過設(shè)置，讀取MST的logo文檔； 第四步，判斷閃存的等級(jí)。
【文檔編號(hào)】G11C29/56GK105845185SQ201610171529
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年3月24日
【發(fā)明人】彭志文, 王浩, 丁可訓(xùn)
【申請(qǐng)人】蘇州普福斯信息科技有限公司