本發(fā)明有關(guān)一種固態(tài)硬盤，尤其關(guān)于固態(tài)硬盤根據(jù)建立管理邏輯實(shí)體對照表的轉(zhuǎn)換層，動(dòng)態(tài)選擇儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層冷熱數(shù)據(jù)的方法。

背景技術(shù)：

固態(tài)硬盤(Solid State Drive，簡稱SSD)是由與非門閃存陣列(NAND Flash Memory Array)整合成為單一的儲(chǔ)存裝置。因閃存具有抹除次數(shù)限制，數(shù)據(jù)需分散儲(chǔ)存在固態(tài)硬盤的閃存陣列，并利用閃存轉(zhuǎn)換層(Flash Translation Layer，簡稱FTL)，管理數(shù)據(jù)的邏輯地址與實(shí)際儲(chǔ)存在閃存的實(shí)體地址的對照關(guān)系，以利存取數(shù)據(jù)。

如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)電子裝置儲(chǔ)存系統(tǒng)1?，F(xiàn)有技術(shù)電子裝置例如計(jì)算機(jī)、手機(jī)等，在主機(jī)2設(shè)中央處理器(Central Processing Unit，簡稱CPU)3，發(fā)出存取數(shù)據(jù)的邏輯地址至連接在傳輸接口4的固態(tài)硬盤5，固態(tài)硬盤5內(nèi)設(shè)控制器6配合緩沖存儲(chǔ)器7，接收主機(jī)2的存取數(shù)據(jù)的邏輯地址，再到閃存陣列8相對邏輯地址的實(shí)體地址存取數(shù)據(jù)，將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存至主機(jī)2的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，簡稱DRAM)9，以供主機(jī)2備用。

為了管理數(shù)據(jù)的邏輯地址與實(shí)際儲(chǔ)存在閃存陣列8的實(shí)體地址的關(guān)系，固態(tài)硬盤5在啟動(dòng)時(shí)，讀取閃存陣列8中各數(shù)據(jù)區(qū)塊的管理數(shù)據(jù)，形成數(shù)據(jù)的邏輯地址與實(shí)體地址的邏輯實(shí)體對照表(Logical to Physical Table，簡稱L2P)，建立閃存轉(zhuǎn)換層，以儲(chǔ)存及管理邏輯實(shí)體對照表。而建立閃存轉(zhuǎn)換層的位置，在固態(tài)硬盤5初始化時(shí)，已由儲(chǔ)存在閃存陣列8中的固件，預(yù)先設(shè)定建立在緩沖存儲(chǔ)器7或閃存陣列8，無法再行變動(dòng)。因動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)較閃存的存取速度約快10倍，緩沖存儲(chǔ)器7屬于DRAM的型態(tài)，為了提高存取速度，所以現(xiàn)有技術(shù)固態(tài)硬盤5通常將閃存轉(zhuǎn)換層優(yōu)先建立在緩沖存儲(chǔ)器7。

然而，現(xiàn)有技術(shù)固態(tài)硬盤5設(shè)定閃存轉(zhuǎn)換層建立在緩沖存儲(chǔ)器7，一旦 緩沖存儲(chǔ)器7損壞或部分損壞，將無法建立閃存轉(zhuǎn)換層，導(dǎo)致固態(tài)硬盤5無法利用閃存轉(zhuǎn)換層管理邏輯實(shí)體對照表存取數(shù)據(jù)，造成固態(tài)硬盤5無法使用。此外，固態(tài)硬盤5隨電子裝置的需求，儲(chǔ)存系統(tǒng)有所差異，有些并未裝設(shè)緩沖存儲(chǔ)器，固態(tài)硬盤5的閃存轉(zhuǎn)換層需設(shè)定建立在存取速度較慢的閃存陣列，難以提升固態(tài)硬盤的存取速度?，F(xiàn)有技術(shù)的固態(tài)硬盤5無法隨電子裝置儲(chǔ)存系統(tǒng)變化，動(dòng)態(tài)變更閃存轉(zhuǎn)換層的建立位置，同時(shí)導(dǎo)致閃存轉(zhuǎn)換層的冷熱數(shù)據(jù)無法機(jī)動(dòng)調(diào)整適當(dāng)?shù)膬?chǔ)存位置，更降低固態(tài)硬盤的存取速度。因此，固態(tài)硬盤在儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層的冷熱數(shù)據(jù)方法上，仍有問題亟待解決。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的提供一種固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的方法，配合固態(tài)硬盤啟動(dòng)時(shí)動(dòng)態(tài)選擇閃存轉(zhuǎn)換層的儲(chǔ)存模式，動(dòng)態(tài)選擇冷熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置，以提高固態(tài)硬盤的存取效率。

本發(fā)明的另一目的提供一種固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的方法，比較選擇設(shè)定的儲(chǔ)存模式中不同儲(chǔ)存介質(zhì)的存取速度，動(dòng)態(tài)將熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存在存取速度較快的儲(chǔ)存介質(zhì)，以提高固態(tài)硬盤的存取速度。

為了達(dá)到前述發(fā)明的目的，本發(fā)明第一實(shí)施例固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的方法，由主機(jī)對固態(tài)硬盤發(fā)出存取數(shù)據(jù)指令，判斷存取數(shù)據(jù)為冷數(shù)據(jù)或熱數(shù)據(jù)，檢查固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層為部分儲(chǔ)存模式，比較部分儲(chǔ)存模式中不同儲(chǔ)存介質(zhì)的存取速度，決定儲(chǔ)存介質(zhì)存取速度的快慢順序，將閃存轉(zhuǎn)換層熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至存取速度較快的儲(chǔ)存介質(zhì)，閃存轉(zhuǎn)換層冷數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至存取速度較慢的儲(chǔ)存介質(zhì)。

本發(fā)明在主機(jī)或固態(tài)硬盤設(shè)立冷熱數(shù)據(jù)判斷機(jī)制，計(jì)算數(shù)據(jù)存取次數(shù)，預(yù)設(shè)存取次數(shù)閾值，超過存取次數(shù)閾值判斷為熱數(shù)據(jù)，而未超過存取次數(shù)閾值判斷為冷數(shù)據(jù)。動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層為部分儲(chǔ)存模式，部分儲(chǔ)存模式包含F(xiàn)lash部分儲(chǔ)存模式、DRAM部分儲(chǔ)存模式及主機(jī)部分儲(chǔ)存模式。動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層不為部分儲(chǔ)存模式時(shí)，包含動(dòng)態(tài)選擇緩沖存儲(chǔ)器全儲(chǔ)存模式及閃存全儲(chǔ)存模式，不調(diào)整冷熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置。

本發(fā)明第二實(shí)施例固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的方法，由主機(jī)對固態(tài)硬盤發(fā)出存取數(shù)據(jù)指令，判斷存取數(shù)據(jù)為冷數(shù)據(jù)或熱數(shù)據(jù)，檢查固態(tài)硬盤閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定不為部分儲(chǔ)存模式時(shí)，不調(diào)整冷熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置，而動(dòng)態(tài)設(shè) 定的閃存轉(zhuǎn)換層為部分儲(chǔ)存模式時(shí)，檢查固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層為Flash部分儲(chǔ)存模式，比較儲(chǔ)存介質(zhì)緩沖存儲(chǔ)器較閃存陣列的存取速度快，將閃存轉(zhuǎn)換層的熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至緩沖存儲(chǔ)器，而將閃存轉(zhuǎn)換層冷數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至閃存陣列。當(dāng)檢查閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定不為Flash部分儲(chǔ)存模式時(shí)，再檢查固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層為DRAM部分儲(chǔ)存模式時(shí)，比較儲(chǔ)存介質(zhì)緩沖存儲(chǔ)器較動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存取速度快，將閃存轉(zhuǎn)換層的熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至緩沖存儲(chǔ)器，而將閃存轉(zhuǎn)換層冷數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

本發(fā)明檢查閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定不為DRAM部分儲(chǔ)存模式時(shí)，再檢查固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層為主機(jī)部分儲(chǔ)存模式時(shí)，比較儲(chǔ)存介質(zhì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器與閃存陣列的存取速度。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器較閃存陣列的存取速度快時(shí)，將閃存轉(zhuǎn)換層的熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而將閃存轉(zhuǎn)換層冷數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至閃存陣列。閃存陣列的存取速度較動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器快時(shí)，將閃存轉(zhuǎn)換層的熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至閃存陣列，而將閃存轉(zhuǎn)換層冷數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)電子裝置儲(chǔ)存系統(tǒng)的功能方塊圖。

圖2為本發(fā)明電子裝置儲(chǔ)存系統(tǒng)的功能方塊圖。

圖3為本發(fā)明Flash部分儲(chǔ)存模式的功能方塊圖。

圖4為本發(fā)明DRAM部分儲(chǔ)存模式的功能方塊圖。

圖5為本發(fā)明閃存全儲(chǔ)存模式的功能方塊圖。

圖6為本發(fā)明主機(jī)部分儲(chǔ)存模式的功能方塊圖。

圖7為本發(fā)明第一實(shí)施例的固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的方法的流程圖。

圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例的固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的方法的流程圖。

附圖符號(hào)說明

10 電子裝置儲(chǔ)存系統(tǒng)

11 主機(jī)

12 中央處理器

13 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

14 傳輸接口

15 固態(tài)硬盤

16 控制器

17 緩沖存儲(chǔ)器

18 閃存陣列

19 轉(zhuǎn)換層選擇單元

20 閃存轉(zhuǎn)換層建立位置

具體實(shí)施方式

有關(guān)本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的，所采用的技術(shù)手段及其功效，茲舉較佳實(shí)施例，并結(jié)合附圖加以說明如下。

請參閱圖2，為本發(fā)明電子裝置儲(chǔ)存系統(tǒng)10的功能方塊圖。本發(fā)明電子裝置儲(chǔ)存系統(tǒng)10，在主機(jī)11設(shè)中央處理器(CPU)12及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)13，由中央處理器12配合動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器13發(fā)出存取數(shù)據(jù)的邏輯地址至連接在傳輸接口14的固態(tài)硬盤(SSD)15，固態(tài)硬盤15內(nèi)設(shè)控制器16及緩沖存儲(chǔ)器17，由控制器16配合緩沖存儲(chǔ)器17接收主機(jī)11的存取數(shù)據(jù)的邏輯地址，至閃存陣列18相對邏輯地址的實(shí)體地址，存取數(shù)據(jù)到主機(jī)2的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器13，以供主機(jī)11備用。本發(fā)明另在固態(tài)硬盤15設(shè)置轉(zhuǎn)換層選擇單元19，負(fù)責(zé)在固態(tài)硬盤15啟動(dòng)時(shí)，動(dòng)態(tài)選擇建立閃存轉(zhuǎn)換層(FTL)的位置。

本發(fā)明電子裝置儲(chǔ)存系統(tǒng)10啟動(dòng)固態(tài)硬盤15時(shí)，控制器16根據(jù)閃存陣列18的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量，預(yù)估形成邏輯實(shí)體對照表所需的容量，由轉(zhuǎn)換層選擇單元19比較緩沖存儲(chǔ)器17儲(chǔ)存邏輯實(shí)體對照表的預(yù)設(shè)容量與邏輯實(shí)體對照表的預(yù)估容量，決定建立閃存轉(zhuǎn)換層的位置。因緩沖存儲(chǔ)器17屬于DRAM型態(tài)，存取速度較閃存快約10倍，轉(zhuǎn)換層選擇單元19以選擇將閃存轉(zhuǎn)換層建立在緩沖存儲(chǔ)器17為優(yōu)先。假如轉(zhuǎn)換層選擇單元19比較緩沖存儲(chǔ)器17儲(chǔ)存邏輯實(shí)體對照表的預(yù)設(shè)容量不小于邏輯實(shí)體對照表的預(yù)估容量，則轉(zhuǎn)換層選擇單元19選擇設(shè)定緩沖存儲(chǔ)器全儲(chǔ)存模式(Full L2P Table Mapping Method)，將閃存轉(zhuǎn)換層的建立位置20全設(shè)在緩沖存儲(chǔ)器17。并通 知控制器16讀取閃存陣列18中各數(shù)據(jù)區(qū)塊的管理數(shù)據(jù)，形成邏輯實(shí)體對照表，全部儲(chǔ)存在緩沖存儲(chǔ)器17。當(dāng)控制器16接收主機(jī)11存取數(shù)據(jù)的邏輯地址時(shí)，控制閃存轉(zhuǎn)換層由儲(chǔ)存在緩沖存儲(chǔ)器17的邏輯實(shí)體對照表，對照數(shù)據(jù)存放在閃存陣列18中的實(shí)體地址，以迅速至對應(yīng)的閃存存取數(shù)據(jù)。

如圖3所示，為本發(fā)明Flash部分儲(chǔ)存模式的功能方塊圖。假如固態(tài)硬盤15啟動(dòng)時(shí)，轉(zhuǎn)換層選擇單元19比較緩沖存儲(chǔ)器17儲(chǔ)存邏輯實(shí)體對照表的預(yù)設(shè)容量小于邏輯實(shí)體對照表的預(yù)估容量，將進(jìn)一步檢查固態(tài)硬盤15是否設(shè)有緩沖存儲(chǔ)器17，以及主機(jī)是否保留動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器提供固態(tài)硬盤15使用，假如固態(tài)硬盤15設(shè)有緩沖存儲(chǔ)器17，且主機(jī)未保留動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器時(shí)，則轉(zhuǎn)換層選擇單元19選擇設(shè)定Flash部分儲(chǔ)存模式(Flash Partial L2P Table Mapping Method)，將閃存轉(zhuǎn)換層的建立位置20，部分設(shè)在緩沖存儲(chǔ)器17，而不足的部分另建立在閃存陣列18。并通知控制器16讀取閃存陣列18中各數(shù)據(jù)區(qū)塊的管理數(shù)據(jù)，形成邏輯實(shí)體對照表，將邏輯實(shí)體對照表部分儲(chǔ)存在緩沖存儲(chǔ)器17，部分儲(chǔ)存在閃存陣列18。

如圖4所示，為本發(fā)明DRAM部分儲(chǔ)存模式的功能方塊圖。因閃存陣列18存取速度較慢，有些主機(jī)11會(huì)保留部分動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器13，提供固態(tài)硬盤15使用。雖然固態(tài)硬盤15需視主機(jī)11的操作空檔才能與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器13交換數(shù)據(jù)，存取速度較緩沖存儲(chǔ)器17慢，但動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器13存取速度有時(shí)仍較閃存陣列18快。因此假如固態(tài)硬盤15設(shè)有緩沖存儲(chǔ)器17，且主機(jī)11又保留動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器13提供固態(tài)硬盤15使用時(shí)，轉(zhuǎn)換層選擇單元19也可選擇設(shè)定DRAM部分儲(chǔ)存模式(DRAM Partial L2P Table Mapping Method)，將閃存轉(zhuǎn)換層的建立位置20部分設(shè)在緩沖存儲(chǔ)器17，而不足的部分另建立在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器13。并通知控制器16讀取閃存陣列18中各數(shù)據(jù)區(qū)塊的管理數(shù)據(jù)，形成邏輯實(shí)體對照表，將邏輯實(shí)體對照表部分儲(chǔ)存在緩沖存儲(chǔ)器17，部分儲(chǔ)存在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器13。

如圖5所示，為本發(fā)明閃存儲(chǔ)存模式的功能方塊圖。本發(fā)明轉(zhuǎn)換層選擇單元19比較緩沖存儲(chǔ)器儲(chǔ)存邏輯實(shí)體對照表的預(yù)設(shè)容量小于邏輯實(shí)體對照表的預(yù)估容量后，例如隨身盤、存儲(chǔ)卡等固態(tài)硬盤15假如未設(shè)緩沖存儲(chǔ)器，且主機(jī)未保留動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，轉(zhuǎn)換層選擇單元19選擇設(shè)定閃存全儲(chǔ)存模式(Flash Array L2P Table Mapping Method)，將閃存轉(zhuǎn)換層的建立位置 20全設(shè)在閃存陣列18。并通知控制器16讀取閃存陣列18中各數(shù)據(jù)區(qū)塊的管理數(shù)據(jù)，形成邏輯實(shí)體對照表全部儲(chǔ)存在閃存陣列18。當(dāng)控制器16存取數(shù)據(jù)，控制閃存轉(zhuǎn)換層由儲(chǔ)存在閃存陣列18邏輯實(shí)體對照表，讀取數(shù)據(jù)的對照關(guān)系直接輸送至主機(jī)。但閃存全儲(chǔ)存模式由閃存存取數(shù)據(jù)的速度較緩沖存儲(chǔ)器慢，會(huì)降低固態(tài)硬盤15的存取速度。

如圖6所示，為本發(fā)明主機(jī)部分儲(chǔ)存模式的功能方塊圖。在固態(tài)硬盤15啟動(dòng)時(shí)，轉(zhuǎn)換層選擇單元19比較緩沖存儲(chǔ)器儲(chǔ)存邏輯實(shí)體對照表的預(yù)設(shè)容量小于邏輯實(shí)體對照表的預(yù)估容量，進(jìn)一步檢查固態(tài)硬盤15未設(shè)緩沖存儲(chǔ)器，再進(jìn)一步檢查主機(jī)11保留動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器13提供固態(tài)硬盤15使用時(shí)，轉(zhuǎn)換層選擇單元19即選擇設(shè)定主機(jī)部分儲(chǔ)存模式(Host Partial L2P Table Mapping Method)，將閃存轉(zhuǎn)換層建立位置20設(shè)在主機(jī)11保留的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器13，不足的部分設(shè)在閃存陣列18，以提高存取速度。并通知控制器16讀取閃存陣列18中各數(shù)據(jù)區(qū)塊的管理數(shù)據(jù)，形成邏輯實(shí)體對照表，部分儲(chǔ)存在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器13，不足部分儲(chǔ)存在閃存陣列18。

本發(fā)明電子裝置儲(chǔ)存系統(tǒng)因應(yīng)儲(chǔ)存系統(tǒng)中儲(chǔ)存介質(zhì)的變化，并根據(jù)不同儲(chǔ)存介質(zhì)的存取速度快慢，在每次啟動(dòng)固態(tài)硬盤時(shí)，動(dòng)態(tài)選擇緩沖存儲(chǔ)器全儲(chǔ)存模式、Flash部分儲(chǔ)存模式、DRAM部分儲(chǔ)存模式、閃存全儲(chǔ)存模式及主機(jī)部分儲(chǔ)存模式等儲(chǔ)存模式，設(shè)定閃存轉(zhuǎn)換層的建立位置，以提高存取速度。對于緩沖存儲(chǔ)器全儲(chǔ)存模式與閃存全儲(chǔ)存模式等全儲(chǔ)存模式，閃存轉(zhuǎn)換層的數(shù)據(jù)全部儲(chǔ)存在相同儲(chǔ)存介質(zhì)的位置，存取速度并無差異，不須調(diào)整冷熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置。但對于Flash部分儲(chǔ)存模式、DRAM部分儲(chǔ)存模式及主機(jī)部分儲(chǔ)存模式等部分儲(chǔ)存模式，閃存轉(zhuǎn)換層的數(shù)據(jù)分別儲(chǔ)存在不同的儲(chǔ)存介質(zhì)上，不同儲(chǔ)存介質(zhì)的數(shù)據(jù)存取速度相差高達(dá)約10倍，如不隨動(dòng)態(tài)建立閃存轉(zhuǎn)換層的位置，分類儲(chǔ)存閃存轉(zhuǎn)換層的冷熱數(shù)據(jù)，將過多熱數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在存取速度較慢的儲(chǔ)存介質(zhì)，存取操作容易造成阻塞，將降低固態(tài)硬盤整體的存取效率。

如圖7所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例的固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的方法。本發(fā)明第一實(shí)施例的固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的詳細(xì)步驟如下:在步驟S1，主機(jī)對固態(tài)硬盤發(fā)出存取數(shù)據(jù)指令時(shí)，在步驟S2，由主機(jī)或固態(tài)硬盤端設(shè)立的冷熱數(shù)據(jù)判斷機(jī)制，計(jì)算數(shù)據(jù)存取次數(shù)，并對存取數(shù)據(jù)預(yù)設(shè)存取次數(shù)閾值，超過存取次數(shù)閾值判斷為熱數(shù)據(jù)(Hot Data)，而未超過存取次 數(shù)閾值判斷為冷數(shù)據(jù)(Cold Data)。在步驟S3，檢查固態(tài)硬盤啟動(dòng)時(shí)，動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層是否為部分儲(chǔ)存模式？假如閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定不為部分儲(chǔ)存模式，則進(jìn)入步驟S4，由于閃存轉(zhuǎn)換層的數(shù)據(jù)全部儲(chǔ)存在相同儲(chǔ)存介質(zhì)的位置，不須調(diào)整冷熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置。假如閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定為部分儲(chǔ)存模式，則進(jìn)入步驟S5，根據(jù)閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定的部分儲(chǔ)存模式，比較儲(chǔ)存的不同儲(chǔ)存介質(zhì)的存取速度，決定儲(chǔ)存介質(zhì)存取速度的快慢順序，在步驟S4，由于熱數(shù)據(jù)經(jīng)常被存取使用的數(shù)據(jù)，根據(jù)啟動(dòng)時(shí)動(dòng)態(tài)設(shè)定的部分儲(chǔ)存模式，將閃存轉(zhuǎn)換層熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至存取速度較快的儲(chǔ)存介質(zhì)，使大多數(shù)的存取操作快速完成，而冷數(shù)據(jù)屬于很少被存取使用的數(shù)據(jù)，根據(jù)動(dòng)態(tài)設(shè)定的部分儲(chǔ)存模式，將閃存轉(zhuǎn)換層冷數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至存取速度較慢的儲(chǔ)存介質(zhì)，雖然存取操作較慢完成，但僅阻礙少數(shù)存取操作，對固態(tài)硬盤整體的存取速度影響較少。

舉例說明，請參考圖3，假如本發(fā)明固態(tài)硬盤15在啟動(dòng)時(shí)，因固態(tài)硬盤15的緩沖存儲(chǔ)器17部分故障，轉(zhuǎn)換層選擇單元19動(dòng)態(tài)選擇閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定為Flash部分儲(chǔ)存模式。根據(jù)Flash部分儲(chǔ)存模式，閃存轉(zhuǎn)換層的數(shù)據(jù)部分儲(chǔ)存在固態(tài)硬盤的緩沖存儲(chǔ)器17，不足的部分儲(chǔ)存在閃存陣列18，而儲(chǔ)存介質(zhì)中緩沖存儲(chǔ)器17較閃存陣列18的存取速度快約10倍。建立閃存轉(zhuǎn)換層時(shí)，本發(fā)明先利用冷熱數(shù)據(jù)判斷機(jī)制判斷存取數(shù)據(jù)為熱數(shù)據(jù)或冷數(shù)據(jù)，假如為熱數(shù)據(jù)時(shí)，則儲(chǔ)存在緩沖存儲(chǔ)器17，假如為冷數(shù)據(jù)時(shí)，則儲(chǔ)存在閃存陣列18，以提高存取速度。

如圖8所示，為本發(fā)明第二實(shí)施例的固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的方法。本發(fā)明第二實(shí)施例對固態(tài)硬盤各儲(chǔ)存模式動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的詳細(xì)步驟，說明如下:在步驟T1，主機(jī)對固態(tài)硬盤發(fā)出存取數(shù)據(jù)指令時(shí)，在步驟T2，由冷熱數(shù)據(jù)判斷機(jī)制對存取數(shù)據(jù)判斷為熱數(shù)據(jù)或冷數(shù)據(jù)。在步驟T3，檢查固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層是否為部分儲(chǔ)存模式？假如設(shè)定不為部分儲(chǔ)存模式，則進(jìn)入步驟T4，不須調(diào)整冷熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置。假如閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定為部分儲(chǔ)存模式，則進(jìn)入步驟T5，檢查固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層是否為Flash部分儲(chǔ)存模式？假如閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定為Flash部分儲(chǔ)存模式，則進(jìn)入步驟T6，比較儲(chǔ)存介質(zhì)緩沖存儲(chǔ)器較閃存陣列的存取速度快，將閃存轉(zhuǎn)換層的熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至緩沖存儲(chǔ)器，而將閃存轉(zhuǎn)換層冷數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至閃存陣列。

假如閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定不為Flash部分儲(chǔ)存模式，則進(jìn)入步驟T7，檢查固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層是否為DRAM部分儲(chǔ)存模式？假如閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定為DRAM部分儲(chǔ)存模式，則進(jìn)入步驟T8，比較儲(chǔ)存介質(zhì)緩沖存儲(chǔ)器較動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存取速度快，將閃存轉(zhuǎn)換層的熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至緩沖存儲(chǔ)器，而將閃存轉(zhuǎn)換層冷數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

假如閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定不為DRAM部分儲(chǔ)存模式，則進(jìn)入步驟T9，檢查固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層是否為主機(jī)部分儲(chǔ)存模式？假如閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定為主機(jī)部分儲(chǔ)存模式，則進(jìn)入步驟T10，比較儲(chǔ)存介質(zhì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器與閃存陣列的存取速度，本實(shí)施例雖設(shè)定動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器較閃存陣列的存取速度快，將閃存轉(zhuǎn)換層的熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而將閃存轉(zhuǎn)換層冷數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至閃存陣列。但動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存取速度需視主機(jī)的操作頻率而定，亦可設(shè)定閃存陣列的存取速度較動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器快，將閃存轉(zhuǎn)換層的熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至閃存陣列，而將閃存轉(zhuǎn)換層冷數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置調(diào)整至動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。假如閃存轉(zhuǎn)換層設(shè)定不為主機(jī)部分儲(chǔ)存模式，則進(jìn)入步驟T11，結(jié)束步驟。

前述本發(fā)明第二實(shí)施例的固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的方法中，步驟T5檢查固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層為Flash部分儲(chǔ)存模式及其附屬步驟T6調(diào)整冷熱數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置、步驟T7檢查固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層為DRAM部分儲(chǔ)存模式及其附屬步驟T8調(diào)整冷熱數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置、步驟T9檢查固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)設(shè)定的閃存轉(zhuǎn)換層是否為主機(jī)部分儲(chǔ)存式及其附屬步驟T10調(diào)整冷熱數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置等步驟，先后次序可隨意變動(dòng)，亦可達(dá)到本發(fā)明固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的方法。

因此，本發(fā)明的固態(tài)硬盤動(dòng)態(tài)儲(chǔ)存轉(zhuǎn)換層數(shù)據(jù)的方法，就可藉由配合固態(tài)硬盤啟動(dòng)時(shí)動(dòng)態(tài)選擇閃存轉(zhuǎn)換層的儲(chǔ)存模式，并根據(jù)儲(chǔ)存模式中所用不同的儲(chǔ)存介質(zhì)，比較儲(chǔ)存模式中不同儲(chǔ)存介質(zhì)的存取速度，動(dòng)態(tài)選擇調(diào)整閃存轉(zhuǎn)換層的冷熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存位置，動(dòng)態(tài)將熱數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存在存取速度較快的儲(chǔ)存介質(zhì)，冷數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存在存取速度較慢的儲(chǔ)存介質(zhì)，達(dá)到提高固態(tài)硬盤的存取速度的目的。

以上所述，僅為用以方便說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例，本發(fā)明的范圍不限于這些較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明所做的任何變更，在不脫離本發(fā)明的精神下， 皆屬本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍。