一種ddr快速測量方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及計算機存儲技術領域，具體涉及一種DDR快速測量方法。
【背景技術】
[0002]—般服務器電路板都會使用大量的內(nèi)存，然后對于內(nèi)存的測試現(xiàn)階段都局限在直接上電測試，但是不排除個別的板卡由于機構、電源設計、空間等等的原因，造成不必要的損傷，沒有一個針對內(nèi)存DDR4上電源對地情況、電源與電源之間的阻抗情況的排查設備，增大了系統(tǒng)由于異常內(nèi)存造成的風險。
[0003]從事服務器的設計時，我們會發(fā)現(xiàn)內(nèi)存需要使用的電源很多，不論是前期的設計和后期的保護，通常我們在設計的過程中都會加相應的供電電路，是內(nèi)存能在多路電源的情況下都能正常工作，但內(nèi)存上一路電源對地阻抗發(fā)生變化會產(chǎn)生，在不知情的條件下會對板卡造成損壞。一旦我們的服務器主板發(fā)生上電異常，不論是由于設計上的失誤、人為操作、或者其他的意外情況都有可能對電路板造成很大的傷害。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術問題是:為了解決上述問題，提供一種DDR快速測量方法。
[0005]本發(fā)明所采用的技術方案為:
一種DDR快速測量方法，DDR內(nèi)存在上系統(tǒng)平臺前，先做一次相關的阻抗測試，通過測試工具檢查內(nèi)存單體的好壞，根據(jù)測試工具測試的結果，將好的內(nèi)存上板測試，減少主板因為內(nèi)存異常造成的燒毀現(xiàn)象，而這對服務器而言是致命的，如果使用測試設備對內(nèi)存部件進行初步的檢測判斷好壞的設備，降低由于內(nèi)存異常造成的主板損傷，進而減少對板卡造成燒壞的可能狀況，在內(nèi)存使用前用該測試設備檢測內(nèi)存單體各電源及地之間的阻抗情況，當阻抗超過規(guī)定的目標值認為存在單體異常，將異常內(nèi)存單體單獨放置作為異常品處理，這樣就可以減少內(nèi)存異常對主板的損傷，實現(xiàn)保護的措施。
[0006]所述方法涉及的測試工具，其結構包括PCB電路板，DDR插座，所述電路板上設置有內(nèi)存測試點位，其中包括:電源PVPP、電源PVTT、電源PVDDQ及GND的測試點位；通過萬用表測試相應的點位，就可以判斷內(nèi)存的電源點及對地阻抗情況。如果當電源板由于不確定因素出現(xiàn)有短路的地方，可以通過儀器具體的測試出來，使異常單體內(nèi)存可以前期排查出來。
[0007]所述測試工具PCB布線的銅箔的通流量符合電流大小的要求，使用的內(nèi)存接觸DI麗符合行業(yè)內(nèi)規(guī)范，使測量出來的數(shù)值接近內(nèi)存本體數(shù)值。
[0008]所述測試工具上的測試點位包括:VrefCA、12V、VSS、VDD、Vtt、Vpp、VDDSPD。
[0009]所述DDR內(nèi)存包括DDR3內(nèi)存和DDR4內(nèi)存。
[0010]本發(fā)明的有益效果為:
本發(fā)明利用測試工具的功能在測試前期快速的排查內(nèi)存是否好壞，內(nèi)存上系統(tǒng)前可以儀器排查，避免造成主板的損傷；保護主板因為異常內(nèi)存造成的損傷；增加外部測試點位測試，減少直接在內(nèi)存測試的風險。
【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明測試工具結構示意圖。
【具體實施方式】
[0012]下面根據(jù)說明書附圖，結合【具體實施方式】對本發(fā)明進一步說明:
實施例1:
一種DDR快速測量方法，DDR內(nèi)存在上系統(tǒng)平臺前，先做一次相關的阻抗測試，通過測試工具檢查內(nèi)存單體的好壞，根據(jù)測試工具測試的結果，將好的內(nèi)存上板測試，減少主板因為內(nèi)存異常造成的燒毀現(xiàn)象，而這對服務器而言是致命的，如果使用測試設備對內(nèi)存部件進行初步的檢測判斷好壞的設備，降低由于內(nèi)存異常造成的主板損傷，進而減少對板卡造成燒壞的可能狀況，在內(nèi)存使用前用該測試設備檢測內(nèi)存單體各電源及地之間的阻抗情況，當阻抗超過規(guī)定的目標值認為存在單體異常，將異常內(nèi)存單體單獨放置作為異常品處理，這樣就可以減少內(nèi)存異常對主板的損傷，實現(xiàn)保護的措施。
[0013]實施例2:
如圖1所示，在實施例1的基礎上，本實施例所述方法涉及的測試工具，其結構包括PCB電路板1，DDR插座2，所述電路板上設置有內(nèi)存測試點位，其中包括:電源PVPP、電源PVTT、電源PVDDQ及GND的測試點位；通過萬用表測試相應的點位，就可以判斷內(nèi)存的電源點及對地阻抗情況。如果當電源板由于不確定因素出現(xiàn)有短路的地方，可以通過儀器具體的測試出來，使異常單體內(nèi)存可以前期排查出來。
[0014]實施例3:
在實施例2的基礎上，本實施例所述測試工具PCB布線的銅箔的通流量符合電流大小的要求，使用的內(nèi)存接觸DIMM符合行業(yè)內(nèi)規(guī)范，使測量出來的數(shù)值接近內(nèi)存本體數(shù)值。
[0015]實施例4:
在實施例2或3的基礎上，本實施例所述測試工具上的測試點位包括:VrefCA、12V、VSS、VDD、Vtt、Vpp、VDDSPDo
[0016]實施例5:
在實施例4的基礎上，本實施例所述DDR內(nèi)存包括DDR3內(nèi)存和DDR4內(nèi)存。
[0017]以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關技術領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護范圍應由權利要求限定。
【主權項】
1.一種DDR快速測量方法，其特征在于:DDR內(nèi)存在上系統(tǒng)平臺前，先做一次相關的阻抗測試，通過測試工具檢查內(nèi)存單體的好壞，根據(jù)測試工具測試的結果，將好的內(nèi)存上板測試。2.根據(jù)權利要求1所述的一種DDR快速測量方法，其特征在于:所述方法涉及的測試工具，其結構包括PCB電路板，DDR插座，所述電路板上設置有內(nèi)存測試點位，其中包括:電源PVPP、電源PVTT、電源PVDDQ及GND的測試點位；通過測試相應的點位，判斷內(nèi)存的電源點及對地阻抗情況。3.根據(jù)權利要求2所述的一種DDR快速測量方法，其特征在于:所述測試工具PCB布線的銅箔的通流量符合電流大小的要求，使用的內(nèi)存接觸DIMM符合行業(yè)內(nèi)規(guī)范。4.根據(jù)權利要求2或3所述的一種DDR快速測量方法，其特征在于:所述測試工具上的測試點位包括:VrefCA、12V、VSS、VDD、Vtt、Vpp、VDDSPD。5.根據(jù)權利要求4所述的一種DDR快速測量方法，其特征在于:所述DDR內(nèi)存包括DDR3內(nèi)存和DDR4內(nèi)存。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種DDR快速測量方法，DDR內(nèi)存在上系統(tǒng)平臺前，先做一次相關的阻抗測試，通過測試工具檢查內(nèi)存單體的好壞，根據(jù)測試工具測試的結果，將好的內(nèi)存上板測試。本發(fā)明利用測試工具的功能在測試前期快速的排查內(nèi)存是否好壞，內(nèi)存上系統(tǒng)前可以儀器排查，避免造成主板的損傷；保護主板因為異常內(nèi)存造成的損傷；增加外部測試點位測試，減少直接在內(nèi)存測試的風險。
【IPC分類】G11C29/56
【公開號】CN105427894
【申請?zhí)枴緾N201510756168
【發(fā)明人】張曉 , 付猛猛
【申請人】浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年11月9日