高壓行譯碼電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路，特別是涉及一種高壓行譯碼電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 非易失性存儲(chǔ)器（NVM)在高壓編程操作時(shí)需要高壓，編程（program)時(shí)選中需要 正編程電壓，正編程電壓一般為能夠?qū)崿F(xiàn)電子注入到存儲(chǔ)管的柵極的正高壓（vpos)，正高 壓要大于NVM的工作的電源電壓（vpwr);編程時(shí)不選中為負(fù)擦除電壓，負(fù)擦除電壓一般為 在擦除（erase)操作時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)將電子從存儲(chǔ)管的柵極的擦除的負(fù)高壓（vneg)。擦除時(shí)選 中需要負(fù)擦除電壓即vneg，不選中為正編程電壓即vpos。
[0003] 非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行編程或擦除操作所需的電壓由高壓行譯碼電路實(shí)現(xiàn)，如圖 1所示，是現(xiàn)有高壓行譯碼電路圖；現(xiàn)有高壓行譯碼包括高壓譯碼模塊101，第一譯碼器 (decodel) 102,第二譯碼器（decode2) 103,高壓控制模塊（hvl) 104。decodel主要為多位譯 碼模塊，de〇Cde2主要為2-4譯碼器，hvl主要為高壓控制模塊。
[0004] 輸入信號(hào)包括3個(gè)，分別為信號(hào)A、信號(hào)B和信號(hào)C。信號(hào)A和B為解碼信號(hào)，同時(shí) 為1，代表選中。信號(hào)C為模式控制信號(hào)，0表不編程，1表不擦除。
[0005] 信號(hào)A和信號(hào)C經(jīng)過decodel模塊生成高壓譯碼信號(hào)X2SP和X2SN ;信號(hào)B經(jīng)過 decode2模塊生成高壓譯碼信號(hào)0E_DP、0E_SPB、0E_SN和0E_DNB ;信號(hào)C經(jīng)過hvl模塊生 成高壓信號(hào)VDP和VDN。
[0006] 高壓譯碼模塊101包括8各腸5晶體管，分別為？]\?)5管111101、111102、111103和111104 以及NMOS管ml05、ml06、ml07和ml08?，F(xiàn)有高壓行譯碼電路的輸入輸出信號(hào)和中間的譯 碼信號(hào)以及對(duì)應(yīng)的控制關(guān)系如表一所示。
[0007] 表一
[0008]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種高壓行譯碼電路，其特征在于，包括高壓譯碼模塊，所述高壓譯碼模塊包括：第 一 PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五PMOS管和第六NMOS管； 所述第一 PMOS管的柵極連接第一譯碼信號(hào)，所述第二PMOS管的柵極連接第二譯碼信 號(hào)，所述第一譯碼信號(hào)和所述第二譯碼信號(hào)互為反相，所述第一譯碼信號(hào)的低電平為〇、高 電平為正編程電壓； 所述第三NMOS管的柵極連接第三譯碼信號(hào)，所述第四NMOS管的柵極連接第四譯碼信 號(hào)，所述第三譯碼信號(hào)和所述第四譯碼信號(hào)互為反相，所述第三譯碼信號(hào)的低電平為負(fù)擦 除電壓、高電平為電源電壓； 所述第五PMOS管的柵極接地，所述第六NMOS管的柵極連接電源電壓； 所述第一 PMOS管的漏極連接第五譯碼信號(hào)，所述第二PMOS管的源極連接第六譯碼信 號(hào)，所述第三NMOS管的漏極連接第七譯碼信號(hào)，所述第四NMOS管的源極連接第八譯碼信 號(hào)，所述第五譯碼信號(hào)和所述第六譯碼信號(hào)的低電平都為0、高電平都為正編程電壓；所述 第七譯碼信號(hào)和所述第八譯碼信號(hào)的低電平都為負(fù)擦除電壓、高電平都為電源電壓； 所述第一 PMOS管的源極、所述第二PMOS管的漏極和所述第五PMOS管的漏極連接在一 起，所述第三NMOS管的源極、所述第四NMOS管的漏極和所述第六NMOS管的漏極連接在一 起，所述第五PMOS管的源極和所述第六NMOS管的源極連接在一起并作為行譯碼信號(hào)輸出 端； 所述第一譯碼信號(hào)、所述第二譯碼信號(hào)、所述第三譯碼信號(hào)、所述第四譯碼信號(hào)、所述 第五譯碼信號(hào)、所述第六譯碼信號(hào)、所述第七譯碼信號(hào)和所述第八譯碼信號(hào)都由第一輸入 信號(hào)、第二輸入信號(hào)和第三輸入信號(hào)譯碼后形成；所述第一輸入信號(hào)和所述第二輸入信號(hào) 為解碼信號(hào)，當(dāng)所述第一輸入信號(hào)和所述第二輸入信號(hào)都為1時(shí)表示選中；所述第三輸入 信號(hào)為模式控制信號(hào)，所述第三輸入信號(hào)為〇時(shí)表示編程、為1時(shí)表示擦除； 編程模式且選中時(shí)，所述第一 PMOS管和所述第五PMOS管導(dǎo)通，輸出的行譯碼信號(hào)為 正編程電壓；編程模式且未選中時(shí)，所述第三NMOS管和所述第六NMOS管導(dǎo)通或所述第四 NMOS管和所述第六NMOS管導(dǎo)通，所述行譯碼信號(hào)為負(fù)擦除電壓； 擦除模式且選中時(shí)，所述第三NMOS管和所述第六NMOS管導(dǎo)通，輸出的行譯碼信號(hào)為 負(fù)擦除電壓；編程模式且未選中時(shí)，所述第一 PMOS管和所述第五PMOS管導(dǎo)通或所述第二 PMOS管和所述第五PMOS管導(dǎo)通，所述行譯碼信號(hào)為正編程電壓。
2. 如權(quán)利要求1所述的高壓行譯碼電路，其特征在于：高壓行譯碼電路還包括第一譯 碼器，所述第一輸入信號(hào)輸入到所述第一譯碼器，所述第一譯碼器的輸出端輸出所述第一 譯碼信號(hào)、所述第二譯碼信號(hào)、所述第三譯碼信號(hào)和所述第四譯碼信號(hào)，所述第一輸入信號(hào) 為1時(shí)，所述第一譯碼信號(hào)為低電平、所述第二譯碼信號(hào)為高電平；所述第一輸入信號(hào)為〇 時(shí)，所述第一譯碼信號(hào)為高電平、所述第二譯碼信號(hào)為低電平。
3. 如權(quán)利要求2所述的高壓行譯碼電路，其特征在于：所述第一譯碼器由多位譯碼器 組成。
4. 如權(quán)利要求1所述的高壓行譯碼電路，其特征在于：高壓行譯碼電路還包括第二譯 碼器，所述第二輸入信號(hào)和所述第三輸入信號(hào)輸入到所述第二譯碼器，所述第二譯碼器的 輸出端輸出所述第五譯碼信號(hào)和所述第七譯碼信號(hào)，所述第二輸入信號(hào)和所述第三輸入信 號(hào)為00或11時(shí)，所述第五譯碼信號(hào)和所述第七譯碼信號(hào)都為低電平，所述第二輸入信號(hào)和 所述第三輸入信號(hào)為10或01時(shí)，所述第五譯碼信號(hào)和所述第七譯碼信號(hào)都為高電平。
5. 如權(quán)利要求4所述的高壓行譯碼電路，其特征在于：所述第二譯碼器由2-4譯碼器 組成。
6. 如權(quán)利要求4所述的高壓行譯碼電路，其特征在于：高壓行譯碼電路還包括高壓控 制模塊，所述第三輸入信號(hào)輸入到所述高壓控制模塊，所述高壓控制模塊的輸出端輸出所 述第六譯碼信號(hào)和所述第八譯碼信號(hào)，所述第三輸入信號(hào)為1時(shí)，所述第六譯碼信號(hào)和所 述第八譯碼信號(hào)都為高電平；所述第三輸入信號(hào)為0時(shí)，所述第六譯碼信號(hào)和所述第八譯 碼信號(hào)都為低電平。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高壓行譯碼電路，高壓譯碼模塊包括六個(gè)MOS晶體管；八個(gè)譯碼信號(hào)由3個(gè)輸入信號(hào)譯碼后形成，第一和二PMOS管以及第三和四NMOS管的柵極分別連接第一至四譯碼信號(hào)，第五PMOS管的柵極接地，第六NMOS管的柵極連接電源電壓；第五PMOS管和第六NMOS管的源極連接在一起并作為行譯碼信號(hào)輸出端；通過第一至四譯碼信號(hào)控制包括有正編程電壓或負(fù)擦除電壓的第五至八譯碼信號(hào)中的一個(gè)連接到輸出端。編程模式且選中時(shí)，第一和五PMOS管導(dǎo)通，行譯碼信號(hào)為正編程電壓，未選中為負(fù)擦除電壓；擦除模式且選中時(shí)，第三和六NMOS管導(dǎo)通，行譯碼信號(hào)為負(fù)擦除電壓，未選中為正編程電壓。本發(fā)明面積小。
【IPC分類】G11C16-08
【公開號(hào)】CN104658604
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510068402
【發(fā)明人】王鑫
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2015年2月10日